JPH0485879A - ゲートアレイ - Google Patents

ゲートアレイ

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JPH0485879A
JPH0485879A JP19883290A JP19883290A JPH0485879A JP H0485879 A JPH0485879 A JP H0485879A JP 19883290 A JP19883290 A JP 19883290A JP 19883290 A JP19883290 A JP 19883290A JP H0485879 A JPH0485879 A JP H0485879A
Authority
JP
Japan
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input
output
stage
cells
cell
Prior art date
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Pending
Application number
JP19883290A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoko Ura
浦 智子
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、入出力セル及び入出力パッドとセル配置領域
と配線領域とを二段で構成したゲートアレイに関する。
[従来の技術] 従来のゲートアレイにおいては、第2図に示すように、
同一面上に入出力セル11と入出力パッド12、セル配
置領域13と配線領域14とが、それぞれ、チップ周囲
と中央部に配置されている。
[発明が解決しようとする課題] 前述の従来技術では、1チツプに配置できる入出力セル
及び入出力パッドの数は、チップの周囲長とパッドピッ
チにより制限されていた。そのために、多くの入出力ビ
ンを必要とするものにおいては、セルの使用数が少ない
場合でも、チップの周囲長の長いもの、つまり、チップ
面積の高いものを使わざるを得す、セルの使用効率が著
しく悪いことがあった。そこで、本発明は従来のこのよ
うな問題を解決するため、入出力セル及び入出力パッド
とセル配置領域及び配線領域とを上段と下段に分けて、
上段においてチップ−面に入出力セルとパッドを配置し
、セルの使用効率を下げずに、多ビンの仕様を実現する
ことを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明のゲートアレイは、 半導体集積回路における、 a)上段の入出力セルと b)上段の入出力パッドと C)下段のセル配置領域と d)下段の配線領域と e)上段と下段の間の絶縁膜 とからなる二段構成であることを特徴とする。
[実施例] 第1図は、本発明の実施例におけるゲートアレイの断面
図である。構成は、上段の入出力パッド1、入出力セル
2と、上段と下段を分ける絶縁膜3、下段のセル配置領
域4、配線領域5と、入出力セルと下段の配線とを接続
するホール6とからなる。上段の人出力セル2は、下段
の配線領域5の上に位置する。これにより、上段と下段
の接続はホール6によって行なう。使用しない入出力セ
ルは、絶縁膜3により下段には影響しない。第3図は、
本発明の上段の平面図であり、入出力パッド1と入出力
セル2がチップの全面に配置される。
第4図は、本発明の下段の平面図であり、セル配置領域
4と配線領域5で全面が構成されている。
下段のセルの配置は、上段の入出力セルの配置を考慮し
て行えるので、入出力セルからの配線を短くしたい場合
には、上段の入出力セルの真下にセルを配置することが
できる。また、入出力セルが全面にあるので、電源セル
をチップに対して均等に配置することができるため、チ
ップ中心部への電源供給の安定化がはがれる。
[発明の効果] 本発明は、ゲートアレイにおいて、入出力パッド及び入
出力セルと、セル配置領域及び配線領域とを二段で構成
したので、従来より多くの入出力ビンを使うことが可能
になった。また、従来と同じチップ面積のゲートアレイ
と比較すると、下段から入出力セルとパッドの部分が不
要となるので、内部セルの集積度が高まる。更に、電源
ビンを任意に配置することにより、チップ全体に対して
安定した電源供給が行える。入出力ビンからの配線を短
くしたい場合には、上段と下段のセルの配置を同じ位置
にすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、第3図第4図のA−Aを示す主要断面図。 第2図は従来のゲートアレイの平面図。 第3図は実施例における上段の平面図。 第4図は実施例における下段の平面図。 1・・・入出力パッド 2・・・入出力セル 3・・・絶縁膜 4・・・セル配置領域 5・・・配線領域 6・・・ホール 躬/10 11・・・入出力パッド 12・・・入出力セル 13・・・セル配置領域 14・・・配線領域 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部(他1名)稟2C

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 半導体集積回路において、 a)上段の入出力セルと b)上段の入出力パッドと c)下段のセル配置領域と d)下段の配線領域と e)上段と下段の間の絶縁膜とからなる二段構成である
    ことを特徴とするゲートアレイ。
JP19883290A 1990-07-26 1990-07-26 ゲートアレイ Pending JPH0485879A (ja)

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JP19883290A JPH0485879A (ja) 1990-07-26 1990-07-26 ゲートアレイ

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