JPH04124875A - 赤外線撮像素子 - Google Patents
赤外線撮像素子Info
- Publication number
- JPH04124875A JPH04124875A JP2244571A JP24457190A JPH04124875A JP H04124875 A JPH04124875 A JP H04124875A JP 2244571 A JP2244571 A JP 2244571A JP 24457190 A JP24457190 A JP 24457190A JP H04124875 A JPH04124875 A JP H04124875A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- silicon substrate
- respect
- barrier potential
- schottky junction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
感光部をショットキー接合で構成した赤外線撮像素子に
関し、 実効的な感光部の面積を拡大することを目的とし、 ショットキー接合で構成した感光部て赤外線の光電変換
を行なう赤外線撮像素子において、該感光部の中央部分
にシリコン基板に対して障壁電位の低い金属でショット
キー接合を構成し、該感光部の周縁部分に該シリコン基
板に対して障壁電位か高い金属でショットキー接合を構
成する。
関し、 実効的な感光部の面積を拡大することを目的とし、 ショットキー接合で構成した感光部て赤外線の光電変換
を行なう赤外線撮像素子において、該感光部の中央部分
にシリコン基板に対して障壁電位の低い金属でショット
キー接合を構成し、該感光部の周縁部分に該シリコン基
板に対して障壁電位か高い金属でショットキー接合を構
成する。
本発明は赤外線撮像素子に関し、感光部をショットキー
接合で構成した赤外線撮像素子に関する。
接合で構成した赤外線撮像素子に関する。
近年、感光部にショットキー接合を用いた赤外線撮像素
子か開発されており、素子の高感度化及び高密度化が要
望されている。
子か開発されており、素子の高感度化及び高密度化が要
望されている。
第２図は従来の赤外線撮像素子の一例の断面構造園を示
す。
す。
同図中、ｐ型シリコン基板１０の一面には反射防止膜１
１が設けられ、他面にはプラチナシリサイド（ＰｔＳｉ
）層１２が設けられている。シリコン基板１０のＰｔ５
ｉ層１２の周縁近傍には漏れ電流抑制のためのｎ型拡散
層のガードリング１３が設けられている。
１が設けられ、他面にはプラチナシリサイド（ＰｔＳｉ
）層１２が設けられている。シリコン基板１０のＰｔ５
ｉ層１２の周縁近傍には漏れ電流抑制のためのｎ型拡散
層のガードリング１３が設けられている。
Ｐｔ５ｉｌ１２とシリコン基板１０間の障壁の大きさは
０．２５ｅＶ程度であり、ＰｔＳｉ層１２とｎ型シリコ
ンのガードリング１３間の障壁の大きさは０．８７ｅＶ
となる。このためＰｔＳｉ層１２０周縁部では障壁電位
が高くなり漏れ電流か減少する。
０．２５ｅＶ程度であり、ＰｔＳｉ層１２とｎ型シリコ
ンのガードリング１３間の障壁の大きさは０．８７ｅＶ
となる。このためＰｔＳｉ層１２０周縁部では障壁電位
が高くなり漏れ電流か減少する。
この撮像素子では実効的な赤外線感光部はガードリンク
１３の内側の輻ｄ、の範囲である。ガードリング１３は
ｎｕ拡散層であり熱拡散を行なうために輻ｄ、かある程
度拡がり、その分だけ感光部の輻ｄ１が狭くなってしま
うという問題かあった。
１３の内側の輻ｄ、の範囲である。ガードリング１３は
ｎｕ拡散層であり熱拡散を行なうために輻ｄ、かある程
度拡がり、その分だけ感光部の輻ｄ１が狭くなってしま
うという問題かあった。
本発明は上記の点に鑑みなされたちのて、実効的な感光
部の面積を拡大する赤外線撮像素子を提供することを目
的とする。
部の面積を拡大する赤外線撮像素子を提供することを目
的とする。
本発明の赤外線撮像素子は、
ショットキー接合で構成した感光部で赤外線の光電変換
を行なう赤外線撮像素子において、感光部の中央部分に
シリコン基板に対して障壁電位の低い金属でショットキ
ー接合を構成し、感光部の周縁部分にシリコン基板に対
して障壁電位か高い金属でショットキー接合を構成する
。
を行なう赤外線撮像素子において、感光部の中央部分に
シリコン基板に対して障壁電位の低い金属でショットキ
ー接合を構成し、感光部の周縁部分にシリコン基板に対
して障壁電位か高い金属でショットキー接合を構成する
。
本発明においては、感光部の周縁部分に障壁電位の高い
金属でショットキー接合を構成するため、ｎ型拡散のガ
ードリングを設ける必要かなく、実効的な感光部の面積
を拡大できる。
金属でショットキー接合を構成するため、ｎ型拡散のガ
ードリングを設ける必要かなく、実効的な感光部の面積
を拡大できる。
第１図は本発明素子の一実施例の断面構造図を示す。
同図中、ｐ型シリコン基板２０の光が入来する側の一面
には反射防止膜２１か設けられ、他面にはプラチナ（Ｐ
ｔ）層２２か設けられている。またプラチナ層２２の外
周周縁にはｐ型シリコンに対して障壁電位の高い、つま
り仕事関数の小さい金属であるアルミニウム（Ａｌ）層
２３か設けられている。
には反射防止膜２１か設けられ、他面にはプラチナ（Ｐ
ｔ）層２２か設けられている。またプラチナ層２２の外
周周縁にはｐ型シリコンに対して障壁電位の高い、つま
り仕事関数の小さい金属であるアルミニウム（Ａｌ）層
２３か設けられている。
またシリコン基板２０上には光電荷を取出すためのｎ“
型領域２４．移送チヤネルとなるｐ型領域２５．転送チ
ャネルとなるｎ型領域２６が設けられｐ型領域２５とｎ
型領域２６との上方にパスラインと接続された転送電極
２７が設けられている。
型領域２４．移送チヤネルとなるｐ型領域２５．転送チ
ャネルとなるｎ型領域２６が設けられｐ型領域２５とｎ
型領域２６との上方にパスラインと接続された転送電極
２７が設けられている。
Ｐｔ層２２はｐ型シリコンに対して障壁か低く０．２５
ｅＶであり、波長１．１〜５μｍの赤外線に対して感度
がある。またＡｆ層２３のｐ型シリコンに対する障壁は
高＜０．５８ｅＶてあり、波長１．１〜２１μｍの赤外
線に対して感度かある。つまりＡ１層２３は障壁電位か
大きいので漏れ電流を減少させると共に、赤外線に対し
て感度を持ち、従来素子に対して特に波長２μｍ付近の
感度か向上する。
ｅＶであり、波長１．１〜５μｍの赤外線に対して感度
がある。またＡｆ層２３のｐ型シリコンに対する障壁は
高＜０．５８ｅＶてあり、波長１．１〜２１μｍの赤外
線に対して感度かある。つまりＡ１層２３は障壁電位か
大きいので漏れ電流を減少させると共に、赤外線に対し
て感度を持ち、従来素子に対して特に波長２μｍ付近の
感度か向上する。
また、Ａ１層２３の幅は２μｍ程度まで狭くてき、従来
のｎ型拡散のガードリング１３の輻ｄ２の１／２程度と
なり、かつＡｆ層２３ても赤外線に対して感度を持つた
め感光部の幅ｄ、は従来より大となり、感光部の面積か
増大する。
のｎ型拡散のガードリング１３の輻ｄ２の１／２程度と
なり、かつＡｆ層２３ても赤外線に対して感度を持つた
め感光部の幅ｄ、は従来より大となり、感光部の面積か
増大する。
なお、障壁電位の小さい金属としてはＰｔの他にイリジ
ウム（Ｉｒ）等を用いても良く、障壁電位の大きな金属
としてはＡＩの他にパラジウム等を用いても良く、上記
実施例に限定されない。
ウム（Ｉｒ）等を用いても良く、障壁電位の大きな金属
としてはＡＩの他にパラジウム等を用いても良く、上記
実施例に限定されない。
上述の如く、本発明の赤外線撮像素子によれば、実効的
な感光部の面積を拡大でき、それだけ感度が高くなり、
実用上きわめて有用である。
な感光部の面積を拡大でき、それだけ感度が高くなり、
実用上きわめて有用である。
第１図は本発明素子の一実施例の断面構造図、第２図は
従来素子の一例の断面構造図である。 図において、 ２０はシリコン基板、 ２１は反射防止膜、 ２２はプラチナ層、 ２３はアルミニウム層、 ２４はｎ“型領域、 ２５はｎ型領域、 ２６はｎ型領域、 ２７は転送電極 を示す。 第 図 第２図
従来素子の一例の断面構造図である。 図において、 ２０はシリコン基板、 ２１は反射防止膜、 ２２はプラチナ層、 ２３はアルミニウム層、 ２４はｎ“型領域、 ２５はｎ型領域、 ２６はｎ型領域、 ２７は転送電極 を示す。 第 図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ショットキー接合で構成した感光部で赤外線の光電変換
を行なう赤外線撮像素子において、該感光部の中央部分
にシリコン基板（２０）に対して障壁電位の低い金属（
２２）でショットキー接合を構成し、 該感光部の周縁部分に該シリコン基板（２０）に対して
障壁電位が高い金属（２３）でショットキー接合を構成
したことを特徴とする赤外線撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2244571A JPH04124875A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 赤外線撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2244571A JPH04124875A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 赤外線撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04124875A true JPH04124875A (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=17120701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2244571A Pending JPH04124875A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 赤外線撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04124875A (ja) |
-
1990
- 1990-09-14 JP JP2244571A patent/JPH04124875A/ja active Pending
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