JPH04125931A - 配線の形成方法 - Google Patents
配線の形成方法Info
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- JPH04125931A JPH04125931A JP24648490A JP24648490A JPH04125931A JP H04125931 A JPH04125931 A JP H04125931A JP 24648490 A JP24648490 A JP 24648490A JP 24648490 A JP24648490 A JP 24648490A JP H04125931 A JPH04125931 A JP H04125931A
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- tungsten
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の配線の形成方法に関し、更に詳
しくは下層配線上に高融点金属配線を形成した配線の形
成方法に係わる。
しくは下層配線上に高融点金属配線を形成した配線の形
成方法に係わる。
［発明の概要］
本発明は、下層配線上に高融点金属を配した配線の形成
方法において、 下層配線上にコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形
成し、高融点金属を前記コンタクトホールを含む全面に
堆積させ、前記高融点金属を連続的にエッチバックして
前記コンタクトホール内に残すことにより、 配線の剥れを回避すると共に、耐酸化性１表面モフォロ
ジーの向上を図り信頼性の高い配線の形成を可能にする
ものである。
方法において、 下層配線上にコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形
成し、高融点金属を前記コンタクトホールを含む全面に
堆積させ、前記高融点金属を連続的にエッチバックして
前記コンタクトホール内に残すことにより、 配線の剥れを回避すると共に、耐酸化性１表面モフォロ
ジーの向上を図り信頼性の高い配線の形成を可能にする
ものである。
［従来の技術］
次世代の超々ＬＳＩにおいて、微細コンタクトホール（
０，３５μｍ口）やピアホールの埋め込み、さらには配
線層形成技術として、段差被覆性（ステップカバレッジ
）がよく、従来のポリシリコンプラグなどと比較してコ
ンタクト抵抗の低いブランケットタングステンＣＶＤ技
術が注目を集めている。この技術は、「月刊Ｓｅｍ１ｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ １９８９．１２第１９７
頁〜第２００頁」に記載されるように、タングステンを
ブランケット成長させたものである。なお、現状では下
層とタングステンとの密着性の問題から、下層に窒化チ
タン（ＴｉＮ）やチタンタングステン（ＴｉＷ）などの
密着層としての薄膜をスパッタ法にて堆積させている。
０，３５μｍ口）やピアホールの埋め込み、さらには配
線層形成技術として、段差被覆性（ステップカバレッジ
）がよく、従来のポリシリコンプラグなどと比較してコ
ンタクト抵抗の低いブランケットタングステンＣＶＤ技
術が注目を集めている。この技術は、「月刊Ｓｅｍ１ｃ
ｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ １９８９．１２第１９７
頁〜第２００頁」に記載されるように、タングステンを
ブランケット成長させたものである。なお、現状では下
層とタングステンとの密着性の問題から、下層に窒化チ
タン（ＴｉＮ）やチタンタングステン（ＴｉＷ）などの
密着層としての薄膜をスパッタ法にて堆積させている。
第３図Ａ及び第３図Ｂは、コンタクトホールにタングス
テンを埋め込んだ従来例を示している。
テンを埋め込んだ従来例を示している。
この従来例においては、まず、シリコン基板１に不純物
拡散領域２を形成し、その上にＳｉｎ。
拡散領域２を形成し、その上にＳｉｎ。
でなる層間絶縁＠３を堆積させた後、不純物拡散領域２
が露出するコンタクトホール４を周知技術を用いて開口
させる。次に、第３図Ａに示すように、基板上全体に窒
化タンゲス膜５を密着層として、スパッタ法を用いて堆
積させる。
が露出するコンタクトホール４を周知技術を用いて開口
させる。次に、第３図Ａに示すように、基板上全体に窒
化タンゲス膜５を密着層として、スパッタ法を用いて堆
積させる。
次に、第３図Ｂに示すように、ブランケットタングステ
ンＣＶＤを行なってタングステン膜６を形成している。
ンＣＶＤを行なってタングステン膜６を形成している。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このような従来方法においては、以下の
ような問題点がある。
ような問題点がある。
即ち、層間絶縁膜３及びフンタクトホール４内面に堆積
される窒化チタン膜５は、ウェハを支持するクランプ（
第３図人中破線で示す）７の部分には堆積できずクリッ
プマーク（窒化チタンが堆積されない部分）ができる。
される窒化チタン膜５は、ウェハを支持するクランプ（
第３図人中破線で示す）７の部分には堆積できずクリッ
プマーク（窒化チタンが堆積されない部分）ができる。
その後、第３図Ｂに示すように、タングステン膜６を堆
積させた場合、上記クリップマークにおいては、剥れ（
図中破線で示す）が生じる問題点がある。この他に、ウ
ェハの周縁のエッヂに付いたタングステン膜を剥れの原
因となっている。
積させた場合、上記クリップマークにおいては、剥れ（
図中破線で示す）が生じる問題点がある。この他に、ウ
ェハの周縁のエッヂに付いたタングステン膜を剥れの原
因となっている。
本発明は、このような従来例の問題点に着目して創案さ
れたものであって、配線剥れのない、信頼性の高い配線
の形成方法を得んとするものである。
れたものであって、配線剥れのない、信頼性の高い配線
の形成方法を得んとするものである。
［課題を解決するための手段］
そこで、本発明は、下層配線上にコンタクトホールを有
する層間絶縁膜を形成し、高融点金属を前記コンタクト
ホールを含む全面に堆積させ、前記高融点金属を連続的
にエッチバックして前記コンタクトホール内に残すこと
を、その解決手段としている。
する層間絶縁膜を形成し、高融点金属を前記コンタクト
ホールを含む全面に堆積させ、前記高融点金属を連続的
にエッチバックして前記コンタクトホール内に残すこと
を、その解決手段としている。
［作用］
コンタクトホール内及び層間絶縁膜上に堆積された高融
点金属は、エッチバックされることに・より、層間絶縁
膜上に位置するものは除去される。
点金属は、エッチバックされることに・より、層間絶縁
膜上に位置するものは除去される。
このため、層間絶縁膜上での高融点金属の剥れは防止さ
れ、配線の信頼性を高める。
れ、配線の信頼性を高める。
［実施例］
以下、本発明に係る配線の形成方法の詳細を図面に示す
実施例に基づいて説明する。
実施例に基づいて説明する。
（第１実施例）
第１図Ａ及び第１図Ｂは、本発明の第１実施例を示して
いる。
いる。
本実施例は、先ず、シリコン基板１０に下層配線として
の不純物拡散領域１０ａを形成する。次に、Ｓｉｎ、で
成る層間絶縁膜１１をＣＶＤ法にて堆積させた後、周知
の技術を用いてコンタクトホールｌｌａを上記不純物拡
散領域１０ａ上に開口させる。そして、このコンタクト
ホールｌｌａ内及び層間絶縁膜１１上に、密着層として
の窒化チタン（Ｔ ｉＮ）膜１２をスバ／り法により被
着させる。さらに、第１図Ａに示すように、タングステ
ン膜１３をブランケットタングステンＣＶＤ法により堆
積させて、コンタクトホールｌｌａ内を埋め込み、さら
に層間絶縁膜１１上方にも堆積させる。
の不純物拡散領域１０ａを形成する。次に、Ｓｉｎ、で
成る層間絶縁膜１１をＣＶＤ法にて堆積させた後、周知
の技術を用いてコンタクトホールｌｌａを上記不純物拡
散領域１０ａ上に開口させる。そして、このコンタクト
ホールｌｌａ内及び層間絶縁膜１１上に、密着層として
の窒化チタン（Ｔ ｉＮ）膜１２をスバ／り法により被
着させる。さらに、第１図Ａに示すように、タングステ
ン膜１３をブランケットタングステンＣＶＤ法により堆
積させて、コンタクトホールｌｌａ内を埋め込み、さら
に層間絶縁膜１１上方にも堆積させる。
ここで、ブランケットタングステンＣＶＤの条件は、下
記のように２段階の条件に設定した。
記のように２段階の条件に設定した。
第１段階
温度 ４７５°Ｃ
圧力 ８０Ｔｏｒｒ雰囲気ガス及
びその流量 六フッ化タングステン（ｗ Ｆ ｓ） ２５ ｓｃｃ＋
ｔシラン（Ｓ ！ Ｈ４） １５ｅ；ｃｃ
ｗ第２段階 温度 ４７５℃ 圧力 ８０Ｔｏ ｒ ｒ雰囲気ガ
ス及びその流量 六フッ化タングステン（Ｗ Ｆ −） ６０１（：ｃＭ
水素（Ｈｔ） ３８０８ＣｅＭ次に、
上記工程に連続してエッチバックを下記の条件で行い、
窒化チタン膜１２を露出させてコンタクトホールｌｌａ
内のみにタングステン膜（タングステンプラグ）１３を
残すようにした。
びその流量 六フッ化タングステン（ｗ Ｆ ｓ） ２５ ｓｃｃ＋
ｔシラン（Ｓ ！ Ｈ４） １５ｅ；ｃｃ
ｗ第２段階 温度 ４７５℃ 圧力 ８０Ｔｏ ｒ ｒ雰囲気ガ
ス及びその流量 六フッ化タングステン（Ｗ Ｆ −） ６０１（：ｃＭ
水素（Ｈｔ） ３８０８ＣｅＭ次に、
上記工程に連続してエッチバックを下記の条件で行い、
窒化チタン膜１２を露出させてコンタクトホールｌｌａ
内のみにタングステン膜（タングステンプラグ）１３を
残すようにした。
エッチバックの条件
エツチングガス及びその流量
六フッ化イオウ（ＳＦ−） ３０ｓｃｏＭ酸素（○
ｔ）２８ｓｃｏ、ｌ ＲＦ比出力 １５０Ｗ 圧力 ５０ｍＴｏ ｒ ｒ本実施
例においては、タングステンプラグを連続プロセスによ
って形成したため、配線剥れの原因となるタングステン
膜１３が窒化チタン膜１２上に存在しないため、信頼性
の高い配線の形成が可能となる。
ｔ）２８ｓｃｏ、ｌ ＲＦ比出力 １５０Ｗ 圧力 ５０ｍＴｏ ｒ ｒ本実施
例においては、タングステンプラグを連続プロセスによ
って形成したため、配線剥れの原因となるタングステン
膜１３が窒化チタン膜１２上に存在しないため、信頼性
の高い配線の形成が可能となる。
なお、上記連続プロセスは、同一チェンバを用いて行な
っても良いし、ゲートバルブを介して真空で接続された
複数のチェンバを用いても良い。
っても良いし、ゲートバルブを介して真空で接続された
複数のチェンバを用いても良い。
（第２実施例）
第２図Ａ〜第２図りは、第２実施例を示している。なお
、第１実施例と同一部材には同一の符号を付して説明を
省略する。
、第１実施例と同一部材には同一の符号を付して説明を
省略する。
この実施例は、ブランケットタングステンＣ■Ｄにより
タングステン膜形成後、このタングステン膜にタングス
テンをイオン注入し、膜表面をアモルファス化して表面
平坦化を図り、さらに、高ドーズ量のＮ、をイオン注入
し、その後ンリコンナイトライド（Ｓｉ、Ｎ、等）の緻
密性の高い膜で覆い、アニールを施してタンゲス膜表面
を窒化タングステン（ＷＮ、）化してタングステン膜の
耐酸化性９表面ホフォロジーの向上を図っている。
タングステン膜形成後、このタングステン膜にタングス
テンをイオン注入し、膜表面をアモルファス化して表面
平坦化を図り、さらに、高ドーズ量のＮ、をイオン注入
し、その後ンリコンナイトライド（Ｓｉ、Ｎ、等）の緻
密性の高い膜で覆い、アニールを施してタンゲス膜表面
を窒化タングステン（ＷＮ、）化してタングステン膜の
耐酸化性９表面ホフォロジーの向上を図っている。
このため、上記第１実施例と同様配線の信頼性を向上す
る。
る。
先ず、本実施例においては、第２図Ａに示すように、コ
ンタクトホールｌｌａ内及び層間絶縁膜１１に反応性ス
パッタにより被着させた例えば７００人程人程膜厚の窒
化チタン膜１２上に例えば４０００人程度０膜厚のタン
グステン膜１３を第１実施例と同様に形成する。なお、
上記タングステン膜は、シラン（ＳｉＨ，）十水素（Ｈ
２）還元による２段階のブランケットタングステンＣＶ
Ｄにより形成したものであり、その条件は以下に示す通
りである。
ンタクトホールｌｌａ内及び層間絶縁膜１１に反応性ス
パッタにより被着させた例えば７００人程人程膜厚の窒
化チタン膜１２上に例えば４０００人程度０膜厚のタン
グステン膜１３を第１実施例と同様に形成する。なお、
上記タングステン膜は、シラン（ＳｉＨ，）十水素（Ｈ
２）還元による２段階のブランケットタングステンＣＶ
Ｄにより形成したものであり、その条件は以下に示す通
りである。
第１段階
温度 ４７５℃
雰囲気ガス及びその流量
シラン（Ｓ ｉ Ｈ４） １５ＳＣＣＮ六
フツ化タングステン（Ｗ Ｆ ｅ） ２５５ｃａｘ圧力
８０Ｔｏｒｒ第２段階 温度 ４７５℃ 雰囲気ガス及びその流量 六フッ化タングステン（Ｗ Ｆ ｓ） ６０ ｓｃｃ＊
水素（Ｈ＊） ３６０ｓｃｃＭ圧力
８０Ｔｏｒｒ次に、同図Ａに示す
ように、タングステン膜１３にタンゲス＋７（Ｗ）を６
０〜１００ＫｅＶ。
フツ化タングステン（Ｗ Ｆ ｅ） ２５５ｃａｘ圧力
８０Ｔｏｒｒ第２段階 温度 ４７５℃ 雰囲気ガス及びその流量 六フッ化タングステン（Ｗ Ｆ ｓ） ６０ ｓｃｃ＊
水素（Ｈ＊） ３６０ｓｃｃＭ圧力
８０Ｔｏｒｒ次に、同図Ａに示す
ように、タングステン膜１３にタンゲス＋７（Ｗ）を６
０〜１００ＫｅＶ。
１０１５〜１０ ”ｃ ｍ−”の条件でイオン注入し、
タングステン膜１３を表面をアモルファス化して表面の
平坦化を図る。
タングステン膜１３を表面をアモルファス化して表面の
平坦化を図る。
さらに、その後、第２図Ｂに示すように、タングステン
膜１３表面に、窒素（Ｎ、）を例えば５Ｏ−８０ＫｅＶ
、１０′７〜１０”ｃｍ−”の高ドーズ量イオン注入し
、タングステンと窒素（Ｎ、）のアモルファス化された
窒素イオン注入層１３ａとする。
膜１３表面に、窒素（Ｎ、）を例えば５Ｏ−８０ＫｅＶ
、１０′７〜１０”ｃｍ−”の高ドーズ量イオン注入し
、タングステンと窒素（Ｎ、）のアモルファス化された
窒素イオン注入層１３ａとする。
次に、第２図Ｃに示すように、窒素イオン注入層１３ａ
上にＳｉ、Ｎ、膜１４を３００人程人程膜厚で積層する
。なお、この５１３Ｎ４膜１４は、緻密性が高い膜であ
り、後工程のアニールによりＮ。
上にＳｉ、Ｎ、膜１４を３００人程人程膜厚で積層する
。なお、この５１３Ｎ４膜１４は、緻密性が高い膜であ
り、後工程のアニールによりＮ。
の抜けを防止し、例えばシラン（Ｓ ｉ Ｈ，）／ＮＨ
。
。
／窒素（Ｎ、）等の反応系によりプラズマＣＶＤ（３６
０℃）を行なうことによって得られる。
０℃）を行なうことによって得られる。
その後、例えばラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）９
００”Ｃ，６０秒間、Ｎ、雰囲気中ノアニールを行ない
、上記窒素イオン注入層１３ａを窒化タングステン（Ｗ
Ｎｘ）層に変化させる。このとき、上記したように、Ｓ
ｉ、Ｎ４膜１４は、上記アニールによって窒素イオン注
入層１３ａがらのＮ１の表面への抜けを防止する。また
、このように、タングステン膜１３の表面をＷＮ、化し
たことにより、タングステン膜１３の耐酸化性１表面モ
フｔロジーの向上が可能となる。
００”Ｃ，６０秒間、Ｎ、雰囲気中ノアニールを行ない
、上記窒素イオン注入層１３ａを窒化タングステン（Ｗ
Ｎｘ）層に変化させる。このとき、上記したように、Ｓ
ｉ、Ｎ４膜１４は、上記アニールによって窒素イオン注
入層１３ａがらのＮ１の表面への抜けを防止する。また
、このように、タングステン膜１３の表面をＷＮ、化し
たことにより、タングステン膜１３の耐酸化性１表面モ
フｔロジーの向上が可能となる。
以上、実施例について説明したが、本発明は、これらに
限られず構成の要旨に付随した各種の設計変更、材料変
更が可能である。
限られず構成の要旨に付随した各種の設計変更、材料変
更が可能である。
例えば、両実施例においては、下層配線として不純物拡
散領域を適用したが、これに限られず、各種の配線が適
用可能である。
散領域を適用したが、これに限られず、各種の配線が適
用可能である。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明に係る配線の形
成方法に依れば、高融点金属膜の剥れを防止し、配線の
信頼性を飛躍的に向上させる効果がある。
成方法に依れば、高融点金属膜の剥れを防止し、配線の
信頼性を飛躍的に向上させる効果がある。
第１図Ａ及び第１図Ｂは本発明に係る配線の形成方法の
第１実施例の断面図、第２図Ａ〜第２図りは第２実施例
の断面図、第３図Ａ及び第３図Ｂは従来例の断面図であ
る。 １０ａ・・・不純物拡散領域、１１・・層間絶縁膜、１
２・・・ＴｉＮ膜、１３・・・タングステン膜、１３ａ
・窒素イオン注入層、１３ｂ・・・ＷＮ、膜、１４・・
・Ｓ １ｓＮａ膜。 １１０コンタクトホ〜ル 第１笑於ｇ１１の前面邑 第１図Ｂ 蔦２突′Ｊ乞′ｔｙＩＪ ／）？面２ 第２図Ｂ 第２笑３ｔづ夕１１のｉｒｒ ｉ ａ 第２図Ｃ 第２つに方色ｉタリの脛ｎ”面「０ 第２図Ｄ ４ＬＬ１２の断面口 第３図Ａ 昏疋来り＋１の５１面口 第３図Ｂ
第１実施例の断面図、第２図Ａ〜第２図りは第２実施例
の断面図、第３図Ａ及び第３図Ｂは従来例の断面図であ
る。 １０ａ・・・不純物拡散領域、１１・・層間絶縁膜、１
２・・・ＴｉＮ膜、１３・・・タングステン膜、１３ａ
・窒素イオン注入層、１３ｂ・・・ＷＮ、膜、１４・・
・Ｓ １ｓＮａ膜。 １１０コンタクトホ〜ル 第１笑於ｇ１１の前面邑 第１図Ｂ 蔦２突′Ｊ乞′ｔｙＩＪ ／）？面２ 第２図Ｂ 第２笑３ｔづ夕１１のｉｒｒ ｉ ａ 第２図Ｃ 第２つに方色ｉタリの脛ｎ”面「０ 第２図Ｄ ４ＬＬ１２の断面口 第３図Ａ 昏疋来り＋１の５１面口 第３図Ｂ
Claims (1)
- （１）下層配線上にコンタクトホールを有する層間絶縁
膜を形成し、高融点金属を前記コンタクトホールを含む
全面に堆積させ、前記高融点金属を連続的にエッチバッ
クして前記コンタクトホール内に残すことを特徴とする
配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02246484A JP3082230B2 (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02246484A JP3082230B2 (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 配線の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04125931A true JPH04125931A (ja) | 1992-04-27 |
| JP3082230B2 JP3082230B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=17149089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02246484A Expired - Lifetime JP3082230B2 (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3082230B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022542154A (ja) * | 2020-02-19 | 2022-09-29 | 長江存儲科技有限責任公司 | 磁気メモリ構造およびデバイス |
-
1990
- 1990-09-17 JP JP02246484A patent/JP3082230B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022542154A (ja) * | 2020-02-19 | 2022-09-29 | 長江存儲科技有限責任公司 | 磁気メモリ構造およびデバイス |
| US11690298B2 (en) | 2020-02-19 | 2023-06-27 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Magnetic memory structure and device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3082230B2 (ja) | 2000-08-28 |
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