JPH07212045A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents
電子部品及びその製造方法Info
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- JPH07212045A JPH07212045A JP6004998A JP499894A JPH07212045A JP H07212045 A JPH07212045 A JP H07212045A JP 6004998 A JP6004998 A JP 6004998A JP 499894 A JP499894 A JP 499894A JP H07212045 A JPH07212045 A JP H07212045A
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】基板上に、異なる材質の２層の金属配線を有す
る多層配線を形成するときに、上層の金属配線のパター
ニング等に用いる薬剤の選択の自由度を向上させた電子
部品の製造方法を提供すること。 【構成】セラミック基板２上に、異なる材質の２層の金
属配線、すなわち、ニッケルメッキ層５とクロム膜層８
を形成するときに、まず、ニッケルメッキ層５を形成
し、この上に、コンタクトホールを持つ保護膜７を形成
し、保護膜７及びコンタクトホール上に、クロム膜層８
を形成し、コンタクトホール内で配線引き出し用パッド
３と電気的に接続させ、さらに、クロム膜層８を所望の
パターンに、薬剤によりエッチングする電子部品の製造
方法。
る多層配線を形成するときに、上層の金属配線のパター
ニング等に用いる薬剤の選択の自由度を向上させた電子
部品の製造方法を提供すること。 【構成】セラミック基板２上に、異なる材質の２層の金
属配線、すなわち、ニッケルメッキ層５とクロム膜層８
を形成するときに、まず、ニッケルメッキ層５を形成
し、この上に、コンタクトホールを持つ保護膜７を形成
し、保護膜７及びコンタクトホール上に、クロム膜層８
を形成し、コンタクトホール内で配線引き出し用パッド
３と電気的に接続させ、さらに、クロム膜層８を所望の
パターンに、薬剤によりエッチングする電子部品の製造
方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ（大規模集積回
路）や多層配線基板等の電子部品及びその製造に関す
る。
路）や多層配線基板等の電子部品及びその製造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】基板上に、有機絶縁膜と金属配線パター
ンからなる薄膜多層配線を設けた高密度多層配線基板
は、異なる材質で形成された２層以上の金属配線膜のパ
ターンを有している。従来、このパターンの形成方法
は、次のような方法が一般的に行なわれていた。まず、
下層の金属配線膜を成膜し、パターニングした後、その
上に直接上層の金属配線膜を成膜し、下層の金属配線膜
と上層の金属配線膜のうち上層の金属配線膜のみを選択
的にエッチングする薬剤にてパターニングを行なう。ま
た、上層の金属配線膜をパターニングするのに、ホトリ
ソグラフィー技術を用いる場合、パターニング終了後
に、レジスト剥離材を用いて、パターニングに用いたホ
トレジストを剥離していた。なお、この種の従来技術と
して、例えば特開昭６２−３６８６８号公報が挙げられ
る。
ンからなる薄膜多層配線を設けた高密度多層配線基板
は、異なる材質で形成された２層以上の金属配線膜のパ
ターンを有している。従来、このパターンの形成方法
は、次のような方法が一般的に行なわれていた。まず、
下層の金属配線膜を成膜し、パターニングした後、その
上に直接上層の金属配線膜を成膜し、下層の金属配線膜
と上層の金属配線膜のうち上層の金属配線膜のみを選択
的にエッチングする薬剤にてパターニングを行なう。ま
た、上層の金属配線膜をパターニングするのに、ホトリ
ソグラフィー技術を用いる場合、パターニング終了後
に、レジスト剥離材を用いて、パターニングに用いたホ
トレジストを剥離していた。なお、この種の従来技術と
して、例えば特開昭６２−３６８６８号公報が挙げられ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術は、上
層の金属配線膜のパターニングに用いるエッチング材又
はパターニング用ホトレジストの除去に用いるレジスト
剥離材により、下層の金属配線膜がエッチングされた
り、腐食したり或いは変質したりすることがあり、この
多層構造の配線パターン上に、さらに絶縁層を形成する
と、露出した下層の金属配線膜と絶縁膜の層間密着力が
低下するという問題があった。
層の金属配線膜のパターニングに用いるエッチング材又
はパターニング用ホトレジストの除去に用いるレジスト
剥離材により、下層の金属配線膜がエッチングされた
り、腐食したり或いは変質したりすることがあり、この
多層構造の配線パターン上に、さらに絶縁層を形成する
と、露出した下層の金属配線膜と絶縁膜の層間密着力が
低下するという問題があった。
【０００４】この問題を解決するために、エッチング材
には、上下層の金属配線膜のうち上層のみをエッチング
し、下層の金属配線膜に上記の影響を与えない機能をも
つ材料を、レジスト剥離材には、上下層の両金属配線膜
に上記の影響を与えない機能をもつ材料を選択する必要
がある。そのため、エッチング材、レジスト剥離材の選
択や使用方法に制限が生じる。
には、上下層の金属配線膜のうち上層のみをエッチング
し、下層の金属配線膜に上記の影響を与えない機能をも
つ材料を、レジスト剥離材には、上下層の両金属配線膜
に上記の影響を与えない機能をもつ材料を選択する必要
がある。そのため、エッチング材、レジスト剥離材の選
択や使用方法に制限が生じる。
【０００５】本発明の第１の目的は、基板上に、異なる
材質の２層の金属配線を有する多層配線を形成するとき
に、上層の金属配線のパターニング等に用いる薬剤の選
択の自由度を向上させた電子部品の製造方法を提供する
ことにある。本発明の第２の目的は、異なる材質の２層
の金属配線からなる多層配線を有し、下層の金属配線と
その上の絶縁膜との密着力に優れた電子部品を提供する
ことにある。
材質の２層の金属配線を有する多層配線を形成するとき
に、上層の金属配線のパターニング等に用いる薬剤の選
択の自由度を向上させた電子部品の製造方法を提供する
ことにある。本発明の第２の目的は、異なる材質の２層
の金属配線からなる多層配線を有し、下層の金属配線と
その上の絶縁膜との密着力に優れた電子部品を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るために、本発明の電子部品の製造方法は、基板上に、
異なる材質の２層の金属配線を形成するときに、第１の
金属配線パターンを形成し、少なくとも第１の金属配線
パターンの所望の領域の上に、コンタクトホールを持つ
保護膜を形成し、保護膜及びコンタクトホール上に、第
１の金属配線と材質の異なる第２の金属配線を形成し、
コンタクトホール内で第１の金属配線パターンと電気的
に接続させ、さらに、第２の金属配線を所望のパターン
に、薬剤によりエッチングするようにしたものである。
るために、本発明の電子部品の製造方法は、基板上に、
異なる材質の２層の金属配線を形成するときに、第１の
金属配線パターンを形成し、少なくとも第１の金属配線
パターンの所望の領域の上に、コンタクトホールを持つ
保護膜を形成し、保護膜及びコンタクトホール上に、第
１の金属配線と材質の異なる第２の金属配線を形成し、
コンタクトホール内で第１の金属配線パターンと電気的
に接続させ、さらに、第２の金属配線を所望のパターン
に、薬剤によりエッチングするようにしたものである。
【０００７】この保護膜により、第１の金属配線が、第
２の金属配線のパターニングに用いられる薬剤から保護
される。また、上記の工程の後に、保護膜及び第２の金
属配線の所望の領域の上に、絶縁膜を形成することが好
ましい。このとき、上記保護膜は、そのまま電子部品の
一部として内部に組み込まれていてもよいし、或いは、
予め一部又は全部が削除されていてもよい。
２の金属配線のパターニングに用いられる薬剤から保護
される。また、上記の工程の後に、保護膜及び第２の金
属配線の所望の領域の上に、絶縁膜を形成することが好
ましい。このとき、上記保護膜は、そのまま電子部品の
一部として内部に組み込まれていてもよいし、或いは、
予め一部又は全部が削除されていてもよい。
【０００８】また、上記第２の目的を達成するために、
本発明の電子部品は、基板上に設けられた第１の金属配
線パターンと、第１の金属配線パターンの所望の領域の
上に設けられた、コンタクトホールを持ち、絶縁物であ
る保護膜と、保護膜上に設けられた、第１の金属配線と
材質が異なる第２の金属配線パターンとを有し、第１の
金属配線パターンと第２の金属配線パターンとはコンタ
クトホール内で電気的に接続されるようにしたものであ
る。このような電子部品としては、多層配線基板やＬＳ
Ｉ等がある。
本発明の電子部品は、基板上に設けられた第１の金属配
線パターンと、第１の金属配線パターンの所望の領域の
上に設けられた、コンタクトホールを持ち、絶縁物であ
る保護膜と、保護膜上に設けられた、第１の金属配線と
材質が異なる第２の金属配線パターンとを有し、第１の
金属配線パターンと第２の金属配線パターンとはコンタ
クトホール内で電気的に接続されるようにしたものであ
る。このような電子部品としては、多層配線基板やＬＳ
Ｉ等がある。
【０００９】
【作用】基板上に形成された異なる材質の２層の金属配
線の層間に、予め設けられた上下層のコンタクトホール
を有する保護膜の機能は、上層の金属配線のパターニン
グに用いる薬剤から下層の金属配線を保護することにあ
り、これにより上層の金属配線膜のパターニングに用い
るエッチング材、レジスト剥離材の選択の自由度の向上
と使用方法の制約が軽減できる。
線の層間に、予め設けられた上下層のコンタクトホール
を有する保護膜の機能は、上層の金属配線のパターニン
グに用いる薬剤から下層の金属配線を保護することにあ
り、これにより上層の金属配線膜のパターニングに用い
るエッチング材、レジスト剥離材の選択の自由度の向上
と使用方法の制約が軽減できる。
【００１０】保護膜として、有機絶縁材を用いた場合
は、上層の金属配線のスパッタリング時の基板加熱に対
する耐熱性と、エッチング材、レジスト剥離材等に対す
る耐薬品性に優れている。また、絶縁材であることから
上層の金属配線のパターニング後も残存させておくこと
が可能である。
は、上層の金属配線のスパッタリング時の基板加熱に対
する耐熱性と、エッチング材、レジスト剥離材等に対す
る耐薬品性に優れている。また、絶縁材であることから
上層の金属配線のパターニング後も残存させておくこと
が可能である。
【００１１】また、異なる材質の２層の金属配線の層間
に、絶縁性の保護膜を設けた電子部品は、下層の金属配
線の表面がエッチングされたり、腐食したり或いは変質
したりしていないため、その上の絶縁性の保護膜との密
着力が優れる。
に、絶縁性の保護膜を設けた電子部品は、下層の金属配
線の表面がエッチングされたり、腐食したり或いは変質
したりしていないため、その上の絶縁性の保護膜との密
着力が優れる。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明の一実施例の高密度実装用多
層配線基板の断面図である。この多層配線基板は、焼結
メタライズ１を有するセラミック基板２上に、タングス
テンペーストの印刷パターンで配線引き出し用パッド３
と外部接続用パッド４が形成され、これらタングステン
印刷パターンの上にニッケルメッキ層５、６が形成さ
れ、さらに、ニッケルメッキ層５の上に、有機絶縁膜か
らなり、コンタクトホールを有する保護膜７が設けら
れ、また、ニッケルメッキ層５と上層のアルミ配線パタ
ーン１０の直接接続による融合層の形成とそれによる導
通性能の低下を防止する目的でクロム膜層８が形成さ
れ、さらに、有機絶縁層９とアルミ配線パターン１０が
形成された構造となっている。
層配線基板の断面図である。この多層配線基板は、焼結
メタライズ１を有するセラミック基板２上に、タングス
テンペーストの印刷パターンで配線引き出し用パッド３
と外部接続用パッド４が形成され、これらタングステン
印刷パターンの上にニッケルメッキ層５、６が形成さ
れ、さらに、ニッケルメッキ層５の上に、有機絶縁膜か
らなり、コンタクトホールを有する保護膜７が設けら
れ、また、ニッケルメッキ層５と上層のアルミ配線パタ
ーン１０の直接接続による融合層の形成とそれによる導
通性能の低下を防止する目的でクロム膜層８が形成さ
れ、さらに、有機絶縁層９とアルミ配線パターン１０が
形成された構造となっている。
【００１３】この多層配線基板を構成するニッケルメッ
キ層５とクロム膜層８の上下２層の金属配線膜とその層
間の保護膜７の製造方法の詳細について、図２〜６を用
いて説明する。
キ層５とクロム膜層８の上下２層の金属配線膜とその層
間の保護膜７の製造方法の詳細について、図２〜６を用
いて説明する。
【００１４】図２は、本実施例の初期材料である焼結メ
タライズ１を有するセラミック基板２を示すものであ
る。このセラミック基板２上に、タングステンペースト
の印刷パターンで配線引き出し用パッド３と外部接続用
パッド４が形成され、これらタングステン印刷パターン
上に、それぞれニッケルメッキ層５、６が４μｍの厚さ
に形成されている。
タライズ１を有するセラミック基板２を示すものであ
る。このセラミック基板２上に、タングステンペースト
の印刷パターンで配線引き出し用パッド３と外部接続用
パッド４が形成され、これらタングステン印刷パターン
上に、それぞれニッケルメッキ層５、６が４μｍの厚さ
に形成されている。
【００１５】図２に示したセラミック基板上に薄膜多層
配線を形成する際、セラミック基板上の配線引き出し用
パッド上のニッケルメッキ層と薄膜多層配線の配線材料
であるアルミとを直接接続すると、アルミとニッケルメ
ッキ層の接合部に融合層が形成され、導通性能の低下が
生じる。このため、アルミとニッケルメッキ層の間に融
合層の形成を防止するためのバリアメタルとしてクロム
膜を形成する必要がある。
配線を形成する際、セラミック基板上の配線引き出し用
パッド上のニッケルメッキ層と薄膜多層配線の配線材料
であるアルミとを直接接続すると、アルミとニッケルメ
ッキ層の接合部に融合層が形成され、導通性能の低下が
生じる。このため、アルミとニッケルメッキ層の間に融
合層の形成を防止するためのバリアメタルとしてクロム
膜を形成する必要がある。
【００１６】次に図３に示すように、ニッケルメッキ層
５の上層のクロム膜層８のパターニングに用いる薬剤か
らの保護膜７として感光性ポリイミド膜を形成する。本
実施例では、セラミック基板２上に感光性ポリイミドの
ｐｈｏｔｏ−ＰＩＱ（日立化成工業（株）、商品名）を
回転塗布法で塗布し、８５℃の窒素雰囲気中で熱処理し
た後、ホトマスクと紫外光を用いたホトリソグラフィ技
術により、配線引き出し用パッド３上のニッケルメッキ
層５の上部以外の部分に紫外光を照射し架橋させた後、
現像液に浸漬して現象処理を行なうことで、ニッケルメ
ッキ層５上にのみコンタクトホールを形成する。さらに
４００℃の熱処理を行なうことで約２μｍの厚さの有機
絶縁膜の保護膜７となる。
５の上層のクロム膜層８のパターニングに用いる薬剤か
らの保護膜７として感光性ポリイミド膜を形成する。本
実施例では、セラミック基板２上に感光性ポリイミドの
ｐｈｏｔｏ−ＰＩＱ（日立化成工業（株）、商品名）を
回転塗布法で塗布し、８５℃の窒素雰囲気中で熱処理し
た後、ホトマスクと紫外光を用いたホトリソグラフィ技
術により、配線引き出し用パッド３上のニッケルメッキ
層５の上部以外の部分に紫外光を照射し架橋させた後、
現像液に浸漬して現象処理を行なうことで、ニッケルメ
ッキ層５上にのみコンタクトホールを形成する。さらに
４００℃の熱処理を行なうことで約２μｍの厚さの有機
絶縁膜の保護膜７となる。
【００１７】次に図４に示すように、基板全面にスパッ
タリング法によりクロム膜を約０．１５μｍの厚さに成
膜した後、ネガ型レジスト膜１１をエッチングマスクと
してパターニングし、クロム膜のエッチングを行ない、
バリアメタルとしてのクロム膜層８を形成する。クロム
膜のエッチングには、硝酸第２セリウムアンモニウム：
水＝２５００ｇ：１４ｌの水溶液を用いる。また、クロ
ム膜層８の形成後、ネガ型レジスト膜１１をレジスト剥
離処理剤により除去する。
タリング法によりクロム膜を約０．１５μｍの厚さに成
膜した後、ネガ型レジスト膜１１をエッチングマスクと
してパターニングし、クロム膜のエッチングを行ない、
バリアメタルとしてのクロム膜層８を形成する。クロム
膜のエッチングには、硝酸第２セリウムアンモニウム：
水＝２５００ｇ：１４ｌの水溶液を用いる。また、クロ
ム膜層８の形成後、ネガ型レジスト膜１１をレジスト剥
離処理剤により除去する。
【００１８】次に図５に示すように、有機絶縁膜９とし
てＰＩＱ（ポリイミド系樹脂、日立化成工業（株）、商
標）膜を４００℃の熱処理後約１２μｍ厚となるように
形成する。このＰＩＱ膜の形成は、基板上にＰＩＱを回
転塗布し、４００℃の熱処理後６μｍの厚さとなるよう
形成し、これを２回繰り返し行なう。さらに、ネガ型レ
ジスト膜１２をエッチングマスクとしてパターニングし
た後、ＰＩＱのエッチング処理を行ない、上層に形成さ
れるアルミ配線パターンとクロム膜層８のパターンとの
コンタクトホールを形成する。ＰＩＱのエッチングに
は、約３０℃に加熱したヒドラジン溶液を用いる。ま
た、ＰＩＱのパターニング後、ネガ型レジスト膜１２を
レジスト剥離処理剤により除去する。
てＰＩＱ（ポリイミド系樹脂、日立化成工業（株）、商
標）膜を４００℃の熱処理後約１２μｍ厚となるように
形成する。このＰＩＱ膜の形成は、基板上にＰＩＱを回
転塗布し、４００℃の熱処理後６μｍの厚さとなるよう
形成し、これを２回繰り返し行なう。さらに、ネガ型レ
ジスト膜１２をエッチングマスクとしてパターニングし
た後、ＰＩＱのエッチング処理を行ない、上層に形成さ
れるアルミ配線パターンとクロム膜層８のパターンとの
コンタクトホールを形成する。ＰＩＱのエッチングに
は、約３０℃に加熱したヒドラジン溶液を用いる。ま
た、ＰＩＱのパターニング後、ネガ型レジスト膜１２を
レジスト剥離処理剤により除去する。
【００１９】次に図６に示すように、基板全面にスパッ
タリング法によりアルミ膜を約４μｍ厚で成膜した後、
ポジ型レジスト膜１３をエッチングマスクとしてパター
ニングし、アルミ膜のエッチングを行ない、アルミ配線
パターン１０を形成する。アルミ膜のエッチングには、
リン酸：酢酸：硝酸：水＝１５：３：１：１の組成のエ
ッチング液を用いる。また、アルミ配線パターン１０形
成後、ポジ型レジスト膜１３をレジスト剥離処理剤によ
り除去する。なお、本実施例では、保護膜として、有機
絶縁膜用いたため、この部分も絶縁膜として作用する。
タリング法によりアルミ膜を約４μｍ厚で成膜した後、
ポジ型レジスト膜１３をエッチングマスクとしてパター
ニングし、アルミ膜のエッチングを行ない、アルミ配線
パターン１０を形成する。アルミ膜のエッチングには、
リン酸：酢酸：硝酸：水＝１５：３：１：１の組成のエ
ッチング液を用いる。また、アルミ配線パターン１０形
成後、ポジ型レジスト膜１３をレジスト剥離処理剤によ
り除去する。なお、本実施例では、保護膜として、有機
絶縁膜用いたため、この部分も絶縁膜として作用する。
【００２０】本発明の他の実施例の高密度実装用多層配
線基板の断面図を図７に示す。この多層配線基板は、図
１に示した実施例の保護膜７の一部が除去され、有機絶
縁層９とニッケルメッキ層５が直接接続した構造となっ
ている。この多層配線基板の製造方法の詳細について、
図８〜１０を用いて説明する。
線基板の断面図を図７に示す。この多層配線基板は、図
１に示した実施例の保護膜７の一部が除去され、有機絶
縁層９とニッケルメッキ層５が直接接続した構造となっ
ている。この多層配線基板の製造方法の詳細について、
図８〜１０を用いて説明する。
【００２１】前述の実施例と同様の方法で、図４に示し
た工程まで行なう。クロム膜層８のエッチング後、ネガ
型レジスト膜１１を残した状態で、図８に示すように、
Ｏ2雰囲気でのドライエッチングにより、保護膜７の一
部及びネガ型レジスト膜１１を一括除去する。この際、
クロム膜層８の下の保護膜７は、クロム膜層８がエッチ
ングマスクとなるため、基板材料として残存する。
た工程まで行なう。クロム膜層８のエッチング後、ネガ
型レジスト膜１１を残した状態で、図８に示すように、
Ｏ2雰囲気でのドライエッチングにより、保護膜７の一
部及びネガ型レジスト膜１１を一括除去する。この際、
クロム膜層８の下の保護膜７は、クロム膜層８がエッチ
ングマスクとなるため、基板材料として残存する。
【００２２】次に、図９に示すように、前述の実施例と
同様の方法で、有機絶縁膜９を成膜し、パターニングす
る。次に、図１０に示すように、前述の実施例と同様の
方法で、アルミ膜を成膜した後エッチングを行ない、ア
ルミ配線パターン１０を形成する。
同様の方法で、有機絶縁膜９を成膜し、パターニングす
る。次に、図１０に示すように、前述の実施例と同様の
方法で、アルミ膜を成膜した後エッチングを行ない、ア
ルミ配線パターン１０を形成する。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、基板上に形成された
異なる材質の２層の金属配線膜のうち、上層の金属配線
膜をパターニングする際に、使用する薬剤が下層パター
ンをエッチングしないものを選択する必要がなく、この
ため、一般的でかつ比較的安価な薬剤でパターニングす
ることができる。そのため、特殊な薬剤を開発、製造又
は建浴する必要性がなく、既存の薬剤でも使用前に脱水
処理等の前処理が必要になる等制約がない。従って、上
層の金属配線膜のパターニングに用いる薬剤の選択の自
由度の向上と使用前処理に対する制約の軽減ができる。
異なる材質の２層の金属配線膜のうち、上層の金属配線
膜をパターニングする際に、使用する薬剤が下層パター
ンをエッチングしないものを選択する必要がなく、この
ため、一般的でかつ比較的安価な薬剤でパターニングす
ることができる。そのため、特殊な薬剤を開発、製造又
は建浴する必要性がなく、既存の薬剤でも使用前に脱水
処理等の前処理が必要になる等制約がない。従って、上
層の金属配線膜のパターニングに用いる薬剤の選択の自
由度の向上と使用前処理に対する制約の軽減ができる。
【００２４】また、２層の金属配線の層間に、絶縁性の
保護膜を設けることにより、下層の金属配線の表面がエ
ッチングされたり、腐食したり或いは変質したりしてい
ないため、その上の絶縁性の保護膜との密着力が優れ
る。
保護膜を設けることにより、下層の金属配線の表面がエ
ッチングされたり、腐食したり或いは変質したりしてい
ないため、その上の絶縁性の保護膜との密着力が優れ
る。
【図１】本発明の一実施例の多層配線基板の断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例の多層配線基板の製造工程説
明図である。
明図である。
【図３】本発明の一実施例の多層配線基板の製造工程説
明図である。
明図である。
【図４】本発明の一実施例の多層配線基板の製造工程説
明図である。
明図である。
【図５】本発明の一実施例の多層配線基板の製造工程説
明図である。
明図である。
【図６】本発明の一実施例の多層配線基板の製造工程説
明図である。
明図である。
【図７】本発明の他の実施例の多層配線基板の断面図で
ある。
ある。
【図８】本発明の他の実施例の多層配線基板の製造工程
説明図である。
説明図である。
【図９】本発明の他の実施例の多層配線基板の製造工程
説明図である。
説明図である。
【図１０】本発明の他の実施例の多層配線基板の製造工
程説明図である。
程説明図である。
１…焼結メタライズ ２…セラミック基板 ３…配線引き出し用パッド ４…外部接続用パッド ５、６…ニッケルメッキ層 ７…保護膜 ８…クロム膜層 ９…有機絶縁膜 １０…アルミ配線パターン １１、１２…ネガ型レジスト膜 １３…ポジ型レジスト膜
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に、第１の金属配線パターンを形成
する第１工程、少なくとも第１の金属配線パターンの所
望の領域の上に、コンタクトホールを持つ保護膜を形成
する第２工程、保護膜及びコンタクトホール上に、第１
の金属配線と材質の異なる第２の金属配線を形成し、コ
ンタクトホール内で第１の金属配線パターンと電気的に
接続させる第３工程及び第２の金属配線を所望のパター
ンに、薬剤によりエッチングする第４工程を有すること
を特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の電子部品の製造方法におい
て、上記第４工程の後に、上記保護膜及び上記第２の金
属配線の所望の領域の上に、絶縁膜を形成する工程を有
することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項３】基板上に設けられた第１の金属配線パター
ンと、第１の金属配線パターンの所望の領域の上に設け
られた、コンタクトホールを持ち、絶縁物である保護膜
と、保護膜上に設けられた、第１の金属配線と材質が異
なる第２の金属配線パターンとを有し、第１の金属配線
パターンと第２の金属配線パターンとはコンタクトホー
ル内で電気的に接続されたことを特徴とする電子部品。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6004998A JPH07212045A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 電子部品及びその製造方法 |
| GB9500874A GB2285891B (en) | 1994-01-21 | 1995-01-17 | Process for producing an electronic part and the electronic part produced by the process |
| DE19501693A DE19501693C2 (de) | 1994-01-21 | 1995-01-20 | Verfahren zum Herstellen von elektronischen Bauelementen und mit diesem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement |
| US08/375,708 US5507403A (en) | 1994-01-21 | 1995-01-20 | Process for producing an electronic part and the electronic part produced by the process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6004998A JPH07212045A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 電子部品及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07212045A true JPH07212045A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11599267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6004998A Pending JPH07212045A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 電子部品及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5507403A (ja) |
| JP (1) | JPH07212045A (ja) |
| DE (1) | DE19501693C2 (ja) |
| GB (1) | GB2285891B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009027185A (ja) * | 1997-01-17 | 2009-02-05 | Seiko Epson Corp | 電子部品および半導体装置 |
| JP2015037181A (ja) * | 2013-08-12 | 2015-02-23 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 印刷回路基板およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US7102892B2 (en) * | 2000-03-13 | 2006-09-05 | Legacy Electronics, Inc. | Modular integrated circuit chip carrier |
| JP2002026515A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | プリント配線板およびその製造方法 |
| US7985304B2 (en) * | 2007-04-19 | 2011-07-26 | Ati Properties, Inc. | Nickel-base alloys and articles made therefrom |
| KR101512844B1 (ko) * | 2008-02-01 | 2015-04-21 | 삼성전자주식회사 | 항산화막용 조성물, 이를 이용한 항산화막 형성방법 및이로부터 제조된 전자부품용 기재 |
| KR102537710B1 (ko) * | 2021-05-28 | 2023-05-31 | (주)티에스이 | 일괄 접합 방식의 다층 회로기판 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS61236192A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | 株式会社日立製作所 | セラミツク基板の電極形成方法 |
| JPS6236868A (ja) * | 1985-08-10 | 1987-02-17 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01143292A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
-
1994
- 1994-01-21 JP JP6004998A patent/JPH07212045A/ja active Pending
-
1995
- 1995-01-17 GB GB9500874A patent/GB2285891B/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-01-20 DE DE19501693A patent/DE19501693C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-01-20 US US08/375,708 patent/US5507403A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009027185A (ja) * | 1997-01-17 | 2009-02-05 | Seiko Epson Corp | 電子部品および半導体装置 |
| US8399999B2 (en) | 1997-01-17 | 2013-03-19 | Seiko Epson Corporation | Electronic component, semiconductor device, methods of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument |
| JP2015037181A (ja) * | 2013-08-12 | 2015-02-23 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 印刷回路基板およびその製造方法 |
| US9386706B2 (en) | 2013-08-12 | 2016-07-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Line width protector printed circuit board and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19501693A1 (de) | 1995-08-03 |
| GB2285891B (en) | 1998-01-14 |
| GB9500874D0 (en) | 1995-03-08 |
| DE19501693C2 (de) | 2001-04-19 |
| GB2285891A (en) | 1995-07-26 |
| US5507403A (en) | 1996-04-16 |
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