JPH04127450A - リードフレームと半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレームと半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04127450A JPH04127450A JP24957090A JP24957090A JPH04127450A JP H04127450 A JPH04127450 A JP H04127450A JP 24957090 A JP24957090 A JP 24957090A JP 24957090 A JP24957090 A JP 24957090A JP H04127450 A JPH04127450 A JP H04127450A
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- Japan
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- pitch
- leads
- outer leads
- lead
- lead frame
- Prior art date
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- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
リードフレームおよびそれを用いた超微細ピッチの半導
体装置の製造方法に関し。
体装置の製造方法に関し。
超微細ピッチのデバイスの最終試験において。
アウタリードとの接触を容易にしかつアウタリードの変
形を防止することを目的とし。
形を防止することを目的とし。
ｌ）一端がチップに電気的に接続された複数のリードが
封止された構造のパッケージにおいて、該リードは封止
されるインナリード部と封止部から外部に突き出したア
ウタリード部からなり、該アウタリード部のパッケージ
に接する付け根部分は所定の第１のピッチで配列され、
該付け根部分より延在する該アウタリードの先端部は該
第１のピッチより広い第２のピッチで配列されているよ
うに構成する。
封止された構造のパッケージにおいて、該リードは封止
されるインナリード部と封止部から外部に突き出したア
ウタリード部からなり、該アウタリード部のパッケージ
に接する付け根部分は所定の第１のピッチで配列され、
該付け根部分より延在する該アウタリードの先端部は該
第１のピッチより広い第２のピッチで配列されているよ
うに構成する。
２）請求項１記載のリードフレームから前記アウタリー
ドと共に前記パッケージを切り離した後。
ドと共に前記パッケージを切り離した後。
該アウタリードの先端部を用いて特性測定を行う工程と
、その後前記第２のピッチで配列されたアウタリードの
先端部を除去する工程とを有するように構成する。
、その後前記第２のピッチで配列されたアウタリードの
先端部を除去する工程とを有するように構成する。
３）前記アウタリードの先端部が粘着テープで固定され
ているように構成する。
ているように構成する。
本発明はリードフレームおよびそれを用いた超微細ピッ
チの半導体装置の製造方法に関する。
チの半導体装置の製造方法に関する。
近年、 ＳＭＤ （Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔｉｎｇ
Ｄｅｖｉｃｅ ：表面実装デバイス）パッケージの利
用は著しく拡大され。
Ｄｅｖｉｃｅ ：表面実装デバイス）パッケージの利
用は著しく拡大され。
より小型化を求めてアウタリードのピッチが０．３ある
いは０．４ｍｍピッチのフラットパッケージのデバイス
が開発されている。
いは０．４ｍｍピッチのフラットパッケージのデバイス
が開発されている。
それに伴い、これらのデバイスの組み立て工程終了後に
デバイスの特性を測定する最終試験をどのように行うか
、またその際のリードの変形をいかに抑えるかが課題と
なっている。
デバイスの特性を測定する最終試験をどのように行うか
、またその際のリードの変形をいかに抑えるかが課題と
なっている。
具体的には、０．３ｍｍピッチ級のデバイス用の試験ソ
ケットの作製が困難である。
ケットの作製が困難である。
本発明は上記課題を満足するリードフレームを用いて、
超微細ピッチのデバイスの製造方法として利用できる。
超微細ピッチのデバイスの製造方法として利用できる。
従来、フラットパッケージのデバイスの最終試験は、デ
バイスのアウタリードが変形しないようにキャリア等の
治具に装着して行っているが、この場合、キャリアの脱
着時にはアウタリードの変形を起こすとともに、脱着工
数が大変である。
バイスのアウタリードが変形しないようにキャリア等の
治具に装着して行っているが、この場合、キャリアの脱
着時にはアウタリードの変形を起こすとともに、脱着工
数が大変である。
さらに、０．３あるいは０．４ｍｍピッチ級のデバイス
になると、測定接触子そのものが正確にアウタリードに
接続するのが困難である。
になると、測定接触子そのものが正確にアウタリードに
接続するのが困難である。
従来技術の上記欠点に対処して９本発明は超微細ピッチ
のデバイスの最終試験において、アウタリードとの接触
を容易にしかつアウタリードの変形を防止することを目
的とする。
のデバイスの最終試験において、アウタリードとの接触
を容易にしかつアウタリードの変形を防止することを目
的とする。
上記課題の解決は。
■）一端がチップに電気的に接続された複数のリードが
封止された構造のパッケージにおいて、該リードは封止
されるインナリード部と封止部から外部に突き出したア
ウタリード部からなり、該アウタリード部のパッケージ
に接する付け根部分は所定の第１のピッチで配列され、
皺付け根部分より延在する該アウタリードの先端部は該
第１のピッチより広い第２のピッチで配列されているリ
ードフレーム、あるいは ２）前記ｌ）記載のリードフレームから前記アウタリー
ドと共に前記パッケージを切り離した後。
封止された構造のパッケージにおいて、該リードは封止
されるインナリード部と封止部から外部に突き出したア
ウタリード部からなり、該アウタリード部のパッケージ
に接する付け根部分は所定の第１のピッチで配列され、
皺付け根部分より延在する該アウタリードの先端部は該
第１のピッチより広い第２のピッチで配列されているリ
ードフレーム、あるいは ２）前記ｌ）記載のリードフレームから前記アウタリー
ドと共に前記パッケージを切り離した後。
該アウタリードの先端部を用いて特性測定を行う工程と
、その後前記第２のピッチで配列されたアウタリードの
先端部を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法
、あるいは ３）前記アウタリードの先端部が粘着テープで固定され
ている前記２）記載の半導体装置の製造方法により達成
される。
、その後前記第２のピッチで配列されたアウタリードの
先端部を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法
、あるいは ３）前記アウタリードの先端部が粘着テープで固定され
ている前記２）記載の半導体装置の製造方法により達成
される。
本発明では、最終試験は従来と同様の大きいアウタリー
ドピッチで行い、その後、リードを加工して本来の超微
細ピッチのデバイスにしている。
ドピッチで行い、その後、リードを加工して本来の超微
細ピッチのデバイスにしている。
従って、測定時すべてのアウタリードへの測定接触子の
接続は容易であり、また微細化されない従来ピッチで測
定できるためリードの変形も低減できる。
接続は容易であり、また微細化されない従来ピッチで測
定できるためリードの変形も低減できる。
第１図は本発明の一実施例を説明する平面図である。
図において、１はリードフレーム、２はパッケージ、３
はアウタリード、４は粘着テープでボリイミドテープで
ある。
はアウタリード、４は粘着テープでボリイミドテープで
ある。
図は、樹脂モールドにより封止を終えた状態を示す。組
み立ての個々の工程は通常のものであるためここでは記
載を省略する。
み立ての個々の工程は通常のものであるためここでは記
載を省略する。
アウタリード３は付け根の所定長さの部分３Ａは本来の
超微細ピッチｐ （０，３または０．４ｍｍ）で配列さ
れ、先端部３Ｂは従来のピッチＰ（例えば。
超微細ピッチｐ （０，３または０．４ｍｍ）で配列さ
れ、先端部３Ｂは従来のピッチＰ（例えば。
１ｍｍ）で配列されている。
ポリイミドテープ４は先端部３Ｂに貼付してリードを固
定している。
定している。
最終試験は、リードフレームのままアウタリード３の先
端部３Ｂを用いて行い、最終試験後９点線の位置でアウ
タリード３を切断し、拡大ピッチの先端部３Ｂを除去す
る。
端部３Ｂを用いて行い、最終試験後９点線の位置でアウ
タリード３を切断し、拡大ピッチの先端部３Ｂを除去す
る。
その後、第２図に示される最終形態のようにリード曲げ
を行う。
を行う。
第２図（ａ）、 （ｂ）は超微細ピッチデバイスの最終
形態を示す平面図と側面図である。
形態を示す平面図と側面図である。
このような リードフレームｌはつぎのような特徴を持
っている。
っている。
■ 樹脂封止後、アウタリード３はリードフレームから
切り離されるため、アウタリードの先端部とリードフレ
ームは接続していないので、特性測定が可能となる。
切り離されるため、アウタリードの先端部とリードフレ
ームは接続していないので、特性測定が可能となる。
■ アウタリードの先端部がポリイミドテープで固定さ
れているため、リード部を固定する特別の方法は不要で
ある。
れているため、リード部を固定する特別の方法は不要で
ある。
■ リード曲げ工程が組み立ての最終工程であるため、
リード変形の機会が少ない。
リード変形の機会が少ない。
■ 最終試験はアウタリードの先端部を用いて行うため
、超微細ピッチデバイスであるにもかかわらず、試験ソ
ケットや接触子等の高精度化が不要である。
、超微細ピッチデバイスであるにもかかわらず、試験ソ
ケットや接触子等の高精度化が不要である。
■ 従来技術の延長で、超微細ピッチのデバイスの組み
立てができる。
立てができる。
以上説明したように本発明によれば、超微細ピッチのデ
バイスの最終試験において、アウタリードとの接触を容
易にしかつアウタリードの変形を防止することができた
。
バイスの最終試験において、アウタリードとの接触を容
易にしかつアウタリードの変形を防止することができた
。
第１図は本発明の一実施例を説明する平面図。
第２図（ａ）、 （ｂ）は超微細ピッチデバイスの最終
形態を示す平面図と側面図である。 図において。 ■はリードフレーム。 ２はパッケージ。 ３はアウタリード。 ４はポリイミドテープ にブチ１ニイラ゛［の５ｆ−イ５ｔ）２篇 図
形態を示す平面図と側面図である。 図において。 ■はリードフレーム。 ２はパッケージ。 ３はアウタリード。 ４はポリイミドテープ にブチ１ニイラ゛［の５ｆ−イ５ｔ）２篇 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）一端がチップに電気的に接続された複数のリードが
封止された構造のパッケージにおいて、該リードは封止
されるインナリード部と封止部から外部に突き出したア
ウタリード部からなり、該アウタリード部のパッケージ
に接する付け根部分は所定の第１のピッチで配列され、
該付け根部分より延在する該アウタリードの先端部は該
第１のピッチより広い第２のピッチで配列されているこ
とを特徴とするリードフレーム。 ２）請求項１記載のリードフレームから前記アウタリー
ドと共に前記パッケージを切り離した後、該アウタリー
ドの先端部を用いて特性測定を行う工程と、 その後前記第２のピッチで配列されたアウタリードの先
端部を除去する工程 とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 ３）前記アウタリードの先端部が粘着テープで固定され
ていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24957090A JPH04127450A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | リードフレームと半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24957090A JPH04127450A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | リードフレームと半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04127450A true JPH04127450A (ja) | 1992-04-28 |
Family
ID=17194968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24957090A Pending JPH04127450A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | リードフレームと半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04127450A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669410A (ja) * | 1992-08-17 | 1994-03-11 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH07169902A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2006253719A (ja) * | 2002-02-01 | 2006-09-21 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-09-18 JP JP24957090A patent/JPH04127450A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669410A (ja) * | 1992-08-17 | 1994-03-11 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH07169902A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JP2006253719A (ja) * | 2002-02-01 | 2006-09-21 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
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