JPH04127459A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04127459A JPH04127459A JP24825990A JP24825990A JPH04127459A JP H04127459 A JPH04127459 A JP H04127459A JP 24825990 A JP24825990 A JP 24825990A JP 24825990 A JP24825990 A JP 24825990A JP H04127459 A JPH04127459 A JP H04127459A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- island
- frame
- resin layer
- leads
- package
- Prior art date
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- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に樹脂封止型
半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造方法に関する。
一般に樹脂封止型半導体装置の製造工程では、図2(a
)に示すように、周囲にタイバー4により連絡された外
部リード6を有するリードフレームのアイランドに半導
体チップ3を搭載したのち、この半導体チップ3を樹脂
封止してパッケージ7を形成していた。この時樹脂層は
、外部り−ド6とタイバー4との間とに形成されていた
。この後、特性チエツクの必要性から、図2(b)に示
すように、外部リード6とフレーム1とが切り離されて
いた。
)に示すように、周囲にタイバー4により連絡された外
部リード6を有するリードフレームのアイランドに半導
体チップ3を搭載したのち、この半導体チップ3を樹脂
封止してパッケージ7を形成していた。この時樹脂層は
、外部り−ド6とタイバー4との間とに形成されていた
。この後、特性チエツクの必要性から、図2(b)に示
すように、外部リード6とフレーム1とが切り離されて
いた。
しかしながら、上述した半導体装置の製造工程において
は、外部リード切断後、特性をチエツクする工程におい
て、外部リードが支持されていない状態で、コンタクト
ビン等により外部から外部リードに負荷がかかるため、
外部リード6が曲がるという欠点を持っていた。本発明
の目的は、上記欠点を除去し、負荷によっても外部リー
ドが曲がることのない半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
は、外部リード切断後、特性をチエツクする工程におい
て、外部リードが支持されていない状態で、コンタクト
ビン等により外部から外部リードに負荷がかかるため、
外部リード6が曲がるという欠点を持っていた。本発明
の目的は、上記欠点を除去し、負荷によっても外部リー
ドが曲がることのない半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、アイランドに近い第
1のタイバーとアイランドから離れた第2のタイバーに
より連絡され、かつフレームに接続された外部リードと
を有するリードフレームのアイランドに半導体チップを
搭載する工程と、このアイランド及び半導体チップを樹
脂封止しパッケージを形成後前記第2のタイバーと外部
リードとフレームとに囲まれた部分に外部リード支持用
の樹脂層を形成する工程とを含んで精成される。
1のタイバーとアイランドから離れた第2のタイバーに
より連絡され、かつフレームに接続された外部リードと
を有するリードフレームのアイランドに半導体チップを
搭載する工程と、このアイランド及び半導体チップを樹
脂封止しパッケージを形成後前記第2のタイバーと外部
リードとフレームとに囲まれた部分に外部リード支持用
の樹脂層を形成する工程とを含んで精成される。
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
図1(a)〜(c)は本発明の一実施例を説明するなめ
のリードフレーム及びパッケージの上面図である。
のリードフレーム及びパッケージの上面図である。
抜ず図1(a)に示すように、アイランド(図示せず)
に近い第1のタイバー4Aとアイランドから離れた第2
のタイバー4Bにより連結され、かつフレーム1に接続
されたリードフレームのアイランドに半導体チップ3を
搭載したのち、このアイランド及び半導体チップ3を樹
脂で封止してパッケージ7を形成する。この時、第1の
タイバー4Aとパッケージ7の間にも樹脂層2が形成さ
れる。次で、第2のタイバー4Bと外部リード6とフレ
ーム1とで囲まれた部分に外部リード支持用樹脂層5を
形成する。
に近い第1のタイバー4Aとアイランドから離れた第2
のタイバー4Bにより連結され、かつフレーム1に接続
されたリードフレームのアイランドに半導体チップ3を
搭載したのち、このアイランド及び半導体チップ3を樹
脂で封止してパッケージ7を形成する。この時、第1の
タイバー4Aとパッケージ7の間にも樹脂層2が形成さ
れる。次で、第2のタイバー4Bと外部リード6とフレ
ーム1とで囲まれた部分に外部リード支持用樹脂層5を
形成する。
次に、図1(b)に示すように、樹脂層2、第1のタイ
バー4A及び第2のタイバー4Bを既知の切断方法によ
り除去する。
バー4A及び第2のタイバー4Bを既知の切断方法によ
り除去する。
次に図1(C)に示すように、外部リード支持用樹脂層
5を、外部リード6の間に残した状態で切断する。
5を、外部リード6の間に残した状態で切断する。
このように本実施例によれば、外部リード6をフレーム
1や第1及び第2のタイバー4A、4Bから切り離した
後でも、外部リード6は外部リード支持用樹脂層5によ
り相互に接続されているため、チエツク時に負荷が与え
られても曲ることはほとんどなくなる。
1や第1及び第2のタイバー4A、4Bから切り離した
後でも、外部リード6は外部リード支持用樹脂層5によ
り相互に接続されているため、チエツク時に負荷が与え
られても曲ることはほとんどなくなる。
以上説明したように本発明は、外部リードを支持するた
めの樹脂層を形成することにより、特性チエツク工程に
おいても外部リードの曲がりの少ない半導体装置が得ら
れるという効果がある。
めの樹脂層を形成することにより、特性チエツク工程に
おいても外部リードの曲がりの少ない半導体装置が得ら
れるという効果がある。
図1(a)〜(c)は本発明の一実施例を説明するため
のリードフレーム及びパッケージの上面図、図2(a>
、(b)は従来例を説明するためのリードフレーム及び
パッケージの上面図である。 1・・・フレーム、2・・・樹脂層、3・・・半導体チ
ップ、4・・・タイバー 4A・・・第1のタイバー
4B・・・第2のタイバー、5・・・外部リード支持用
樹脂層、6・・・外部リード、7・・・パッケージ。
のリードフレーム及びパッケージの上面図、図2(a>
、(b)は従来例を説明するためのリードフレーム及び
パッケージの上面図である。 1・・・フレーム、2・・・樹脂層、3・・・半導体チ
ップ、4・・・タイバー 4A・・・第1のタイバー
4B・・・第2のタイバー、5・・・外部リード支持用
樹脂層、6・・・外部リード、7・・・パッケージ。
Claims (1)
- アイランドに近い第1のタイバーとアイランドから離
れた第2のタイバーにより連絡され、かつフレームに接
続された外部リードとを有するリードフレームのアイラ
ンドに半導体チップを搭載する工程と、このアイランド
及び半導体チップを樹脂封止しパッケージを形成後前記
第2のタイバーと外部リードとフレームとに囲まれた部
分に外部リード支持用の樹脂層を形成する工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24825990A JPH04127459A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24825990A JPH04127459A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04127459A true JPH04127459A (ja) | 1992-04-28 |
Family
ID=17175491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24825990A Pending JPH04127459A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04127459A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5381073A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Hitachi Ltd | Oroduction of resin seal type semiconductor device and lead frame used the same |
| JPS61144852A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその実装方法 |
-
1990
- 1990-09-18 JP JP24825990A patent/JPH04127459A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5381073A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Hitachi Ltd | Oroduction of resin seal type semiconductor device and lead frame used the same |
| JPS61144852A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその実装方法 |
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