JPH04130602A - 抵抗体 - Google Patents

抵抗体

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Publication number
JPH04130602A
JPH04130602A JP25155890A JP25155890A JPH04130602A JP H04130602 A JPH04130602 A JP H04130602A JP 25155890 A JP25155890 A JP 25155890A JP 25155890 A JP25155890 A JP 25155890A JP H04130602 A JPH04130602 A JP H04130602A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistor
sectional area
cross
center
electrode portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25155890A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshio Nakajima
義雄 中島
Masamichi Kuramoto
政道 倉元
Yoshiyuki Innami
印南 義之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Meidensha Corp, Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Meidensha Corp
Priority to JP25155890A priority Critical patent/JPH04130602A/ja
Publication of JPH04130602A publication Critical patent/JPH04130602A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 A、産業上の利用分野 本発明は、抵抗体に関する。
B6発明の概要 本発明は、抵抗体の電極部を中央付近に比して大径とし
たことにより抵抗体の電極近傍における電流密度を小さ
くして耐熱衝撃性を向上したものである。
C1従来の技術 抵抗体の一例として、従来技術において、大きなP T
 C(Positive Tei+perature 
Coefficient)効果を持つセラミックスであ
るBaTiO3(チタン酸バリウム)とV、O,(三酸
化バナジウム)とが知られている。
このうちBaTiOsは正特性サーミスターとして弱電
用には広く使われているが、室温抵抗が小さなものでも
数Ω以上あるためワットロスが大きい。
更に、PTC効果の出現は粒界の機構に関係し温度の上
昇により粒界が高抵抗になる反面、吸収したエネルギー
のために粒界破壊を起こしてしまう等の理由により、過
電流防止用には不向きである。
一方、V2O3はBaTiO3に対して比抵抗を四ケタ
程度小さくでき、ワットロスが小さいという利点がある
が、セラミックスとしては焼結性が悪く耐熱衝撃性に問
題があった。
D1発明が解決しようとする課題 上記の例のように、抵抗体、特にPTC抵抗体において
は大電流が流れた際の電流密度の上昇及び発熱による障
害を解決する研究が進められている。
その−例として、V2O3に元素記号Crで表されるク
ロムの添加を行って、0くX≦0.015の範囲で(V
l−、Cr*)2(hの組成としたPTC抵抗体は、セ
ラミックスとしては焼結性が悪く、Co、  Cu。
Fe、Pb等の焼結助剤を用いて結晶強度の向上を行っ
ている。
しかし、上記のように強度の向上を行っても、V2O3
及び通常用いられている電極材である銅の熱膨張定数は
夫々1.2X10− ’/deg、1.7X10−’/
degとなっており、単位面積当たり100^程度の電
流が流れると、上記した抵抗体と電極の熱膨張係数の差
により電極部でクラックが発生することがあり、十分な
強度が得られるとは言い難かった。
本発明はこのような背景の下になされたものであり、耐
熱衝撃性の高い抵抗体を提供することを目的とする。
E1課題を解決するための手段 上記課題を解決するため、本発明は端部に電極部を有す
る抵抗体において、前記抵抗体の前記電極部を抵抗体中
央付近に比して大径としたことを特徴とする。
F0作用 上記のように、抵抗体の形状を、抵抗体中央付近に比し
て抵抗体電極部を大径としたことにより、抵抗体の電極
付近で電界密度が低くなっている。
G、実施例 第1図(a)に本発明に係る抵抗体の一実施例を示す。
第1図(a)において、抵抗体は全長Lmmでその横断
面が円形である柱状で、その両端部から1mmの範囲で
抵抗体の断面積はS mm”となっている。
更に、上記抵抗体中央部から上記断面積が5IIII1
12となる範囲にかけては、抵抗体の上記横断面に現れ
る円の径は抵抗体の両端に向かうにつれて大径となる構
成となっている。
また、第1図(b)に従来技術における比較例を示す。
第1図(b)の比較例においては、抵抗体は全長20m
m、断面積が2011III+2の円柱状となっている
。
本実施例においてはPTC効果を有するV2O3を用い
て上記の抵抗体を製造しており、その詳細を以下に示す
。
従来、PTC抵抗体は、原料のV2O3及びCr2O、
を混合して粉砕混合を行い、還元雰囲気中1200〜1
400℃において粉体仮焼した後、Feを添加して再び
粉砕混合及び加圧成形を施し、その後還元雰囲気中、1
535℃以上にて直接焼成を行って製造されていた。
これに対し、本発明に係る形状の抵抗体の製造フローは
、第2図に示されるように、上記工程において加圧成形
を行った後、還元雰囲気中1300℃〜1500℃にて
素体仮焼及び素子加工を施した後に、還元雰囲気中15
35℃にて本焼成を行うものとしている。
また、本実施例中においては、原料のV2O3、及びC
r2O3を(Vo、9946CrO,+11066、)
203の組成となる比率で混合し、またFeを5wt%
とした。
本実施例においては、上記した第2図に示される製造フ
ローにおいて素体仮焼を水素気流中にて温度を1300
℃として1時間行う。
その後、機械加工にて素子を第1図に示す形状に素子加
工した後、加工された素子を水素気流中、1600℃に
て3時間焼成を行って本発明に係る形状の抵抗体を得た
。
上記の方法で製造された第1図(a)に示される抵抗体
において、電極部の断面積Sを夫々25.30.40.
50.60m1′112としてL=20mms  l 
=2mmかつ中央部付近の断面積が20nv”である抵
抗体、及び比較例として従来の製造方法で得られた第1
図(b)に示されるS = 20mm”、L=2hmの
抵抗体の夫々に1mn+2あたり100Aの電流を流し
、クラック発生の有無を確認した結果を下記の表1に示
す。
以下余白 上記の表により、本実施例においては抵抗体の電極部の
断面積を中央付近における断面積の二倍とすると、電極
部に於けるクラックの発生を抑制できると推察される。
また、本実施例においては抵抗体中央付近の断面積に対
して電極部における断面積を二倍とじてクラックの発生
を抑制したが、この値は抵抗体の材質及び通電時の電流
値及び電圧値等により変動するので、電極部の断面積を
使用状況に適した大きさにすることが好ましい。
本実施例においては抵抗体の中心部を従来の素子と形状
を円としたことにより電界密度が電極部において一様と
なり、電界密度集中部におけるクラックの発生が防がれ
ている。
更に、本実施例においては、電極部の大きさが等しい円
柱形の従来の素子に比して体積が小さくなっており、従
って原料費も低減される。
また、本実施例においては、抵抗体の稜線を滑らかにし
、かつ中心部の径を小とする形状にしていることにより
、熱膨張による抵抗体の歪みを緩衝する形状となってい
る。
■4発明の効果 本発明は、抵抗体の電極部を抵抗体中央付近に比して大
径としているため、電極付近で電界密度が小さくなり、
抵抗体にクラック等の損傷が発生することを抑制できる
。
また、抵抗体の素子中心部が小径となっているため、第
1図(a)において全長しが等しい従来の円柱状である
抵抗体と比較すると抵抗値が大きくなる。
このため、従来と同じ抵抗値を有する抵抗体を従来に比
して小さく、かつ少ない原料で製造できるという効果が
得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a) 、(b)は抵抗体の形状の説明図、第2
図は本実施例における抵抗体の製造フローである。 外1名 (a) (b) 第2図 抵抗体の製造フロー

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)端部に電極部を有する抵抗体において、前記抵抗
    体の前記電極部を前記抵抗体中央付近に比して大径とし
    たことを特徴とする抵抗体。
JP25155890A 1990-09-20 1990-09-20 抵抗体 Pending JPH04130602A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25155890A JPH04130602A (ja) 1990-09-20 1990-09-20 抵抗体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25155890A JPH04130602A (ja) 1990-09-20 1990-09-20 抵抗体

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Publication Number Publication Date
JPH04130602A true JPH04130602A (ja) 1992-05-01

Family

ID=17224607

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25155890A Pending JPH04130602A (ja) 1990-09-20 1990-09-20 抵抗体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04130602A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6259349B1 (en) 1998-07-25 2001-07-10 Abb Research Ltd. Electrical component with a constriction in a PTC polymer element

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6259349B1 (en) 1998-07-25 2001-07-10 Abb Research Ltd. Electrical component with a constriction in a PTC polymer element

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