JPH04130734A - 多結晶半導体薄膜トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
多結晶半導体薄膜トランジスタ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH04130734A JPH04130734A JP25006990A JP25006990A JPH04130734A JP H04130734 A JPH04130734 A JP H04130734A JP 25006990 A JP25006990 A JP 25006990A JP 25006990 A JP25006990 A JP 25006990A JP H04130734 A JPH04130734 A JP H04130734A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- crystal semiconductor
- source
- gate electrode
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は画像表示装置等の駆動に使用される多結晶半導
体薄膜トランジスタの製造方法に関するものである。
体薄膜トランジスタの製造方法に関するものである。
［従来の技術］
近年平面デイスプレィ等の画像表示素子への応用を目的
とした薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）の開発が活発に行わ
れている。多結晶半導体ＴＰＴは非晶質半導体薄膜を用
いた場合と比べ高性能・高信頼性等の長所があるが、製
膜に高温を要するという短所がある。そこで高温プロセ
スを経ずに多結晶半導体薄膜を得ることが出来るレーザ
ー光照射による非晶質半導体薄膜の結晶化技術の研究・
応用が盛んに行なわれている。
とした薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）の開発が活発に行わ
れている。多結晶半導体ＴＰＴは非晶質半導体薄膜を用
いた場合と比べ高性能・高信頼性等の長所があるが、製
膜に高温を要するという短所がある。そこで高温プロセ
スを経ずに多結晶半導体薄膜を得ることが出来るレーザ
ー光照射による非晶質半導体薄膜の結晶化技術の研究・
応用が盛んに行なわれている。
また、ＴＰＴの動作速度を向上させるためにゲート・ド
レイン間の奇生容量を減少させる試みが行われているが
、ソース・ドレイン電極をゲート電極と自己整合的に形
成する方法はきわめて有効な方法である。
レイン間の奇生容量を減少させる試みが行われているが
、ソース・ドレイン電極をゲート電極と自己整合的に形
成する方法はきわめて有効な方法である。
ソース・ドレイン領域をイオン注入法によりゲート電極
と自己整合的に形成するレーザー多結晶化ＴＰＴについ
て、従来の製造方法を第５図（ａ）、（ｂ）に示し説明
する。
と自己整合的に形成するレーザー多結晶化ＴＰＴについ
て、従来の製造方法を第５図（ａ）、（ｂ）に示し説明
する。
絶縁性を有する基板５１上にパッシベーション膜５２、
非晶質半導体層５３を積層しく第５図（ａ） ） 、レ
ーザー光照射多結晶化を行い、フォトリソグラフィーに
より多結晶半導体薄膜５６のパターンを形成、その上に
ゲート絶縁膜５４、ゲート電極材料５５を積層し、再び
フォトリソグラフィーによりゲート電極のパターンを形
成、ゲート絶縁膜もゲート電極と同じパターンにエツチ
ングする（第５図（ｂ））。ここでイオン注入法により
ゲート電極をマスクに多結晶半導体層５６に不純物イオ
ンをドーピングし、不純物イオン活性化のための熱処理
を行いソース・ドレイン領域を形成する。さらに眉間絶
縁膜を堆積し、ソース・ドレイン領域上にコンタクトホ
ールを形成し、その上にソース電極・ドレイン電極を形
成する。
非晶質半導体層５３を積層しく第５図（ａ） ） 、レ
ーザー光照射多結晶化を行い、フォトリソグラフィーに
より多結晶半導体薄膜５６のパターンを形成、その上に
ゲート絶縁膜５４、ゲート電極材料５５を積層し、再び
フォトリソグラフィーによりゲート電極のパターンを形
成、ゲート絶縁膜もゲート電極と同じパターンにエツチ
ングする（第５図（ｂ））。ここでイオン注入法により
ゲート電極をマスクに多結晶半導体層５６に不純物イオ
ンをドーピングし、不純物イオン活性化のための熱処理
を行いソース・ドレイン領域を形成する。さらに眉間絶
縁膜を堆積し、ソース・ドレイン領域上にコンタクトホ
ールを形成し、その上にソース電極・ドレイン電極を形
成する。
［発明の解決しようとする課題］
従来の熱処理により不純物イオンの活性化を行う方法で
は、基板５１としてガラスなどの廉価で耐熱性の低い材
料を用いた場合、不純物イオンの活性化に十分な高温で
熱処理することができずソース・ドレイン領域の抵抗は
十分には下がらない。また、十分な高温で熱処理するた
めには高価な石英などの基板材料を用いなければならな
いという問題があった。
は、基板５１としてガラスなどの廉価で耐熱性の低い材
料を用いた場合、不純物イオンの活性化に十分な高温で
熱処理することができずソース・ドレイン領域の抵抗は
十分には下がらない。また、十分な高温で熱処理するた
めには高価な石英などの基板材料を用いなければならな
いという問題があった。
［課題を解決するための手段］
本発明は上記の問題点を解決すべくなされたものであり
、絶縁性を有する基板上の非単結晶半導体をレーザー光
によりビームアニールして多結晶化又は結晶性の向上を
行う工程を含む逆スタガー構造の薄膜トランジスタの製
造方法において、該基板上に少なくともゲート電極、ゲ
ート絶縁膜、非単結晶半導体層の順に形成し、該非単結
晶半導体層より上層に形成されたポジ型のフォトレジス
トを該基板裏面より露光し、現像することにより上記ゲ
ート電極と同一のパターンのフォトレジストパターンを
形成し、このパターンをマスクとして非単結晶半導体層
のソース・ドレイン領域に不純物イオンを注入したのち
、該フォトレジストパターンを除去後、レーザー光を照
射しチャネル領域の非単結晶半導体の多結晶化及び活性
化又は、結晶性向上及び活性化を同時に行うことを特徴
とする多結晶半導体薄膜トランジスタの製造方法、及び
、絶縁性を有する基板上の非単結晶半導体をレーザー光
によりビームアニールして多結晶化又は結晶性の向上を
行う工程を含む逆スタガー構造の薄膜トランジスタの製
造方法において、該基板上に少なくともゲート電極、ゲ
ート絶縁膜、非単結晶半導体層の順に形成し、該非単結
晶半導体層より上層に形成されたポジ型のフォトレジス
トを該基板裏面より露光、現像することにより上記ゲー
ト電極と同一のフォトレジストパターンを形成し、この
パターンをマスクとして該非単結晶半導体層と該フォト
レジストパターンとの間に形成された絶縁層をエツチン
グし、該フォトレジストパターンを除去後、該絶縁層を
マスクとして非単結晶半導体層のソース・ドレイン領域
に不純物イオンを注入したのち、レーザー光を照射しチ
ャネル領域の非単結晶半導体の多結晶化及び活性化又は
、結晶性向上及び活性化を同時に行うことを特徴とする
多結晶半導体薄膜トランジスタの製造方法等を提供する
ものである。
、絶縁性を有する基板上の非単結晶半導体をレーザー光
によりビームアニールして多結晶化又は結晶性の向上を
行う工程を含む逆スタガー構造の薄膜トランジスタの製
造方法において、該基板上に少なくともゲート電極、ゲ
ート絶縁膜、非単結晶半導体層の順に形成し、該非単結
晶半導体層より上層に形成されたポジ型のフォトレジス
トを該基板裏面より露光し、現像することにより上記ゲ
ート電極と同一のパターンのフォトレジストパターンを
形成し、このパターンをマスクとして非単結晶半導体層
のソース・ドレイン領域に不純物イオンを注入したのち
、該フォトレジストパターンを除去後、レーザー光を照
射しチャネル領域の非単結晶半導体の多結晶化及び活性
化又は、結晶性向上及び活性化を同時に行うことを特徴
とする多結晶半導体薄膜トランジスタの製造方法、及び
、絶縁性を有する基板上の非単結晶半導体をレーザー光
によりビームアニールして多結晶化又は結晶性の向上を
行う工程を含む逆スタガー構造の薄膜トランジスタの製
造方法において、該基板上に少なくともゲート電極、ゲ
ート絶縁膜、非単結晶半導体層の順に形成し、該非単結
晶半導体層より上層に形成されたポジ型のフォトレジス
トを該基板裏面より露光、現像することにより上記ゲー
ト電極と同一のフォトレジストパターンを形成し、この
パターンをマスクとして該非単結晶半導体層と該フォト
レジストパターンとの間に形成された絶縁層をエツチン
グし、該フォトレジストパターンを除去後、該絶縁層を
マスクとして非単結晶半導体層のソース・ドレイン領域
に不純物イオンを注入したのち、レーザー光を照射しチ
ャネル領域の非単結晶半導体の多結晶化及び活性化又は
、結晶性向上及び活性化を同時に行うことを特徴とする
多結晶半導体薄膜トランジスタの製造方法等を提供する
ものである。
以下に図面に従って本発明を説明する。
第１図は本発明の製造方法を示すＴＰＴの断面図を示し
、第１図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）の順で工程が
進行する。
、第１図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）の順で工程が
進行する。
まず、ガラス、セラミック、プラスチック等の必要に応
じて透明で絶縁性を有する基板１上に電子線加熱蒸着法
等の蒸着法によりクロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）等
のゲート電極材料を堆積し、フォトリソグラフィーによ
りゲート電極２のパターンを形成、その上にプラズマＣ
ＶＤ法等により ＳｉＯ，５ＬＯＮ 、ＳｉＮ等のゲー
ト絶縁膜３、Ｓｉ 、Ｇｅ等の非晶質半導体層４を形成
し積層する。ここでポジ型フォトレジストを塗布等の方
法で形成し、基板１の裏面より露光し現像することによ
り自己整合的にゲート電極と同一パターンのポジ型のフ
ォトレジストパターン５を形成する（第１図（ａ））。
じて透明で絶縁性を有する基板１上に電子線加熱蒸着法
等の蒸着法によりクロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）等
のゲート電極材料を堆積し、フォトリソグラフィーによ
りゲート電極２のパターンを形成、その上にプラズマＣ
ＶＤ法等により ＳｉＯ，５ＬＯＮ 、ＳｉＮ等のゲー
ト絶縁膜３、Ｓｉ 、Ｇｅ等の非晶質半導体層４を形成
し積層する。ここでポジ型フォトレジストを塗布等の方
法で形成し、基板１の裏面より露光し現像することによ
り自己整合的にゲート電極と同一パターンのポジ型のフ
ォトレジストパターン５を形成する（第１図（ａ））。
イオン注入法によりこのフォトレジストパターン５をマ
スクに非晶質半導体層４のソース・ドレイン領域になる
部分にリン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）等の不
純物イオン６をドーピングする（第１図（ｂ））。フォ
トレジストパターン５を除去した後レーザー光を照射し
、非晶質半導体層４の多結晶化と不純物イオンの活性化
を同時に行って半導体薄膜を作製する。フォトリソグラ
フィーにより半導体薄膜をパターン化し、その上にＳｉ
Ｏ，５ｉＯＮ 、ＳｉＮ等の絶縁膜７を堆積し、ソース
・ドレイン領域上にコンタクトホールを形成し、その上
にソース電極・ドレイン電極８を形成する（第１図（Ｃ
））。
スクに非晶質半導体層４のソース・ドレイン領域になる
部分にリン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）等の不
純物イオン６をドーピングする（第１図（ｂ））。フォ
トレジストパターン５を除去した後レーザー光を照射し
、非晶質半導体層４の多結晶化と不純物イオンの活性化
を同時に行って半導体薄膜を作製する。フォトリソグラ
フィーにより半導体薄膜をパターン化し、その上にＳｉ
Ｏ，５ｉＯＮ 、ＳｉＮ等の絶縁膜７を堆積し、ソース
・ドレイン領域上にコンタクトホールを形成し、その上
にソース電極・ドレイン電極８を形成する（第１図（Ｃ
））。
ところで、第１図 （ｂ）において第２図に示すように
、非晶質半導体層４をパターン化した後裏面露光による
フォトレジストパターン５を形成、イオン注入６、レー
ザー光照射を行ってもよい。また第３図に示すように、
非晶質半導体層４上に絶縁膜１７を堆積し、その上に裏
面露光によるフォトレジストパターン５を形成、絶縁膜
７上からイオン注入６を行ってもよいし、このフォトレ
ジストパターン５を用いて絶縁膜７をエツチングした後
イオン注入してもよい。また第４図に示すように絶縁膜
７をエツチングした後フォトレジストパターン５を除去
し、該絶縁膜７をマスクにイオンの注入エネルギーを小
さくし、イオン注入を行ってもよい。
、非晶質半導体層４をパターン化した後裏面露光による
フォトレジストパターン５を形成、イオン注入６、レー
ザー光照射を行ってもよい。また第３図に示すように、
非晶質半導体層４上に絶縁膜１７を堆積し、その上に裏
面露光によるフォトレジストパターン５を形成、絶縁膜
７上からイオン注入６を行ってもよいし、このフォトレ
ジストパターン５を用いて絶縁膜７をエツチングした後
イオン注入してもよい。また第４図に示すように絶縁膜
７をエツチングした後フォトレジストパターン５を除去
し、該絶縁膜７をマスクにイオンの注入エネルギーを小
さくし、イオン注入を行ってもよい。
尚、基板１は上記露光に使用する波長の透過性を有する
ことが必要である。例えば可視光を使用する場合は透明
性を有したものでなければならない。
ことが必要である。例えば可視光を使用する場合は透明
性を有したものでなければならない。
上記非晶質半導体層４の半導体として非単結晶半導体た
る非晶質半導体の代わりに粒径が５０μｍ未満の微細な
結晶粒子が含まれるいわゆる微結晶半導体または多結晶
半導体をも使用できる。多結晶半導体を使用した場合は
後でおこなうレーザー照射により、結晶性の向上を施し
、ＴＰＴの電流増幅率の向上を行うものである。
る非晶質半導体の代わりに粒径が５０μｍ未満の微細な
結晶粒子が含まれるいわゆる微結晶半導体または多結晶
半導体をも使用できる。多結晶半導体を使用した場合は
後でおこなうレーザー照射により、結晶性の向上を施し
、ＴＰＴの電流増幅率の向上を行うものである。
このように非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体
を総称して非単結晶半導体というものとする。
を総称して非単結晶半導体というものとする。
［実施例］
以下、第１図を参照しながら本発明の実施例を示す。
ガラス基板１上にＣｒ ６０ ｎｍを電子線加熱蒸着法
により蒸着、フォトリソグラフィーによりゲート電極２
のパターンを形成し、その上にプラズマＣＶＤ法により
５ＬＯＮ ２００ ｎｍからなるゲート絶縁膜３、お
よび１００ ｎｍ厚のａ−３ｉによる非晶質半導体層４
を積層した。ここでポジ型フォトレジスト（東京応化製
ＯＦ Ｐ Ｒ−８００）を塗布し基板裏面より露光し現
像することにより自己整合的にゲート電極と同一パター
ンのフォトレジストパターン５を形成した。イオン注入
法によりこのフォトレジストパターン５をマスクに非晶
質半導体層のソース・ドレイン領域になる部分に、Ｐイ
オン６を加速電圧１０ ＫｅＶ、ドーズ量２Ｘ １０”
の条件でドーピングした。フォトレジストパターン５を
酸素プラズマにより除去した後レーザー光を照射し、非
晶質半導体Ｍ４の多結晶化と不純物イオンの活性化を同
時に行った。フォトリソグラフィーにより ｐｏｌｙ−
３ｉを島状にパターン化し、その上にプラズマＣＶＤ法
により ５ＬＯＮ ２００ ｎｍからなる絶縁膜７を堆
積し、ソース・ドレイン領域上にコンタクトホールを形
成し、その上にソース電極・ドレイン電極８を形成した
。
により蒸着、フォトリソグラフィーによりゲート電極２
のパターンを形成し、その上にプラズマＣＶＤ法により
５ＬＯＮ ２００ ｎｍからなるゲート絶縁膜３、お
よび１００ ｎｍ厚のａ−３ｉによる非晶質半導体層４
を積層した。ここでポジ型フォトレジスト（東京応化製
ＯＦ Ｐ Ｒ−８００）を塗布し基板裏面より露光し現
像することにより自己整合的にゲート電極と同一パター
ンのフォトレジストパターン５を形成した。イオン注入
法によりこのフォトレジストパターン５をマスクに非晶
質半導体層のソース・ドレイン領域になる部分に、Ｐイ
オン６を加速電圧１０ ＫｅＶ、ドーズ量２Ｘ １０”
の条件でドーピングした。フォトレジストパターン５を
酸素プラズマにより除去した後レーザー光を照射し、非
晶質半導体Ｍ４の多結晶化と不純物イオンの活性化を同
時に行った。フォトリソグラフィーにより ｐｏｌｙ−
３ｉを島状にパターン化し、その上にプラズマＣＶＤ法
により ５ＬＯＮ ２００ ｎｍからなる絶縁膜７を堆
積し、ソース・ドレイン領域上にコンタクトホールを形
成し、その上にソース電極・ドレイン電極８を形成した
。
このようにして同一基板上に１００個ＴＰＴを形成し、
ソース・ドレイン領域の導電率を測定した結果、１００
個すべてのＴＰＴが約８０Ωｃｍ−’以上であった。
ソース・ドレイン領域の導電率を測定した結果、１００
個すべてのＴＰＴが約８０Ωｃｍ−’以上であった。
［発明の効果］
本発明はイオン注入法によりソース・ドレイン領域をゲ
ート電極に対して自己整合的に形成する薄膜トランジス
タにおいて逆スタガー構造を採用することにより１回の
レーザー光照射によりチャネル領域の多結晶化、ソース
・ドレイン領域の多結晶化・活性化を同時に１回の工、
程で行うものであり、従来の熱処理による場合と（らべ
て活性化に優れ、ソース・ドレイン領域の導電率を大き
く向上させることができる。たとえばＰイオンを注入し
たｎ型の場合従来の熱処理（５００℃１時間）では導電
率７Ω−１０ｒｎ−１程度であるのに対し、本発明のレ
ーザー光照射による方法によれば約８０Ω−１０「Ｉと
１ケタ以上向上させることができた。
ート電極に対して自己整合的に形成する薄膜トランジス
タにおいて逆スタガー構造を採用することにより１回の
レーザー光照射によりチャネル領域の多結晶化、ソース
・ドレイン領域の多結晶化・活性化を同時に１回の工、
程で行うものであり、従来の熱処理による場合と（らべ
て活性化に優れ、ソース・ドレイン領域の導電率を大き
く向上させることができる。たとえばＰイオンを注入し
たｎ型の場合従来の熱処理（５００℃１時間）では導電
率７Ω−１０ｒｎ−１程度であるのに対し、本発明のレ
ーザー光照射による方法によれば約８０Ω−１０「Ｉと
１ケタ以上向上させることができた。
また本発明の製造方法ではチャネル部分の多結晶化も同
時に行うため、工程数の点でも従来法よりソース・ドレ
イン領域活性化のための熱処理の分だけ減少させること
ができるという効果を奏する。
時に行うため、工程数の点でも従来法よりソース・ドレ
イン領域活性化のための熱処理の分だけ減少させること
ができるという効果を奏する。
さらに本発明の製造方法ではゲート絶縁膜と半導体層と
を同一真空装置内で連続に形成できるため、この間の界
面を清浄なものにすることができ、トランジスタ特性を
向上させることができるという効果も認められる。
を同一真空装置内で連続に形成できるため、この間の界
面を清浄なものにすることができ、トランジスタ特性を
向上させることができるという効果も認められる。
第１図 （ａ） 、（ｂ） 、（ｃ）は、本発明のＴＰ
Ｔの製造方法を順に示す断面図であり、第２図〜第４図
は本発明のＴＰＴの製造方法を示す断面図である。第５
図（ａ） 、（ｂ）は従来のＴＰＴの製造方法を順に示
す断面図である。 ｌ：基板 ２：ゲート電極 ３：ゲート絶縁膜 ４：非晶質半導体層 ６：不純物イオン ５２：パッシベーション膜 片体 属 〕艶 賀２）２ ↓ ↓ ↓ 〜６ ↓
Ｔの製造方法を順に示す断面図であり、第２図〜第４図
は本発明のＴＰＴの製造方法を示す断面図である。第５
図（ａ） 、（ｂ）は従来のＴＰＴの製造方法を順に示
す断面図である。 ｌ：基板 ２：ゲート電極 ３：ゲート絶縁膜 ４：非晶質半導体層 ６：不純物イオン ５２：パッシベーション膜 片体 属 〕艶 賀２）２ ↓ ↓ ↓ 〜６ ↓
Claims (3)
- （１）絶縁性を有する基板上の非単結晶半導体をレーザ
ー光によりビームアニールして多結晶化又は結晶性の向
上を行う工程を含む逆スタガー構造の薄膜トランジスタ
の製造方法において、該基板上に少なくともゲート電極
、ゲート絶縁膜、非単結晶半導体層の順に形成し、該非
単結晶半導体層より上層に形成されたポジ型のフォトレ
ジストを該基板裏面より露光し、現像することにより上
記ゲート電極と同一のパターンのフォトレジストパター
ンを形成し、このパターンをマスクとして非単結晶半導
体層のソース・ドレイン領域に不純物イオンを注入した
のち、該フォトレジストパターンを除去後、レーザー光
を照射しチャネル領域の非単結晶半導体の多結晶化及び
活性化又は、結晶性向上及び活性化を同時に行うことを
特徴とする多結晶半導体薄膜トランジスタの製造方法。 - （２）絶縁性を有する基板上の非単結晶半導体をレーザ
ー光によりビームアニールして多結晶化又は結晶性の向
上を行う工程を含む逆スタガー構造の薄膜トランジスタ
の製造方法において、該基板上に少なくともゲート電極
、ゲート絶縁膜、非単結晶半導体層の順に形成し、該非
単結晶半導体層より上層に形成されたポジ型のフォトレ
ジストを該基板裏面より露光、現像することにより上記
ゲート電極と同一のフォトレジストパターンを形成し、
このパターンをマスクとして該非単結晶半導体層と該フ
ォトレジストパターンとの間に形成された絶縁層をエッ
チングし、該フォトレジストパターンを除去後、該絶縁
層をマスクとして非単結晶半導体層のソース・ドレイン
領域に不純物イオンを注入したのち、レーザー光を照射
しチャネル領域の非単結晶半導体の多結晶化及び活性化
又は、結晶性向上及び活性化を同時に行うことを特徴と
する多結晶半導体薄膜トランジスタの製造方法。 - （３）請求項（１）又は請求項（２）に記載された製造
方法によって製造された多結晶半導体薄膜トランジスタ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25006990A JPH04130734A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 多結晶半導体薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25006990A JPH04130734A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 多結晶半導体薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04130734A true JPH04130734A (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=17202347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25006990A Pending JPH04130734A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 多結晶半導体薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04130734A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5926701A (en) * | 1994-12-21 | 1999-07-20 | Sony Electronics, Inc. | Thin film transistor fabrication technique |
-
1990
- 1990-09-21 JP JP25006990A patent/JPH04130734A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5926701A (en) * | 1994-12-21 | 1999-07-20 | Sony Electronics, Inc. | Thin film transistor fabrication technique |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07118443B2 (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JP3359689B2 (ja) | 半導体回路およびその作製方法 | |
| JP3402380B2 (ja) | 半導体回路およびその作製方法 | |
| JP2905680B2 (ja) | 薄膜トランジスターの製造方法 | |
| US5183780A (en) | Method of fabricating semiconductor device | |
| JP3137797B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその作製方法 | |
| JP2700277B2 (ja) | 薄膜トランジスタの作製方法 | |
| JPH0680685B2 (ja) | 薄膜トランジスタとその製造方法 | |
| US20020139979A1 (en) | Method of crystallizing a silicon layer and method of fabricating a semiconductor device using the same | |
| JPH0547791A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP3347340B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2584117B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH04340725A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH04130734A (ja) | 多結晶半導体薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH06349856A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP3138841B2 (ja) | Ｍｉｓ電界効果半導体装置の製造方法 | |
| JPH08316487A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JP2630195B2 (ja) | 薄膜電界効果トランジスタとその製造方法 | |
| JPH08213632A (ja) | 薄膜半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2000058472A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07273342A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP3953605B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2960742B2 (ja) | 薄膜トランジスタ素子 | |
| JPH11340469A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH06260498A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |