JPH0413775A - ｍ―フェニレンジアミン系化合物及びそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、電子写真感光体における電荷輸送材料とし
て好適なｍ−フェニレンジアミン系化合物及びそれを用
いた電子写真感光体に関する。

［従来の技術］ 近年、複写機などの画像形成装置における電子写真感光
体として、加工性に優れ、製造コストの面で有利である
とともに、機能設計の自由度が大きい有機感光体が使用
されている。

また、電子写真感光体を用いて複写画像を形成する場合
には、カールソンプロセスが広く利用されている。カー
ルソンプロセスは、コロナ放電により感光体を均一に帯
電させる帯電工程と、帯電した感光体に原稿像を露光し
、原稿像に対応した静電潜像を形成する露光工程と、静
電潜像をトナーを含有する現像剤で現像し、トナー像を
形成する現像工程と、トナー像を紙などの基材に転写す
る転写工程と、基材に転写されたトナー像を定着させる
定着工程と、転写工程の後、感光体上に残留するトナー
を除去するクリーニング工程とを含んでいる。このカー
ルソンプロセスにおいて高品質の画像を形成するには、
電子写真感光体が帯電特性及び感光特性に優れているこ
と及び、露光後の残留電位が低いことが要求される。

これらの特性を達成するための手段の一つとして適正な
電荷輸送材料の選択がある。そして上記電荷輸送材料と
してポリビニルカルバゾール、オキサジアゾール系化合
物、ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物など多く
の化合物が提案されている。

［発明が解決しようとする課８］ しかし、上記電荷輸送材料は、電荷輸送能を示すドリフ
ト移動度が比較的小さい。また、ドリフト移動度の電界
強度依存性が大きいために、低電界での電荷の移動が少
なく、残留電位がぬけにくくいという問題点がある。さ
らに紫外光線の照射により劣化しやすいなどの問題点が
ある。

このような問題点に対して、ドリフト移動度の電界依存
性が小さく、樹脂との相溶性のよいｍ　＝フェニレンジ
アミン系化合物としてＮ、Ｎ、ＮＮ“−テトラフェニル
−１，３−フェニレンジアミンが提案されている（特願
昭６２−３０１７０３号）。このｍ−フェニレンジアミ
ン系化合物は紫外光などに対する耐光性も良好で、実際
の複写機で使用した場合にも安定な特性を示す。しかし
、複写機が故障した場合などにおいて、長時間の光暴露
や高温下での光暴露が発生した場合、回復が不可能なダ
メージを被るという問題点がある。

この発明は上記の問題点を解決するものであり、より耐
光性を有し光安定性に優れたｍ−フェニレンジアミン系
化合物とそれを用いた電子写真感光体を提供することを
目的とする。

Ｅ課題を解決するための手段及び作用コ一般に光劣化に
よる感光体特性の低下の原因は、電荷輸送材料に対して
トラップとなる不純物が感光体中に生成することにある
。ｍ−フェニレンジアミン系化合物の場合、このような
光劣化反応として中心ベンゼン環と他のフェニル基との
間で起こる閉環反応が考えられる。この反応はフェニレ
ンジアミン系化合物の分子の電子密度が中心ベンゼン環
に偏っているために起こりやすいと考えられる。特に中
心ベンゼン環の４．６位は電子密度が高いため、酸素な
どの酸化物質からの攻撃を受けやすい分子構造となって
いる。そこで、この部分を置換基で置換して保護するこ
とにより反応性を抑制し、安定性を向上することが可能
であると考え、種々の実験の結果、この位置をアルキル
基、アルコキシル基、アミノ基、Ｎ−［換アミノ基、ア
リル基、アリール基等所定の置換基で置換することによ
り、ドリフト移動度等の電荷輸送特性を損なうことなく
、感光体の光安定性を効果的に改善できることを見出し
た。

しかして、この発明のｍ−フェニレンジアミン系化合物
は 下記の一般式［■］　： （式中、ＲＩ　　Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は同一または異なっ
て、アルキル基、アルコキシル基、ハロゲン原子、アミ
ノ基、Ｎ−置換アミノ基を示し、Ｊ、ｍ、ｏ、ｐは同一
または異なって、０〜５の整数を示し　Ｒ５Ｒ６は同一
または異なって、アルキル基、アルコキシル基、ハロゲ
ン原子、アミノ基、Ｎ−置換アミノ基、アリル基、アリ
ール基を示し、ｑ、ｒは０または１を示す。ただし、ｑ
。

ｒは同時に０であってはならない。） で表されるｍ−フユニレンジアミン系化合物である。

前記ｍ−フェニレンジアミン系化合物は中心ベンゼン環
の４．６の位置の少なくとも一方が置換基（アルキル基
、アルコキシル基、ハロゲン原子、アミノ基、Ｎ−置換
アミノ基、アリル基、アリール基）で保護されたことに
より、酸化物質などからの攻撃を受けにくくなり、光劣
化反応が著しく抑制されて光に対する安定性が向上する
。

また、上記ｍ−フェニレンジアミン系化合物を含有する
感光体は、長時間の光暴露や高温下での光暴露に対して
、従来の感光体よりダメージを被ることが少なく、光安
定性に優れている。

［発明の好適態様］ 前記一般式［Ｎで表されるこの発明のｍ−）ユニレンジ
アミン系化合物において、Ｒ’　、Ｒ’Ｒ３Ｒ４のうち
アルキル基としては、メチル基。

エチル基、プロピル基、イソプロプル基、ブチル基、イ
ソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基等の炭素数１〜６の低級アルキル基が例示される。

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基、イソプロポキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキ
シルオキシ基などのアルキル部分の炭素数か１〜６の低
級アルコキシ基が例示される。

なお、上記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は同一てあってもよ
く、互いに異なっていてもよい。

また、Ｒ５、Ｒ’としては、アルキル基、アルコキシル
基、ハロゲン原子、アミノ基、Ｎ−置換アミノ基、アリ
ル基、アリール基が好適である。

上記Ｒｓ、Ｒｈはそれぞれ同一であってもよく、互いに
異なっていてもよい。また、Ｒｓ、Ｒｈについては、少
なくとも一方が置換することが必要であり、両者とも置
換したものがより好ましい。

一般式［Ｉ］で表されるｍ−フユニレンジアミン系化合
物としては、具体的には次のような化合物が例示される
。

本発明の上記−数式［１１で表される化合物は、種々の
方法で合成することができるが、例えば、下記の一連の
反応式［Ａ］あるいは反応式［Ｂ］により合成すること
ができる。

反応式［Ａ］　： （以下余白） 反応式［Ｂ］　： ■ ｃ式中、Ｒ”およびＲ”は、同一または異なって、アル
キル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、Ｎ−
置換アミノ基を示す。コ すなわち、上記［Ａ］の反応工程においては、式（１）
で表されるレソルシノール誘導体と式（２）で表される
アニリン誘導体をヨウ素とともに窒素気流下で還流して
反応させ、上記式（３）で表されるフェニレンジアミン
系化合物を得る。そして、上記の式Ｇ）の化合物と上記
式（４）で表わされるヨードベンゼン誘導体を炭酸カリ
ウムおよび銅粉の存在下で溶剤（例えば、ニトロベンゼ
ン）中で反応させることにより、一般式［Ｉ］における
Ｒ２とＲ４Ｒ１とＲ３とがそれぞれ同一である本発明の
ｍ−フェニレンジアミン系化合物が得られる。

ここで、一般式［Ｉ］で表される化合物における、アル
キル基等の置換基Ｒ５，Ｒ６は上述のように、例えば、
レソルシノールに予め導入しておくことが可能であり、
Ｒ″　（すなわち、一般式［１］におけるＲ２　、　Ｒ
４）はアニリンに予め導入し、さらに、置換基Ｒ”　　
（すなわち、一般式［Ｉ］におけるＲ１．Ｒ３）はヨー
ドベンゼンに予め導入しておくことができる。

一方、上記反応式［Ｂ］に示すように、式（５）のフェ
ニレンジアミン誘導体と式（６）のヨードベンゼン誘導
体を炭酸カリウム、銅粉ともに溶剤（例えば、ニトロベ
ンゼン）中で還流して反応させることによって、一般式
［１］におけるＲ１−Ｒ４が全て同一置換基である本発
明のｍ−フェニレンジアミン系化合物を合成することが
できる。

また、上記反応式［Ａ］または［Ｂ］で得られる化合物
以外の本発明化合物、例えばＲ１−Ｒ４が全て異なる置
換基である化合物等を合成するには、上記反応式［Ａ］
または［Ｂ］における出発原料のモル比を適宜調製して
、段階的に置換基Ｒ１〜Ｒ４を有する各フェニル基を導
入する方法があげられる。また、置換基を有しないフェ
ニル基を導入した後、置換基Ｒ１〜Ｒ４Ｒ５およびＲ６
を順次導入するようにしてもよい。

この発明の前記一般式［Ｉ］で表される化合物は、公知
の他の電荷輸送材料と組み合わせて使用することができ
る。この場合の電荷輸送材料としては、公知の種々の電
子吸引性化合物、電子供与性化合物を用いることができ
る。

上記電子吸引性化合物としては、例えば、２゜６−シメ
チルー２°、６°−ジｔｅｒｔ−ジブチルジフェノキノ
ン等のジフエノギノン誘導体、マロノニトリル、チオビ
ラン系化合物、テトラシアノエチレン、２．４．８−ト
リニドロチオキサントン、３，４，５．７−テトラニト
ロ−９−フルオレノン、ジニトロベンゼン、ジニトロア
ントラセン、ジニトロアクリジン、ニトロアントラキノ
ン、ジニトロアントラキノン、無水コハク酸、無水マレ
イン酸、ジブロモ無水マレイン酸等が例示される。

また、電子供与性化合物としては、２．５−ジ（４−メ
チルアミノフェニル）、１，３．４−オキサジアゾール
、等のオキサジアゾール化合物、９−（４−ジエチルア
ミノスチリル）アントラセン等のスチリル化合物、ポリ
ビニルカルバゾール等のカルバゾール化合物、１−フェ
ニル−３〜（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン
等のピラゾリン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフェニ
ルアミン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール
系化合物、インオキサゾール系化合物、チアゾール系化
合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物
、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒
素環式化合物、縮合多環式化合物が例示される。

これらの電荷輸送材料は、１種または２種以上混合して
用いられる。なお、ポリビニルカルバゾール等成膜性を
有する電荷輸送材料を用いる場合には、結合剤樹脂は必
ずしも必要ではない。

上記−数式ＣＩ］で表される化合物は、いわゆる単層型
及び積層型の電子写真感光体のいずれにも適用すること
ができる。

単層型電子写真感光体とするには、電荷輸送材料である
前記−数式［１］で表される化合物と電荷発生材料と結
合剤樹脂等とを含有する感光層を導電性基材上に形成す
ればよい。

また、積層型の電子写真感光体とするには、導電性基材
上に、蒸着または、塗布等の手段により電荷発生材料を
含有する電荷発生層を形成し、この電荷発生層上に、前
記−数式［１］で表される化合物と結合材樹脂とを含有
する電荷輸送層を形成すればよい。また、上記とは逆に
、導電性基村上に上記と同様の電荷輸送層を形成し、次
いて蒸着または塗布などの手段により電荷発生材料゛を
含有する電荷発生層を形成してもよい。さらに、電荷発
生層を電荷発生材料と電荷輸送材料とを結着剤樹脂中に
分散して塗布することにより形成してもよい。

上記電荷発生材料としては、例えば、セレン、セレン−
テルル、アモルファスシリコン、ピリリウム塩、アゾ系
顔料、ジスアゾ系顔料、アンサンスロン系顔料、フタロ
シアニン系顔料、インジゴ系顔料、トリフェニルメタン
系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン
系顔料、ペリレン系顔料、キナクリドン系顔料、ピロー
ル系顔料等が例示され、所望の領域に吸収波長域を有す
るように、一種または２種以上を混合して用いられる。

また、上記感光層、電荷発生層及び電荷輸送層における
結合剤樹脂としては、種々の樹脂を使用することかでき
る。例えば、スチレン系重合体、スチレン−ブタジェン
共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチ
レン−マレイン酸共重合体、アクリル系重合体、スチレ
ン−アクリル系共重合体、ポリエチレン、エチレン酢酸
ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル
、ポリプロピレン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
ポリエステル、アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレ
タン、ポリカーボネート、ボリアリレート、ポリスルホ
ン、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニル
ブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂や
、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿
素樹脂、メラミン樹脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂、
及びエポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等
の光硬化性樹脂等積々の重合体が例示される。これらの
結着剤樹脂は１種でまたは２種以上混合して用いられる
。

また、塗布手法により電荷発生層及び電荷輸送層を形成
する場合には溶剤が使用される。この溶剤としては、種
々の有機溶剤を使用することが可能であり、メタノール
、エタノール、イソプロパツール、ブタノール等のアル
コール類、ｎ−へキサン、オクタン、シクロヘキサン等
の脂肪族系・炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン
、四塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素
、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケト
ン類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジメチ
ルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド等の種々の溶剤が例示され、これらを１種
または２種以上混合して用いることができる。

また、上記電荷発生層の感度をよくするために、例えば
、ターフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン
等の公知の増感剤を上記電荷発生材料と共に用いてもよ
い。さらには、電衛輸送材料や電荷発生材料の分散性、
染工性等をよくするために界面活性剤、レベリング剤等
を使用してもよい。

上記導電性基材としては、導電性を有する種々の材料を
使用することができ、例えば、アルミニウム、銅、スズ
、白金、金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カ
ドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム
、ステンレス銅、真鍮等の金属単体や、上記金属が蒸着
またはラミネートされたプラスチック材料、ヨウ化アル
ミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で被覆されたガ
ラス等が例示される。上記導電性基材はシート状、ドラ
ム状のいずれでもよく、基材自体が導電性を有するかあ
るいは基材の表面が導電性を有していればよい。この基
材としては、使用に際し、十分な機械的強度を有するも
のが好ましい。

上記電荷輸送材料としてのこの発明の化合物と結着剤樹
脂は、電荷の輸送を阻害しない範囲及び結晶化しない範
囲で種々の割合で使用することが可能であるが、結合剤
樹脂１００重量部に対して、−前記一般式［Ｉ］で表さ
れる化合物１２５重量部ないし２００重量部を使用する
ことか好ましい。

また、一般式［１］で表される化合物を含有する電荷輸
送層は、２〜１００μｍ１特に５〜３０μｍ程度の層厚
に形成することか好ましい。

上記電荷発生材料を結合剤樹脂と共に用いる場合、電荷
発生材料と結合剤樹脂とは種々の割合で使用することが
できるが、電荷発生材料１０重量部に対して、結合剤樹
脂１〜１５０重量部の割合で用いることが望ましい。

また、上記電荷発生材料を含有する電荷発生層は、その
膜厚を任意に選択することかできるが、０．０１〜２０
μｍ１特に０．１〜１０μｍ程度に形成することが望ま
しい。また、一般式［１］で表される化合物及び電荷発
生材料を単一層中に存在させた単層型感光層は、その膜
厚を任意に選択することができるが、２〜１００ｕ＠、
特に５〜３０μｍ程度の層厚に形成することか好ましい
。

また、単層型電子写真用感光体にあっては、上記基材と
感光層との間に、また、積層型電子写真用感光体にあっ
ては、上記基材と電荷発生層との間や基材と電荷輸送層
との間及び電荷発生層と電荷輸送層との間に、感光体の
特性を阻害しない範囲でバリア層が形成されていてもよ
く、感光体の表面には、保護層が形成されていてもよい
。

上記電荷発生層及び電荷輸送層を、塗布の方法により形
成する場合には、電荷発生材料等と結合剤樹脂などを公
知の方法、例えば、ロールミル、ボールミル、アトライ
タ、ペイントシェーカーあるいは超音波分散器等を用い
て分散混合して調製し、これを公知の手段により塗布、
乾燥すればよい。なお上述のように、電荷発生層は上記
電荷発生材料を蒸着することにより形成してもよい。

以下、実施例により本発明の詳細な説明する。

［実施例］ （１）　　電荷輸送材料の合成例 第１の合成例 （Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−
４，６−ジクロロ−１，３−フェニレンジアミンの合成
） ４．６−シクロロレソルシノール１５．７ｇとｍ−）ル
イジン２２．６ｇとをヨウ素０．５ｇの存在下、窒素気
流中で３日間還流して反応させ、Ｎ、Ｎ’−ビス（３−
トリル）−４，６−ジクロロ−１，３−フェニレンジア
ミンを得た。次に、このＮ、Ｎ’　−ビス（３−トリル
）−４，６−ジクロロ−１，３−フェニレンジアミン９
．０ｇとヨードトルエン１０．９ｇとを、炭酸カリウム
５゜０ｇ、銅粉末１．５ｇの存在下、ニトロベンゼン１
００ｍ層中で２４時間還流して反応させ、標記の化合物
Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−４
，６−ジクロロ−１，３−フェニレンジアミン（本発明
化合物ｌ）を得た。上記の合成工程における反応は前述
の一連の反応式［Ａ）に準じた。

この化合物の融点は１１０−１１１”Ｃてあった。

第２の合成例 （Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−
４−メチル−１，３−フェニレンジアミンの合成） 標記の化合物を前述の一連の反応式［Ｂ］に準じて合成
した。

４−メチルフェニレンジアミン３．１ｇとｍ−ヨードト
ルエン２１．８ｇとを、炭酸カリウ広６゜９ｇ、銅粉末
１．５ｇの存在下、ニトロベンゼン１００ｍＪ中、て２
４時間還流して反応させ、標記の化合物Ｎ、Ｎ、Ｎ’　
、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−４−メチル−１，
３−フェニレンジアミン（本発明化合物２）を得た。

この化合物の融点は９０〜９２℃であった。

第３の合成例 （Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−
４−メトキシ−１，３−フェニレンジアミンの合成） 上記第１の合成例の４，６−シクロロレソルシノールの
代わりに４−メトキシレソルシノール１２．３ｇを用い
て上記第１の合成例と同様にして、Ｎ、Ｎ’−ビス（３
−トリル）−４−メトキシ−１，３−フェニレンジアミ
ンを得た。このＮ。

Ｎｏ−ビス（３−トリル）−４−メトキシ−１゜３−フ
ェニレンジアミン８．０ｇとヨードトルエン１０．９ｇ
とを、炭酸カリウム５．０ｇ、銅粉末１，５ｇの存在下
、ニトロベンゼン５０ｍＪ中で２４時間還流反応させた
。以下、第１の合成例と同様にして標記の化合物Ｎ、Ｎ
、Ｎ’、Ｎテトラキス（３−トリル）−４−メトキシ−
１゜３−フェニレンジアミン（本発明化合物３）を得た
。

この化合物の融点は１１４〜１１５℃であった。

第４の合成例 （Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−
４−アミノ−１，３−フェニレンジアミンの合成） 上記第１の合成例の４．６−シクロロレソルシノールの
代わりに４−アミルツルシノール１１゜Ｏｇを用いて上
記第１の合成例と同様にして、ＮＮ“−ビス（３−トリ
ル）−４−アミノ−１，３フエニレンジアミンを得た。

このＮ、Ｎ’　−ビス（３−トリル）−４−アミノ−１
，３−フェニレンジアミン７．６ｇとヨードトルエン１
０．９ｇとを、炭酸カリウム５．０ｇ、銅粉末１．５ｇ
の存在下、ニトロベンゼン５０ｍｊ中で２４時間還流し
て反応させた。以下、第１の合成例と同様にして標記の
化合物Ｎ、Ｎ、Ｎ”　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル
）−６−アミノ−１，３−フェニレンジアミン（本発明
化合物４）を得た。

この化合物の融点は１２１〜１２２℃であった。

第５の合成例 （Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−
４−アリル−１，３−フェニレンジアミンの合成） 上記第１の合成例の４．６−シクロロレソルシノールの
代わりに４−アミルツルシノール１３゜２ｇを用いて上
記第１の合成例と同様にして、Ｎ。

Ｎｏ−ビス（３−トリル）−４−アリル−１，３−フェ
ニレンジアミンを得た。このＮ、Ｎ”−ビス（３−トリ
ル）−４−アリル−１，３−フェニレンジアミン８．２
ｇとヨードトルエン１０．９ｇとを、炭酸カリウム５．
０ｇ、銅粉末１．５ｇの存在下、ニトロベンゼン５０ｍ
ｊ中で２４時間還流して反応させた。以下、第１の合成
例と同様にして標記の化合物Ｎ、Ｎ、Ｎ°、Ｎ’　−テ
トラキス（３−トリル）−４−アリル−１，３−フェニ
レンジアミン（本発明化合物５）を得た。この化合物の
融点は１１５〜１１６℃であった。

第６の合成例 （Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（３−トリル）−
４−フエ壬ルー１．３−フェニレンジアミンの合成） 上記第１の合成例の４．６−シクロロレソルシノールの
代わりに４−フェニルレソルシノール１６．４ｇを用い
て上記第１の合成例と同様にして、Ｎ、Ｎ’−ビス（３
−トリル）−４−フェニル−１，３−フェニレンジアミ
ンを得た。このＮ、　　Ｎ−ビス（３−トリル）−４−
フェニル−１，３−フェニレンジアミン９．１ｇとヨー
ドトルエン１０．９ｇとを、炭酸カリウム５．０ｇ、銅
粉末１．５ｇの存在下、ニトロベンゼン５０ｍｊ中で２
４時間還流して反応させた。以下、第１の合成例と同様
にして標記の化合物Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ−テトラキス（３
−トリル）−４−フェニル−１゜３−フェニレンジアミ
ン（本発明化合物６）を得た。この化合物の融点は１２
３〜１２４℃であった。

（２）電子写真感光体の調製 単層型電子写真感光体の調製 電荷発生材料としてＮ、Ｎ’−ジ（３，５−ジメチルフ
ェニル）ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキ
シジイミド８重量部、電荷輸送材料として上記合成例１
〜６で合成した本発明化合物１００重量部、結合剤樹脂
としてポリ−（４゜４゛−シクロへキシリデンジフェニ
ル）カーボネート（三菱瓦斯化学社製、ポリカーボネー
トＺ２００）１００重量部及び所定量のテトラヒドロフ
ランを合わせて、超音波分散器にて混合分散し、単層型
感光層用塗布液を調製した。この塗布液を外径７８　ｍ
＋＊　Ｘ長さ３４０ＩＩＩ１１のアルミニウム素管上に
塗布した後、暗所にて１００℃で３０分間加熱乾燥させ
て、厚み２４μｍの単層型感光層を有するドラム型の電
子写真感光体を作成した。

積層型電子写真感光体の調製 結合剤樹脂としてポリビニルブチラール（積木化学社製
、商品名工スレツクＢＬＩ）１００重１部と、電荷発生
材料としてオキソチタニルフタロシアニン１００重量部
と、所定量のテトラヒドロフランとをボールミルに仕込
み、２４時間撹拌混合して電荷発生層用塗布液を調製し
、この調製液をアルミニウムドラムに浸漬法によって塗
布し、１１０℃で３０分間熱風乾燥して硬化させること
により膜厚０．５μｍの電荷発生層を形成した。

次いで、結合剤樹脂としてポリカーボネート樹脂（三菱
瓦斯化学社製、商品名ニーピロン）１００重量部と、電
荷輸送層として上記上記合成例１〜６で合成した各化合
物１００重量部と、所定量のトルエンとをホモミキサで
撹拌混合して電荷輸送層用塗布液を調製した。この塗布
液を上記電荷発生層の表面に浸・演法により塗布し、１
２０℃で３０分間熱風乾燥することにより膜厚的２０μ
ｍの電荷輸送層を形成して、積層型電子写真感光体を作
成した。

比較例 電荷輸送材料として（Ｎ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキ
ス（３−トリル）−１，３−フェニレンジアミン１００
重量部を用いた以外は上記調製例と同様にして単層型及
び積層型の電子写真感光体を作成した。

（３）電子写真感光体の評価 単層型電子感光体 （初期表面電位Ｖ３．の測定） 上記各単層型電子写真感光体を、静電複写試験装置（ジ
エンチック社製、ジエンチックシンシア３０Ｍ）に装填
し、その表面を正に帯電させて各感光体の表面電位ＶＳ
Ｐ（Ｖ）を測定した。

（半減露光量、残留電位測定） 上記帯電状態の各電子写真感光体を、上記静電複写試験
装置の露光光源であるハロゲンランプ（露光強度０．９
２ｍＷ／ｃｄ）を用いて露光させ、表面電位ＶＳＰが１
７２となるまでの時間を求めて、半減露光量Ｅｌ／２（
μＪ／ｃｍ２）を算出した。

また、上記露光開始後０．１５秒を経過した後の表面電
位を残留電位Ｖ、、（Ｖ）とした。

積層型電子写真感光体 露光光源として分光器にＸｅランプ光を通して得た単色
光（λ−７８０ｎｍ、露光強度−１０μＷ　／　ｃｄ、
露光時間−１秒）を用いて各積層型電子写真感光体を露
光し、露光後０．５秒経過した後の表面電位を残留電位
Ｖ１．とじて測定した。その他については上記単層型電
子写真感光体の場合と同様の測定を行った。

上記実施例及び比較例で得られた電子写真感光体の帯電
特性及び感光特性の測定結果を表１及び表２に示す。

表１ （単層型電子写真感光体） 表１および表２において、「露光前」は、光照射前の初
期特性、「露光後」は白色螢光灯を用いて、４００ルツ
クスの紫外線を含む白色光を４０分間照射した後の特性
を示す。

上記表１及び２に示すように、本願発明の電荷輸送材料
用化合物を用いた感光体はいずれも、初期表面電位ＶＳ
Ｐ、半減露光量Ｅ　Ｉ／２　、残留電位Ｖ１．ともに露
光前後の値の変動が比較例より小さく光に対する安定性
に優れていることが判る。

Ｅ発明の効果〕 以上のように、この発明の電荷輸送材料用化合物は中心
ベンゼン環の４．６の位置を所定の置換基で置換して保
護しているため、光安定性に優れており、かつ該電荷輸
送材料を用いることにより、光安定性に優れた電子写真
感光体を得ることができる。

表２ （積層型電子写真感光体）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記の一般式［ I ］： ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４は同一または
   異なって、アルキル基、アルコキシル基、ハロゲン原子
   、アミノ基、Ｎ−置換アミノ基を示し、ｌ、ｍ、ｏ、ｐ
   は同一または異なって、０〜５の整数を示し、Ｒ＾５、
   Ｒ＾６は同一または異なって、アルキル基、アルコキシ
   ル基、ハロゲン原子、アミノ基、Ｎ−置換アミノ基、ア
   リル基、アリール基を示し、ｑ、ｒは０または１を示す
   。ただし、ｑ、ｒは同時に０であってはならない。） で表されるｍ−フェニレンジアミン系化合物。
2. （２）導電性基材上に、請求項１記載のｍ−フェニレン
   ジアミン系化合物を含む感光層を設けたこと特徴とする
   電子写真感光体。