JPH0414203A - 抵抗体膜の製造方法 - Google Patents
抵抗体膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH0414203A JPH0414203A JP11662190A JP11662190A JPH0414203A JP H0414203 A JPH0414203 A JP H0414203A JP 11662190 A JP11662190 A JP 11662190A JP 11662190 A JP11662190 A JP 11662190A JP H0414203 A JPH0414203 A JP H0414203A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resistor
- resistor film
- silicon
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- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はサーマルヘッドの発熱抵抗体として用いる抵抗
体膜や、薄膜ハイブリッド回路における抵抗素子などに
用いられる抵抗体膜を製造する方法に関するものである
。
体膜や、薄膜ハイブリッド回路における抵抗素子などに
用いられる抵抗体膜を製造する方法に関するものである
。
（従来の技術）
サーマルヘッドの発熱抵抗体膜としては、Ｔａ２Ｎ、Ｎ
ｉＣｒ、ＴｉＮ、ＴａＳｉ２゜Ｔ ａ Ｓ ｉＯｚなど
の材料が使用されている。これらの材料の抵抗体膜は通
常、スパッタリング法により形成されているが、これら
の材料の比抵抗は約３０００μΩ−０ｍ以下である。そ
のため、シート抵抗値としては約１０００Ω／口程度が
限界である。
ｉＣｒ、ＴｉＮ、ＴａＳｉ２゜Ｔ ａ Ｓ ｉＯｚなど
の材料が使用されている。これらの材料の抵抗体膜は通
常、スパッタリング法により形成されているが、これら
の材料の比抵抗は約３０００μΩ−０ｍ以下である。そ
のため、シート抵抗値としては約１０００Ω／口程度が
限界である。
（発明が解決しようとする課題）
サーマルヘッドにおいては発熱体の抵抗値を高めて電流
値を小さくすることにより、駆動回路用半導体集積回路
装置のコストを引き下げ、また、消費電力を小さくする
要請がある。これらの要請を満たすサーマルヘッドでは
、発熱体の抵抗体膜のシート抵抗としては約２０００Ω
／口以上が必要であり、約３０００Ω／口以上あること
が望ましい。しかし、従来の材料をターゲットとしてス
パッタリング法により抵抗体膜を形成しても、そのよう
な高抵抗な抵抗体膜を形成することは困難である。
値を小さくすることにより、駆動回路用半導体集積回路
装置のコストを引き下げ、また、消費電力を小さくする
要請がある。これらの要請を満たすサーマルヘッドでは
、発熱体の抵抗体膜のシート抵抗としては約２０００Ω
／口以上が必要であり、約３０００Ω／口以上あること
が望ましい。しかし、従来の材料をターゲットとしてス
パッタリング法により抵抗体膜を形成しても、そのよう
な高抵抗な抵抗体膜を形成することは困難である。
本発明は高抵抗な抵抗体膜を製造する方法を提供するこ
とを目的とするものである。
とを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明では、ターゲットとしてシリコンとクロムの粉末
混合焼結体を用い、スパッタリング法により膜形成を行
なう。
混合焼結体を用い、スパッタリング法により膜形成を行
なう。
好ましい態様では、ターゲットの組成はシリコンが２０
重量％から５０重量％の範囲内、残りがクロムであり、
反応性スパッタリング法により膜形成を行なう。
重量％から５０重量％の範囲内、残りがクロムであり、
反応性スパッタリング法により膜形成を行なう。
（作用）
シリコンとクロムの粉末混合焼結体ターゲットの組成の
うち、特にシリコンが２ｏ〜５０重量％の範囲のものは
、その得られる抵抗体膜のシート抵抗値が高く、かつ、
バラツキも小さい。
うち、特にシリコンが２ｏ〜５０重量％の範囲のものは
、その得られる抵抗体膜のシート抵抗値が高く、かつ、
バラツキも小さい。
スパッタリングガスとしてアルゴンの他に酸素又は窒素
を混入させた反応性スパッタリングを行なえば、シリコ
ンとクロムを主成分とする抵抗体膜中に酸素や窒素が取
り込まれ、抵抗値がより高くなる。
を混入させた反応性スパッタリングを行なえば、シリコ
ンとクロムを主成分とする抵抗体膜中に酸素や窒素が取
り込まれ、抵抗値がより高くなる。
（実施例）
サーマルヘッドの発熱体を形成するために、高周波スパ
ッタリング法によりシリコンとクロムの粉末混合焼結体
をターゲットし、そのターゲットに対向して基板を設置
し、１０−３〜１０−”Ｔｏｒｒの雰囲気でスパッタリ
ングを行なって抵抗体膜を形成する。
ッタリング法によりシリコンとクロムの粉末混合焼結体
をターゲットし、そのターゲットに対向して基板を設置
し、１０−３〜１０−”Ｔｏｒｒの雰囲気でスパッタリ
ングを行なって抵抗体膜を形成する。
スパッタリング装置のチャンバ中にはアルゴンガスのみ
を導入し、シリコンとクロムの割合を異ならせた数種類
のターゲットについて抵抗体膜を形成し、それぞれのシ
ート抵抗値を測定した結果を第１図に示す。各ターゲッ
トの組成での測定値で両端に白丸をもつ線分はバラツキ
の範囲を表わし、Ｘ印は平均値を表わしている。
を導入し、シリコンとクロムの割合を異ならせた数種類
のターゲットについて抵抗体膜を形成し、それぞれのシ
ート抵抗値を測定した結果を第１図に示す。各ターゲッ
トの組成での測定値で両端に白丸をもつ線分はバラツキ
の範囲を表わし、Ｘ印は平均値を表わしている。
第１図の結果によれば、ターゲットの組成を重量％で表
わしてシリコンが２０〜５０％（クロムは８０〜５０％
）の範囲では、他の組成のものよりシート抵抗値が高く
なり、かつ、バラツキが小さくなっている。この組成範
囲であれば、膜形成バッチごとの抵抗値のバラツキを±
５〜±１０％に抑えることができる。バラツキが小さく
なると規格抵抗値に対して許容値の小さいサーマルヘッ
ドを製造することができ、駆動電源を小型化することが
でき、コストを低下させることができる。
わしてシリコンが２０〜５０％（クロムは８０〜５０％
）の範囲では、他の組成のものよりシート抵抗値が高く
なり、かつ、バラツキが小さくなっている。この組成範
囲であれば、膜形成バッチごとの抵抗値のバラツキを±
５〜±１０％に抑えることができる。バラツキが小さく
なると規格抵抗値に対して許容値の小さいサーマルヘッ
ドを製造することができ、駆動電源を小型化することが
でき、コストを低下させることができる。
また、電源に電圧調整用回路を設ける必要がなくなる。
シリコンとクロムの粉末混合焼結体ターゲットを用いた
場合、反応性スパッタリングによりさらに抵抗値を高め
ることができる。
場合、反応性スパッタリングによりさらに抵抗値を高め
ることができる。
第２図はＳｉ ：Ｃｒ＝３０ ： ７０ （重量％）の
組成のターゲットを用い、スパッタリングガスのアルゴ
ンガス中に酸素ガスを導入した場合のその酸素ガス分圧
と、形成される抵抗体膜のシート抵抗値の関係を表わし
ている。
組成のターゲットを用い、スパッタリングガスのアルゴ
ンガス中に酸素ガスを導入した場合のその酸素ガス分圧
と、形成される抵抗体膜のシート抵抗値の関係を表わし
ている。
第２図の結果によれば、酸素分圧を高めていけばシート
抵抗値も高くなっていく。しかし、酸素分圧が１％以上
になればバラツキも大きくなる。
抵抗値も高くなっていく。しかし、酸素分圧が１％以上
になればバラツキも大きくなる。
酸素分圧を調節することにより、所望の抵抗値を得るこ
とができる。
とができる。
反応性スパッタリングにおいて、反応性ガスとして酸素
ガスに代えて窒素ガスを導入してもやはり形成される抵
抗体膜のシート抵抗値を高めることができる。
ガスに代えて窒素ガスを導入してもやはり形成される抵
抗体膜のシート抵抗値を高めることができる。
本発明の方法はサーマルベツドの抵抗体膜の製造だけで
はなく、他の薄膜ハイブリット回路の抵抗用抵抗体膜の
製造方法としても利用することができる。
はなく、他の薄膜ハイブリット回路の抵抗用抵抗体膜の
製造方法としても利用することができる。
（発明の効果）
本発明の方法によればシート抵抗値の高い抵抗体膜を形
成することができる。その結果、例えばこの方法をサー
マルヘッドの抵抗体膜の製造に利用すると、安価で、低
消費電力のサーマルヘッドを実現することができるよう
になる。
成することができる。その結果、例えばこの方法をサー
マルヘッドの抵抗体膜の製造に利用すると、安価で、低
消費電力のサーマルヘッドを実現することができるよう
になる。
また、サーマルヘッドでは抵抗体膜の上に電極膜として
下層ＮｉＣｒと上層Ａｕとからなる２層膜、ＡＱ膜、１
層目Ｃｒ、２層目Ｃｕ、３層目ＡＵの３層膜などが形成
されるが、本発明で形成される抵抗体膜にはクロムが含
まれているので、その上の電極膜との密着性が向上し、
膜剥がれ不良が少なくなって歩留まりが向上する。
下層ＮｉＣｒと上層Ａｕとからなる２層膜、ＡＱ膜、１
層目Ｃｒ、２層目Ｃｕ、３層目ＡＵの３層膜などが形成
されるが、本発明で形成される抵抗体膜にはクロムが含
まれているので、その上の電極膜との密着性が向上し、
膜剥がれ不良が少なくなって歩留まりが向上する。
スパッタリング装置などの膜形成装置においては、膜形
成時に基板以外の部分に付着した膜が膜フレークとなっ
て剥がれ１次の膜形成時の異物発生原因となるが１本発
明の方法で用いるターゲットの場合には基板以外の部分
に付着したＣｒＳｉ膜は密着性がよく、膜フレークとし
て剥がれることが少ないので、膜形成時の膜欠陥の原因
である基板への異物付着が減り、歩留まりが向上し、高
品質なサーマルヘッドなどを製造することができる。
成時に基板以外の部分に付着した膜が膜フレークとなっ
て剥がれ１次の膜形成時の異物発生原因となるが１本発
明の方法で用いるターゲットの場合には基板以外の部分
に付着したＣｒＳｉ膜は密着性がよく、膜フレークとし
て剥がれることが少ないので、膜形成時の膜欠陥の原因
である基板への異物付着が減り、歩留まりが向上し、高
品質なサーマルヘッドなどを製造することができる。
第１図はターゲットのシリコンとクロムの組成と形成さ
れる抵抗体膜のシート抵抗値の関係を示す図、第２図は
シリコンとクロムの粉末混合焼結体ターゲットを用いた
反応性スパッタリング法における酸素分圧と形成される
抵抗体膜のシート抵抗値の関係を示す図である。
れる抵抗体膜のシート抵抗値の関係を示す図、第２図は
シリコンとクロムの粉末混合焼結体ターゲットを用いた
反応性スパッタリング法における酸素分圧と形成される
抵抗体膜のシート抵抗値の関係を示す図である。
Claims (2)
- （１）ターゲットとしてシリコンとクロムの粉末混合焼
結体を用い、スパッタリング法により膜形成を行なう抵
抗体膜の製造方法。 - （２）ターゲットの組成はシリコンが２０重量％から５
０重量％の範囲内、残りがクロムであり、反応性スパッ
タリング法により膜形成を行なう請求項１に記載の抵抗
体膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11662190A JPH0414203A (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 抵抗体膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11662190A JPH0414203A (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 抵抗体膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0414203A true JPH0414203A (ja) | 1992-01-20 |
Family
ID=14691722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11662190A Pending JPH0414203A (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 抵抗体膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0414203A (ja) |
-
1990
- 1990-05-02 JP JP11662190A patent/JPH0414203A/ja active Pending
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