JPH04147635A - 高周波高出力トランジスタ - Google Patents
高周波高出力トランジスタInfo
- Publication number
- JPH04147635A JPH04147635A JP2272653A JP27265390A JPH04147635A JP H04147635 A JPH04147635 A JP H04147635A JP 2272653 A JP2272653 A JP 2272653A JP 27265390 A JP27265390 A JP 27265390A JP H04147635 A JPH04147635 A JP H04147635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- wire
- transistor chip
- frequency
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は高周波高出力トランジスタ、特に多数のトラ
ンジスタチップを有するトランジスタに通した高周波高
出力トランジスタに関するものである。
ンジスタチップを有するトランジスタに通した高周波高
出力トランジスタに関するものである。
第２図は従来の高周波高出力トランジスタのキャップを
取り除いた状態を示す平面図である。図において、（１
１はトランジスタチップ、（２）は内部リード、（３）
はＭＯＳ−Ｃ，（４１はワイヤー、（５）はパッケージ
である。
取り除いた状態を示す平面図である。図において、（１
１はトランジスタチップ、（２）は内部リード、（３）
はＭＯＳ−Ｃ，（４１はワイヤー、（５）はパッケージ
である。
従来、高周波高出力トランジスタは、内部リード（２）
とＭ ＯＳ −Ｃ（３１、及びＭ ＯＳ −Ｃｆ３）と
トランジスタチップ（１）を結ぶワイヤー（４）は、そ
れぞれ均一なワイヤー（４）を使用していた。
とＭ ＯＳ −Ｃ（３１、及びＭ ＯＳ −Ｃｆ３）と
トランジスタチップ（１）を結ぶワイヤー（４）は、そ
れぞれ均一なワイヤー（４）を使用していた。
次に動作について説明する。入力は内部リード（２）か
らワイヤー＋４１． ＭＯＳ −Ｃ（３１及びワイヤー
（４）を通ってトランジスタチップ＋１１に入力される
。また出力は、トランジスタチップ（１１からワイヤー
（４）を通って内部リード（２）へ出力される。
らワイヤー＋４１． ＭＯＳ −Ｃ（３１及びワイヤー
（４）を通ってトランジスタチップ＋１１に入力される
。また出力は、トランジスタチップ（１１からワイヤー
（４）を通って内部リード（２）へ出力される。
従来の高周波高出力トランジスタは以上のように構成さ
れているので、内部リードからＭＯＳ−Ｃ，ＭＯＳ−Ｃ
からトランジスタチップ及びトランジスタチップから内
部リードをそれぞれ均一なワイヤーで結んでいるため、
中央部のトランジスタチップ方が電流が流れやすくなる
。このため、それぞれのトランジスタチップの均一動作
に適さないという問題点があった。
れているので、内部リードからＭＯＳ−Ｃ，ＭＯＳ−Ｃ
からトランジスタチップ及びトランジスタチップから内
部リードをそれぞれ均一なワイヤーで結んでいるため、
中央部のトランジスタチップ方が電流が流れやすくなる
。このため、それぞれのトランジスタチップの均一動作
に適さないという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、トランジスタチップを均一に動作させると
ともにトランジスタチップが破壊されに＜＜シた高周波
高出力トランジスタを得ることを目的とする。
れたもので、トランジスタチップを均一に動作させると
ともにトランジスタチップが破壊されに＜＜シた高周波
高出力トランジスタを得ることを目的とする。
この発明に係る高周波高出力トランジスタは、トランジ
スタチップをＭｏ１−Ｃ，Ｍｏ３−Ｃと内部リード、及
びトランジスタチップと内部リードとを結ぶ抵抗値の異
なるワイヤーを設けたものである。
スタチップをＭｏ１−Ｃ，Ｍｏ３−Ｃと内部リード、及
びトランジスタチップと内部リードとを結ぶ抵抗値の異
なるワイヤーを設けたものである。
この発明における高周波高出力トランジスタは、内部リ
ードとＭｏ５−Ｃ，Ｍｏ３−Ｃとトランジスタチップ及
びトランジスタチップと内部リードとを結ぶ抵抗値の異
なるワイヤーを設けたので、電流を中央部に集中させず
に均一に流すことができる。
ードとＭｏ５−Ｃ，Ｍｏ３−Ｃとトランジスタチップ及
びトランジスタチップと内部リードとを結ぶ抵抗値の異
なるワイヤーを設けたので、電流を中央部に集中させず
に均一に流すことができる。
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は高周波高出力トランジスタのキャップを取り除
いた状態を示す平面図である。図において、（１１〜（
５）は第２図の従来例に示したものと同等であるので説
明を省略する。（６）は直径の太いワイヤーである。ト
ランジスタチップ（１１と内部リード（２）をトランジ
スタの中央部を細いワイヤー（４）で結び、外側はど直
径の太いワイｆ −（６１で結ぶ。また内部リード（２
）とＭ ＯＳ −Ｃｆ３１ 、及びＭ ＯＳ −Ｃ（３
１とトランジスタチップ（１）も同様に結ぶ。
いた状態を示す平面図である。図において、（１１〜（
５）は第２図の従来例に示したものと同等であるので説
明を省略する。（６）は直径の太いワイヤーである。ト
ランジスタチップ（１１と内部リード（２）をトランジ
スタの中央部を細いワイヤー（４）で結び、外側はど直
径の太いワイｆ −（６１で結ぶ。また内部リード（２
）とＭ ＯＳ −Ｃｆ３１ 、及びＭ ＯＳ −Ｃ（３
１とトランジスタチップ（１）も同様に結ぶ。
次に動作について説明する。入力は、内部リード（２）
からワイヤー（４）直径の太いワイヤー＋６１．Ｍｏ５
− Ｃ（３１及びワイヤー（４）直径の太いワイヤー（
６）を通ってトランジスタチップ（１）に入力される。
からワイヤー（４）直径の太いワイヤー＋６１．Ｍｏ５
− Ｃ（３１及びワイヤー（４）直径の太いワイヤー（
６）を通ってトランジスタチップ（１）に入力される。
また出力はトランジスタチップ（１）よりワイヤー（４
）直径の太い（６）を通って内部リード（２）へ出力さ
れる。このとき中央部のワイヤー（４）の方が外側の直
径太いワイヤー（６）より抵抗値が高いため電流が中央
部のトランジスタチップ（１）に集中しない。
）直径の太い（６）を通って内部リード（２）へ出力さ
れる。このとき中央部のワイヤー（４）の方が外側の直
径太いワイヤー（６）より抵抗値が高いため電流が中央
部のトランジスタチップ（１）に集中しない。
なお、上記実施例では、ワイヤー（４）及び直径の太い
ワイヤー（６）を使用することにより抵抗値を変えたが
、ワイヤーの材質を変えて、抵抗値を変化させてもよく
、上記実施例と同様の効果を奏する。
ワイヤー（６）を使用することにより抵抗値を変えたが
、ワイヤーの材質を変えて、抵抗値を変化させてもよく
、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のようにこの発明によれば、内部リードとＭｏ５−
Ｃ，Ｍｏ３−Ｃとトランジスタチップ及びトランジスタ
チップと内部リードを結ぶ抵抗値の異なるワイヤーを設
けたため、中央部のトランジスタチップに電流が集中せ
ず、均一動作するため、トランジスタが破壊されにくく
なる。
Ｃ，Ｍｏ３−Ｃとトランジスタチップ及びトランジスタ
チップと内部リードを結ぶ抵抗値の異なるワイヤーを設
けたため、中央部のトランジスタチップに電流が集中せ
ず、均一動作するため、トランジスタが破壊されにくく
なる。
第１図はこの発明の一実施例による真円波高出力トラン
ジスタの内部の平面図、第２図は、従来の高周波高出力
トランジスタの内部の平面図である。 図において、（１）はトランジスタチップ、（２ンは内
部リード、（３）はＭｏ５−Ｃ１（４）はワイヤー、（
５）はパッケージ、（６）は直径の太いワイヤーを示す
。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 １：Ｆランしスタ手ツフ。 ２：円（岬ノード ３ ： ｆＶｆＯ３−Ｃ ４： ワイＹ− ｆ：パラケーラ ６：迫ｒ全ｇ）九いソイＹ−
ジスタの内部の平面図、第２図は、従来の高周波高出力
トランジスタの内部の平面図である。 図において、（１）はトランジスタチップ、（２ンは内
部リード、（３）はＭｏ５−Ｃ１（４）はワイヤー、（
５）はパッケージ、（６）は直径の太いワイヤーを示す
。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 １：Ｆランしスタ手ツフ。 ２：円（岬ノード ３ ： ｆＶｆＯ３−Ｃ ４： ワイＹ− ｆ：パラケーラ ６：迫ｒ全ｇ）九いソイＹ−
Claims (1)
- トランジスタパッケージ内に配置されたトランジスタ
チップ及びＭＯＳ−Ｃと上記ＭＯＳ−Ｃと内部リード、
上記トランジスタチップと上記ＭＯＳ−Ｃ及び上記トラ
ンジスタチップと内部リードとを結ぶ抵抗値の異なるワ
イヤーを、設けたことを特徴とする高周波高出力トラン
ジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2272653A JPH04147635A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 高周波高出力トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2272653A JPH04147635A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 高周波高出力トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04147635A true JPH04147635A (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=17516922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2272653A Pending JPH04147635A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 高周波高出力トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04147635A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017059650A (ja) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 三菱電機株式会社 | 増幅器 |
| DE102020203249A1 (de) * | 2019-03-22 | 2020-09-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
-
1990
- 1990-10-09 JP JP2272653A patent/JPH04147635A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017059650A (ja) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 三菱電機株式会社 | 増幅器 |
| DE102020203249A1 (de) * | 2019-03-22 | 2020-09-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
| US11152327B2 (en) | 2019-03-22 | 2021-10-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device with fuse portion comprising wires of different electrical resistance |
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