JPH0414938Y2 - - Google Patents

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JPH0414938Y2
JPH0414938Y2 JP1983164213U JP16421383U JPH0414938Y2 JP H0414938 Y2 JPH0414938 Y2 JP H0414938Y2 JP 1983164213 U JP1983164213 U JP 1983164213U JP 16421383 U JP16421383 U JP 16421383U JP H0414938 Y2 JPH0414938 Y2 JP H0414938Y2
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JP
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package
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electrode
protrusion
lower electrode
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JP1983164213U
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JPS6071148U (ja
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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 この考案はダイオード特にガラスパツケージを
用いたダイオードに関する。
第1図は従来のリードレスタイプのダイオード
を示し、1はガラス製の筒状のパツケージ、2は
上電極、3は下電極(ともにデユメツト線により
製作されてある。)で、ともに盤状の頭部4A,
5Aと筒部4B,5Bとから構成されている。6
はダイオードチツプである。この種のダイオード
は次のようにして製作される。まず下電極3の筒
部5Bに上方からパツケージ1の下縁をこれが頭
部5Aの表面7に接するまで嵌入し、ついでダイ
オードチツプ6をパツケージ1内に落しこんで筒
部5Bの頂面にのせる。そのあと上電極2の筒部
4Bをパツケージ1の上端に嵌めこむ。そして筒
部4Bの下面がダイオードチツプ6に接するよう
にする。このときパツケージ1の上端1Aと頭部
4Aの下面との間に隙間8が形成されるようにし
ておく。この隙間8が存在することによつて上電
極2の重みが働き、これとダイオードチツプ6と
が適度の圧力でコンタクトするようになる。この
あと加熱炉に入れて全体を加熱する。この加熱に
よつて筒部4B,5Bとパツケージ1の内面及び
パツケージ1の下端と頭部5Aの表面7とが互い
に融着し、気密に一体化する。
ところでこのような製作過程において、加熱の
段階で各電極2,3、パツケージ1は膨張収縮す
る。この場合パツケージ1の軸心方向に沿う膨張
収縮は、パツケージ1と各電極2,3との間に膨
張収縮に差があつても各筒部4B,5Bとパツケ
ージ1の内面との間の摺動作用が働いて、前記し
た差は吸収されるので、特に問題は生じない。し
かしパツケージ1の半径方向に沿う膨張収縮の差
は、前記したような摺動作用の働らく余地がない
ため、吸収されるようなことはほとんど起らな
い。そのためともすればパツケージ1の下端と頭
部5Aの表面7との境面に(歪)が発生するよう
になる。このような大きな歪が発生すると、パツ
ケージ1の下端に亀裂が入つてしまう。実際問題
において筒部5Bと頭部5Aとの直径差(したが
つて表面7の、半径方向の幅)が0.6〜0.7mm程度
ではほとんど問題はないが、これが1.1mmをこえ
るとパツケージ1に亀裂が生ずるようになる。な
おパツケージ1の上端においては、隙間8の存在
によつて頭部4Aに接していないので、何ら問題
はない。
前記したパツケージ1の亀裂を防止するため
に、下電極3の筒部5Bの基端に、円周方向に分
離した複数の突起を形成し、その表面にパツケー
ジ1の下端が載るようにした構成が提案されてい
る(特開昭59−43558号公報参照。)。
これによればパツケージ1の下端と下電極3の
頭部5Aとの接触面積が少なくなつて都合がよい
が、しかしこの既提案のものは、突起を頭部5A
の外周端まで延長して構成されてないし、またそ
の接触個所が面状となつているので、融着のため
の加熱の際、円滑な熱吸収ができず、亀裂が周方
向に発達して生ずるようになる。
この考案はガラス製のパツケージを備えたダイ
オードにおいて、パツケージと電極との融着のた
めの加熱の際の、パツケージの亀裂の発生を防ぐ
ことを目的とする。
前記のようにパツケージに亀裂が発生するの
は、パツケージの下端と下電極の頭部との融着面
積が広い程発生しやすいことに起因するところか
ら、この考案では前記した個所での融着面積を小
さくすることによつて前記亀裂の発生を防ぐよう
にしている。
この考案の実施例を第2図によつて説明する。
同図から理解されるように、パツケージ1の軸方
向の上下端に挿入される上下両電極2,3のう
ち、下電極3の頭部5Aの表面に、筒部5Bの基
端から頭部5Aの外周端まで、放射状に延びるよ
うに、複数の突部9をほぼ等間隔に設けておく。
この突部9は下電極3を製作する過程で同時に形
成するとよい。
第2図に示す突部9は、第3図にも示されてあ
るように、断面を三角形状とした突状部とされて
ある。
ダイオードの製作工程は前記した従来の場合と
同じである。しかしパツケージ1の下端は突部9
の頂面にのるので、頭部5Aの表面とは全面的に
接するようなことはなく、直線で接するようにな
る。
この状態で加熱した場合、突部9が頭部5Aの
外周端にまで延びて形成されているため、円滑な
熱吸収が可能となるとともに、融着の際に直線部
で「ひび」が生じたとしても、その発生を局部に
止め、それが周方向に発達して「ひび割れ」を生
じることはなくなる。
なお筒部4B,5Bの周面とパツケージ1の内
面との融着で気密に一体化されることは従来と同
じである。
第4図に示す他の実施例では、突部9として断
面を半球状とした突条状に構成したもので、この
構成でも、パツケージ1の下端と下電極3の頭部
5Aの表面7とは、突部9の頂面を介し、直線状
に接触するようになる。
以上詳述したようにこの考案によれば、ガラス
製のパツケージを備えたダイオードにおいて、電
極との融着の際の加熱にあたり、パツケージの亀
裂の発生を簡単にかつ確実に防止することができ
る効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の断面図、第2図はこの考案の
実施例を示す断面図、第3図A,Bは下電極の平
面図と側面図、第4図A,Bは別の実施例におけ
る下電極の平面図と側面図である。 1……パツケージ、2……上電極、3……下電
極、6……ダイオードチツプ、7……表面、9…
…突部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ガラス製の筒状のパツケージの軸方向の上下端
    に上電極及び下電極を挿入し、前記上下両電極間
    でダイオードチツプを挟持してなり、前記両電極
    は前記パツケージの内部に挿入される筒部と前記
    筒部に連なり前記パツケージの端面に対向する表
    面を有する頭部からなり、前記下電極の頭部の表
    面には、その筒部の基端から頭部の外周端まで放
    射状に延びる複数の突部を設けるとともに、前記
    突部は前記パツケージの端面に接する個所が直線
    となる形状としたことを特徴とするダイオード。
JP16421383U 1983-10-24 1983-10-24 ダイオ−ド Granted JPS6071148U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16421383U JPS6071148U (ja) 1983-10-24 1983-10-24 ダイオ−ド

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JP16421383U JPS6071148U (ja) 1983-10-24 1983-10-24 ダイオ−ド

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Publication Number Publication Date
JPS6071148U JPS6071148U (ja) 1985-05-20
JPH0414938Y2 true JPH0414938Y2 (ja) 1992-04-03

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ID=30360081

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JP16421383U Granted JPS6071148U (ja) 1983-10-24 1983-10-24 ダイオ−ド

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Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5828859A (ja) * 1981-08-13 1983-02-19 Matsushita Electronics Corp リ−ドレスガラス封止ダイオ−ド
JPS5869953U (ja) * 1981-11-02 1983-05-12 日本電気株式会社 半導体装置
JPS5943558A (ja) * 1982-09-02 1984-03-10 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイオ−ド電極部品

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JPS6071148U (ja) 1985-05-20

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