JPH04158574A - 読み取りセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はファクシミリ等の原稿読み取りに用いられる読
み取りセンサに関する。

〔従来の技術〕

従来の読み取りセンサは、特開昭６０−２４４０６２号
公報に記載のように、読み取り用の光を受光する第１の
光導電体と、光を受光しない第２の光導電体をそれぞれ
形成し１両者を接続して直列に電圧を印加した時の各光
導電体の接続点における電位を出力電圧として外部に取
り出していた。

この例では、光導電体に付属する電極が、光導電体内に
印加する電場の方向と同じく基板に平行な方向に設けら
れており、従って光電流も、基板に平行な方向に流れて
いた。

又、他の従来の読み取りセンサは特開昭５９−１１９７
５９号公報に記載のように、ガラス基板上の透明電極に
、ｎ型水素化アモルファスシリコンを介し、真性の水素
化アモルファスシリコン（ａ−５ｉ）を重ねることによ
り受光素子を形成していた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記の他の従来技術は、光電変換素子の活性層である真
性のアモルファスシリコン膜（ａ−３ｉ膜）の光劣化に
よる出力の変動について配慮がされておらず、出力信号
が経時変化をするという問題があった。

また上記従来技術は原稿を照明する光源の照度ばらつき
について配慮がされておらず、光源の照度ばらつきによ
り、出力信号がばらつくという問題があり、また、読み
取りの出力が小さくＳ／Ｎ比が低いという問題があった
。

本発明の目的は、透光性基板の一面に形成された光電変
換素子と、その反対面側に設けた光源とを備えた原稿密
着型の読み取りセンサにおいて、光電変換素子の活性層
である水素化アモルファスシリコン屡の光劣化を防止し
、出力の低下を防止することにある。

また本発明の他の目的は、上記読み取りセンサにおいて
、光源のばらつきにより生ずる出力のばらつきを低減す
ることにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、読み取りセンサの光電変換
素子は、透光性基板上に順次積層した下部電極とｎ型水
素化アモルファスシリコン層と真性水素化アモルファス
シリコン層と別のｎ型水素化アモルファスシリコン層と
上部電極とから構成したものである。

また上記他の目的を達成するために、読み取りセンサの
光電変換素子は、光源から透光性基板を透過する直接光
を光電変換する基準素子と、光源から光があたり原稿か
ら反射する反射光を光電変換する読み取り素子とから構
成し、それら基準素子と読み取り素子を直列接続してそ
れぞれ透光性基板上に形成し、供給電圧を直列接続の基
準素子と読み取り素子とで分圧し、該分圧した電圧のい
ずれかを読み取り信号に変換するものである。

基準素子と読み取り素子は、それぞれ透光性基板上に順
次積層した下部電極とｎ型水素化アモルファスシリコン
層と真性水素化アモルファスシリコン層と別のｎ型水素
化アモルファスシリコン層と上部電極とから構成するの
がよい。

また基準素子の下部電極をくし歯形状とし、光源からの
直接光を基準電極部の真性水素化アモルファスシリコン
層に入射させるのがよく、同様に読み取り素子の上部電
極をくし歯形状とし、原稿からの反射光を読み取り素子
部の真性アモルファスシリコン層に入射させるのがよい
。

さらに読み取りセンサの光電変換素子の上面に、該上面
に接する側の面が凹凸である梨地透明導電フィルムを装
着するのが、ノイズの防止に有効である。また光電変換
素子の水素化アモルファスシリコン層に流れる電流は透
光性基板の表面と直角方向に流れるように光電変換素子
を構成するのがい。

〔作用〕

透光性基板上に積層して形成された、光導電型の光電変
換素子は、光源ま輝度に比例したキャリアをＪｌｌ水素
化７ルルフアスシリコンａ−５ｉ）層中に生成する。こ
の時、光電変換素子の上部電極と下部電極間は薄い層を
介して隔てられ距離が非常に小さいため、ａ−５ｉ中に
印加される電場は非常に大きいものとなり、生成された
キャリアは再結合することなく、外部に取り出されるの
で。

水素アモルファスシリコン（ａ−８ｉ）の光劣化がない
。

原稿を照明する光源からの直接光を光電変換する基準素
子は、光源の輝度に比例した出力を出し、また原稿から
の反射光を光電変換する読み取り素子は原稿面の照度に
比例し、かつ、Ｍ稿面の反射率に比例した出力を出す。

そのため、読み取り素子の出力は１本来読み出したい原
稿面の反射率に対応する出力に光源の照度ばらつきによ
るノイズ成分が入ったものになる。基準素子の出力は光
源の輝度に比例するが、光源の輝度と原稿面の照度は比
例するため、この基準素子の出力を用いて、読み取り素
子の出力を補正することにより、原稿の反射率に対応す
る出力のみを取り出すことができる。

すなわち、読み取り素子と基準素子を電気的に直列に接
続し、供給電圧を分圧して、読み取り出力とすると、出
力電圧は画素子の抵抗の比により分圧される。読み取り
素子及び基準素子の抵抗は導電率に反比例し、導電率は
素子へ入射する光の強度に比例するため、分圧出力は読
み取り素子と基準素子に入射する光の強度の比例に反比
例することになる。出力電圧が読み取り素子と基準素子
の導電率の比によって決まるので、光源のばらつきによ
る出力むらを無くすことができる。

また基準素子の下部電極の形状をくし歯型にすることに
より、読み取り素子の水素化アモルファスシリコン（ａ
−３，ｉ）層内に、−様な電場を印加することができ、
入射光による生成されたキャリアを効率良く外部へ取り
出すことができるので、ａ−３ｉの光劣化が生ぜず、基
準素子の出力が変動することがない。

さらに読み取り素子の上部電極の形状をくし歯型にする
ことにより、原稿からの反射光を、効率良く、読み取り
素子のａ−５ｉ中に取り入れることができる。それによ
って、生成されるキャリアの数が増加するので、読み取
り素子の出力が大きくなり、Ｓ／Ｎ比が改善される。ま
た、ａ−５ｉ内に−様な電場を印加することができる。

それによって、入射光により生成されたキャリアを効率
良く取り出すことができるので、ａ−８ｉの光劣化が生
ぜず、読み取り素子の出力が変動することがない。更に
、読み取り素子の出力が大きくなり、Ｓ／Ｎ比が改善さ
れる。

また、梨地透明導電フィルムを読み取りセンサに装着し
て、完全密着読み取りを行うことによって、原稿走行時
に発生する静電気による電場がシールドされるので、読
み取り素子と基準素子の配線等に電場の変動による誘動
ノイズが誘起されないので、薄膜トランジスタが誤動作
することがなく、また微小な読み取り信号が変動するこ
とを防止する。梨地透明導電フィルムとは弾性変形が可
能な透明フィルムで面積抵抗がＬｏｏｋΩ／口以下の導
電性があり、センサ面と接触する側の面が凹凸形状をし
ており光が散乱される面となっているフィルムを言う。

また、梨地面は読み取りセンサ基板側となるようにフィ
ルムを装着するが、これは、透光性基板の背面より原稿
を照明する光源からの光がフィルム表面の梨地面で散乱
されるので、原稿を押しつけて密着した状態で梨地導電
フィルムが変形し、凹面鏡形状となった時にも、反射に
よる集光で読み取り出力が異常となることを防止するこ
とができる。

〔実施例〕

以下本発明の実施例を第１図〜第１１図を用いて説明す
る。第１図は本発明の一実施例の読み取りセンサの断面
図、第２図は第１図のＨ〜■矢視図である。読み取りセ
ンサは、第１図に示すように透光性基板１０１の一方の
面上に直列に形成された基準素子１と読み取り素子２か
らなる光電変換素子を、第２図に示すよう並列に配置し
て構成されている。このように構成された読み取りセン
サにおいて、光電変換素子の上面に、原稿１１２がプラ
テンローラ１１４により押しつけられて送給され、一方
透光性基板１０１の他方の面側に設けられた光源１１４
から光が照射される。そして読み取りセンサは、原稿１
１２から反射する反射光を検出して原稿を読み取る。

上記光電変換素子は次のように形成される。まず透光性
基板１０１上に下部電極１０２を、そしてその上にオー
ミックコンタクトのためのｎ型水素化アモルファスシリ
コン層１０３を形成し、つぎに活性層である真性の水素
化アモルファスシリコン層（以下ａ−８ｉ層という）１
０４を形成する。続いて、オーミックコンタクトのため
の別のｎ型水素化アモルファスシリコ２層１０９および
１１０を互いに隣あって形成し、それぞれの上に読み取
り素子用上部電極１０５と基準電極用上部電極１０６を
形成し、全体を透光性保護層１０７で覆う。これら各層
の形成にはＩＣのパターン形成に用いられるのと同様の
フォトリングラフィ技術が用いられ、所定のパターンの
層、例えばくし歯形状の部分を有する下部電極１０２及
び同上部電極１０５が形成される。そして形成された透
光性保護層１０７の上にはさらに梨地導電フィルム１１
５を装着される。

このように構成された読み取りセンサにおいて、光源１
１４から照射された光は、透光性基板１０１、透光性保
護層１０７及び梨地導電フィルム１１５を通り、プラテ
ンローラ１１３により押し付けられたｇ＠１１２の表面
にあたって乱反射する。

原稿１１２からの反射光１０８は、原稿１１２表面の反
射濃度（文字のあるなし等）に対応した強度で、読み取
り素子２の上部型［１０５に形成されたくし歯のすき間
を通って活性層であるａ−５ｉ層１０４に入射し、光電
変換される。

しかし、原稿１１２からの反射光１０８は、基準電極の
上部電極１０６がすき間を持たず遮光層の役割をするた
め、基準電極１のａ−３ｉ層１０４には入射しない。

一方光源からの直接光１１１は下部電極１０２が存在す
るため、読み取り素子２へは入射せず、透光性基板１０
１と、基準素子１の下部電極１０２のくし歯部分を通っ
て、基準素子１のａ−Ｓｉ層１０４に入射する。原稿か
らの反射光１０８と、光源からの直接光１１１が、ａ−
３ｉ層１０４に入射することにより、ａ−３ｉ層１０４
中にキャリアの対（電子と正孔）が生成され、これが外
部に取り出されて信号となるが、一般には、これらのキ
ャリアの対は、ａ−８ｉ層１０４中で再結合し、欠陥を
作ることによって、ａ−５ｉ層１０４の光電変換効率を
低下させることになる。又、この再結合によって、本来
、外部へ取り出されるべきキャリアが失われるため出力
の低下が生じる６本実施例のように、ａ−５ｉ層１０４
の膜厚分だけへだったところに、読み取り素子の上部電
極１０５、基準素子の上部電極１０６と、下部電極１０
２を配置すればこれらの電極間に印加される電圧によっ
て、ａ−８ｉ層１０４中に生じる電場を非常に強くする
ことが可能となり、光電変換により生じた電流は透光性
基板１０１の表面と直角をなす方向に流れ、キャリアの
対の再結合が生ずる前に、キャリアの対を、外部に取り
出すことができる。そのために、高い光電変換出力と、
光劣化のない素子を構成できる。なお、第２図に示す読
み取りセンサは、下部電極１０２、上部電極１０５及び
上部電極１０６の形状がわかりやすいように、第１図で
は示すａ−５ｉ層１０４．保護層１０７、ｎ　’Ｍ水水
素化７ルルフアスシリコン１０３．１０９．１１０、透
光性基板１０１等を省略して示している。

基準素子１と読み取り素子３との距離が、あるいは、主
走査方向（複数の光電変換素子が一線に並ぶ方向）に隣
り合う読み取り素子２間または基準素子１間の距離が透
光性基板１０１上で十分にあれば、これらの素子間のク
ロストークは生じないが、素子間の距離が比較的小さい
場合で、クロストークを避ける場合には、第３図に示す
様に、ａ−５ｉ層１０４の素子を分離して島状に形成し
ても良い６なお、基準素子１と読み取り素子２、又は、
主走査方向の素子間距離によっては、素子分離を基準素
子１と読み取り素子２の間のみに施したり、主走査方向
の素子間にのみ施しても良いことは当然である。第１図
および第２図等に示す実施例によれば、基準素子１の下
部電極１０２及び、読み取り素子２の上部電極１０５の
、くし歯の数や、くし歯の切込みの量を調節することに
より、基準素子１及び読み取り素子２に入射する光の量
を制限でき、読み取りの出力の大きさを任意に調整でき
る。そのため、使用目的に合った特性の読み取りセンサ
を容易に製造可能で、設計の自由度が増す。基準素子１
の下部電極１０２及び、読み取り素子２の上部電極１０
５の形状は、第４図に示すような、開口部４０１ａ、４
０１ｂを持つ形状でも良い。

原稿を原寸で読み取る、いわゆる完全密着型読み取りセ
ンサでは、センサ自体の寸法も原稿サイズと同じ幅が必
要であり、また光源１４も、原稿サイズをすべて照明す
る必要がある。しかしながら光源として利用されている
螢光燈は中央と端では照度が異なり、また、発光ダイオ
ードを多数個並べた光源では、個々の発光ダイオードの
ばらつきにより照度むらを生じていた。原稿からの反射
光の強度は原稿面の照度に比例するため、光源が原稿を
照らす照度むらはそのまま読み取りセンサの出力むらと
なり、これはシェーディングとよばれている。

このシェーディングのある読み取りセンサの出力を一定
の基準で白黒２値化を行うと、原稿の実際の反射濃度か
らずれたものとなり画像への劣化を引き起こすため好ま
しくない。一般には１、均一な白い原稿を読み取った時
のシューディングをあらかじめメモリに蓄え、実際に原
稿を読み取るときには、記憶したシェーディングの値を
参照して、あたかもシェーディングがないように補正を
行なっている。しかしながら、このような補正は補正回
路のＡ／Ｄ変換の精度や入力電圧振幅の制限から、実際
、工業的には大幅なシェーディング補正は離しい。

本発明は、このようなシェーディングを読み取りセンサ
の構成の工夫によりなくそうとするものである。

第５図にそのシェーディングをなくす読み取りセンサの
回路構成を示す。読み取り素子２の光電変換出力は原稿
の照度と反射率に比例し、基準素子１の光電変換出力は
光源の放射強度に比例するので、読み取り素子２の光電
変換出力を基準素子１の光電変換出力を用いて補正すれ
ば、原稿の照度むら、即ち、光源の放射強度のむらに依
存しない１反射率に依存した出力を取り出すことができ
る６本実施例では、読み取り素子２に基準素子１を直列
に接続しており、一定印加電圧ＶｓｓとＶＤＤの差を分
圧しており、読み取り素子２と基準素子１の接続点Ａに
読み取り出力信号が電圧として出てくる構成となってい
る。

実際に読み取りセンサとして使用する際には、この出力
電圧を順次、外部回路等により読み出せば良い。シェー
ディングがなだらかな場合には読み取り素子複数個に対
して基準素子を１個設ける構成として良い。接続点Ａの
電圧Ｖ　ｓ　ｘ　ａは読み取り素子２と基準素子１の抵
抗をそれぞれＲ２及びＲ。

わされる。読み取り素子２の導電率σ２は光源１１４の
放射強度■及び原稿の反射率γに比例し。

また基準素子１の導電率σ□は光源１１４の放射強度に
比例する６そのため、信号電圧Ｖ　ｓ　ｒ　ｃはと表わ
され、光源のばらつきに依存せず、原稿の反射率によっ
てのみ変化する出力が得られる。ここでＢは反射率ｒ＝
１の時の読み取り素子２と基準素子１の導電率の比であ
り、素子のレイアウトや光源と素子の配置により設計で
きる。出力電圧はこの比と逆比例関係にある。そのため
Ｂが大きい場合も小さい場合も出力電圧変化は小さくな
るので適当な値にする必要がある。

本実施例では、読み取り素子２と基準素子１は同一の光
電変換膜であり、同一の工程で作成しているため、読み
取り素子２と基準素子１の２つの光電変換素子を設けて
も工程が増えることはない。

又、膜および工程が同一なので材料のばらつきやバタン
精度のばらつきは共通に受けるため、２つの素子の導電
率の比による読み出しを行っている本発明では、素子の
ばらつきが小さくなる効果がある。

本実施例では、光電変換出力として電圧を用いているが
、この他、電流、電荷も考えられる。出力としては、素
子に入射する光量と比例関係にあるものであれば、どれ
でもよい。いずれにせよ、本実施例の様な、積層型の光
導電型光電変換素子を用いた場合、出力信号を大きくと
れるため、ノイズ等に強く、原稿の白と黒の中間値を多
階調で読み取る必要がある場合にも、これを容易に達成
できる。

本発明に係る別の実施例の平面図を第６図に示す。本実
施例の全体の積層構成は、第１図及び第２図に示す実施
例と同様であるが、原稿を照射する光量を増すため、読
み取り素子２の近傍の下部電極１０２に、光を導入する
ための開口部６０１を設け、更にａ−３ｉ層により、光
が妨げられないように基準素子部のａ　−Ｓ　ｉ層６０
２ａと、読み取り素子部のａ−３ｉ層６０２ｂとに分離
整形したものである。光源より放射された光は、第６図
には図示しないが、透光性基板１０１と、下部電極の開
口部６０１と図示しない保護層１０７を通過した後、原
稿により反射されて再び保護層１０７を通過して、読み
取り素子２に入射する。

一方基準素子１への入射光は、第１図で示した実施例と
同様の光路を通って入射する。

本実施例によれば、効率良く、読み取り素子へ、原稿か
らの照射光を導けるため、光源の照度を低下させること
が可能となり、そのため、基準素子１のみの、光源から
直接光を受けるために起きるアンバランスな劣化を防止
することが可能となる。

本発明に関する他の実施例を第７図及び第８図により説
明する。第７図は本実施例の断面図であり、第８図はそ
の平面図である。透光性基板１０１１に、基準素子１と
読み取り素子２と、それぞれの下部電極７０１及び７０
２を形成し、それぞれの上にｎ型水素化アモルファスシ
リコ２層７０３ａ、７０３ｂを形成する。下部電極７０
１には開口部８０１がある。そして、ａ−５ｉ層７０４
ａ、７０４ｂを形成した後、再びｎ型水素化アモルファ
スシリコン１１７０５ａ、７０５ｂを形成し、基準素子
１と読み取り素子２の共通の上部電極７０６を形成し、
さらにその上に透光性保護層１０７を形成している。な
お、第８図においては透光性基板１０１とｎ型水素化ア
モルファスシリｍｌ／層７０３ａ、７０３ｂ、７０５ａ
。

７０５ｂとａ−５ｉ層７０４ａ、７０４ｂと透光性保護
層１０７は省略しである。本実施例では読み取り素子２
と基準素子１の分圧出力を、共通の上部電極７０６より
取り出している。

本発明の実施例を第９図のブロック図を用いて説明する
。基準素子１と読み取り素子２を電気的に直列に接続し
、一定印加電圧のＶＤＤとＶｓｓの分圧出力を１個、１
個の素子について、アンプとスイッチを介してシフトレ
ジスタに接続している。

クロック信号に同期して、スイッチを順次切り替えアン
プにより増帽された出力信号を順次転送してゆけば、休
止期間なく連続な出力が得られる。

第１０図は第９図のブロック図に示した回路を。

透光性基板１０１上に形成した素子の構成により示すも
のである。ここでは分かりやすくするため、細部を省略
しているが、透光性基板１０１の上に、読み取り素子の
受光素子部１５１と読み取り信号の出力線１５２と、Ｉ
Ｃ接続部１５４，１５５と。

ＦＰＣ接続部１５６を形成し、駆動用ＩＣ１５３とＦＰ
Ｃ（フレキシブルプリント基板）１５７を接続している
。第９図におけるアンプ、スイッチ、シフトレジスタは
ドライバＩＣ１５３中に収められており、読み取り出力
はＦＰＣ１５７を通じて、読み取りセンサより外部へと
取り出される。

また本発明の読み取りセンサをファクシミリに実装した
時の一例の断面図を第１１図により説明する。この断面
図においては本発明の読み取りセンサアセンブリ３００
、プラテンローラ１１３、感熱記録ヘッド３０１、感熱
紙３０２を示しており、他の回路・電源等は省略してい
る。読み取りセンサアセンブリ３００は、第１図の断面
図に示すような構成となっており、梨地透明導電フィル
ム１１５及び光源１１４も含んでいるものである。

この図に示すように原稿を３０３の矢印方向より原稿面
を下側にして入れると、原稿はプラテンローラ１１３ａ
により読み取りセンサアセンブリ３００に押付けられ、
すでに説明したような読み取りを行う。また、感熱ヘッ
ド３０１は感熱紙３０２をプラテンローラ１１３ｂで発
熱素子に押し付けて、所定の記録面を得る。

このように、ファクシミリの実装は、読み取りセンサア
センブリ３００及びプラテンローラ１１３ａによって形
成される読み取り系と、感熱ヘッド３０１、プラテンロ
ーラ１１３ｂ、感熱紙３０２で構成される記録系の配置
によりデザインが制約される。本発明の読み取りセンサ
を用いれば、第１１図のようにコンパクトな設計が可能
となり、設計自由度が増す効果がある。

これは、従来多く用いられていた縮小光学系を要するＣ
ＣＤ　（電荷結合素子）センサ読み取り系では困難であ
る。即ち、ＣＣＤセンサは小さなセンサ面に原稿表面を
縮小光学系で結像する必要があるため、光路長は２５ａ
ｌ＋程度必要であった。また組立後の調整も必要であり
、設計は読み取り系により大きく制約されていた。これ
に対して、本構成の、原稿登院み取りセンサアセンブリ
と密着させて読み取るいわゆる、完全密着型読み取りセ
ンサでは光路長は１００μｍ前後であり、大幅な小型化
及び設計自由度が増す。

次に梨地透明導電フィルム１１５について第１図により
説明する。原稿１１２はプラテンローラ１１３により透
明な梨地遮電フィルムを介して、読み取り素子に押しつ
けられ、所定の読み取りを行うことは先に説明した。こ
の時、梨地透明導電フィルム表面は原稿１１の押付は走
行により静電帯電する。その帯電状態が変動すると（原
稿が走行すると）周囲の電場が変化し、梨地導電フィル
ム１１５がなければ、読み取りセンサの配線にノイズが
誘導され、読み取りセンサ出力が異常となる原因となる
。透明な梨地導電フィルムはポリエステル、゛アクリル
等の透明なフィルムベースとシールドのためのＩＴＯ（
インジウムスズ酸化物）やスズ酸化物より成る透明導電
層及び梨地処理面から成っている。ＩＴＯは原稿の走行
によって原稿１１２が走行するベースフィルム面に発生
する静電気によるノイズをシールドする役割を持ち、ま
た梨地面は、これがない場合に発生する素子の異常出力
を防止する。

梨地面がない場合には、プラテンローラ１１３の押し付
けによってフィルムが変形し、読み取り素子２の近傍で
凹面鏡形状となることがある。これにより、フィルムの
センサ面側が梨地面でない場合には、フィルムのセンサ
面側の光源からの光が、凹面鏡のような効果で集光され
、異常に高い出力となることがある。梨地面は凹凸形状
をしており、これによって透過光及び反射光が散乱され
る面を言うが、これにより、光源の光は散乱され。

フィルムが凹型に変形しても安定な読み取りが可能とな
る。なお、梨地透明導電フィルムはＩＴＯを片面につけ
たフィルムと、梨地加工したフィルムとをＩＴＯ面及び
非梨地面で接着して得ることができる。

〔発明の効果〕 本発明によれば、読み取りセンサを、光電変換素子中の
上部電極と下部電極が活性層なる水素化アモルファスシ
リコン層を挾んでその膜厚程度の非常に小さい距離に位
置するように、構成したので、水素化アモルファスシリ
コン層中に印加する電場を非常に大きくでき、また生成
されたキャリアは再結合することなく外部に取り出され
、水素化アモルファスシリコンの光劣化を防止でき、読
み取りセンサのＳ／Ｎ比を大きくすることができる。

また、本発明によれば、別の読み取りセンサを光源から
の直接光を光電変換する基準素子と、原稿からの反射光
を光電変化する読み取り素子とからなる光電変換素子を
備え、基準素子と読み取り素子を直列に接続し、供給電
圧をそれら画素子で分圧し、その分圧のいずれかを読み
取り信号に変換するように構成したので、光電変換素子
の読み取り信号出力は、読み取り素子と基準素子の導電
率によりきめることができる、この読み取りセンサは光
源のばらつきによるシェーディングを補正して原稿を読
み取ることができる。

さらに上記読み取りセンサ及び別の読み取りセンサにお
いて、光電変換素子上に透明な梨地導電フィルムを装着
したので、原稿走行時に発生する静電気による電場がシ
ールドでき、また原稿により押圧されて梨地導電フィル
ムが変形しても、梨地面で光源からの光は乱反射で散乱
させることができ、静電気や梨地フィルムの変形が、読
み取り素子の出力に影響を及ぼすことを防止できる。

上記のように原稿を密着させる密着型の読み取、　　リ
センサまたは別の読み取りセンサを採用することにより
、ファクシミリの小型化を図ることができ、また設計の
自由度を増すことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の読み取りセンサの一実施例の構成図、
第２図は第１図の■−■矢視図で積層パターンを示す図
、第３図はａ−５ｉ層をした分離した積層パターンを示
す図、第４図は電極部に開口部を設けた積層パターンを
示す図、第５図は一実施例の回路図、第６図は他の積層
パターンを示す図、第７図は本発明の別の実施例を示す
図、第８図は別の実施例の積層パターンを示す図、第９
図は別の実施例の回路図、第１０図は第９図の回路の素
子配置を示す図、第１１図は本発明の読み取りセンサを
実装したファクシミリの例を示す図である。 １・・・基準素子、２・・・読み取り素子、１０１・・
・透光性基板、１０２，７０１・・・下部電極、１０３
゜１０９．１１０，７０３，７０５・・Ｄ製水素化アモ
ルファスシリコン層、１０４，７０４・・真性水素化ア
モルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）Ｍ、１０５．１０６，
７０６・・・上部電極、ＩＯ２゜７０５・・・反射光、
１１１・・・直接光、１１２・・・原稿１１３・・・プ
ラテンローラ、１１４・・・光源、１１５・・梨地導電
フィルム。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透光性基板の一方の面上に形成された光電変換素子
   と、透光性基板の他方の面側に配置された光源とから成
   り、光電変換素子上に密着して送給される原稿に光源か
   ら光を照射し、反射光により原稿を読み取る読み取りセ
   ンサにおいて、前記光電変換素子は、前記透光性基板上
   に順次積層した下部電極とｎ型水素化アモルファスシリ
   コン層と真性水素化アモルファスシリコン層と別のｎ型
   水素化アモルファスシリコン層と上部電極とから構成し
   たことを特徴とする読み取りセンサ。 ２、透光性基板の一方の面上に形成された光電変換素子
   と、透光性基板の他方の面側に配置された光源とから成
   り、光電変換素子上に密着して送給される原稿に光源か
   ら光を照射し、反射光により原稿を読み取る読み取りセ
   ンサにおいて、前記光電変換素子は、前記光源から透光
   性基板を透過する直接光を光電変換する基準素子と、前
   記光源から光があたり原稿から反射する反射光を光電変
   換する読み取り素子とから構成し、供給電圧をそれぞれ
   透光性基板上に形成した直列接続の前記基準素子と前記
   読み取り素子とで分圧し、該分圧した電圧のいずれかを
   読み取り信号に変換することを特徴とする読み取りセン
   サ。 ３、前記基準素子と前記読み取り素子は、それぞれ透光
   性基板上に順次積層した下部電極とｎ型水素化アモルフ
   ァスシリコン層と真性水素化アモルファスシリコン層と
   別のｎ型水素化アモルファスシリコン層と上部電極とか
   ら構成したことを特徴とする請求項２記載の読み取りセ
   ンサ。 ４、前記基準素子の下部電極をくし歯形状としたことを
   特徴とする請求項３記載の読み取りセンサ。 ５、前記読み取り素子の上部電極をくし歯形状としたこ
   とを特徴とする請求項４記載の読み取りセンサ。 ６、請求項１〜５いずれかに記載の読み取りセンサの光
   電変換素子の上面に、該上面に接する側の面が凹凸であ
   る梨地透明導電フィルムを装着したことを特徴とする読
   み取りセンサ。 ７、前記光電変換素子の真性水素化アモルファスシリコ
   ン層に流れる電流は透光性基板の表面と直角方向に流れ
   ることを特徴とする請求項６記載の読み取りセンサ。 ８、請求項７に記載の読み取りセンサを装備したファク
   シミリ装置。