JPH04159765A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
- Publication number
- JPH04159765A JPH04159765A JP2284898A JP28489890A JPH04159765A JP H04159765 A JPH04159765 A JP H04159765A JP 2284898 A JP2284898 A JP 2284898A JP 28489890 A JP28489890 A JP 28489890A JP H04159765 A JPH04159765 A JP H04159765A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- integrated circuit
- printed wiring
- circuit device
- semiconductor bare
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は混成集積回路装置に関し、特に半導体ベアチッ
プを樹脂封止した混成集積回路装置に関する。
プを樹脂封止した混成集積回路装置に関する。
従来、リードフレーム上に絶縁エリアを設け、その上に
所定の配線が施されたプリント配線基板を貼り付け、プ
リント配線基板上の所定の位置に半導体素子等をベアチ
ップ状態にて搭載し、ベアチップとプリント配線基板間
およびプリント配線基板とリードフレーム間を金線にて
ワイヤボンディング法により接続し、トランスファモー
ルド法にて樹脂封止した構造をもつトランスファモール
ド型の混成集積回路装置(COMPACT)がある(例
えば、最新ハイブリッドテクノロジー、第215頁〜第
219頁、工業調査会、電子材料編集部、モールド型の
ハイブリッドIC1第1回マイクロエレクトロニクスシ
ンポジウム論文集、ISI−(M JAPAN)。
所定の配線が施されたプリント配線基板を貼り付け、プ
リント配線基板上の所定の位置に半導体素子等をベアチ
ップ状態にて搭載し、ベアチップとプリント配線基板間
およびプリント配線基板とリードフレーム間を金線にて
ワイヤボンディング法により接続し、トランスファモー
ルド法にて樹脂封止した構造をもつトランスファモール
ド型の混成集積回路装置(COMPACT)がある(例
えば、最新ハイブリッドテクノロジー、第215頁〜第
219頁、工業調査会、電子材料編集部、モールド型の
ハイブリッドIC1第1回マイクロエレクトロニクスシ
ンポジウム論文集、ISI−(M JAPAN)。
(発明が解決しようとする課題〕
この従来の混成集積回路装置は、リードフレーム上にプ
リント配線基板を貼り付け、このプリント配線基板上に
所定の半導体素子をベアチップ状態にて搭載しているが
、リードフレームの下部へベアチップを搭載するのは困
難であるため、リードフレームの下部は、トランスファ
モールド封止された樹脂と接触する構造となっており、
混成集積回路装置の高集積化、高密度化を難しくしてい
るという問題点があった。
リント配線基板を貼り付け、このプリント配線基板上に
所定の半導体素子をベアチップ状態にて搭載しているが
、リードフレームの下部へベアチップを搭載するのは困
難であるため、リードフレームの下部は、トランスファ
モールド封止された樹脂と接触する構造となっており、
混成集積回路装置の高集積化、高密度化を難しくしてい
るという問題点があった。
本発明のII的は、高集積化、高密度化が容易な混成集
積回路装置を提供することにある。
積回路装置を提供することにある。
本発明の混成集積回路装置は、少なくとも2つの半導体
ベアデツプを搭載したプリン1〜配線基板を片面に貼り
付けた第1のリードフレームと、少くとも2つの半導体
ベアチップを搭載したプリント配線基板を片面に貼り付
けた第2のリードフレームとを有し、前記第1のリード
フレーム面と前記第2のリードフレーム面とを接触さぜ
重ね合わぜて樹脂封止されている。
ベアデツプを搭載したプリン1〜配線基板を片面に貼り
付けた第1のリードフレームと、少くとも2つの半導体
ベアチップを搭載したプリント配線基板を片面に貼り付
けた第2のリードフレームとを有し、前記第1のリード
フレーム面と前記第2のリードフレーム面とを接触さぜ
重ね合わぜて樹脂封止されている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。
第1図に示すように、リードフレーム1a上にプリント
配線基板2aを貼り付け、プリント配線基板2a上に2
つの半導体ベアデツプ3aをダイボンディングして搭載
し、さらに、金線4aにてワイヤボンディングして、半
導体ベアチップ3aとプリン1〜配線基板2a問および
プリント配線基板2aとリードフレーム1a間を接続す
る。
配線基板2aを貼り付け、プリント配線基板2a上に2
つの半導体ベアデツプ3aをダイボンディングして搭載
し、さらに、金線4aにてワイヤボンディングして、半
導体ベアチップ3aとプリン1〜配線基板2a問および
プリント配線基板2aとリードフレーム1a間を接続す
る。
一方、リードフレーム1a上にプリント配線基板2bを
貼り付け、プリント配線基板2b上に2つの半導体ベア
チップ3bをダイボンディングして搭載し、さらに、金
線5bにてワイヤボンディングして半導体ベアチップ3
bとプリント配線基板2b問およびプリント配線基板2
bとリードフレーム1b間を接続する。
貼り付け、プリント配線基板2b上に2つの半導体ベア
チップ3bをダイボンディングして搭載し、さらに、金
線5bにてワイヤボンディングして半導体ベアチップ3
bとプリント配線基板2b問およびプリント配線基板2
bとリードフレーム1b間を接続する。
次に、フレーム1aとリードフレーム1bをそれぞれプ
リント配線基板2a、2bを貼り付けていない面で重ね
合わせ、樹脂5をトランスファモールド法にて封止する
ことにより、本実施例の高密度で高集積された混成集積
回路装置が得られる。
リント配線基板2a、2bを貼り付けていない面で重ね
合わせ、樹脂5をトランスファモールド法にて封止する
ことにより、本実施例の高密度で高集積された混成集積
回路装置が得られる。
さらに、図示しないが、半導体ベアデツプ3aの代わり
に、受動素子である表面実装部品タイプのチップコンデ
ンサを搭載することによっても高密度で高集積された混
成集積回路装置が得られる。
に、受動素子である表面実装部品タイプのチップコンデ
ンサを搭載することによっても高密度で高集積された混
成集積回路装置が得られる。
以−ト説明したように本発明は、リードフレームの上下
に半導体ベアデツプを搭載することにより、従来に比べ
て約2倍の高密度化、高集積化が可能となるという効果
を有する。
に半導体ベアデツプを搭載することにより、従来に比べ
て約2倍の高密度化、高集積化が可能となるという効果
を有する。
第1図は、本発明の一実施例の断面図である。
]、 a 、 ]、 t:+ =−リードフレーム、
2a、2b・−プリン1へ配線基板、3 a、 、 3
b・・・半導体ベアチップ、4a、、/1に+・・金
線、5・・・樹脂。
2a、2b・−プリン1へ配線基板、3 a、 、 3
b・・・半導体ベアチップ、4a、、/1に+・・金
線、5・・・樹脂。
Claims (1)
- 少なくとも2つの半導体ベアチップを搭載したプリン
ト配線基板を片面に貼り付けた第1のリードフレームと
、少くとも2つの半導体ベアチップを搭載したプリント
配線基板を片面に貼り付けた第2のリードフレームとを
有し、前記第1のリードフレーム面と前記第2のリード
フレーム面とを接触させ重ね合わせて樹脂封止したこと
を特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2284898A JP2595803B2 (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2284898A JP2595803B2 (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04159765A true JPH04159765A (ja) | 1992-06-02 |
| JP2595803B2 JP2595803B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=17684478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2284898A Expired - Lifetime JP2595803B2 (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2595803B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012057521A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Honda Motor Co Ltd | スロットル装置 |
| KR101231296B1 (ko) * | 2006-09-25 | 2013-02-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 인텔리전트 파워 모듈 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6028256A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-10-23 JP JP2284898A patent/JP2595803B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6028256A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101231296B1 (ko) * | 2006-09-25 | 2013-02-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 인텔리전트 파워 모듈 |
| JP2012057521A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Honda Motor Co Ltd | スロットル装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2595803B2 (ja) | 1997-04-02 |
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