JPH04164338A - 半導体icの実装方法 - Google Patents
半導体icの実装方法Info
- Publication number
- JPH04164338A JPH04164338A JP2291589A JP29158990A JPH04164338A JP H04164338 A JPH04164338 A JP H04164338A JP 2291589 A JP2291589 A JP 2291589A JP 29158990 A JP29158990 A JP 29158990A JP H04164338 A JPH04164338 A JP H04164338A
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- JP
- Japan
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- chip
- electrodes
- chip carrier
- wiring board
- wire
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- Pending
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/303—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ICの実装方法に関し、特に半導体IC
と配線基板を接続する工程を含む半導体ICの実装方法
に関する。
と配線基板を接続する工程を含む半導体ICの実装方法
に関する。
従来の半導体ICチップの配線基板への実装方法は、第
3図に示すように、配線パターン2を有する絶縁性基板
1の上にICチップ5を直接搭載してAu線(又はAp
線)6を用いてワイヤボンディング法による接続する方
法、もしくは、第4図に示すように、ICチップ5のホ
ンディングパッド部にはんだバンプ10を形成してリフ
ロー法により接続する方法、または、第5図に示すよう
に、予め半田ペーストを配線基板1側のはんだ付ランド
部にスクリーン印刷法などにより供給してこの上にモー
ルドパッケージングされたモールドICIIを搭載して
リフロー法によりはんだ12にて接続する方法がとられ
ていた。
3図に示すように、配線パターン2を有する絶縁性基板
1の上にICチップ5を直接搭載してAu線(又はAp
線)6を用いてワイヤボンディング法による接続する方
法、もしくは、第4図に示すように、ICチップ5のホ
ンディングパッド部にはんだバンプ10を形成してリフ
ロー法により接続する方法、または、第5図に示すよう
に、予め半田ペーストを配線基板1側のはんだ付ランド
部にスクリーン印刷法などにより供給してこの上にモー
ルドパッケージングされたモールドICIIを搭載して
リフロー法によりはんだ12にて接続する方法がとられ
ていた。
上述した従来の半導体ICの実装方法のうちICチップ
を直接配線基板に搭載する方法では、ICチップ状態で
完全な電気的検査が難しいので多数個搭載した場合に歩
留の低下を招き、また、動作スピードのランクが要求さ
れる場合には適用出来ないという問題点があった。
を直接配線基板に搭載する方法では、ICチップ状態で
完全な電気的検査が難しいので多数個搭載した場合に歩
留の低下を招き、また、動作スピードのランクが要求さ
れる場合には適用出来ないという問題点があった。
一方、モールドパッケージされたICを搭載し、はんだ
リフロー法で接続する方法では、リードピッチがQ、5
mm以下になるとリード間のはんだブリッジ、未はんた
。はんた量適不足といった不良が発生し易く、手直し、
修正が多く工数が増大すると共に接続の信頼性が低下す
るという問題点があった。
リフロー法で接続する方法では、リードピッチがQ、5
mm以下になるとリード間のはんだブリッジ、未はんた
。はんた量適不足といった不良が発生し易く、手直し、
修正が多く工数が増大すると共に接続の信頼性が低下す
るという問題点があった。
本発明の目的は、リードピッチがQ、5mm以下でも容
易に然も歩留良く適用出来、接続の信頼性が高い半導体
ICの実装方法を提供することにある。
易に然も歩留良く適用出来、接続の信頼性が高い半導体
ICの実装方法を提供することにある。
本発明は、半導体ICの実装方法に於いて、ICチップ
をチップキャリアに搭載し前記ICチップの電極と前記
チップキャリアの電極とをワイヤホンディング法により
接続を行ない樹脂コートする工程と、前記チップキャリ
アを配線基板に搭載し前記チップキャリアの電極と前記
配線基板の電極とをワイヤボンディング法により接続す
る工程とを含んでいる。
をチップキャリアに搭載し前記ICチップの電極と前記
チップキャリアの電極とをワイヤホンディング法により
接続を行ない樹脂コートする工程と、前記チップキャリ
アを配線基板に搭載し前記チップキャリアの電極と前記
配線基板の電極とをワイヤボンディング法により接続す
る工程とを含んでいる。
〔実施例〕
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第1図(a)、(b)は本発明の第1の実施例を説明す
る断面図及び平面図である。
る断面図及び平面図である。
第1の実施例は、第1図(a)、(b)に示すように、
まず、ICチップ5をチップキャリア3にAgペースト
4を用いてマウントし、150℃で1時間キュアする。
まず、ICチップ5をチップキャリア3にAgペースト
4を用いてマウントし、150℃で1時間キュアする。
次に、Au線6を用いてICチップ5の電極とチップキ
ャリア3の電極とをワイヤボンディングを行ない、チッ
プコート樹脂7を塗布し、例えば150℃で2時間キュ
アを行なう。
ャリア3の電極とをワイヤボンディングを行ない、チッ
プコート樹脂7を塗布し、例えば150℃で2時間キュ
アを行なう。
次に、チップキャリア3単体での電気的検査を行ない良
否の選別を行なう。ここで用いたチップキャリア3の外
部電極のピッチP1は0.2mmである。
否の選別を行なう。ここで用いたチップキャリア3の外
部電極のピッチP1は0.2mmである。
次に、チップキャリア3を配線基板1上に搭載し接着樹
脂8で仮止めしてチップキャリア3の外部電極と配線基
板側電極をAu線6を用いてワイヤボンディングを行う
。
脂8で仮止めしてチップキャリア3の外部電極と配線基
板側電極をAu線6を用いてワイヤボンディングを行う
。
最後に、ホンディング部をワイヤコート樹脂9を塗布し
保護する。ここで用いた配線基板側の電極はパターン巾
Wか0.2mm、とッチP2か0.2mmである。
保護する。ここで用いた配線基板側の電極はパターン巾
Wか0.2mm、とッチP2か0.2mmである。
第2図は本発明の第2の実施例を説明する断面図である
。
。
第2の実施例は、第2図に示すように、配線基板1上に
複数のチップキャリア3を搭載した例である。
複数のチップキャリア3を搭載した例である。
配線基板1上に複数のチップキャリア3を搭載する場合
には、チップキャリア3間の電極を直接ワイヤバンディ
ング法にて接続する。
には、チップキャリア3間の電極を直接ワイヤバンディ
ング法にて接続する。
この実施例では、チップキャリア3間を直接接続するの
で実装密度が向上出来る利点がある。
で実装密度が向上出来る利点がある。
以上説明したように本発明は、ICチップか搭載された
チップキャリアを配線基板にワイヤボンディング法によ
り接続する事により、端子ピッチが0.5mm以下でも
容易に然も歩留良く製造する事が出来、接続の信頼を高
めることが出来るという効果を有する。
チップキャリアを配線基板にワイヤボンディング法によ
り接続する事により、端子ピッチが0.5mm以下でも
容易に然も歩留良く製造する事が出来、接続の信頼を高
めることが出来るという効果を有する。
第1図(a)、(b)は本発明の第1の実施例を説明す
る断面図及び平面図、第2図は本発明の第2の実施例を
説明する断面図、第3図は従来のICチップをワイヤボ
ンディング法により接続する実装方法の一例を説明する
断面図、第4図は従来のICチップをリフロー法により
接続する実装方法の一例を説明する断面図、第5図はモ
ールドICをリフロー法により接続する実装方法の一例
を説明する断面図である。 1・・・配線基板、2・・・配線パターン、3・・・チ
ップキャリア、4・・・Agペースト、5・・・ICチ
ップ、6・・・Au線、7・・・チップコート樹脂、8
・・・接着樹脂、9・パ・ワイヤコート樹脂、10・・
・はんだバンプ、11・・・モールドIC112・・・
はんだ。
る断面図及び平面図、第2図は本発明の第2の実施例を
説明する断面図、第3図は従来のICチップをワイヤボ
ンディング法により接続する実装方法の一例を説明する
断面図、第4図は従来のICチップをリフロー法により
接続する実装方法の一例を説明する断面図、第5図はモ
ールドICをリフロー法により接続する実装方法の一例
を説明する断面図である。 1・・・配線基板、2・・・配線パターン、3・・・チ
ップキャリア、4・・・Agペースト、5・・・ICチ
ップ、6・・・Au線、7・・・チップコート樹脂、8
・・・接着樹脂、9・パ・ワイヤコート樹脂、10・・
・はんだバンプ、11・・・モールドIC112・・・
はんだ。
Claims (1)
- 半導体ICの実装方法に於いて、ICチップをチップ
キャリアに搭載し前記ICチップの電極と前記チップキ
ャリアの電極とをワイヤボンディング法により接続を行
ない樹脂コートする工程と、前記チップキャリアを配線
基板に搭載し前記チップキャリアの電極と前記配線基板
の電極とをワイヤボンディング法により接続する工程と
を含むことを特徴とする半導体ICの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2291589A JPH04164338A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体icの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2291589A JPH04164338A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体icの実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04164338A true JPH04164338A (ja) | 1992-06-10 |
Family
ID=17770899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2291589A Pending JPH04164338A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体icの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04164338A (ja) |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP2291589A patent/JPH04164338A/ja active Pending
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