JPH0416440B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0416440B2 JPH0416440B2 JP59275096A JP27509684A JPH0416440B2 JP H0416440 B2 JPH0416440 B2 JP H0416440B2 JP 59275096 A JP59275096 A JP 59275096A JP 27509684 A JP27509684 A JP 27509684A JP H0416440 B2 JPH0416440 B2 JP H0416440B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- lithium tantalate
- crystal
- electrode
- metal powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はタンタル酸リチウム単結晶の単一分域
化方法に係わり、特には単一分域化の操作中に単
結晶体中へ異物が拡散することの全くない改良さ
れた該単一分域化方法に関する。
化方法に係わり、特には単一分域化の操作中に単
結晶体中へ異物が拡散することの全くない改良さ
れた該単一分域化方法に関する。
（従来の技術）
従来、チヨクラルスキー法により引上げ成長さ
せたタンタル酸リチウム単結晶を単一分域化する
方法としては、引上げ単結晶の側面Ｚ軸方向の面
にたとえば帯状の形状をした正負電極を単結晶体
を挟むようにして対向配置し、キユーリー温度以
上一般には610℃以上の温度に加熱し両電極間に
電圧を印加することにより単一分域化する方法が
知られている。
せたタンタル酸リチウム単結晶を単一分域化する
方法としては、引上げ単結晶の側面Ｚ軸方向の面
にたとえば帯状の形状をした正負電極を単結晶体
を挟むようにして対向配置し、キユーリー温度以
上一般には610℃以上の温度に加熱し両電極間に
電圧を印加することにより単一分域化する方法が
知られている。
この方法において、結晶欠陥をできるだけなく
し良質な単一分域化単結晶を得るために、結晶体
と電極体との間にその結晶体と同質の粉末を充填
し単一分域化を行う方法が知られている。しか
し、この充填物がタンタル酸リチウムの場合に
は、このものがきわめて高価なものであるという
経済的な不利のほかに、タンタル酸リチウム粉の
組成変動が単一分域化に影響しバラツキがみられ
る問題がある。
し良質な単一分域化単結晶を得るために、結晶体
と電極体との間にその結晶体と同質の粉末を充填
し単一分域化を行う方法が知られている。しか
し、この充填物がタンタル酸リチウムの場合に
は、このものがきわめて高価なものであるという
経済的な不利のほかに、タンタル酸リチウム粉の
組成変動が単一分域化に影響しバラツキがみられ
る問題がある。
他方該充填層として銀ペースト、パラジウム−
銀ペースト、白金ペーストを用いることも提案さ
れているが、銀、パラジウム、白金等は単一分域
化の操作中に単結晶体中へ拡散し単結晶体の品質
を低下させる欠点がある。
銀ペースト、白金ペーストを用いることも提案さ
れているが、銀、パラジウム、白金等は単一分域
化の操作中に単結晶体中へ拡散し単結晶体の品質
を低下させる欠点がある。
（発明の構成）
本発明は従来のかかる欠点にかんがみなされた
もので、これはチヨクラルスキー法により引上げ
成長させたタンタル酸リチウム単結晶をその側面
に正負電極を対向設置して単一分域化するにあた
り、単結晶体と電極体との間にTa、Ｗ、Mo、
Nbから選択される金属粉の充填層を設けること
を特徴とするタンタル酸リチウム単結晶の単一分
域化方法に関するものである。
もので、これはチヨクラルスキー法により引上げ
成長させたタンタル酸リチウム単結晶をその側面
に正負電極を対向設置して単一分域化するにあた
り、単結晶体と電極体との間にTa、Ｗ、Mo、
Nbから選択される金属粉の充填層を設けること
を特徴とするタンタル酸リチウム単結晶の単一分
域化方法に関するものである。
本発明の方法によれば、単一分域化がきわめて
安定して行われ、電極材ならびに充填層の一部が
単結晶体中に拡散することが全くないので、従来
に比べ格段に良質な単一分域化単結晶体を得るこ
とができる。
安定して行われ、電極材ならびに充填層の一部が
単結晶体中に拡散することが全くないので、従来
に比べ格段に良質な単一分域化単結晶体を得るこ
とができる。
本発明において、単結晶体と電極体との間に充
填される金属粉としては、Ta、Ｗ、Mo、Nbか
ら選択される金属の粉状物（粒子径0.1〜30μｍ程
度）を使用することが望ましく、粒子が粗くなる
と電気的接触の良好な充填ができず、均一な単一
分域化を達成することができない。充填は通常の
場合該粉末を水溶性高分子物質の水溶液と混練し
ペースト状となし、このものを結晶体と電極との
間に密に充填（介在）させる方法により行われ、
これにより良質な単一分域化単結晶体を得ること
ができる。水溶性高分子物質としては各種のもの
を使用することができるが、なかでも非イオン性
のセルロースエーテル類が望ましい。
填される金属粉としては、Ta、Ｗ、Mo、Nbか
ら選択される金属の粉状物（粒子径0.1〜30μｍ程
度）を使用することが望ましく、粒子が粗くなる
と電気的接触の良好な充填ができず、均一な単一
分域化を達成することができない。充填は通常の
場合該粉末を水溶性高分子物質の水溶液と混練し
ペースト状となし、このものを結晶体と電極との
間に密に充填（介在）させる方法により行われ、
これにより良質な単一分域化単結晶体を得ること
ができる。水溶性高分子物質としては各種のもの
を使用することができるが、なかでも非イオン性
のセルロースエーテル類が望ましい。
第１図は、チヨクラルスキー法で引上げたタン
タル酸リチウム単結晶を単一分域化するために、
その単結晶体の側面に帯状電極を設置した状態を
示す概略斜視図である。同図において１は単結晶
体であり、２はそれを支えるための台（アルミナ
台等）、３は帯状電極である。単結晶体１と帯状
電極３の間に、前記したTa、Ｗ、Mo、Nbから
選択される金属粉の充填層４を設ける。この充填
層はペースト状物として設けることがよく、また
その厚さは電界をかける単結晶体の大きさ等によ
り適宜選定すればよい。なお、同図中５は電極体
３をおさえるためのバンドである。第２図は第１
図の縦断面図を示したものである。
タル酸リチウム単結晶を単一分域化するために、
その単結晶体の側面に帯状電極を設置した状態を
示す概略斜視図である。同図において１は単結晶
体であり、２はそれを支えるための台（アルミナ
台等）、３は帯状電極である。単結晶体１と帯状
電極３の間に、前記したTa、Ｗ、Mo、Nbから
選択される金属粉の充填層４を設ける。この充填
層はペースト状物として設けることがよく、また
その厚さは電界をかける単結晶体の大きさ等によ
り適宜選定すればよい。なお、同図中５は電極体
３をおさえるためのバンドである。第２図は第１
図の縦断面図を示したものである。
上記のようにして正負電極３と単結晶体１との
間に、充填層４を設け、加熱炉中で所定温度に加
熱しながら両電極間に電圧を印加することにより
単一分域化（ポーリング）を行う。なお、単結晶
体側面における電極体の設置条件、加熱温度条
件、電圧印加条件等については従来と同様でよい
が、ポーリング時のガス雰囲気については窒素、
アルゴンなどの不活性ガスとすることが望まし
い。
間に、充填層４を設け、加熱炉中で所定温度に加
熱しながら両電極間に電圧を印加することにより
単一分域化（ポーリング）を行う。なお、単結晶
体側面における電極体の設置条件、加熱温度条
件、電圧印加条件等については従来と同様でよい
が、ポーリング時のガス雰囲気については窒素、
アルゴンなどの不活性ガスとすることが望まし
い。
つぎに具体的実施例をあげる。
実施例 １
チヨクラルスキー法によりＸ軸引上げで成長さ
せたタンタル酸リチウム単結晶体（直径80mm長さ
120mm）の両端をカツトして研磨加工を施した。
この単結晶体のＺ軸方向の両側面に、平均粒子径
10μｍのタンタル金属粉をセルロースエーテルの
水溶液と混練して作つたペースト状物の層を厚さ
約２mmで形成し、これに電極板を密着させ、加熱
炉中で620℃の温度に加熱しながら60Vの電圧を
印加して窒素ガス雰囲下でポーリングを行つた。
せたタンタル酸リチウム単結晶体（直径80mm長さ
120mm）の両端をカツトして研磨加工を施した。
この単結晶体のＺ軸方向の両側面に、平均粒子径
10μｍのタンタル金属粉をセルロースエーテルの
水溶液と混練して作つたペースト状物の層を厚さ
約２mmで形成し、これに電極板を密着させ、加熱
炉中で620℃の温度に加熱しながら60Vの電圧を
印加して窒素ガス雰囲下でポーリングを行つた。
この結果、単結晶体中に異物の拡散が全くない
良質な単一分域化タンタル酸リチウム単結晶体が
得られた。
良質な単一分域化タンタル酸リチウム単結晶体が
得られた。
第１図は、タンタル酸リチウム単結晶体の側面
に帯状電極を充填層を介して設置した状態を示す
概略斜視図である。また第２図は第１図の縦断面
図である。 １……単結晶体、２……アルミナ台、３……帯状
電極、４……充填層、５……バンド。
に帯状電極を充填層を介して設置した状態を示す
概略斜視図である。また第２図は第１図の縦断面
図である。 １……単結晶体、２……アルミナ台、３……帯状
電極、４……充填層、５……バンド。
Claims (1)
- １ チヨクラルスキー法により引上げ成長させた
タンタル酸リチウム単結晶をその側面に正負電極
を対向設置して単一分域化するにあたり、単結晶
体と電極体との間にTa、Ｗ、Mo、Nbから選択
される金属粉の充填層を設けることを特徴とする
タンタル酸リチウム単結晶の単一分域化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27509684A JPS61155298A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | タンタル酸リチウム単結晶の単一分域化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27509684A JPS61155298A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | タンタル酸リチウム単結晶の単一分域化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61155298A JPS61155298A (ja) | 1986-07-14 |
| JPH0416440B2 true JPH0416440B2 (ja) | 1992-03-24 |
Family
ID=17550718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27509684A Granted JPS61155298A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | タンタル酸リチウム単結晶の単一分域化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61155298A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2502608B2 (ja) * | 1987-07-20 | 1996-05-29 | 信越化学工業株式会社 | 単一分域化タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5932438A (ja) * | 1982-08-17 | 1984-02-21 | 株式会社メデイア | 心電図測定用電極装置 |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP27509684A patent/JPS61155298A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61155298A (ja) | 1986-07-14 |
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