JPH0357080B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0357080B2 JPH0357080B2 JP59264784A JP26478484A JPH0357080B2 JP H0357080 B2 JPH0357080 B2 JP H0357080B2 JP 59264784 A JP59264784 A JP 59264784A JP 26478484 A JP26478484 A JP 26478484A JP H0357080 B2 JPH0357080 B2 JP H0357080B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- electrode
- single crystal
- electrodes
- crystal
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、タンタル酸リチウム単結晶の単一分
域化方法に関するものであり、特には金板、金
線、金メツキ膜または金蒸着膜からなる電極を用
いることにより電極面に着色物の付着をともなう
ことなく、能率よく単一分域化を行う方法に関す
る。
域化方法に関するものであり、特には金板、金
線、金メツキ膜または金蒸着膜からなる電極を用
いることにより電極面に着色物の付着をともなう
ことなく、能率よく単一分域化を行う方法に関す
る。
(従来の技術)
従来、チヨクラルスキー法によるX軸引上げタ
ンタル酸リチウム単結晶を単一分域化する方法と
しては、引上げ単結晶の側面すなわちZ軸方向の
面にたとえば帯状の形状をした正負電極を単結晶
を挟むようにして対向配置し、キユーリー温度以
上一般には610℃以上の温度に加熱しながら両電
極間に電圧を印加することにより単一分域化する
方法が知られている。この方法において電極とし
てはもつぱり白金(Pt)が使用されているので
あるが白金電極を使用すると白金電極の結晶側表
面に異物(着色物)が付着形成し、接触抵抗損と
なるのでこれを除去することが必要であり、単一
分域化の作業が非能率的であつた。
ンタル酸リチウム単結晶を単一分域化する方法と
しては、引上げ単結晶の側面すなわちZ軸方向の
面にたとえば帯状の形状をした正負電極を単結晶
を挟むようにして対向配置し、キユーリー温度以
上一般には610℃以上の温度に加熱しながら両電
極間に電圧を印加することにより単一分域化する
方法が知られている。この方法において電極とし
てはもつぱり白金(Pt)が使用されているので
あるが白金電極を使用すると白金電極の結晶側表
面に異物(着色物)が付着形成し、接触抵抗損と
なるのでこれを除去することが必要であり、単一
分域化の作業が非能率的であつた。
(発明の構成)
本発明者らはかかる従来の問題点にかんがみ鋭
意研究した結果、電極として金板、金線、金メツ
キ膜または金蒸着膜からなるものを使用すれば異
物(着色物)の付着形成がなく、しかも白金電極
の場合にみられる結晶体中への電極材料の拡散と
いう問題点も、金電極の場合には起らないことを
確認し本発明を完成した。
意研究した結果、電極として金板、金線、金メツ
キ膜または金蒸着膜からなるものを使用すれば異
物(着色物)の付着形成がなく、しかも白金電極
の場合にみられる結晶体中への電極材料の拡散と
いう問題点も、金電極の場合には起らないことを
確認し本発明を完成した。
すなわち本発明は、チヨクラルスキー法引上げ
タンタル酸リチウム単結晶の側面に金板、金線、
金メツキ膜または金蒸着膜を用いたものからなる
正負電極を対向して形成し、両電極間に電圧を印
加して単一分域化することを特徴とするタンタル
酸リチウム単結晶の単一分域化方法に関するもの
である。
タンタル酸リチウム単結晶の側面に金板、金線、
金メツキ膜または金蒸着膜を用いたものからなる
正負電極を対向して形成し、両電極間に電圧を印
加して単一分域化することを特徴とするタンタル
酸リチウム単結晶の単一分域化方法に関するもの
である。
本発明に使用される電極は金板、金線、銅など
の基板面に金メツキ膜または金蒸着膜を形成した
ものとされるが、その電極の形態について例示す
れば第1図イ〜ニに示すとおりである。すなわち
第1図イ〜ロは板状電極を示したものであり、イ
図は厚さは0.05〜1mm付近の金電極1、ロ図は、
銅等の基板2の表面に金メツキ膜または金蒸着膜
3を形成した電極である。
の基板面に金メツキ膜または金蒸着膜を形成した
ものとされるが、その電極の形態について例示す
れば第1図イ〜ニに示すとおりである。すなわち
第1図イ〜ロは板状電極を示したものであり、イ
図は厚さは0.05〜1mm付近の金電極1、ロ図は、
銅等の基板2の表面に金メツキ膜または金蒸着膜
3を形成した電極である。
さらにハ図は金メツシユ電極4、ニ図は金フエ
ルト電極5を示したものであり、ハ図の金メツシ
ユを構成する金線として0.1mm径付近のものが使
用される。なお、この場合目幅については特に制
限はないが通常は1mm以下であることが望まし
い。ニ図の金フエルト5を構成する金線としては
0.01〜0.1mm径付近のもが使用され、フエルトの
厚さは通常1mm以下で充分である。
ルト電極5を示したものであり、ハ図の金メツシ
ユを構成する金線として0.1mm径付近のものが使
用される。なお、この場合目幅については特に制
限はないが通常は1mm以下であることが望まし
い。ニ図の金フエルト5を構成する金線としては
0.01〜0.1mm径付近のもが使用され、フエルトの
厚さは通常1mm以下で充分である。
以上例示した各図の電極を構成する金材質につ
いては金のみに限定されるものでなく、これには
金と銅もしくは銀等との合金からなる材質のもの
も使用することができる。
いては金のみに限定されるものでなく、これには
金と銅もしくは銀等との合金からなる材質のもの
も使用することができる。
第2図はチヨクラルスキー法で引上げたタンタ
ル酸リチウム単結晶を単一分域化するために、そ
の単結晶の側面に帯状電極(板状電極)を設置し
た状態を示す概略斜視図である。同図において1
0は単結晶であり、11はそれを支えるためのア
ルミナ台、12は帯状電極である。単一分域化を
良好に行わせるために、単結晶10と帯状電極1
2間には通常タンタル酸リチウム単結晶等の粉体
をペースト状とした充填物13を介在させる。な
お、同図中14は電極板をおさえるためのバンド
である。
ル酸リチウム単結晶を単一分域化するために、そ
の単結晶の側面に帯状電極(板状電極)を設置し
た状態を示す概略斜視図である。同図において1
0は単結晶であり、11はそれを支えるためのア
ルミナ台、12は帯状電極である。単一分域化を
良好に行わせるために、単結晶10と帯状電極1
2間には通常タンタル酸リチウム単結晶等の粉体
をペースト状とした充填物13を介在させる。な
お、同図中14は電極板をおさえるためのバンド
である。
上記のようにして正負電極を設置し、加熱炉中
で所定温度に加熱しながら両電極間に電圧を印加
することにより単一分域化(ポーリング)を行
う。
で所定温度に加熱しながら両電極間に電圧を印加
することにより単一分域化(ポーリング)を行
う。
本発明の金電極を用いる方法によれば、該金電
極の表面(結晶側表面)に異物(着色物)の付着
形成がないので、白金電極の場合のような単一分
域化の操作毎に電極表面の着色物を除去する煩雑
な作業が回避され、したがつて単一分域化の作業
能率がきわめてよいという利点が与えられる。ま
た白金電極の場合には単一分域化の操作時に電極
材料が単結晶中に拡散する傾向が認められ、問題
となつていたのであるが、本発明の金電極を用い
る方法の場合にはかかる拡散の問題は認められな
い。
極の表面(結晶側表面)に異物(着色物)の付着
形成がないので、白金電極の場合のような単一分
域化の操作毎に電極表面の着色物を除去する煩雑
な作業が回避され、したがつて単一分域化の作業
能率がきわめてよいという利点が与えられる。ま
た白金電極の場合には単一分域化の操作時に電極
材料が単結晶中に拡散する傾向が認められ、問題
となつていたのであるが、本発明の金電極を用い
る方法の場合にはかかる拡散の問題は認められな
い。
なお、本発明の方法を実施するに当つての、結
晶体側面における電極の設置条件、加熱温度条
件、電圧印加条件等については従来と同様でよ
く、特別の条件を採用する必要はない。
晶体側面における電極の設置条件、加熱温度条
件、電圧印加条件等については従来と同様でよ
く、特別の条件を採用する必要はない。
つぎに具体的実施例をあげる。
実施例
チヨクラルスキー法で製造したX軸引上げタン
タル酸リチウム単結晶(直径80mm長さ110mm)の
Z軸方向の側面に、第1図イに示す形状の金材質
からなる板状電極を第2図に示すように設置し、
加熱炉中で630℃の温度に加熱しながら90Vの電
圧を印加してポーリングを行つた。
タル酸リチウム単結晶(直径80mm長さ110mm)の
Z軸方向の側面に、第1図イに示す形状の金材質
からなる板状電極を第2図に示すように設置し、
加熱炉中で630℃の温度に加熱しながら90Vの電
圧を印加してポーリングを行つた。
この結果、結晶内への金の拡散現象は認められ
ず、また電極の結晶体側の面は第3図イに示すよ
うに、着色物・異物の形成がなく、きれいな状態
であり、次の作業に支障なく再使用できた。な
お、結晶体は完全にポーリングされていた。
ず、また電極の結晶体側の面は第3図イに示すよ
うに、着色物・異物の形成がなく、きれいな状態
であり、次の作業に支障なく再使用できた。な
お、結晶体は完全にポーリングされていた。
他方比較のために、上記金材質からなる板状電
極の代りに白金材料からなる同形の電極を用いた
ほかは同様にしてポーリングを行つたところ、結
晶内への白金の拡散現象が起こり、また電極の結
晶体側の面は第3図ロに示すように着色物・異物
の形成が認められた。この電極面の着色物・異物
を取除くのにてまひまがかかり作業能率が阻害さ
れた。またポーリングされた結晶体は内部に白金
が拡散しており品質に劣るものであつた。
極の代りに白金材料からなる同形の電極を用いた
ほかは同様にしてポーリングを行つたところ、結
晶内への白金の拡散現象が起こり、また電極の結
晶体側の面は第3図ロに示すように着色物・異物
の形成が認められた。この電極面の着色物・異物
を取除くのにてまひまがかかり作業能率が阻害さ
れた。またポーリングされた結晶体は内部に白金
が拡散しており品質に劣るものであつた。
第1図イ,ロ,ハおよびニは金材質からなる電
極をそれぞれ例示したものであり、第2図はタン
タル酸リチウム単結晶の側面に板状の正負電極を
設置した概略斜視図を示したものである。さらに
第3図イ,ロは単結晶をポーリングするために使
用した後の電極の結晶体側の面をそれぞれ示した
ものである。 1……板状電極、2……基板、3……金メツキ
膜または金蒸着膜、4……金メツシユ電極、5…
…金フエルト電極、10……単結晶、11……ア
ルミナ台、12……電極、13……充填物、14
……バンド。
極をそれぞれ例示したものであり、第2図はタン
タル酸リチウム単結晶の側面に板状の正負電極を
設置した概略斜視図を示したものである。さらに
第3図イ,ロは単結晶をポーリングするために使
用した後の電極の結晶体側の面をそれぞれ示した
ものである。 1……板状電極、2……基板、3……金メツキ
膜または金蒸着膜、4……金メツシユ電極、5…
…金フエルト電極、10……単結晶、11……ア
ルミナ台、12……電極、13……充填物、14
……バンド。
Claims (1)
- 1 チヨクラルスキー法引上げタンタル酸リチウ
ム単結晶の側面に金板、金線、金メツキ膜または
金蒸着膜を用いたものからなる正負電極を対向し
て形成し、両電極間に電圧を印加して単一分域化
することを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶
の単一分域化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26478484A JPS61146796A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | タンタル酸リチウム単結晶の単一分域化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26478484A JPS61146796A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | タンタル酸リチウム単結晶の単一分域化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61146796A JPS61146796A (ja) | 1986-07-04 |
| JPH0357080B2 true JPH0357080B2 (ja) | 1991-08-30 |
Family
ID=17408144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26478484A Granted JPS61146796A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | タンタル酸リチウム単結晶の単一分域化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61146796A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2502608B2 (ja) * | 1987-07-20 | 1996-05-29 | 信越化学工業株式会社 | 単一分域化タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
| JPH04507299A (ja) * | 1989-02-01 | 1992-12-17 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ | 非線形光発振器と半導体の強誘電分極領域の制御方法 |
| KR20040088448A (ko) | 2004-09-21 | 2004-10-16 | 정세영 | 단결정 와이어 제조방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5365299A (en) * | 1976-11-25 | 1978-06-10 | Toshiba Corp | Production of single crystal of lithium tantalate extended singleorientation zone |
-
1984
- 1984-12-14 JP JP26478484A patent/JPS61146796A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61146796A (ja) | 1986-07-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |