JPH04169946A - 半導体集積装置 - Google Patents

半導体集積装置

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Publication number
JPH04169946A
JPH04169946A JP29598490A JP29598490A JPH04169946A JP H04169946 A JPH04169946 A JP H04169946A JP 29598490 A JP29598490 A JP 29598490A JP 29598490 A JP29598490 A JP 29598490A JP H04169946 A JPH04169946 A JP H04169946A
Authority
JP
Japan
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memory
address
register
space
built
Prior art date
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Pending
Application number
JP29598490A
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English (en)
Inventor
Ichiro Yamada
一郎 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はメモリーを内蔵した半導体集積装置における、
メモリー空間の決定方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体装置内にメモリーを内蔵させた場合、該メ
モリーアドレス空間は固定されていた。
あるいは、外付の回路でアドレス空間を決定するように
していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の技術では、メモリーアドレス空間が固定されてい
たため、使用者は自由にアドレス空間を決定することが
出来なかった。あるいは外付の回路が必要となるため、
部品コストの増大と、実装される基板の大型化といった
問題を有していた。
本発明はかかる問題を除去するもので、その目的は、外
付回路を付加することなく使用者が自由に内蔵メモリー
のアドレス空間を決定することが出来る半導体集積装置
を提供することにある。この発明により部品コストの増
大や実装基板の大型化をも避けることが出来る。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体集積装置では、メモリーを内蔵し、かつ
外付メモリー付加可能で、該内部メモリーのアドレス空
間が、内蔵されたレジスターの値により設定されること
を特徴とする。
〔実 施 例〕
第1図は本発明の実施例の回路ブロック図である。メモ
リー空間決定レジスター105には、外部より値がデー
ターライン101を通して書き込まれる。レジスター1
05の出力102はアドレスデコーダー106の入力と
なり、一方アドレス104の特定ビットも前記アドレス
デコーダー106の入力となる。こうして内蔵メモリー
107のセレクト信号103はアドレス104の情報と
、メモリー空間決定レジスター105の情報とを合わせ
持った信号となり、内蔵メモリー107のメモリー空間
を決定する信号となる。
第2図は第1図で示した本発明をより詳細に説明した図
である。内蔵メモリー207はアドレス入力209とエ
クスクル−シブオア206の出力が接続された、セレク
ト入力203を有する。ここでセレクト入力203の状
態が“1”の時、内蔵メモリー207は動作するものと
する。
今メモリー空間決定レジスター205に“1”のデータ
ーが書き込まれたとする。またエクスクル−シブオア2
06の一方の入力には8ビツトアドレス204の最上位
ビットが入力されているものとする。この場合、アドレ
ス204の最上位ビットが1”の時、エクスクル−シブ
オア206の出力は“0“となり、内部メモリー207
は非選択状態である。逆にアドレス204の最上位ビッ
トか“0”の時はエクスクル−シブオア206の出力は
1“となり内部メモリーは選択状態となる。従って第3
図に示す様に、内部メモリーのアドレス空間は、16進
表示で“00”から“3F°、外付用メモリーのアドレ
ス空間は“40”から“FF”ということになる。逆に
メモリー空間決定レジスター205に“0”のデーター
が書き込まれると、上記とは全く逆の状態となり、内部
メモリー空間は“40′から“FF”となり、外付用メ
モリーのアドレス空間は“001から“3F”というこ
とになる。本実施例では、メモリー空間決定用のレジス
ターは1ビツトであったため、全メモリー空間を半分に
分断する作用しか行なわなかったが、多ピント化すれば
、より細かな分割アドレスを設定することが出来るし、
また、多ビットのレジスターを複数値持たせることによ
り、より詳細にメモリーアドレス空間を分割することが
出来る。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明によれば内部メモリーのアド
レス空間をアドレス空間設定レジスターの内容により設
定することが出来る。そしてそのレジスターの内容は、
使用者が書き込むため結局使用者が自在に内部メモリー
のアドレス空間を設定することが出来る。外付回路が不
要のため、外付回路に要する部品コストの低減と、実装
基板を大きくする必要もなくなるため、装置の小型、薄
型化に貢献することが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のブロック図。 第2図は第1図に示した実施例をより詳細に表わした図
。 第3図(a)(b)は第2図に示した実施例によるアド
レス空間を示した図。 101.201・・レジスタ設定データー102.20
2・・レジスタ出力信号 103.203・・メモリー選択信号 104.204・・アドレスバス 105.205・・メモリー空間決定レジスター106
・・・・・・アドレスデコーダー206・・・・・・エ
クスクル−シブオア107.207・・内部メモリー 208・・・・・・レジスター書込み信号209・・・
・・・メモリーアドレス入力301.304・・外付メ
モリー空間 302.303・・内部メモリー空間 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部(他1名)算 2 口 (Q、)           (b)箋 3 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. メモリーを内蔵し、かつ外付メモリー付加可能で、該内
    部メモリーのアドレス空間が内蔵されたレジスターの値
    により設定されることを特徴とする半導体集積装置。
JP29598490A 1990-11-01 1990-11-01 半導体集積装置 Pending JPH04169946A (ja)

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JPH04169946A true JPH04169946A (ja) 1992-06-17

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