JPH04171796A - 低誘電率配線基板 - Google Patents

低誘電率配線基板

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JPH04171796A
JPH04171796A JP29929790A JP29929790A JPH04171796A JP H04171796 A JPH04171796 A JP H04171796A JP 29929790 A JP29929790 A JP 29929790A JP 29929790 A JP29929790 A JP 29929790A JP H04171796 A JPH04171796 A JP H04171796A
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孝二 松井
Naonori Orito
直典 下戸
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    • H05K3/4676Single layer compositions

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は集積度の高いLSI実装用基板に関して、特に
高速演算用コンピュータあるいは、衛星通信、衛星放送
等のGHz(ギガヘルツ)帯が使用される高周波通信用
に実装でき、微細多層配線が可能な多層配線基板に関す
るものである。
(従来の技術) 従来、この種の集積度の高いLSI実装用基板としては
、微細多層配線が可能なガラスクロスエポキシ多層配線
基板、ガラスクロスポリイミド多層配線基板等が用いら
れている。
ガラスクロスエポキシ、ガラスクロスポリイミド等の多
層配線基板は、ガラスクロスに樹脂を含侵し、複数の導
体層である銅箔を、前記樹脂層を介して積層した構造と
なっている。その作成方法について、以下第1図に従っ
て述べると、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等をガラス
等から成る繊維を織ったクロス等の補強基材に含浸後、
乾燥させ、プリプレグ2を作成する。このプリプレグ2
を所定の大きさに切断し、1枚または、複数を内層回路
3、銅箔1とともに重ねて、加熱プレスによって成形し
て得られる。
回路基板用補強基材の種類としては、ガラスクロス、ガ
ラスペーパー、ガラスマット、ガラスフェルト、紙、高
耐熱ポリアミドペーパー、アラミド繊維クロス等が使用
されている。
(発明が解決しようとする課題) 前述したように、現在高速化に対して多層配線基板用樹
脂としては、ポリイミド、エポキシ樹脂が主に使用され
ているが、これらの樹脂の誘電率は、3.5〜4.5で
ある。また、補強材として用いられるガラスクロスのガ
ラス骨材の誘電率は成分中の石英(8102)の比率が
増すほど誘電率は低くなる。すなわちSiO2の割合が
99.97%のシリカガラス(Qガラス)の誘電率は、
3.9であり、成分中の8102の割合が73%のDガ
ラスの誘電率は、4.6で、成分中の5i02の割合が
54%のEガラスで7.2程度である。これらの材料を
組み合わせて前述した方法にて、配線基板とするが、出
来上がった基板の誘電率は、4〜4.5となっているの
が現状である。従って、これらの多層配線基板にLSI
を実装した場合、高速演算時および高周波通信時の遅延
時間が長くなるという欠点がある。即ち、多層配線基板
を含めた導体内の電気信号伝播速度Vは、次式で示され
る。
即ち、誘電率εが小さいほど、電気信号伝播速度■が速
くなり、高速演算が実現できる。
なお誘電率は、ASTM D150の測定方法において
、10Hzの周波数での値を用いる。
(課題を解決するための手段) 前述したように、コンピュータ等の高速化に対して、多
層配線基板は、誘電率4〜4.5と大きいため遅延時間
が大きく、高速化への律速となっている。この律速を解
決するために鋭意工夫を行った。その結果、本発明の多
層配線基板は、誘電率が2.6の低誘電率樹脂であるベ
ンゾシクロブテンを補強機材に含侵させた後プリプレグ
を作成し、複数の導体層をプリプレグを介して積層した
構造となっているので、低誘電率配線基板を容易に得ら
れることができる。
(実施例1) 以下、実施例により本発明の低誘電率配線基板について
具体的に説明するが、本発明は、これら実施例に限定さ
れるものではない。
40%濃度のベンゾシクロブテンのジメチルフォルムア
ミド溶液を、成分中の8i02の割合が73%で誘電率
が4.6のDガラス(日本電気硝子社製)より成る厚さ
0.15mmのクロスに含侵させ、80°Cで乾燥し、
プリプレグを得た。このプリプレグ3枚を積層し、更に
その最上面及び最下面にそれぞれ40pmの銅箔をを配
置し、これらを熱板の間に入れ、温度250°C1圧力
30kg/cmの条件で10時間加熱加圧して、積層体
を形成した。このものの誘電率は、3.4であった。
(比較例1) 45%濃度のポリイミド(日本ポリイミド社製ケルイミ
ド60工(商品名〕)のN−メチルピロリドン溶液を、
成分中の8102の割合が73%で誘電率が4.6のD
ガラス日本電気硝子社製)より成る厚さ0.15mmの
クロスに含侵させ、120°Cで乾燥し、プリプレグを
得た。
このプリプレグ3枚を積層し、更にその最上面及び最下
面にそれぞれ40pmの銅箔をを配置し、これらを熱板
の間に入れ、温度180°C1圧力50kg/cmの条
件で1時間、更に温度250°C1圧力50kg/cm
の条件で24時間加熱加圧して、積層体を形成した。こ
のものの誘電率は、4.5であった。
(実施例2) 30%濃度のベンゾシクロブテンのヘキサン溶液を、成
分中の8i0の割合が99.999%で誘電率が3.8
のシリカガラス(旭硝子社製)より成る厚さ0.1mm
のクロスに含侵させ、60’Cで乾燥し、プリプレグを
得た。このプリプレグ3枚を積層し、更にその最上面及
び最下面にそれぞれ401mの銅箔をを配置し、これら
を熱板の間に入れ、温度250°C1圧力30kg/c
mの条件で5時間加熱加圧して、積層体を形成した。こ
のものの誘電率は、2.9であった。
(比較例2) 40%濃度のポリイミド(日本ポリイミド社製ケルイミ
ド601(商品名))のN−メチルピロリドン溶液を、
成分中の8102の割合が99.999%で誘電率が3
.8のシリカガラス(旭硝子社製)より成る厚さ0.1
mmのクロスに含侵させ、120°Cで乾燥し、プリプ
レグを得た。このプリプレグ3枚を積層し、更にその最
上面及び最下面にそれぞれ40μmの銅箔をを配置し、
これらを熱板の間に入れ、温度180°C1圧力50k
g/cm2の条件で1時間、更に温度250°C1圧力
50kg/cmの条件で24時間加熱加圧して、積層体
を形成した。
このものの誘電率は、4.1であった。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明の多層配線基板は、低誘電
率の樹脂であるベンゾシクロブテンを用いているので、
従来の多層配線基板に比べて誘電率が低くなり、コンピ
ュータ等の電気信号伝播の遅延時間を短くできる効果が
ある。
同時に、ベンゾシクロブテンは、低吸湿性の樹脂である
ため、マイグレーションに対しても非常に効果的である
【図面の簡単な説明】
第1図は、多層配線基板の構成の一例を示す図である。 図において、1・・・銅箔、2・・・プリプレグ、3・
・・内層回路。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)補強基材にベンゾシクロブテン樹脂を含侵して樹
    脂層を形成し、複数の導体層を上記ベンゾシクロブテン
    樹脂層を介して積層したことを特徴とする低誘電率配線
    基板。
  2. (2)補強基材がシリカガラスより成る特許請求の範囲
    第1項記載の低誘電率配線基板。
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