JPH04178382A - ジアリールエテン誘導体及びその製造方法 - Google Patents
ジアリールエテン誘導体及びその製造方法Info
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- JPH04178382A JPH04178382A JP30297990A JP30297990A JPH04178382A JP H04178382 A JPH04178382 A JP H04178382A JP 30297990 A JP30297990 A JP 30297990A JP 30297990 A JP30297990 A JP 30297990A JP H04178382 A JPH04178382 A JP H04178382A
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- 150000001988 diarylethenes Chemical class 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- HQALDKFFRYFTKP-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[4-(2-benzyl-1-benzothiophen-3-yl)phenyl]-2-bromo-6-(3-methoxyphenyl)phenoxy]acetic acid Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C(=C(Br)C=C(C=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3SC=2CC=2C=CC=CC=2)OCC(O)=O)=C1 HQALDKFFRYFTKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 4
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 9
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 238000006138 lithiation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 claims description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 photometers Substances 0.000 description 7
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 6
- 150000001502 aryl halides Chemical class 0.000 description 6
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150041968 CDC13 gene Proteins 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N Trichloro(2H)methane Chemical compound [2H]C(Cl)(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- ZCSHNCUQKCANBX-UHFFFAOYSA-N lithium diisopropylamide Chemical compound [Li+].CC(C)[N-]C(C)C ZCSHNCUQKCANBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBMDPYAEZDJWNY-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,3,4,4,5,5-octafluorocyclopentene Chemical compound FC1=C(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F YBMDPYAEZDJWNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLRVZFYXUZQSRU-UHFFFAOYSA-N 1-chlorohexane Chemical compound CCCCCCCl MLRVZFYXUZQSRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZYUMXXOAYSFOW-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1C BZYUMXXOAYSFOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBMOVUILDUBRGH-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,5,5,5-hexafluoropent-1-ene Chemical compound FC(F)(F)C(F)C(F)(F)C=C RBMOVUILDUBRGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFTBGTKQMKDPOQ-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-2-methyl-1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C(Br)=C(C)SC2=C1 WFTBGTKQMKDPOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEQVCPKISCKMOQ-UHFFFAOYSA-N 3h-benzo[f][1,2]benzoxazine Chemical class C1=CC=CC2=C(C=CNO3)C3=CC=C21 QEQVCPKISCKMOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000511976 Hoya Species 0.000 description 1
- 229930194542 Keto Natural products 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940054051 antipsychotic indole derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000004042 decolorization Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- CCZVEWRRAVASGL-UHFFFAOYSA-N lithium;2-methanidylpropane Chemical compound [Li+].CC(C)[CH2-] CCZVEWRRAVASGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N lithium;2-methylpropane Chemical compound [Li+].C[C-](C)C UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、新規なジアリールエテン誘導体及びその製造
方法に係り、更に詳しくは、フォトクロミック性を有し
、光記録材料などに好適なジアリールエテン誘導体及び
その製造方法に関する。
方法に係り、更に詳しくは、フォトクロミック性を有し
、光記録材料などに好適なジアリールエテン誘導体及び
その製造方法に関する。
(従来の技術)
近年、記録・記憶材料、複写材料、APJ光材料。
印刷感光体、レーザ用感光体、マスキング材料7光量計
あるいは表示材料に利用される光照射により可逆的に色
相変化する種々の7オトクロミ’7り性を有する化合物
が提案されている。
あるいは表示材料に利用される光照射により可逆的に色
相変化する種々の7オトクロミ’7り性を有する化合物
が提案されている。
例えば、それらのフォトクロミック化合物とじてヘンヅ
スピロピラン類、ナフトオキサジン類。
スピロピラン類、ナフトオキサジン類。
フルギド類、ジアヅ化合物あるいはジアリールエテノ類
等の化合物が提案されている。
等の化合物が提案されている。
そして、このようなフォトクロミック化合物を可逆的な
光記録材料に応用するためには特に次のような性能が要
求される。すなわち、(1)記録の安定性、(2)繰り
返し耐久性、(3)高い感度、(4ン半導体レーザー怒
受性等である。ところが、前記既存のフォトクロミック
化合物は、一般に着色状態又は消色状態のどちらか一方
が熱的に不安定であり、室温に於いても数時間以内によ
り安定な状態に戻るため、記録の安定性が確保できない
という欠点を有している。
光記録材料に応用するためには特に次のような性能が要
求される。すなわち、(1)記録の安定性、(2)繰り
返し耐久性、(3)高い感度、(4ン半導体レーザー怒
受性等である。ところが、前記既存のフォトクロミック
化合物は、一般に着色状態又は消色状態のどちらか一方
が熱的に不安定であり、室温に於いても数時間以内によ
り安定な状態に戻るため、記録の安定性が確保できない
という欠点を有している。
又、光照射による二つの状態が熱的には比較的安定なも
のとして、フルギド類やノアリールエテノ類が知られて
いるが、記録材料に応用するには水分や酸素二二対する
安定性が十分でなかったり、あるいは、着色状態での吸
収が低波長にあるため、光記録材料に簡便に使用できる
半導体レーザーに感受性がないといった問題点か残って
おり、未だ光記録材料として十分満足な性能を存するフ
ォトクロミック化合物がないのが現状である。
のとして、フルギド類やノアリールエテノ類が知られて
いるが、記録材料に応用するには水分や酸素二二対する
安定性が十分でなかったり、あるいは、着色状態での吸
収が低波長にあるため、光記録材料に簡便に使用できる
半導体レーザーに感受性がないといった問題点か残って
おり、未だ光記録材料として十分満足な性能を存するフ
ォトクロミック化合物がないのが現状である。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は、このような事情に鑑み、なされたものであっ
て、その目的とするところは、記録が熱。
て、その目的とするところは、記録が熱。
水分等に対して安定で、繰り返し耐久性に優れ、かつ半
導体レーザーに感受性を有する等フォトクロミンク材料
として優れた特性を有するジアリールエテン誘導体及び
その製造方法を提供するにある。
導体レーザーに感受性を有する等フォトクロミンク材料
として優れた特性を有するジアリールエテン誘導体及び
その製造方法を提供するにある。
帽1を解決するための手段)
上述の目的は、下記−船蔵(1)にて示されるジアリー
ルエテン誘導体。
ルエテン誘導体。
並びに、下記−船蔵(2)
(ただし、式中×1 は臭素原子又はヨウ素原子)(を
表わす。R・ は前記に同し。 ]にて示
されるインドール誘導体と、下記−船蔵(3)にて示さ
れるベンゾチオフェン誘導体又はチオフェン誘導体とを
、ブチルリチウム又はリチウムジアルキルアミドのり千
オ化剤と反応して得たアリールリチオ化物と、−船蔵(
5) (ただし式中nは2〜5の整数を表わす、)にて示され
るパーフルオロアルケン化合物と反応せしめることを特
徴とするジアリールエテン誘導体の製造方法により達成
される。
表わす。R・ は前記に同し。 ]にて示
されるインドール誘導体と、下記−船蔵(3)にて示さ
れるベンゾチオフェン誘導体又はチオフェン誘導体とを
、ブチルリチウム又はリチウムジアルキルアミドのり千
オ化剤と反応して得たアリールリチオ化物と、−船蔵(
5) (ただし式中nは2〜5の整数を表わす、)にて示され
るパーフルオロアルケン化合物と反応せしめることを特
徴とするジアリールエテン誘導体の製造方法により達成
される。
本発明のジアリールエテン誘導体は、前記−船蔵(1)
で表わされるものであり、nは2〜5の整数で、二重結
合と共同して、4〜7員環の環状構造を有する、中でも
nが3又は4の5又は6員環が特に好ましいフォトクロ
ミック特性を示す。
で表わされるものであり、nは2〜5の整数で、二重結
合と共同して、4〜7員環の環状構造を有する、中でも
nが3又は4の5又は6員環が特に好ましいフォトクロ
ミック特性を示す。
基を表わすが、メチル基、エチル基又はプロピル基が好
ましい。
ましい。
R2,R3はアルキル基又はシアノ基を表わすが、メチ
ル基、エチル基、プロピル基又はシアノ基が好ましい。
ル基、エチル基、プロピル基又はシアノ基が好ましい。
本発明の一般式(1)にて示されるジアリールエテン誘
導体は種々の方法により製造可能であるが、好適な製造
方法の一例を挙げると次の通りである。
導体は種々の方法により製造可能であるが、好適な製造
方法の一例を挙げると次の通りである。
まず前記−船蔵(2)及び(3)又は(4)で示される
アリールハライド、即ちインドール誘導体及びベンゾチ
オフェン誘導体又はチオフェン誘導体をブチルリチウム
又はリチウムジアルキルアミドと反応させ、ハロゲンを
リチウムに置換した了り−ルリチオ化物とする。溶媒と
してはテトラハイドロフランやジエチルエーテル等のエ
ーテル系溶媒が好ましく用いられる。2種類のアリール
ハライドは通常等モル使用すれば良い。リチオ化剤のブ
チルリチウム、リチウムジアルキルアミドとしては、n
−ブチルリチウム、i−ブチルリチウム。
アリールハライド、即ちインドール誘導体及びベンゾチ
オフェン誘導体又はチオフェン誘導体をブチルリチウム
又はリチウムジアルキルアミドと反応させ、ハロゲンを
リチウムに置換した了り−ルリチオ化物とする。溶媒と
してはテトラハイドロフランやジエチルエーテル等のエ
ーテル系溶媒が好ましく用いられる。2種類のアリール
ハライドは通常等モル使用すれば良い。リチオ化剤のブ
チルリチウム、リチウムジアルキルアミドとしては、n
−ブチルリチウム、i−ブチルリチウム。
t−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、
リチウムジシクロへキンルアミド等が挙げられるが、n
−ブチルリチウムのヘキサン溶液が好適に用いられるう
す千オ化剤の量は、アリールハライドの総量に対して0
.9〜1.1倍モル使用するのが好ましい。
リチウムジシクロへキンルアミド等が挙げられるが、n
−ブチルリチウムのヘキサン溶液が好適に用いられるう
す千オ化剤の量は、アリールハライドの総量に対して0
.9〜1.1倍モル使用するのが好ましい。
反応温度は、−45〜−120℃で、好ましくは−70
〜−110℃の低温で行なう。反応時間は通常20分〜
3時間で、好ましくは30分〜2時間である。
〜−110℃の低温で行なう。反応時間は通常20分〜
3時間で、好ましくは30分〜2時間である。
次に、生成したアリールリチオ化物に前記−船蔵(5)
で示されるパーフルオロシクロアルケン化合物を添加す
るが、使用するパーフルオロシクロアルケン化合物の量
はアリールハライドの総量に対して0.9〜1.1倍モ
ル用いるのが好ましく、希釈せずにあるいは溶媒に希釈
して添加することができる。通常反応温度は−60〜−
110℃で、反応時間は30分〜5時間である。反応終
了後、すぐに水を加えて反応を完了させても、又室温ま
で反応液温を戻してから反応を完結させても良い。
で示されるパーフルオロシクロアルケン化合物を添加す
るが、使用するパーフルオロシクロアルケン化合物の量
はアリールハライドの総量に対して0.9〜1.1倍モ
ル用いるのが好ましく、希釈せずにあるいは溶媒に希釈
して添加することができる。通常反応温度は−60〜−
110℃で、反応時間は30分〜5時間である。反応終
了後、すぐに水を加えて反応を完了させても、又室温ま
で反応液温を戻してから反応を完結させても良い。
製造方法として上記のように一般式(2)及び(3)又
は(4)で示されるインドール誘導体及びベンゾチオフ
ェン誘導体又はチオフェン誘導体の2種類のアリールハ
ライドを同時に反応させる方法とは別に、1種類づつ順
次反応させる方法も採用できる。すなわち、まず一方の
7リールハライドをリチオ化し、バーフルオロンクロア
ルケン化合物を添加して、一つアリール基が導入された
一般式(6)又は(7)で示されるモノアリールエテン
誘導体とする。
は(4)で示されるインドール誘導体及びベンゾチオフ
ェン誘導体又はチオフェン誘導体の2種類のアリールハ
ライドを同時に反応させる方法とは別に、1種類づつ順
次反応させる方法も採用できる。すなわち、まず一方の
7リールハライドをリチオ化し、バーフルオロンクロア
ルケン化合物を添加して、一つアリール基が導入された
一般式(6)又は(7)で示されるモノアリールエテン
誘導体とする。
〔ただし、式中、n、A、Bは前記に同じ。〕次に、も
う一方のアリールハライドをリチオ化削でアリールリチ
オ化物とし、前述のモノアリールエテン誘導体と反応さ
せる方法である。モノアリールエテン誘導体は反応液そ
のまま、又は単離して用いることができる。
う一方のアリールハライドをリチオ化削でアリールリチ
オ化物とし、前述のモノアリールエテン誘導体と反応さ
せる方法である。モノアリールエテン誘導体は反応液そ
のまま、又は単離して用いることができる。
後者の逐次反応では、2種類のアリール基の導入された
目的とするジアリールエテン系化合物を選択的に得る利
点を存する。
目的とするジアリールエテン系化合物を選択的に得る利
点を存する。
前述の方法で得られた反応物からジアリールエテン系化
合物を得るには、抽出1 カラムクロマトグラフィー、
再結晶等の方法を用いて分離、精製すれば良い。
合物を得るには、抽出1 カラムクロマトグラフィー、
再結晶等の方法を用いて分離、精製すれば良い。
本発明のジアリールエテン化合物;よ、その−例として
、1−(1,2−ジメチル−3−イ〉′トシル)−2−
(2−メチル−3−へンヅチェニル)−3゜3、4.4
.5.5−へキサフルオロシクロペンテンの例について
説明すると、下記(8)弐のように紫外光を吸収すると
閉環体に変化して青色になる。
、1−(1,2−ジメチル−3−イ〉′トシル)−2−
(2−メチル−3−へンヅチェニル)−3゜3、4.4
.5.5−へキサフルオロシクロペンテンの例について
説明すると、下記(8)弐のように紫外光を吸収すると
閉環体に変化して青色になる。
また、この閉環体に可視光を照射すると、元の開環体に
戻り、消色する。
戻り、消色する。
本発明のジアリールエテン誘導体は、着色状態も消色状
態も熱安定性が高く、又水分に対しても安定で、長期間
変化せず、良好に保持される。
態も熱安定性が高く、又水分に対しても安定で、長期間
変化せず、良好に保持される。
又、着消色の繰り返し耐久性にも優れ、可逆的な光情報
記録材料に有利に使用することができる。
記録材料に有利に使用することができる。
着色状態の吸収極大波長が570nm以上にあり、吸収
端も700 nmを超えるので、670nm又は780
nmの発振波長を有する半導体レーザーを使用すること
ができ、光記録材料に好適に用いることができる。
端も700 nmを超えるので、670nm又は780
nmの発振波長を有する半導体レーザーを使用すること
ができ、光記録材料に好適に用いることができる。
本発明の新規ジアリールエテン系フォトクロミック化合
物を含有する記録層を利用した光記録材料は、公知の方
法で容易に得ることができる。
物を含有する記録層を利用した光記録材料は、公知の方
法で容易に得ることができる。
例えば、本発明のジアリールエテン誘導体を、公知の蒸
着法により、適当な基板上に蒸着する方法、本発明のジ
アリールエテン誘導体を、ポリエステル樹脂、ポリスチ
レン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、
ポリビニルブチラール樹脂、ポリメチルメタクリル酸樹
脂、ポリカーボヱイト樹脂、フェア1−ル樹脂、ユボキ
ー・樹脂等のl MMバインダーと共に、ヘンゼン、ト
ルエン。
着法により、適当な基板上に蒸着する方法、本発明のジ
アリールエテン誘導体を、ポリエステル樹脂、ポリスチ
レン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、
ポリビニルブチラール樹脂、ポリメチルメタクリル酸樹
脂、ポリカーボヱイト樹脂、フェア1−ル樹脂、ユボキ
ー・樹脂等のl MMバインダーと共に、ヘンゼン、ト
ルエン。
ヘキサン、ンクロヘキサン、メチルエチルケト〕アセト
ン、メタノール2 エタ、2ノール、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、四塩化炭素、クロロホルム等の溶媒に
分散又は溶解させて、適当な基板上に塗布する方法、本
発明のジアリールエテン誘導体を前記のような溶媒に溶
解し、ガラスセル等に封入する方法、等により、記録層
を形成するごとによって、光記録材料とすることができ
る。
ン、メタノール2 エタ、2ノール、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、四塩化炭素、クロロホルム等の溶媒に
分散又は溶解させて、適当な基板上に塗布する方法、本
発明のジアリールエテン誘導体を前記のような溶媒に溶
解し、ガラスセル等に封入する方法、等により、記録層
を形成するごとによって、光記録材料とすることができ
る。
(発明の効果)
以上のように、本発明のノア1.1−ルエテン誘導体は
、熱安定性、耐湿性に優れ、かつ発消色の繰り返し耐久
性の良好なフォトクロミック性を有するとともに、着色
、消色の感度が高く、量産されている半導体レーザーに
感受性を存するので、これを用いれば性能の優れた可逆
的光記録材料などを得ることができる。
、熱安定性、耐湿性に優れ、かつ発消色の繰り返し耐久
性の良好なフォトクロミック性を有するとともに、着色
、消色の感度が高く、量産されている半導体レーザーに
感受性を存するので、これを用いれば性能の優れた可逆
的光記録材料などを得ることができる。
又、本発明方法二こよれば、容易にかつ安価3こ−;ア
リールエテン誘導体を製造できる。
リールエテン誘導体を製造できる。
以下二二、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
実施例1
(1) 1−(1,2−ジメチルインドリル)−2−
(2−ノアノー3.5−ジメチル−4−チエニル)−3
,3,4,4,5,5−へキサフルオロノクロペンテン
の合成 100mj2の3つロフラスコに1.2−ツメチル−3
−ブロモインドール2.24 g (10mmo l)
と4−ヨウ化−2−シアノ−3,5−ジメチルチオフェ
ン2.63g (lommoffi)とテトラハイドロ
フラン40mffを入れ、窒素気流下で一100°Cに
冷却後、n−ブチルリチウムヘキサン溶液10mmof
fiを滴下し、30分間攪拌した。次にパーフルオロシ
クロペンテン2.12g(10mmo ff)のテトラ
ハイドロフラン7容液10m1を15分間で滴下、1時
間反応させた後、2時間かけて徐々に室温に戻した。
(2−ノアノー3.5−ジメチル−4−チエニル)−3
,3,4,4,5,5−へキサフルオロノクロペンテン
の合成 100mj2の3つロフラスコに1.2−ツメチル−3
−ブロモインドール2.24 g (10mmo l)
と4−ヨウ化−2−シアノ−3,5−ジメチルチオフェ
ン2.63g (lommoffi)とテトラハイドロ
フラン40mffを入れ、窒素気流下で一100°Cに
冷却後、n−ブチルリチウムヘキサン溶液10mmof
fiを滴下し、30分間攪拌した。次にパーフルオロシ
クロペンテン2.12g(10mmo ff)のテトラ
ハイドロフラン7容液10m1を15分間で滴下、1時
間反応させた後、2時間かけて徐々に室温に戻した。
反応終了後、50m1の水を滴下した。ノエチルエーテ
ルで3回抽出し、エーテル層を集め、乾燥後、エーテル
を留去した。反応生成物をシリカゲルのカラムクロマト
グラフィーを用いて分離。
ルで3回抽出し、エーテル層を集め、乾燥後、エーテル
を留去した。反応生成物をシリカゲルのカラムクロマト
グラフィーを用いて分離。
精製した結果、下記構造の1−(1,2−ジメチル−3
−インドリル)−2−(2−シアノ−3,5−ジメチル
ー4−チエニル) −3,3,4,4,5,5−ヘキサ
フルオロシクロペンチル1.41 g (収率31%)
を淡かっ色結晶として得た。
−インドリル)−2−(2−シアノ−3,5−ジメチル
ー4−チエニル) −3,3,4,4,5,5−ヘキサ
フルオロシクロペンチル1.41 g (収率31%)
を淡かっ色結晶として得た。
分析値:
(1) ’H−NMR(CDC13中)δ(ppm)
2.07(s、3H)2.12(s、3H) 2.34(s、3H) 3.64(s、3H) 7.12〜7.57 (m、 4H)(II) MS
(m/e) 454 (M”)439 (M−C
Hs) (Ill) I R(cm−’) 2216 (
+’cHN)(2) フォトクロミンク性 上記で合成した化合物をヘンゼンに10−4モル/1に
なるように溶解して得た透明な溶液を1×lX4cmの
石英ガラスセルに入れ、これにガラスフィルター(U−
330,HOYA社製)を装着した100W水銀灯(オ
スラム社製)により紫外光を30秒間照射したところ緑
色に着色した。
2.07(s、3H)2.12(s、3H) 2.34(s、3H) 3.64(s、3H) 7.12〜7.57 (m、 4H)(II) MS
(m/e) 454 (M”)439 (M−C
Hs) (Ill) I R(cm−’) 2216 (
+’cHN)(2) フォトクロミンク性 上記で合成した化合物をヘンゼンに10−4モル/1に
なるように溶解して得た透明な溶液を1×lX4cmの
石英ガラスセルに入れ、これにガラスフィルター(U−
330,HOYA社製)を装着した100W水銀灯(オ
スラム社製)により紫外光を30秒間照射したところ緑
色に着色した。
その吸収スペクトルは第1図に実線で示すものか−ら6
28nmに極大吸収を持つ点線で示すものに変化した。
28nmに極大吸収を持つ点線で示すものに変化した。
次に、緑色着色状態の溶液にカントフィルター(日本真
空光学社製)を装着した100Wの水銀灯により500
nm以上の可視光を30秒間照射したところただちに消
色し、元の透明の状態に変化した。この変化は可逆的に
繰り返すことができた。
空光学社製)を装着した100Wの水銀灯により500
nm以上の可視光を30秒間照射したところただちに消
色し、元の透明の状態に変化した。この変化は可逆的に
繰り返すことができた。
繰り返し耐久性(可逆的着色消色サイクル耐性)二上記
で合成した化合物の10mgをポリメチルメタクリレー
ト100mgとともにトルエン1mlに溶解し、これを
lX3cm角の石英ガラス板上にスピンコーティング法
により塗布、乾燥して記録層を作成した。この記録層の
吸収スペクトルの636amにおける吸光度は0.04
1であった。
で合成した化合物の10mgをポリメチルメタクリレー
ト100mgとともにトルエン1mlに溶解し、これを
lX3cm角の石英ガラス板上にスピンコーティング法
により塗布、乾燥して記録層を作成した。この記録層の
吸収スペクトルの636amにおける吸光度は0.04
1であった。
この記録層に360nmの干渉フィルター(日本真空光
学社製)を装着した100Wキセノンランプ(浜松ホト
ニクス社製)により紫外光を60秒間照射し全面着色状
態にした。得られた着色状態の吸収スペクトルの636
nmにおける吸光度は0、432であった。次にこの着
色状態の記録層に670nmの干渉フィルター(日本真
空光学社製)を装着した100Wキセノンランプにより
赤色光を60秒間照射したところ消色し、この記録層の
吸収スペクトルの吸光度は0.041に戻った。この紫
外光、可視光の交互の照射により着色消色を1サイクル
として、繰り返し耐久性試験を行った。
学社製)を装着した100Wキセノンランプ(浜松ホト
ニクス社製)により紫外光を60秒間照射し全面着色状
態にした。得られた着色状態の吸収スペクトルの636
nmにおける吸光度は0、432であった。次にこの着
色状態の記録層に670nmの干渉フィルター(日本真
空光学社製)を装着した100Wキセノンランプにより
赤色光を60秒間照射したところ消色し、この記録層の
吸収スペクトルの吸光度は0.041に戻った。この紫
外光、可視光の交互の照射により着色消色を1サイクル
として、繰り返し耐久性試験を行った。
この結果を第2図に示した。第2図に示すように100
回繰り返した時点での吸収スペクトルの535nmの吸
光度は消色状態で0.043 、着色状態で0.413
であった。300回繰り返した後も消色状態が0.04
7 、着色状態が0.384と優れた繰り返し耐久性を
有していた。
回繰り返した時点での吸収スペクトルの535nmの吸
光度は消色状態で0.043 、着色状態で0.413
であった。300回繰り返した後も消色状態が0.04
7 、着色状態が0.384と優れた繰り返し耐久性を
有していた。
(41保存安定性:
繰り返し耐久性で使用したものと同様にして作製した記
録層の2枚のうち一方を紫外光により着色し、他方を未
着色のまま、アルミホイルで遮光し、温度80℃、65
%RHの恒温恒湿槽に入れ、吸光度の変化を観察した。
録層の2枚のうち一方を紫外光により着色し、他方を未
着色のまま、アルミホイルで遮光し、温度80℃、65
%RHの恒温恒湿槽に入れ、吸光度の変化を観察した。
その結果を第3図に示しであるが、30日間経過しても
吸光度の変化はほとんどなく、託録を安定に保存するこ
とができた。
吸光度の変化はほとんどなく、託録を安定に保存するこ
とができた。
実施例2
(1) 1−(1,2−ジメチル−3−インドリル)
−2−(3−ノアノー2,5−ジメチルー4−チエニル
) −3,3,4,4,5,5−ヘキサフルオロシクロ
ペンテンの合成 実施例1の4−ヨウ化−2−シアノ−3,5−ジメチル
チオフェンの代わりに4−ヨウ化−3−シアノ−2,5
−ジメチルチオフェン2.63g(10mmoA)を用
いる以外は、実施例1と同様の操作により、下記構造の
1−(C2−ジメチル−3−インドリル)−2−(3−
シアノ−2,5−ジメチル−4−チエニル) −3,3
,4,4,5,5−ヘキサフルオロシクロペンテン1.
27g(収率28%)を分析値: (1) ’H−NMR(CDC13中)δ (pp霞
) 2.1 6 (s’、 3H)2.
24(s、3H) 2.50(s、3H) 3.64(s、3H) 7.09〜7.52 (m、 4H)(II) MS
(m/e) 454 (M”)(I[l) I
R(cm−’) 2228 (νc=s)(2)
フォトクロミック性 実施例1と同様にして、紫外光を照射したところ、57
1nmに吸収極大を持ち、青色に変化した0次に670
nmの可視光を照射したところ元の無色に戻り、この変
化は可逆的で、300回以上繰り返すことができた。又
、実施例1と同様に着色、消色状態の安定性を測定した
ところ、温度80℃、湿度65%RHの雰囲気中で、3
0日間経過しても吸光度の変化はほとんどなく、安定に
保存することができた。
−2−(3−ノアノー2,5−ジメチルー4−チエニル
) −3,3,4,4,5,5−ヘキサフルオロシクロ
ペンテンの合成 実施例1の4−ヨウ化−2−シアノ−3,5−ジメチル
チオフェンの代わりに4−ヨウ化−3−シアノ−2,5
−ジメチルチオフェン2.63g(10mmoA)を用
いる以外は、実施例1と同様の操作により、下記構造の
1−(C2−ジメチル−3−インドリル)−2−(3−
シアノ−2,5−ジメチル−4−チエニル) −3,3
,4,4,5,5−ヘキサフルオロシクロペンテン1.
27g(収率28%)を分析値: (1) ’H−NMR(CDC13中)δ (pp霞
) 2.1 6 (s’、 3H)2.
24(s、3H) 2.50(s、3H) 3.64(s、3H) 7.09〜7.52 (m、 4H)(II) MS
(m/e) 454 (M”)(I[l) I
R(cm−’) 2228 (νc=s)(2)
フォトクロミック性 実施例1と同様にして、紫外光を照射したところ、57
1nmに吸収極大を持ち、青色に変化した0次に670
nmの可視光を照射したところ元の無色に戻り、この変
化は可逆的で、300回以上繰り返すことができた。又
、実施例1と同様に着色、消色状態の安定性を測定した
ところ、温度80℃、湿度65%RHの雰囲気中で、3
0日間経過しても吸光度の変化はほとんどなく、安定に
保存することができた。
実施例3
(111−(1,2−ジメチル−3−インドリル)−2
−(2−メチル−3−ベンゾチエニル)−3゜3、4.
4.5.5−ヘキサフルオロシクロペンテンの合成 実施例1の4−ヨウ化−2−シアノ−3,5−ジメチル
チオフェンの代わりに3−ブロモ−2−メチルベンゾチ
オフェン2.27 g (10mmo jりを用いる以
外は、実施例1と同様の操作により、下記構造の1−(
1,2−ジメチル−3−インドリル)−2−(2−メチ
ル−3−ベンゾチエニル)−3,3,4,4,5,5−
へキサフルオ口シク口ペンテン2.18g(収率47%
)を淡黄色結晶として得た。
−(2−メチル−3−ベンゾチエニル)−3゜3、4.
4.5.5−ヘキサフルオロシクロペンテンの合成 実施例1の4−ヨウ化−2−シアノ−3,5−ジメチル
チオフェンの代わりに3−ブロモ−2−メチルベンゾチ
オフェン2.27 g (10mmo jりを用いる以
外は、実施例1と同様の操作により、下記構造の1−(
1,2−ジメチル−3−インドリル)−2−(2−メチ
ル−3−ベンゾチエニル)−3,3,4,4,5,5−
へキサフルオ口シク口ペンテン2.18g(収率47%
)を淡黄色結晶として得た。
分析値:
(1) ’H−NMR(CDCI、中)δ(ppm)
1.91 (s、 3H)2.23(s、3H
) 3.41 (s、3H) 7.07〜7.66 (m、 8 H)(II) M
S (m/e) 465 (M゛)(2) フォト
クロミック性 実施例1と同様にして、紫外光を照射したところ、57
2nmに吸収極大を持ち、青色に変化した。次に670
nmの可視光を照射したところ元の無色に戻り、この変
化は可逆的で、300回以上繰り返すことができた。又
、実施例1と同様に着色、消色状態の安定性を測定した
ところ、温度80℃、湿度65%RHの雰囲気の中で、
30日間経過しても吸光度の変化はほとんどなく、安定
に保存することができた。
1.91 (s、 3H)2.23(s、3H
) 3.41 (s、3H) 7.07〜7.66 (m、 8 H)(II) M
S (m/e) 465 (M゛)(2) フォト
クロミック性 実施例1と同様にして、紫外光を照射したところ、57
2nmに吸収極大を持ち、青色に変化した。次に670
nmの可視光を照射したところ元の無色に戻り、この変
化は可逆的で、300回以上繰り返すことができた。又
、実施例1と同様に着色、消色状態の安定性を測定した
ところ、温度80℃、湿度65%RHの雰囲気の中で、
30日間経過しても吸光度の変化はほとんどなく、安定
に保存することができた。
第1図は実施例1で合成した化合物のベンゼン溶液中の
吸収スペクトルの光変化を示す線図である。第2図は実
施例1で作製した光記録層の紫外光および可視光の交互
照射にともなう636 nmにおける吸光度の変化を示
した線図である。又、第3図は実施例1で作製した光記
録層の着色及び消色状態での80℃に於ける経日変化を
示した図である。 第1図 100 7カj(Jl 第3r11 経過日数(臼)
吸収スペクトルの光変化を示す線図である。第2図は実
施例1で作製した光記録層の紫外光および可視光の交互
照射にともなう636 nmにおける吸光度の変化を示
した線図である。又、第3図は実施例1で作製した光記
録層の着色及び消色状態での80℃に於ける経日変化を
示した図である。 第1図 100 7カj(Jl 第3r11 経過日数(臼)
Claims (2)
- (1)下記一般式(1)にて示されるジアリールエテン
誘導体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(1) 〔ただし、式中nは2〜5の整数、Aは ▲数式、化学式、表等があります▼、Bは▲数式、化学
式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼を表わす。R^1は
アルキル 基、R^2、R^3はアルキル基又はシアノ基を表わす
〕 - (2)下記一般式(2) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(2) 〔ただし、式中X^1は臭素原子又はヨウ素原子を表わ
す。R^1は前記に同じ。〕 にて示されるインドール誘導体と、下記一般式(3)又
は(4) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(3)▲数式
、化学式、表等があります▼・・・(4) 〔ただし、式中X^2、X^3は臭素原子又はヨウ素原
子を表わす。R^2、R^3は前記に同じ。〕 にて示されるベンゾチオフェン誘導体又はチオフェン誘
導体とを、ブチルリチウム又はリチウムジアルキルアミ
ドのリチオ化剤と反応して得たアリールリチオ化物と、
一般式(5)▲数式、化学式、表等があります▼・・・
(5) (ただし式中nは2〜5の整数を表わす。)にて示され
るパーフルオロアルケン化合物と反応せしめることを特
徴とするジアリールエテン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30297990A JP2548688B2 (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | ジアリールエテン誘導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30297990A JP2548688B2 (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | ジアリールエテン誘導体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04178382A true JPH04178382A (ja) | 1992-06-25 |
| JP2548688B2 JP2548688B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=17915471
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30297990A Expired - Lifetime JP2548688B2 (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | ジアリールエテン誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2548688B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6479604B1 (en) | 1998-08-17 | 2002-11-12 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Diarylethene compound, photochromic diarylethene type copolymer and method for the production of the same |
| US6846934B2 (en) | 2001-03-06 | 2005-01-25 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Photochromic diarylethene substituted with isoxazole group |
| WO2007105620A1 (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Kyoto University | ジアリールエテン化合物の製造方法、及び新規ジアリールエテン化合物 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2793714B2 (ja) | 1990-11-07 | 1998-09-03 | 鐘紡株式会社 | ジアリールエテン系化合物及びその製造法 |
-
1990
- 1990-11-07 JP JP30297990A patent/JP2548688B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6479604B1 (en) | 1998-08-17 | 2002-11-12 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Diarylethene compound, photochromic diarylethene type copolymer and method for the production of the same |
| US6846934B2 (en) | 2001-03-06 | 2005-01-25 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Photochromic diarylethene substituted with isoxazole group |
| WO2007105620A1 (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Kyoto University | ジアリールエテン化合物の製造方法、及び新規ジアリールエテン化合物 |
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|---|---|
| JP2548688B2 (ja) | 1996-10-30 |
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