JPH04182955A - 光磁気記録媒体用成膜装置および光滋気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体用成膜装置および光滋気記録媒体の製造方法Info
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- JPH04182955A JPH04182955A JP31318690A JP31318690A JPH04182955A JP H04182955 A JPH04182955 A JP H04182955A JP 31318690 A JP31318690 A JP 31318690A JP 31318690 A JP31318690 A JP 31318690A JP H04182955 A JPH04182955 A JP H04182955A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光磁気記録媒体用成膜装置、特には透明基板上
に形成する誘電体膜、磁性膜、保護膜をスパッタリング
法で形成するための特定の条件を備えた成膜装置、およ
びこの装置を用いて、膜質の改善された光磁気記録媒体
を製造する方法に関するものである。
に形成する誘電体膜、磁性膜、保護膜をスパッタリング
法で形成するための特定の条件を備えた成膜装置、およ
びこの装置を用いて、膜質の改善された光磁気記録媒体
を製造する方法に関するものである。
［従来の技術］
近年、情報化社会の進展に伴なって大容量、媒体可換、
書換可能ということから光磁気記録媒体が注目を集めて
おり、この光磁気記録媒体についてはガラス、石英ガラ
ス、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリ
メチルメタクリレート樹脂などで作られた基板の上に誘
電体膜、磁性膜、反射膜などを設けたものが公知とされ
ている。
書換可能ということから光磁気記録媒体が注目を集めて
おり、この光磁気記録媒体についてはガラス、石英ガラ
ス、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリ
メチルメタクリレート樹脂などで作られた基板の上に誘
電体膜、磁性膜、反射膜などを設けたものが公知とされ
ている。
しかして、この誘電体膜は一般にＳｉｎ、 ＳｉＣ。
ＳｉＮ、八ｆｌＮなどを５００〜１，０００人の厚さで
成膜したもの、この磁性膜は希土類元素−遷移金属元素
膜からなるもの、したがってＴｂ、 Ｄｙ、 Ｇｄ、
Ｎｄなどの希土類元素とＦｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉなどの遷
移金属元素からなる、例えばＴｂＦｅ、 ＴｂＦｅＣｏ
、 ＧｄＴｂＦｅ、 ＧｄＤｙＦｅＣ。
成膜したもの、この磁性膜は希土類元素−遷移金属元素
膜からなるもの、したがってＴｂ、 Ｄｙ、 Ｇｄ、
Ｎｄなどの希土類元素とＦｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉなどの遷
移金属元素からなる、例えばＴｂＦｅ、 ＴｂＦｅＣｏ
、 ＧｄＴｂＦｅ、 ＧｄＤｙＦｅＣ。
などの非晶質金属膜を２００〜１．０００人の厚さで成
膜したものとされており、この反射膜はＡｕ２゜Ｃｕ、
Ａｕ、 Ａｇなどの金属膜を厚さ２００〜１，０００
人程度に成膜したものどされているか、これにはさらに
保護膜を形成させることも行なわれている。
膜したものとされており、この反射膜はＡｕ２゜Ｃｕ、
Ａｕ、 Ａｇなどの金属膜を厚さ２００〜１，０００
人程度に成膜したものどされているか、これにはさらに
保護膜を形成させることも行なわれている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、現状の光磁気記録媒体はＣＮＲ，ＢＥＲ１耐久
性などの特定が必ずしも十分ではないし、ディスク間の
特性の変動も大きく、生産歩留りも低いということから
、その普及が阻害されている。
性などの特定が必ずしも十分ではないし、ディスク間の
特性の変動も大きく、生産歩留りも低いということから
、その普及が阻害されている。
これは基板に用いられる高分子材料の物性にも起因して
いるが、現在使用されている成膜装置が９−クガス量が
ｌＸｌ０−’トール・ｆＬ／秒以下であって、かつ放出
ガス量が１ｘｘｏ−’トール・ｆｌ／秒より多く、また
スパッター室中の水分子の残存量が露点−２５℃（３０
０１］［１１１１）の水準に止まっているために、この
装置を用いてスパッタリングすると光磁気記録媒体を構
成する上記した８膜が雰囲気中に残存する０２あるいは
Ｈ２Ｏによる０原子の混入で汚染されて膜特性に悪影響
が与えられ、長期にわたフて劣化が促進されるようにな
るためとされている。
いるが、現在使用されている成膜装置が９−クガス量が
ｌＸｌ０−’トール・ｆＬ／秒以下であって、かつ放出
ガス量が１ｘｘｏ−’トール・ｆｌ／秒より多く、また
スパッター室中の水分子の残存量が露点−２５℃（３０
０１］［１１１１）の水準に止まっているために、この
装置を用いてスパッタリングすると光磁気記録媒体を構
成する上記した８膜が雰囲気中に残存する０２あるいは
Ｈ２Ｏによる０原子の混入で汚染されて膜特性に悪影響
が与えられ、長期にわたフて劣化が促進されるようにな
るためとされている。
［課題を解決するための手段〕
本発明はこのような課題を解決することのできる光磁気
記録媒体用成膜装置およびこれを用いた光磁気記録媒体
の製造方法に関するもので、これは光の入射側に置かれ
た透明基板上に誘電体膜、磁性膜、反射膜をスパッタリ
ング法で形成する光磁気記録媒体用成膜装置において、
スパッター室内のリークガス量をｌＸｌ０−６１−−ル
・ｆ！、７秒以下とし、かつ室内の放出ガス量をｌＸｌ
０−’Ｉ−−ル・β／秒以下および／または室内の残存
水分量を露点−４０℃（１００１１１ｐ１１１）以下の
条件を満足することによって到達真空度を１ｘＢｒ７ト
ール以下とすることを特徴とする光磁気記録媒体用成膜
装置、および透明基板上に誘電体膜、磁性膜、反射膜を
この成膜装置を用いてスパッタリング法で成膜してなる
ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法を要旨とす
るものである。
記録媒体用成膜装置およびこれを用いた光磁気記録媒体
の製造方法に関するもので、これは光の入射側に置かれ
た透明基板上に誘電体膜、磁性膜、反射膜をスパッタリ
ング法で形成する光磁気記録媒体用成膜装置において、
スパッター室内のリークガス量をｌＸｌ０−６１−−ル
・ｆ！、７秒以下とし、かつ室内の放出ガス量をｌＸｌ
０−’Ｉ−−ル・β／秒以下および／または室内の残存
水分量を露点−４０℃（１００１１１ｐ１１１）以下の
条件を満足することによって到達真空度を１ｘＢｒ７ト
ール以下とすることを特徴とする光磁気記録媒体用成膜
装置、および透明基板上に誘電体膜、磁性膜、反射膜を
この成膜装置を用いてスパッタリング法で成膜してなる
ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法を要旨とす
るものである。
すなわち、本発明者らは膜質の改良された光磁気記録媒
体の製造方法について種々検討した結果、基板上に誘電
体膜、磁性膜、反射膜などを形成するに当り、これらを
形成するスパッタリング法を実施するために使用される
スパッター室内へのリークガス量を１ｘｌＯ’トール・
ｆｌ／秒以下とし、かつ室内の放出ガス量をｌＸｌ０−
’トール・β／秒以下および／または室内の残存水分量
を露点−４０℃ （１００ｐｐｍ）以下とすることによ
って到達真空度をＩＸＩＧ〜７トール以下とした成膜装
置を用いてスパッタリング法を実施すわば、得られる誘
電体膜、磁性膜、反射膜が改質されて密着性が向上する
と共にその耐候性、耐湿性が改良され、機械的強度も大
きいものになるということを見出して本発明を完成させ
た。
体の製造方法について種々検討した結果、基板上に誘電
体膜、磁性膜、反射膜などを形成するに当り、これらを
形成するスパッタリング法を実施するために使用される
スパッター室内へのリークガス量を１ｘｌＯ’トール・
ｆｌ／秒以下とし、かつ室内の放出ガス量をｌＸｌ０−
’トール・β／秒以下および／または室内の残存水分量
を露点−４０℃ （１００ｐｐｍ）以下とすることによ
って到達真空度をＩＸＩＧ〜７トール以下とした成膜装
置を用いてスパッタリング法を実施すわば、得られる誘
電体膜、磁性膜、反射膜が改質されて密着性が向上する
と共にその耐候性、耐湿性が改良され、機械的強度も大
きいものになるということを見出して本発明を完成させ
た。
以下にこれをざらに詳述する。
［作用］
本発明は透明基板上に誘電体膜、磁性膜、反射膜を股６
ブでなる光磁気記録媒体用の成膜装置およびこれを用い
た光磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
ブでなる光磁気記録媒体用の成膜装置およびこれを用い
た光磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
この光磁気記録媒体の構成は公知のものであり、これは
例えば第１図に示したように、トラッキング用ガイドグ
ループが形成されたガラス、石英ガラス、ポリカーボネ
ート樹脂あるいはポリメチルメタクリレート樹脂などか
らなる透明基板１の上に誘電体膜２、磁性膜３、誘電体
膜２と同質の誘電体膜４および反射膜５を順次積層され
たものであるが、これは第２図に示したように透明基板
７の上に磁性膜８、誘電体膜９、反射＠１０を順次積層
した３層構造のものであってもよい。
例えば第１図に示したように、トラッキング用ガイドグ
ループが形成されたガラス、石英ガラス、ポリカーボネ
ート樹脂あるいはポリメチルメタクリレート樹脂などか
らなる透明基板１の上に誘電体膜２、磁性膜３、誘電体
膜２と同質の誘電体膜４および反射膜５を順次積層され
たものであるが、これは第２図に示したように透明基板
７の上に磁性膜８、誘電体膜９、反射＠１０を順次積層
した３層構造のものであってもよい。
この光磁気記録媒体の製造は、上記したような透明基板
上に誘電体膜、磁性膜、反射膜をスパッタリング法で設
けることによって行なわれるが、本発明の光磁気記録媒
体用成膜装置ではスパッタリングによる膜の汚染を防止
するということから、スパッター室へのリークガス量を
Ｉ Ｘ １０−６トール・ｆｌ／秒以下とし、かつ室内
の放出ガス量をｌＸｌ０−’トール・ｌ／秒以下および
／または室内の残存水分量を露点−４０℃（１ｏｏ ｐ
ｐｍ）以下とし、これによって到達真空度をｔｘｔｏ−
’トール以下とすることが必要とされる。
上に誘電体膜、磁性膜、反射膜をスパッタリング法で設
けることによって行なわれるが、本発明の光磁気記録媒
体用成膜装置ではスパッタリングによる膜の汚染を防止
するということから、スパッター室へのリークガス量を
Ｉ Ｘ １０−６トール・ｆｌ／秒以下とし、かつ室内
の放出ガス量をｌＸｌ０−’トール・ｌ／秒以下および
／または室内の残存水分量を露点−４０℃（１ｏｏ ｐ
ｐｍ）以下とし、これによって到達真空度をｔｘｔｏ−
’トール以下とすることが必要とされる。
本発明の光磁気記録媒体用成膜装置はこのように従来に
ない極めて高い密閉性と清浄度を維持できるが、これに
よればスパッター室における０□、Ｎ２０の量が極めて
少ないものとなるのでこの０２、Ｎ２０によって目的と
する誘電体膜、磁性膜、反射膜などの汚染されることが
少なくなり、結果において膜特性がすぐれ、劣下するこ
ともないものが得られるのであるが、このような装置の
構成は例えば半導体ＩＣ素子の製造装置におけるように
、１）装置構成材料はできるだけ高分子材料を用いずに
、ピンホールの少ない金属材料（ＳＩＪＳ ３１Ｂまた
はＡｆｌ）を用い、この表面も加工変質のない鏡面仕上
げしたものとする。
ない極めて高い密閉性と清浄度を維持できるが、これに
よればスパッター室における０□、Ｎ２０の量が極めて
少ないものとなるのでこの０２、Ｎ２０によって目的と
する誘電体膜、磁性膜、反射膜などの汚染されることが
少なくなり、結果において膜特性がすぐれ、劣下するこ
ともないものが得られるのであるが、このような装置の
構成は例えば半導体ＩＣ素子の製造装置におけるように
、１）装置構成材料はできるだけ高分子材料を用いずに
、ピンホールの少ない金属材料（ＳＩＪＳ ３１Ｂまた
はＡｆｌ）を用い、この表面も加工変質のない鏡面仕上
げしたものとする。
２）配管材料も電解研磨法により鏡面仕上げしたものを
使用する。
使用する。
３）構造設計をガスの漏洩部のないものとし、パルプも
集積化バルブを使用する。
集積化バルブを使用する。
４）接合部分はできるだけ少ない構造とし、溶接部は突
き合わせ溶接性を採用する。
き合わせ溶接性を採用する。
５）リングはメタルＯリング、メタルＣリングを使用す
る。
る。
ということを採用すれば目的とするクリーン度の高いも
のとすることができる。
のとすることができる。
本発明による光磁気記録媒体の製造は上記した成膜装置
を用いるスパッタリング法によフて行なわれる。
を用いるスパッタリング法によフて行なわれる。
この誘電体膜は例えばＳｉＱ、 ＳｉＣ，ＳｉＮあるい
はＡ４２Ｎなどで作られたものとされるが、これはスパ
ッター室内にＳｔ、ＡＪ２ 、 ＳｉＣあるいはＳｉＮ
などをターゲットとして設置し、アルゴンガスに酸素ガ
ス、炭酸ガスあるいは窒素ガスなどを添加した、ガス雰
囲気中で１００〜３００Ｗの高周波電力を印加してスパ
ッタリングすればよいし、この磁性膜はスパッター室に
例えばＴｂＦｅＣ０からなる三元素磁性膜を形成させる
ときには膜を形成するＴｂとＦｅＣｏ合金をターゲット
とするか、あるいはＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏの三成分をターゲ
ットとして設置し、アルゴンガス雰囲気中においてスパ
ッタリングすればよく、この反射膜はＡｊｌ 、 Ｃｕ
、 ＡｕあるいはＡｇなとの金属をターゲットとし、ア
ルゴンガス雰囲気中においてスパッタリングすればよい
。なお、これらのスパッター室内では主としてアルゴン
ガスによるプラズマが発生し、ターゲット材料がスパッ
タされた基体上に密着してそれぞれ誘電体膜、磁性膜、
反射膜が形成されるのであるが、この成膜−装置はその
成膜室内へのリークガス量、室内の放出ガス量、残存水
分量を所定の水準以下に抑制することによって到達真空
度が前記のようにされているので、ここに形成される誘
電体膜、磁性膜、反射膜、保護膜などは膜質が改善され
たものとなり、誘電体膜は基板に対する密着性が向上さ
れたものとなるし、これらの膜はいずれも耐候性、耐湿
性、機械的強度が向上されたものとなるので、このよう
にして得られる光磁気記録媒体は記録再生特性にすぐれ
、かつ長期の信頼性が高いというすぐれた物性をもつも
のになるという有利性が与えられる。
はＡ４２Ｎなどで作られたものとされるが、これはスパ
ッター室内にＳｔ、ＡＪ２ 、 ＳｉＣあるいはＳｉＮ
などをターゲットとして設置し、アルゴンガスに酸素ガ
ス、炭酸ガスあるいは窒素ガスなどを添加した、ガス雰
囲気中で１００〜３００Ｗの高周波電力を印加してスパ
ッタリングすればよいし、この磁性膜はスパッター室に
例えばＴｂＦｅＣ０からなる三元素磁性膜を形成させる
ときには膜を形成するＴｂとＦｅＣｏ合金をターゲット
とするか、あるいはＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏの三成分をターゲ
ットとして設置し、アルゴンガス雰囲気中においてスパ
ッタリングすればよく、この反射膜はＡｊｌ 、 Ｃｕ
、 ＡｕあるいはＡｇなとの金属をターゲットとし、ア
ルゴンガス雰囲気中においてスパッタリングすればよい
。なお、これらのスパッター室内では主としてアルゴン
ガスによるプラズマが発生し、ターゲット材料がスパッ
タされた基体上に密着してそれぞれ誘電体膜、磁性膜、
反射膜が形成されるのであるが、この成膜−装置はその
成膜室内へのリークガス量、室内の放出ガス量、残存水
分量を所定の水準以下に抑制することによって到達真空
度が前記のようにされているので、ここに形成される誘
電体膜、磁性膜、反射膜、保護膜などは膜質が改善され
たものとなり、誘電体膜は基板に対する密着性が向上さ
れたものとなるし、これらの膜はいずれも耐候性、耐湿
性、機械的強度が向上されたものとなるので、このよう
にして得られる光磁気記録媒体は記録再生特性にすぐれ
、かつ長期の信頼性が高いというすぐれた物性をもつも
のになるという有利性が与えられる。
［実施例］
つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。
実施例、比較例
ガラス基板上にＳＪＮからなる誘電体膜、ＴｂＦｅＣ。
からなる磁性膜、ＳｉＮからなる第２の誘電体膜よよび
Ａｎからなる反射膜を順次スパッター法で成膜して光磁
気記録媒体を作成するにさいし、予めそれぞれの膜を形
成するためのスパッター室をいずれも室内のリークガス
量がＩ Ｘ １０−’トール・１／秒になるように十分
調整した。また、室内構造物などからの放出ガス量をｌ
Ｘｌ０−’トール・１７秒以下に抑制することによって
室内の真空度がｌＸｌ０−’トール以下となることを確
認し、このさい、室内の残存水分量を測定すると各室と
も１００ｐｐｏ＋以下であった。
Ａｎからなる反射膜を順次スパッター法で成膜して光磁
気記録媒体を作成するにさいし、予めそれぞれの膜を形
成するためのスパッター室をいずれも室内のリークガス
量がＩ Ｘ １０−’トール・１／秒になるように十分
調整した。また、室内構造物などからの放出ガス量をｌ
Ｘｌ０−’トール・１７秒以下に抑制することによって
室内の真空度がｌＸｌ０−’トール以下となることを確
認し、このさい、室内の残存水分量を測定すると各室と
も１００ｐｐｏ＋以下であった。
ＳｉＮの成膜は室内をＡｒガス８０％、Ｎ２ガス２０％
の組成比とし、圧力２ミリトールに保ち、高周波マグネ
トロンスパッター法で行ない、第１層は１．００ＯＡ、
′ｓ３層ハ３５０人トシタ。３４２層の磁性膜はＴｂＦ
ｅＣｏの合金ターゲットを用い、Ａｒガスのみの！囲気
で同じく２ミルトールの圧力を保って直流マグネトロン
スパッター法にょフて厚さ２５０人に成膜した。第４層
の八で反射層は同じく２ミルトールのＡｒガス雰囲気中
での直流マグネトロンスパッター法によって４００ 人
の厚さに成膜した。
の組成比とし、圧力２ミリトールに保ち、高周波マグネ
トロンスパッター法で行ない、第１層は１．００ＯＡ、
′ｓ３層ハ３５０人トシタ。３４２層の磁性膜はＴｂＦ
ｅＣｏの合金ターゲットを用い、Ａｒガスのみの！囲気
で同じく２ミルトールの圧力を保って直流マグネトロン
スパッター法にょフて厚さ２５０人に成膜した。第４層
の八で反射層は同じく２ミルトールのＡｒガス雰囲気中
での直流マグネトロンスパッター法によって４００ 人
の厚さに成膜した。
このよにして得られた光磁気記録媒体は誘電体膜、磁性
膜、反射膜がいずれも膜質の改良されたものとなり、最
適記録パワーが５．８ｍＷ、再生特性ＣＮＲが５８ｄＢ
でカー回転角が１．０２°というすぐれた特性を有する
ものであることが確認された。
膜、反射膜がいずれも膜質の改良されたものとなり、最
適記録パワーが５．８ｍＷ、再生特性ＣＮＲが５８ｄＢ
でカー回転角が１．０２°というすぐれた特性を有する
ものであることが確認された。
しかし、比較のためにスパッター室の気密の保持が十分
でなく、リークガス量が５ｘｌＯ−’トール・ｌ７秒で
到達真空度が８ Ｘ １０−’ トールの状態で上記と
同様の成膜条件でＳｉＮ膜（１，０００人）、丁ｂＦｅ
Ｃｏ膜（２５０人）、ＳｉＮ Ｍ （３５０人）、へ１
反射膜（４００人）を順次成膜して得た記録媒体は最適
記録パワーが８．５ ｍＷ、再生特定ＣＮＨの値は４８
ｄＢ、カー回転角は０．８９°で特に特性のすぐわたも
のとはならなかった。
でなく、リークガス量が５ｘｌＯ−’トール・ｌ７秒で
到達真空度が８ Ｘ １０−’ トールの状態で上記と
同様の成膜条件でＳｉＮ膜（１，０００人）、丁ｂＦｅ
Ｃｏ膜（２５０人）、ＳｉＮ Ｍ （３５０人）、へ１
反射膜（４００人）を順次成膜して得た記録媒体は最適
記録パワーが８．５ ｍＷ、再生特定ＣＮＨの値は４８
ｄＢ、カー回転角は０．８９°で特に特性のすぐわたも
のとはならなかった。
［発明の効果コ
本発明は光磁気記録媒体用成膜装置および光磁気記録媒
体の製造方法に関するもので、これは前記したように透
明基板上に誘電体膜、磁性膜、反射膜をスパッタリング
法で形成する光磁気記録媒体用成膜装置において、各成
膜室内へのリークガス量をＩ Ｘ １０−’ｌ−−ル・
Ｕ／秒以下とし、かつ室内の放出ガス量を１ｘｌＯ−’
）−−ル・１１／秒以下および／または室内残存水分量
を露点−４０℃（１００ｐｐｍ）以下とすることによっ
て到達真空度を１×１０−７トール以下とした成膜装置
、およびこのような成膜装置を用いて基板上に誘電体膜
、磁性膜、反射膜をスパッタリング法により成膜してな
ることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法を要旨と
するものであるが、これによれば得られる誘Ｎ体膜、磁
性膜、反射膜がいずれも＠質の改良されたものとなるの
で、記録再生特性にすぐれ、かつ長期にわたり信頼性の
高いすぐれた光磁気記録媒体を容易に得ることができる
という有利性が与えられる。
体の製造方法に関するもので、これは前記したように透
明基板上に誘電体膜、磁性膜、反射膜をスパッタリング
法で形成する光磁気記録媒体用成膜装置において、各成
膜室内へのリークガス量をＩ Ｘ １０−’ｌ−−ル・
Ｕ／秒以下とし、かつ室内の放出ガス量を１ｘｌＯ−’
）−−ル・１１／秒以下および／または室内残存水分量
を露点−４０℃（１００ｐｐｍ）以下とすることによっ
て到達真空度を１×１０−７トール以下とした成膜装置
、およびこのような成膜装置を用いて基板上に誘電体膜
、磁性膜、反射膜をスパッタリング法により成膜してな
ることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法を要旨と
するものであるが、これによれば得られる誘Ｎ体膜、磁
性膜、反射膜がいずれも＠質の改良されたものとなるの
で、記録再生特性にすぐれ、かつ長期にわたり信頼性の
高いすぐれた光磁気記録媒体を容易に得ることができる
という有利性が与えられる。
第１図〜第２図は本発明の光磁気記録媒体の構成図を示
したものである６ １．７・・・透明基板 ２．４，８．１０・・・誘電体膜 ３．９・・・磁性膜 ５・・・反射膜 特許出願人 信越化学工業株式会社 代理人・弁理士 山 木 亮 −−
したものである６ １．７・・・透明基板 ２．４，８．１０・・・誘電体膜 ３．９・・・磁性膜 ５・・・反射膜 特許出願人 信越化学工業株式会社 代理人・弁理士 山 木 亮 −−
Claims (2)
- １．光の入射側に置かれる透明基板上に、誘電体膜、磁
性膜、反射膜をスパッタリング法で形成する光磁気記録
媒体用成膜装置において、スパッター各室について室内
のリークガス量を１×１０＾−＾６トール・ｌ／秒以下
とし、かつ室内の放出ガス量を１×１０＾−＾８トール
・ｌ／秒以下あるいは室内の残存水分量を露点−４０℃
（１００ｐｐｍ）以下とするいずれか、または両方の条
件を満足することによって室内の到達真空度を１×１０
＾−＾７トール以下とすることを特徴とする光磁気記録
媒体用成膜装置。 - ２．光の入射側に置かれた透明基板上に、誘電体膜、磁
性膜、反射膜を請求項１に記載した成膜装置を用いてス
パッタリング法で成膜してなることを特徴とする光磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31318690A JPH04182955A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 光磁気記録媒体用成膜装置および光滋気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31318690A JPH04182955A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 光磁気記録媒体用成膜装置および光滋気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04182955A true JPH04182955A (ja) | 1992-06-30 |
Family
ID=18038137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31318690A Pending JPH04182955A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 光磁気記録媒体用成膜装置および光滋気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04182955A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011026707A (ja) * | 2010-09-13 | 2011-02-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜製造方法および薄膜製造設備 |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP31318690A patent/JPH04182955A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2011026707A (ja) * | 2010-09-13 | 2011-02-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜製造方法および薄膜製造設備 |
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