JPH0418430U - - Google Patents

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JPH0418430U
JPH0418430U JP5975690U JP5975690U JPH0418430U JP H0418430 U JPH0418430 U JP H0418430U JP 5975690 U JP5975690 U JP 5975690U JP 5975690 U JP5975690 U JP 5975690U JP H0418430 U JPH0418430 U JP H0418430U
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mfc
material gas
constant temperature
mixing
mocvd
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例によるMOCvD
結晶成長装置のブロツク図、第2図は従来のMO
CvD結晶成長装置のブロツク図である。 図において、11,12はMFC、13は材料
ミキシング部、14は恒温ユニツト付MFC、1
5はMOバブラー、16はMO材料を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 材料ガスとこれを希釈するH2を混ぜ合わせ材
    料ガスを希釈した後、MFCでコントロールし、
    この希釈した材料ガスを必要量だけ反応系へ供給
    するMOCvD装置において、ミキシング後のガ
    スの流量をコントロールするMFCを恒温に保て
    る恒温ユニツト付MFCにしたことを特徴とする
    MOCvD結晶成長装置。
JP5975690U 1990-06-06 1990-06-06 Pending JPH0418430U (ja)

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