JPH0339832U - - Google Patents

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JPH0339832U
JPH0339832U JP10086889U JP10086889U JPH0339832U JP H0339832 U JPH0339832 U JP H0339832U JP 10086889 U JP10086889 U JP 10086889U JP 10086889 U JP10086889 U JP 10086889U JP H0339832 U JPH0339832 U JP H0339832U
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gas
reaction chamber
flow rate
raw material
setting unit
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JP10086889U
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案装置の壱実施例の構成説明図、
第２図は本考案の膜生成シーケンスと原料ガスの
流れを示す説明図、第３図は従来装置の一例の構
成説明図、第４図は従来の膜生成シーケンスと原
料ガスの流れを示す説明図、第５図ａ，ｂはそれ
ぞれ従来の原料ガス濃度分布と本考案の原料ガス
濃度分布の説明図である。 １…反応室、２…ウエーハ、３…ウエーハボー
ト、５…ガス導入ポート、６…マスフローコント
ローラ、９…パルス状流量設定ユニツト、９ａ…
ガス流量設定ユニツト。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 反応室１内にウエーハ２をチヤージしたウエー
    ハボート３を設置し、原料ガスをガス流量設定ユ
    ニツト９ａに基づき、マスフローコントローラ６
    を制御してガス導入ポート５より反応室１内に導
    入しつつ排気口４より排気しウエーハ２にＣＶＤ
    膜を生成する減圧ＣＶＤ膜生成装置において、ガ
    ス流量設定ユニツト９ａに代えて反応室１内に原
    料ガスをパルス状に流し、かつそのパルス幅を変
    更できるパルス状流量設定ユニツト９を設定し、
    このユニツト９にはパルス状に流す原料ガスの流
    量を制御し反応室１から５００mm以内に設置され
    たマスフローコントローラ６を連結してなる減圧
    ＣＶＤ膜生成装置。
JP10086889U 1989-08-28 1989-08-28 Pending JPH0339832U (ja)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5898138A (ja) * 1981-12-07 1983-06-10 Hitachi Metals Ltd 減圧ｃｖｄ装置
JPS60211914A (ja) * 1984-04-06 1985-10-24 Hitachi Ltd Ｃｖｄ装置
JPS61251119A (ja) * 1985-04-30 1986-11-08 Fujitsu Ltd 化学気相成長方法
JPH01195277A (ja) * 1988-01-28 1989-08-07 Fujitsu Ltd 薄膜の形成方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5898138A (ja) * 1981-12-07 1983-06-10 Hitachi Metals Ltd 減圧ｃｖｄ装置
JPS60211914A (ja) * 1984-04-06 1985-10-24 Hitachi Ltd Ｃｖｄ装置
JPS61251119A (ja) * 1985-04-30 1986-11-08 Fujitsu Ltd 化学気相成長方法
JPH01195277A (ja) * 1988-01-28 1989-08-07 Fujitsu Ltd 薄膜の形成方法

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