JPS5928631B2 - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
- Publication number
- JPS5928631B2 JPS5928631B2 JP52024214A JP2421477A JPS5928631B2 JP S5928631 B2 JPS5928631 B2 JP S5928631B2 JP 52024214 A JP52024214 A JP 52024214A JP 2421477 A JP2421477 A JP 2421477A JP S5928631 B2 JPS5928631 B2 JP S5928631B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- vapor deposition
- target
- electrode
- sputtering
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
- C23C14/044—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、蒸着装置に関するものであり、その目的とす
るところは、基板全面にわたつて、あるいは複数個の基
板に、スパッタリングによつて膜厚の均一な膜を形成す
ることのできる蒸着装置を提供することにある。
るところは、基板全面にわたつて、あるいは複数個の基
板に、スパッタリングによつて膜厚の均一な膜を形成す
ることのできる蒸着装置を提供することにある。
一般に、真空蒸着は、１０−５〜１０４Ｔｏｒｒの真空
中で行われるので、蒸着すべき原子または分子の平均自
由行程は数十ｍないし数ｍある。
中で行われるので、蒸着すべき原子または分子の平均自
由行程は数十ｍないし数ｍある。
このため、真空蒸着の分野では、マスクにより遮蔽する
ということがすでに行なわれている。ところが、酸化物
の反応性スパッタリングでは、ガス圧が１０−２〜１０
−１Ｔｏｒｒと、真空蒸着に比べて非常に高い圧力下で
スパッタしないと、得られる膜は酸素が欠乏して良好な
ものとならない。
ということがすでに行なわれている。ところが、酸化物
の反応性スパッタリングでは、ガス圧が１０−２〜１０
−１Ｔｏｒｒと、真空蒸着に比べて非常に高い圧力下で
スパッタしないと、得られる膜は酸素が欠乏して良好な
ものとならない。
このような圧力下では平均自由行程が数ｍないしれ圃以
下であり、従来、蒸発源から拡散して来て基板に堆積す
ると考えられ、そのまわりこみが大きいためにマスク効
果がないと考えられていた。このような予測に対して、
反応性スパッタリングの際のガス圧下では、基板から数
ｍないし数十軸の距離の位置に遮蔽体を設けても、従来
の真空蒸着法と同等の結果が得られるという、予想外の
結果が実験によつて確認された。本発明はこのような事
実に基くものである。以下、本発明の構成と効果につい
て、その一実施例にもとづき、従来例と対比させて、図
面を用いて説明する。
下であり、従来、蒸発源から拡散して来て基板に堆積す
ると考えられ、そのまわりこみが大きいためにマスク効
果がないと考えられていた。このような予測に対して、
反応性スパッタリングの際のガス圧下では、基板から数
ｍないし数十軸の距離の位置に遮蔽体を設けても、従来
の真空蒸着法と同等の結果が得られるという、予想外の
結果が実験によつて確認された。本発明はこのような事
実に基くものである。以下、本発明の構成と効果につい
て、その一実施例にもとづき、従来例と対比させて、図
面を用いて説明する。
第１図Ａは電極部の配置関係を示す。
１、２はそれぞれターゲット電極、アノード電極である
。
。
・４は遮蔽体、５は基板３上に蒸着された膜を示す。同
図Ｂは、図Ａにおいて矢印６の方向から見た遮蔽体４と
蒸着膜５を示す。ターゲット電極１として、直径８０ｍ
１０１の石英ガラス板を使用し、アノード電極２として
直径８０１１１Ｉｎ、厚さ１ｍの銅板を使用し、基板３
として３０×１０１１１１ｒ１２のシリコンウエハ一を
用い、アルゴンと酸素雰囲気中でスパツタした場合の基
板３上の蒸着膜５の膜厚分布を第２図Ａ，Ｂに示す。第
２図Ａは、遮蔽物体４がない場合の結果を示し、その斜
線を付した部分７は膜厚が最大膜厚の９０％以上の厚さ
をもつ。同図Ｂは、遮蔽体４として３［１１０１の金属
線を使用し、それを基板３の前方１０１ｎ［ｎのところ
に配置し、かつ、基板５をターゲツト電極１の端より３
０１ｒ１０］のところに対面させた場合の結果を示す。
図の斜線を付した部分８は最大膜厚に対して９０％以上
の厚さをもつている。これから明らかなように、最大膜
厚の９０％以上の膜厚を有する部分が、従来の装置によ
るものに比べて大巾に拡大されている。さらに、第１図
Ａにおいて、基板を複数個同一円周上に並べた場合、各
基板間の蒸着膜の最大膜厚のばらつきが±５％以上あつ
た。これに対して、複数個の基板を同一円周上に沿つて
回転させた場合には、そのばらつきは±３０／）以下で
あつた。なお、このとき、遮蔽体４と基板３との相対関
係を一定に保つたまま、基板３を回転させた。以上説明
したように、本発明の装置によれば、スパツタリング時
に、基板を蒸発源に対して部分的に遮蔽しているので、
蒸着膜の厚さのばらつきを、従来のスパツタリングによ
る蒸着装置に比べて著しく小さくすることができ、マス
クを使用した真空蒸着と同等の効果を得ることができる
。
図Ｂは、図Ａにおいて矢印６の方向から見た遮蔽体４と
蒸着膜５を示す。ターゲット電極１として、直径８０ｍ
１０１の石英ガラス板を使用し、アノード電極２として
直径８０１１１Ｉｎ、厚さ１ｍの銅板を使用し、基板３
として３０×１０１１１１ｒ１２のシリコンウエハ一を
用い、アルゴンと酸素雰囲気中でスパツタした場合の基
板３上の蒸着膜５の膜厚分布を第２図Ａ，Ｂに示す。第
２図Ａは、遮蔽物体４がない場合の結果を示し、その斜
線を付した部分７は膜厚が最大膜厚の９０％以上の厚さ
をもつ。同図Ｂは、遮蔽体４として３［１１０１の金属
線を使用し、それを基板３の前方１０１ｎ［ｎのところ
に配置し、かつ、基板５をターゲツト電極１の端より３
０１ｒ１０］のところに対面させた場合の結果を示す。
図の斜線を付した部分８は最大膜厚に対して９０％以上
の厚さをもつている。これから明らかなように、最大膜
厚の９０％以上の膜厚を有する部分が、従来の装置によ
るものに比べて大巾に拡大されている。さらに、第１図
Ａにおいて、基板を複数個同一円周上に並べた場合、各
基板間の蒸着膜の最大膜厚のばらつきが±５％以上あつ
た。これに対して、複数個の基板を同一円周上に沿つて
回転させた場合には、そのばらつきは±３０／）以下で
あつた。なお、このとき、遮蔽体４と基板３との相対関
係を一定に保つたまま、基板３を回転させた。以上説明
したように、本発明の装置によれば、スパツタリング時
に、基板を蒸発源に対して部分的に遮蔽しているので、
蒸着膜の厚さのばらつきを、従来のスパツタリングによ
る蒸着装置に比べて著しく小さくすることができ、マス
クを使用した真空蒸着と同等の効果を得ることができる
。
また、装置の構成が簡単であり、その設定も容易である
。
。
第１図Ａ，Ｂは本発明にかかる蒸着装置の代表的な実施
例の構成を説明するための図、第２図Ａ，Ｂは従来装置
と本発明の実施例の効果を対比させて示す図である。 １・・・・・・ターゲツト電極、２・・・・・・アノー
ド電極、３・・・・・・基板、４・・・・・・遮蔽体、
５・・・・・・蒸着膜。
例の構成を説明するための図、第２図Ａ，Ｂは従来装置
と本発明の実施例の効果を対比させて示す図である。 １・・・・・・ターゲツト電極、２・・・・・・アノー
ド電極、３・・・・・・基板、４・・・・・・遮蔽体、
５・・・・・・蒸着膜。
Claims (1)
- １ 真空槽中に、酸化物ターゲットを付属したターゲッ
ト電極と、基板と、アノード電極とを配置し、上記真空
槽内に少なくとも酸素を含むアルゴンガスを導入し、上
記ターゲット電極と上記アノード電極の間に高電圧を印
加し、上記酸化物ターゲットをスパッタすることにより
上記基板上に上記酸化物の薄膜を蒸着する蒸着装置であ
つて、上記ターゲットと上記基板との間に部分的に遮蔽
する遮蔽体を設けたことを特徴とする蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52024214A JPS5928631B2 (ja) | 1977-03-04 | 1977-03-04 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52024214A JPS5928631B2 (ja) | 1977-03-04 | 1977-03-04 | 蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53108885A JPS53108885A (en) | 1978-09-22 |
| JPS5928631B2 true JPS5928631B2 (ja) | 1984-07-14 |
Family
ID=12132036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52024214A Expired JPS5928631B2 (ja) | 1977-03-04 | 1977-03-04 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928631B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4416759A (en) * | 1981-11-27 | 1983-11-22 | Varian Associates, Inc. | Sputter system incorporating an improved blocking shield for contouring the thickness of sputter coated layers |
| CA2419353C (en) * | 2001-03-16 | 2008-09-23 | Jds Uniphase Corporation | Method and apparatus for depositing thin films on vertical surfaces |
| CN102212779A (zh) * | 2011-06-15 | 2011-10-12 | 星弧涂层科技(苏州工业园区)有限公司 | 磁控溅射镀膜装置 |
-
1977
- 1977-03-04 JP JP52024214A patent/JPS5928631B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53108885A (en) | 1978-09-22 |
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