JPH04188625A - バンプ電極の形成方法 - Google Patents
バンプ電極の形成方法Info
- Publication number
- JPH04188625A JPH04188625A JP2311379A JP31137990A JPH04188625A JP H04188625 A JPH04188625 A JP H04188625A JP 2311379 A JP2311379 A JP 2311379A JP 31137990 A JP31137990 A JP 31137990A JP H04188625 A JPH04188625 A JP H04188625A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- metal
- bump
- bump electrode
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ＴＡＢ （丁ａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）実装技術において、特に、接続部電極
に形成されるバンプ電極の形成方法に関するものである
。
Ｂｏｎｄｉｎｇ）実装技術において、特に、接続部電極
に形成されるバンプ電極の形成方法に関するものである
。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば以下に示
すようなものがあった。
すようなものがあった。
第２図において、ＩＣチップ３の半田バンプは、銅等の
下地金属芯１と半田層２とから成り、図中、Ｔ、゛は３
０ｐｍ、Ｔ、は８５ｔｔｍである。なお、ＩＣチップ３
の大きさはアナログ用腕時計にあっては２ｍ’〜３Ｉａ
１１０であり、接合時の熱応力の影響は比較的小さいと
言える。ここで、４はパンシベーションである。
下地金属芯１と半田層２とから成り、図中、Ｔ、゛は３
０ｐｍ、Ｔ、は８５ｔｔｍである。なお、ＩＣチップ３
の大きさはアナログ用腕時計にあっては２ｍ’〜３Ｉａ
１１０であり、接合時の熱応力の影響は比較的小さいと
言える。ここで、４はパンシベーションである。
次に、第３図を用いてその実装構造例を説明すると、耐
熱性のガラスエポキシ又はガラスポリイミドのような樹
脂基材の印刷配線板６上の接合用配線パターン７にフェ
ースダウン状態で半田バンプ付ＩＣチップ３を載置し、
印刷配線板６の下方から加熱するりフロ一方式等で接合
を行うと、半田の表面張力により、下地金属芯１と配線
パターン７の間に約２０μｍの半田層が残留する。即ち
、ｔ’＝２０μｍ、従って、を−約５０．ｃｒｍとなり
、ＩＣチップ３と印刷配線板６上の配線パターン７との
間は確実に５０μｍの隙間が確保され、半田体積も後述
するように、４０〜１２０ Ｘｌ０−５ｗ＋’となるた
め、（従来の半田体積は２００×１０５区３前後）ＩＣ
チップ３端と配線パターン７上の半田とのエツジショー
トの心配は不要となった。
熱性のガラスエポキシ又はガラスポリイミドのような樹
脂基材の印刷配線板６上の接合用配線パターン７にフェ
ースダウン状態で半田バンプ付ＩＣチップ３を載置し、
印刷配線板６の下方から加熱するりフロ一方式等で接合
を行うと、半田の表面張力により、下地金属芯１と配線
パターン７の間に約２０μｍの半田層が残留する。即ち
、ｔ’＝２０μｍ、従って、を−約５０．ｃｒｍとなり
、ＩＣチップ３と印刷配線板６上の配線パターン７との
間は確実に５０μｍの隙間が確保され、半田体積も後述
するように、４０〜１２０ Ｘｌ０−５ｗ＋’となるた
め、（従来の半田体積は２００×１０５区３前後）ＩＣ
チップ３端と配線パターン７上の半田とのエツジショー
トの心配は不要となった。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、」１記構成の実装構造では、下地金属芯
と表面金属部とをめっき方法にて形成するので、めっき
成長させる時間が長く、ハンプ形成全体の処理時間が長
くなるという問題点があった。
と表面金属部とをめっき方法にて形成するので、めっき
成長させる時間が長く、ハンプ形成全体の処理時間が長
くなるという問題点があった。
本発明は、以上述べたば形成処理時間が長くなるという
問題点を除去するため、下地金属芯を予め球状の部材を
形成しておき、めっき形成時間を削減し、短処理時間化
して経済性の優れたバンプ電極の形成方法を提供するこ
とを目的とする。
問題点を除去するため、下地金属芯を予め球状の部材を
形成しておき、めっき形成時間を削減し、短処理時間化
して経済性の優れたバンプ電極の形成方法を提供するこ
とを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、半導体装置の外部導出電極にハンプ電極を形
成ノブ法において、前記外部導出電極に芯材として付着
金属を形成し、該付着金属上に電気めっきによってハン
プを形成するようにしたものである。
成ノブ法において、前記外部導出電極に芯材として付着
金属を形成し、該付着金属上に電気めっきによってハン
プを形成するようにしたものである。
（作用）
本発明によれば、」−記したように、電極エリアに予め
、バンプ電極の内部金属芯物質を付着形成しておき、め
っきにより所定のバンプ高さを得る成長付着物の量を低
減さセることによって、めっき処理時間の短縮化を図る
ことができる。
、バンプ電極の内部金属芯物質を付着形成しておき、め
っきにより所定のバンプ高さを得る成長付着物の量を低
減さセることによって、めっき処理時間の短縮化を図る
ことができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照し７ながら詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明の実施例を示すハンプ電極の形成工程断
面図である。
面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、シリコン基板１０の
表面部には電子回路（図示なし）を形成し、アルミ等の
金属によって配線引き回しされた回路から、外部回路等
に電気的に導出させるための電極として、アルミ電極１
１が回路に対応して形成される。アルミ電極１１の主表
面の一部を開口した状態で、パッシベーション等の絶縁
性保護膜１４が形成されている。前記開口部が形成され
たアルミ電極１１の開口部及び保護膜１４の一部エリア
上にクロム、チタン等の材料からなるコンタクト金属Ｆ
ｉｉ１２を謂着等の方法で形成し、所定のエリアにホト
リソ技術によって形成し、更に、その−トに銅、ニンケ
ル、白金等の材料からなるバリヤ金属層１３を、前記コ
ンタクト金属層１２と同じ技術によって、アルミ電極１
１上に部分形成する。
表面部には電子回路（図示なし）を形成し、アルミ等の
金属によって配線引き回しされた回路から、外部回路等
に電気的に導出させるための電極として、アルミ電極１
１が回路に対応して形成される。アルミ電極１１の主表
面の一部を開口した状態で、パッシベーション等の絶縁
性保護膜１４が形成されている。前記開口部が形成され
たアルミ電極１１の開口部及び保護膜１４の一部エリア
上にクロム、チタン等の材料からなるコンタクト金属Ｆ
ｉｉ１２を謂着等の方法で形成し、所定のエリアにホト
リソ技術によって形成し、更に、その−トに銅、ニンケ
ル、白金等の材料からなるバリヤ金属層１３を、前記コ
ンタクト金属層１２と同じ技術によって、アルミ電極１
１上に部分形成する。
次に、コンタクト金属層１２及びバリヤ金属層１３を形
成したら、第１回（ｂ）に示すように、導電性部材から
なる金属ボールまたは銀ペースト等の材料を付着金属部
１５として搭載、形成する。例えば、ボッティングで形
成する。付着金属部１５の材料は導電性であれば、特別
の材料に限定されるものではない。
成したら、第１回（ｂ）に示すように、導電性部材から
なる金属ボールまたは銀ペースト等の材料を付着金属部
１５として搭載、形成する。例えば、ボッティングで形
成する。付着金属部１５の材料は導電性であれば、特別
の材料に限定されるものではない。
従来は、所定のバンプ電極の高さを確保するのに、電気
めっきの成長では時間が長時間化してし７まう０本発明
によれば、電気めっきに要する時間を短縮させることが
できる。例えば、所望するバンプ電極高さ１０〜２０ｕ
ｒｎであれば、例えば、８〜１５μｍ程度の付着金属部
１５を予めアルミ電極１１上に付着させておく。
めっきの成長では時間が長時間化してし７まう０本発明
によれば、電気めっきに要する時間を短縮させることが
できる。例えば、所望するバンプ電極高さ１０〜２０ｕ
ｒｎであれば、例えば、８〜１５μｍ程度の付着金属部
１５を予めアルミ電極１１上に付着させておく。
次に、第１図（ｃ）に示すように、図示しないが、めっ
き電極用の共通電極に通電し、付着金属部１５の表面に
めっき金属１６を析出させ、所定の高さのハンプ電極を
得る。
き電極用の共通電極に通電し、付着金属部１５の表面に
めっき金属１６を析出させ、所定の高さのハンプ電極を
得る。
このように構成したので、最初からめっき金属を所定の
高さまで析出させる場合には、１時〜２時間という時間
を必要としたが、付着金属部１５が付着することで表面
積が大面積化するので、比較的大きな電解条件にて析出
させることができるので、数十分というめっき析出時間
にてハンプ電極を形成することができる。
高さまで析出させる場合には、１時〜２時間という時間
を必要としたが、付着金属部１５が付着することで表面
積が大面積化するので、比較的大きな電解条件にて析出
させることができるので、数十分というめっき析出時間
にてハンプ電極を形成することができる。
更に、付着金属部１５の材料にめっき金属部１６と同一
材料、例えば、半日または錫、金等の材料を用いれば、
インナリード溶接時に、更に溶融金属として作用するの
で、接着の信顧性の向上を図ることができる。
材料、例えば、半日または錫、金等の材料を用いれば、
インナリード溶接時に、更に溶融金属として作用するの
で、接着の信顧性の向上を図ることができる。
また、付着金属部１５はボール状の材料を吸引し、所定
のアルミ電極上に付着、接着してもよい、または、銀ペ
ースト等の導電性を付与した樹脂ペーストをボッティン
グ等の方法でアルミ電極上に付着、接着形成してもよい
。
のアルミ電極上に付着、接着してもよい、または、銀ペ
ースト等の導電性を付与した樹脂ペーストをボッティン
グ等の方法でアルミ電極上に付着、接着形成してもよい
。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、アルミ
電極上に付着金属部によって、予め所望するバンプ高さ
近くの付着バンプを形成しておき、その後、前記付着金
属部の周辺にバンプ電極めっきを行い、バンプ電極を形
成するようにしたので、実質的めっき析出量を低減化し
、バンプ形成時間を短縮することができる。
電極上に付着金属部によって、予め所望するバンプ高さ
近くの付着バンプを形成しておき、その後、前記付着金
属部の周辺にバンプ電極めっきを行い、バンプ電極を形
成するようにしたので、実質的めっき析出量を低減化し
、バンプ形成時間を短縮することができる。
第１図は本発明の実施例を示すバンプ電極の形成工程断
面図、第２図は従来のバンプ電極の断面図、第３図は従
来のバンプ電極の実装構造例を示す断面図である。 １０・・・シリコン基板、】１・・・アルミ電極、１２
・・・コンタクト金属層、１３・・・バリヤ金属層、１
４・・・保護膜、１５・・・付着金属部、１６・・・め
っき金属。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 清 水 守（外２名）本発明のノ
マンアｔａの形広エイｉ−午面ジコ第１図 、３ ．５ ど 従来層ング粉、田嗜五２ 第３図
面図、第２図は従来のバンプ電極の断面図、第３図は従
来のバンプ電極の実装構造例を示す断面図である。 １０・・・シリコン基板、】１・・・アルミ電極、１２
・・・コンタクト金属層、１３・・・バリヤ金属層、１
４・・・保護膜、１５・・・付着金属部、１６・・・め
っき金属。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 清 水 守（外２名）本発明のノ
マンアｔａの形広エイｉ−午面ジコ第１図 、３ ．５ ど 従来層ング粉、田嗜五２ 第３図
Claims (1)
- （１）半導体装置の外部導出電極にバンプ電極を形成す
る方法において、 （ａ）前記外部導出電極に芯材として付着金属を形成し
、 （ｂ）該付着金属上に電気めっきによってバンプを形成
することを特徴とするバンプ電極の形成方法。（２）前
記付着金属として導電性樹脂ペーストを用いることを特
徴とする請求項１記載のバンプ電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311379A JPH04188625A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | バンプ電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311379A JPH04188625A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | バンプ電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04188625A true JPH04188625A (ja) | 1992-07-07 |
Family
ID=18016470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2311379A Pending JPH04188625A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | バンプ電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04188625A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011035249A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Fujitsu Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2013070110A (ja) * | 2013-01-24 | 2013-04-18 | Fujitsu Ltd | 半導体素子の製造方法 |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP2311379A patent/JPH04188625A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011035249A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Fujitsu Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2013070110A (ja) * | 2013-01-24 | 2013-04-18 | Fujitsu Ltd | 半導体素子の製造方法 |
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