JPH04188858A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH04188858A JPH04188858A JP2318813A JP31881390A JPH04188858A JP H04188858 A JPH04188858 A JP H04188858A JP 2318813 A JP2318813 A JP 2318813A JP 31881390 A JP31881390 A JP 31881390A JP H04188858 A JPH04188858 A JP H04188858A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- die pad
- lead frame
- resin
- device mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置用リードフレームの構造に関する
。
。
従来の半導体装置（以下ＩＣと呼ぶ）用リードフレーム
は、半導体装置取付部（以下ダイパッドと呼ぶ）が第２
図（ａ）の（２）のようにインナーリード（５）に対し
て平行でありかつ平坦であった、そしてダイパッドは通
常モールド封止時における揚力を減退させるため第２図
（ａ）のごとくダイパッドをあらかしめプレスにより、
リードフレーム表面より下げた状態に加工（以下ダイパ
ッドダウンと呼ぶ）しである。またその裏面は第２図（
ａ）の様に均一な物や、第２図（ｂ）の様に穴開加工が
なされているもの、第２図（Ｃ）の様にデインプル加工
、又はスリット加工がなされているものが知られている
。また、第２図（ｄ）の様にダイパッド裏面部分にガラ
スマットや補強材を設は乞ものなどが知られている。
は、半導体装置取付部（以下ダイパッドと呼ぶ）が第２
図（ａ）の（２）のようにインナーリード（５）に対し
て平行でありかつ平坦であった、そしてダイパッドは通
常モールド封止時における揚力を減退させるため第２図
（ａ）のごとくダイパッドをあらかしめプレスにより、
リードフレーム表面より下げた状態に加工（以下ダイパ
ッドダウンと呼ぶ）しである。またその裏面は第２図（
ａ）の様に均一な物や、第２図（ｂ）の様に穴開加工が
なされているもの、第２図（Ｃ）の様にデインプル加工
、又はスリット加工がなされているものが知られている
。また、第２図（ｄ）の様にダイパッド裏面部分にガラ
スマットや補強材を設は乞ものなどが知られている。
第４図は従来使われている半導体装置用リードフレーム
（以下リードフレームと呼ぶ）の詳細図である。鉄材又
は鋼材で出来たリードフレーム母体をエツチング又はプ
レス加工によりダイパッド（２）、ダムバー（３）、タ
ブ吊りリード（４）、インナーリード（５）、アウター
リード（６）、などに形成加工する。またプレス加工フ
レームでは、第４図（ｄＪの様にフレーム加工時にダイ
パッドダウンを行うこともある。
（以下リードフレームと呼ぶ）の詳細図である。鉄材又
は鋼材で出来たリードフレーム母体をエツチング又はプ
レス加工によりダイパッド（２）、ダムバー（３）、タ
ブ吊りリード（４）、インナーリード（５）、アウター
リード（６）、などに形成加工する。またプレス加工フ
レームでは、第４図（ｄＪの様にフレーム加工時にダイ
パッドダウンを行うこともある。
第３図はフレームのダイパッドダウン加工装置の概念図
である。ダイパッドダウン加工は、図の様に上型（７）
、（８）を解放し、下型（９）の凹部にフレームをセッ
トし、ストリッパー（８）により金型を押さえ、パンチ
（７）でプレスして加工を行う。
である。ダイパッドダウン加工は、図の様に上型（７）
、（８）を解放し、下型（９）の凹部にフレームをセッ
トし、ストリッパー（８）により金型を押さえ、パンチ
（７）でプレスして加工を行う。
第２図（ａ）の様なリードフレームでは第７図（ａ）の
様に、平坦かつ平行なダイパッドな為、ダイパッド及び
ＩＣへ極度の応力が集中した。また、ダイパッド下部が
平坦なため樹脂とリードフレームの熱膨張係数の違いか
ら生じる横への応力が熱衝撃時における、樹脂とリード
フレームとの密着性不良や、モールド樹脂へのクラック
の発生の原因となっていた。また、第２図（ｂ）、（ｃ
）、（ｄ）の様なダイパッド裏面部分への穴開加工や、
デインプル加工、スリット加工を施した物、及びダイパ
ッド部を保護した物については密着性の向上は見られる
ものの、その効果は著しいものではなく、また樹脂モー
ルド加工時に、モールド樹脂の流入による揚力のために
ダイパッドが浮いたり、それらの加工を施す際の生産コ
ストの増加などがあり、低コストを目指す大量生産など
には不向きてあった。
様に、平坦かつ平行なダイパッドな為、ダイパッド及び
ＩＣへ極度の応力が集中した。また、ダイパッド下部が
平坦なため樹脂とリードフレームの熱膨張係数の違いか
ら生じる横への応力が熱衝撃時における、樹脂とリード
フレームとの密着性不良や、モールド樹脂へのクラック
の発生の原因となっていた。また、第２図（ｂ）、（ｃ
）、（ｄ）の様なダイパッド裏面部分への穴開加工や、
デインプル加工、スリット加工を施した物、及びダイパ
ッド部を保護した物については密着性の向上は見られる
ものの、その効果は著しいものではなく、また樹脂モー
ルド加工時に、モールド樹脂の流入による揚力のために
ダイパッドが浮いたり、それらの加工を施す際の生産コ
ストの増加などがあり、低コストを目指す大量生産など
には不向きてあった。
従ってこれらの方法ではこれから益々大型化、薄型化、
低コスト化してい＜ＩＣの生産方法としては安定した方
法とは言えない。
低コスト化してい＜ＩＣの生産方法としては安定した方
法とは言えない。
本発明は上記のような問題を解決すべくなされた物で、
リードフレームのダイパッドの一部を湾曲させる事を特
徴とする半導体装置用リードフレームを提供するもので
ある。
リードフレームのダイパッドの一部を湾曲させる事を特
徴とする半導体装置用リードフレームを提供するもので
ある。
第１図は本発明の詳細な説明するための線図で、以下第
５図、第６図を参照して本発明を説明する。
５図、第６図を参照して本発明を説明する。
第１図（ａ）は、本発明の実施例を示すリードフレーム
の平面図でありダイパッド部（２）に半導体装置が搭載
され、その半導体素子はインナーリード（５）と導電性
細線で結線される。インナーリード（５）はアウターリ
ード部（６）に接続され、アウターリード部（６）は外
枠（１）と連結されている。第１図（ｂ）は本発明の実
施例を示すリードフレームダイパッド部分の側面拡大図
であり半導体素子はダイパッド部（２）に搭載されてお
り、ダイパッド部（２）は外周部（１７）で湾曲されて
いる。第５図（ａ）は本発明で使用するダイパッドダウ
ン加工用金型の概略図であり、（ｂ）はそれにより製作
されたリードフレームの概略である。この外周部の湾曲
加工は第５図（ａ）にあるような金型を用いてフレーム
のプレス加工時、又はダイパッドダウン加工時に行われ
る。第５図（ａ）に於て（１０）は下型、（１１）はパ
ンチ、（１２）はストリッパーである。加工方法は従来
の方法とほぼ同様に行なうことができ、まず上型を解放
して下型にフレームを配置する、次にストリッパー（１
２）でフレーム外周部を押さえ、パンチ（１１）でプレ
ス加工する。ダイパッドダウン量（第５図（ｂ）、（１
３））は通常使用している量とほぼ同量で行う（例えば
０．２５ｍ１１）ダイパッド湾曲加工高さ（第５図（ｂ
）、（１４））は前記ダイパッドダウン量よりも小さい
値（例えば０．１ｍｍ）で加工を行う。又、前記の様な
加工をより円滑に行うためリードフレーム製作時に第５
図（ｂ）の、（１５）、（１６）、（１７）部にあらか
じめノツチをつけておけばより精密な加工が出来る。
の平面図でありダイパッド部（２）に半導体装置が搭載
され、その半導体素子はインナーリード（５）と導電性
細線で結線される。インナーリード（５）はアウターリ
ード部（６）に接続され、アウターリード部（６）は外
枠（１）と連結されている。第１図（ｂ）は本発明の実
施例を示すリードフレームダイパッド部分の側面拡大図
であり半導体素子はダイパッド部（２）に搭載されてお
り、ダイパッド部（２）は外周部（１７）で湾曲されて
いる。第５図（ａ）は本発明で使用するダイパッドダウ
ン加工用金型の概略図であり、（ｂ）はそれにより製作
されたリードフレームの概略である。この外周部の湾曲
加工は第５図（ａ）にあるような金型を用いてフレーム
のプレス加工時、又はダイパッドダウン加工時に行われ
る。第５図（ａ）に於て（１０）は下型、（１１）はパ
ンチ、（１２）はストリッパーである。加工方法は従来
の方法とほぼ同様に行なうことができ、まず上型を解放
して下型にフレームを配置する、次にストリッパー（１
２）でフレーム外周部を押さえ、パンチ（１１）でプレ
ス加工する。ダイパッドダウン量（第５図（ｂ）、（１
３））は通常使用している量とほぼ同量で行う（例えば
０．２５ｍ１１）ダイパッド湾曲加工高さ（第５図（ｂ
）、（１４））は前記ダイパッドダウン量よりも小さい
値（例えば０．１ｍｍ）で加工を行う。又、前記の様な
加工をより円滑に行うためリードフレーム製作時に第５
図（ｂ）の、（１５）、（１６）、（１７）部にあらか
じめノツチをつけておけばより精密な加工が出来る。
第６図は外周部の湾曲加工の断面拡大図である。
湾曲加工角度（１８）は１〜９０°で調整する、またタ
ブ吊りリードとダイパッドの湾曲部分との挟角（１９）
は１〜９０°の範囲で、ダイパッド折り曲げ部（２０）
は９０〜１８０°の範囲で調整すると非常に効果的であ
る。また、この様に外周部をＶ字型に加工するばかりで
はなく、Ｕ字型や波型等に加工することも出来る。
ブ吊りリードとダイパッドの湾曲部分との挟角（１９）
は１〜９０°の範囲で、ダイパッド折り曲げ部（２０）
は９０〜１８０°の範囲で調整すると非常に効果的であ
る。また、この様に外周部をＶ字型に加工するばかりで
はなく、Ｕ字型や波型等に加工することも出来る。
〔発明の効果〕
以上詳記した通り、本発明はプレス加工時、又は、ダイ
パッドダウン加工時に付随した工程を設けることのみて
、ダイパッドと樹脂の密着性を非常に良くすることが出
来る。そしてこの加工を施したフレームによる製品は第
７図（ｂ）にあるように横方向及びダイパッド下方向か
らの、樹脂とリードフレームとの熱膨張係数差による応
力を緩和することが出来、また、樹脂との密着力が高い
ため通常のリードフレームを使用した場合に比べ熱衝撃
におけるモールド樹脂の耐クラツク特性が非常に良くな
る。
パッドダウン加工時に付随した工程を設けることのみて
、ダイパッドと樹脂の密着性を非常に良くすることが出
来る。そしてこの加工を施したフレームによる製品は第
７図（ｂ）にあるように横方向及びダイパッド下方向か
らの、樹脂とリードフレームとの熱膨張係数差による応
力を緩和することが出来、また、樹脂との密着力が高い
ため通常のリードフレームを使用した場合に比べ熱衝撃
におけるモールド樹脂の耐クラツク特性が非常に良くな
る。
また、本発明の半導体装置用リードフレームではモール
ド加工時に於て、第１図（ａ）の様なダイパッドの加工
により樹脂の流れがなめらかに誘導されダイパッド部の
浮きも生じず成形性の良いモールド樹脂封止加工ができ
る。また、ダイパッド加工はダイパッドダウン加工の際
に一部を湾曲させるだけなので簡単かつ低コストである
。
ド加工時に於て、第１図（ａ）の様なダイパッドの加工
により樹脂の流れがなめらかに誘導されダイパッド部の
浮きも生じず成形性の良いモールド樹脂封止加工ができ
る。また、ダイパッド加工はダイパッドダウン加工の際
に一部を湾曲させるだけなので簡単かつ低コストである
。
第１図は、本発明を説明するためのリードフレームの平
面図及び、ダイパッド部側面拡大図、第２図は、従来の
半導体装置の構造の断面図、第３図は、従来使用してき
たダイパッドダウン加工用金型の概念図、第４図は、従
来使用してきたリードフレームを説明するための平面図
、及び側面図である、第５図は本発明で使用するダイパ
ッドダウン用プレス金型の概念図、第６図は外周部の湾
曲加工部分の詳細図である。 第７図は本発明のリードフレームによる応力緩和の効果
をあられした図である。 １・・・外枠 ２・・・ダイパッド ３・・・ダムバー ４・・・タブ吊りリード ５拳・壷インナーリード ６・・・アウターリード ７・・・パンチ ８００．ストリッパー ９・・・下型 １０・・・下型 １１・・・パンチ １２・・・ストリッパー １３・・・ダイパッドダウン量 １４・・・湾曲部高さ １５・・・湾曲部〜タブ吊りリード折り曲げ部１６・・
・ダイパッド折り曲げ部 １７・・・湾曲部折り曲げ部 １８・・・湾曲部角度 １９・・・インナーリード角度 ２０・・・ダイパッド折り曲げ部 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）瓦２図（ａ
） 第２図（ｂ＞ 第 ２ 図（Ｃ＞） 舅２図（ｄ） 驚 ３ 図 菓５図（ａ） 第６図 諏７図（ａ） 菓７図（ｂ）
面図及び、ダイパッド部側面拡大図、第２図は、従来の
半導体装置の構造の断面図、第３図は、従来使用してき
たダイパッドダウン加工用金型の概念図、第４図は、従
来使用してきたリードフレームを説明するための平面図
、及び側面図である、第５図は本発明で使用するダイパ
ッドダウン用プレス金型の概念図、第６図は外周部の湾
曲加工部分の詳細図である。 第７図は本発明のリードフレームによる応力緩和の効果
をあられした図である。 １・・・外枠 ２・・・ダイパッド ３・・・ダムバー ４・・・タブ吊りリード ５拳・壷インナーリード ６・・・アウターリード ７・・・パンチ ８００．ストリッパー ９・・・下型 １０・・・下型 １１・・・パンチ １２・・・ストリッパー １３・・・ダイパッドダウン量 １４・・・湾曲部高さ １５・・・湾曲部〜タブ吊りリード折り曲げ部１６・・
・ダイパッド折り曲げ部 １７・・・湾曲部折り曲げ部 １８・・・湾曲部角度 １９・・・インナーリード角度 ２０・・・ダイパッド折り曲げ部 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）瓦２図（ａ
） 第２図（ｂ＞ 第 ２ 図（Ｃ＞） 舅２図（ｄ） 驚 ３ 図 菓５図（ａ） 第６図 諏７図（ａ） 菓７図（ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも半導体装置取付部、前記取付部を保持する吊
りリード、前記取付部周囲に配された複数リード、及び
それらを保持する枠部を有する半導体装置用リードフレ
ームに於て、 前記半導体装置取付部の一部を湾曲させる事を特徴とす
る半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2318813A JPH04188858A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2318813A JPH04188858A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04188858A true JPH04188858A (ja) | 1992-07-07 |
Family
ID=18103232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2318813A Pending JPH04188858A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04188858A (ja) |
-
1990
- 1990-11-22 JP JP2318813A patent/JPH04188858A/ja active Pending
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