JPH041902A - 浮上型複合磁気ヘッド - Google Patents
浮上型複合磁気ヘッドInfo
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- JPH041902A JPH041902A JP25101190A JP25101190A JPH041902A JP H041902 A JPH041902 A JP H041902A JP 25101190 A JP25101190 A JP 25101190A JP 25101190 A JP25101190 A JP 25101190A JP H041902 A JPH041902 A JP H041902A
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Landscapes
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は磁気ディスク装置において、記録媒体表面より
ごく僅かに浮上させて用いる浮上型複合磁気ヘッド(以
下「磁気ヘッド」と記すことがある。)に関するもので
ある。
ごく僅かに浮上させて用いる浮上型複合磁気ヘッド(以
下「磁気ヘッド」と記すことがある。)に関するもので
ある。
[従来の技術]
浮上型複合磁気ヘッドは、円盤状の磁気記録ディスク(
磁気記録媒体)を回転させ、この回転に伴って生じる空
気流によってごく僅かに浮上させて用いられるものであ
る。
磁気記録媒体)を回転させ、この回転に伴って生じる空
気流によってごく僅かに浮上させて用いられるものであ
る。
第1図は、浮上型複合磁気ヘッドの一例を示す斜視図で
ある。磁気ヘッドlは、スライダ一部を形成するI型コ
ア6とC型コア5より構成されている。■型コア6とC
型コア5との接合部の詳細な構造を第2図に示す。第2
図において、例えばM n −Z nフェライトからな
るC型コア5と■型コア6との対向面に金属磁性薄膜4
が形成されている。■型コア6もM n −Z nフェ
ライトからなる。1型コア6とC型コア5は、ギャップ
Gを有するように、金属磁性薄膜4を挾んでガラス接合
されている。7は接合ガラスを示す。
ある。磁気ヘッドlは、スライダ一部を形成するI型コ
ア6とC型コア5より構成されている。■型コア6とC
型コア5との接合部の詳細な構造を第2図に示す。第2
図において、例えばM n −Z nフェライトからな
るC型コア5と■型コア6との対向面に金属磁性薄膜4
が形成されている。■型コア6もM n −Z nフェ
ライトからなる。1型コア6とC型コア5は、ギャップ
Gを有するように、金属磁性薄膜4を挾んでガラス接合
されている。7は接合ガラスを示す。
[発明が解決しようとする問題点コ
第1図の如く金属磁性薄膜を形成した浮上型複合磁気ヘ
ッドは、金属磁性薄膜を形成しない浮上型磁気ヘッドに
比べ高い記録再生特性を示す。
ッドは、金属磁性薄膜を形成しない浮上型磁気ヘッドに
比べ高い記録再生特性を示す。
しかしながら、磁気記録の高密度化がさらに進み、記録
媒体は保磁力が12000eを越えるものが開発され、
磁気ヘッドはトラック幅が16゜以下という狭トラツク
化、及び、狭ギャップ化する傾向が強い。前記傾向が進
むほど、磁気ヘッドの記録再生出力が低下するという間
層が顕著になり、浮上型複合磁気ヘッドの記録再生出力
を向上させるために、金属磁性薄膜の研究、開発が進め
られている。
媒体は保磁力が12000eを越えるものが開発され、
磁気ヘッドはトラック幅が16゜以下という狭トラツク
化、及び、狭ギャップ化する傾向が強い。前記傾向が進
むほど、磁気ヘッドの記録再生出力が低下するという間
層が顕著になり、浮上型複合磁気ヘッドの記録再生出力
を向上させるために、金属磁性薄膜の研究、開発が進め
られている。
例えば、特開昭62−183101号公報、特開昭60
−95904号公報等にその記載がある。
−95904号公報等にその記載がある。
ところが、前記公報に記載されている金属磁性薄膜は、
金属磁性薄膜単体の磁気特性に関して検討したもので、
浮上型磁気ヘッドを構成するフェライト及びフェライト
コアを接合するガラス(以下接合ガラスと記す)と複合
された時に受ける応力と磁気特性については検討されて
いなかった。
金属磁性薄膜単体の磁気特性に関して検討したもので、
浮上型磁気ヘッドを構成するフェライト及びフェライト
コアを接合するガラス(以下接合ガラスと記す)と複合
された時に受ける応力と磁気特性については検討されて
いなかった。
また、金属磁性薄膜を主磁路とする薄膜磁気ヘッドにお
いては、金属磁性薄膜に働く応力を考慮し、金属磁性薄
膜の磁歪定数を特定したものがいくつかある。その中の
一つとして、特開昭62−229511号公報には、磁
気誘導型薄膜ヘッドにおいて金属磁性薄膜の磁歪定数を
負に特定する記載がある。
いては、金属磁性薄膜に働く応力を考慮し、金属磁性薄
膜の磁歪定数を特定したものがいくつかある。その中の
一つとして、特開昭62−229511号公報には、磁
気誘導型薄膜ヘッドにおいて金属磁性薄膜の磁歪定数を
負に特定する記載がある。
ところが、同号公報は、金属磁性薄膜の磁歪定数を負に
特定したものであり、本発明の如く正のある範囲に特定
するものとは全く磁歪定数の特定する範囲が異なる。更
に同号公報は、主磁路を金属磁性薄膜により形成する磁
気誘導型薄膜ヘッドに関するものであり、本発明の如く
主磁路をMn−Znフェライトで形成するバルクタイプ
の磁気ヘッドとは構成が全く異なりそのまま適用出来る
ものではない。
特定したものであり、本発明の如く正のある範囲に特定
するものとは全く磁歪定数の特定する範囲が異なる。更
に同号公報は、主磁路を金属磁性薄膜により形成する磁
気誘導型薄膜ヘッドに関するものであり、本発明の如く
主磁路をMn−Znフェライトで形成するバルクタイプ
の磁気ヘッドとは構成が全く異なりそのまま適用出来る
ものではない。
また、特開昭60−74110号公報には薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、金属磁性薄膜の磁歪定数λSの許容範囲を
1λs1≦0.4 X L O−’と特定したことが記
載されている。
ドにおいて、金属磁性薄膜の磁歪定数λSの許容範囲を
1λs1≦0.4 X L O−’と特定したことが記
載されている。
ところが、同号公報では、前記薄膜ヘッド製造時に発生
する応力による金属磁性薄膜の透磁率の低下を防止する
ために、金属磁性薄膜の磁歪定数をOに近いある許容範
囲とするものであり、本発明の如く金属磁性薄膜に働く
応力を考慮して、磁歪定数を正のある範囲に特定するも
のとは作用が全く異なり、本発明にただちに適用出来る
ものではない。
する応力による金属磁性薄膜の透磁率の低下を防止する
ために、金属磁性薄膜の磁歪定数をOに近いある許容範
囲とするものであり、本発明の如く金属磁性薄膜に働く
応力を考慮して、磁歪定数を正のある範囲に特定するも
のとは作用が全く異なり、本発明にただちに適用出来る
ものではない。
本発明の目的は、浮上型複合磁気ヘッドにおいて、金属
磁性薄膜に働く応力を考慮し、金属磁性薄膜の磁歪定数
を最適化することにより、そのa己録再生特性を大幅に
向上させるものである。
磁性薄膜に働く応力を考慮し、金属磁性薄膜の磁歪定数
を最適化することにより、そのa己録再生特性を大幅に
向上させるものである。
[問題点を解決するための手段]
本発明の浮上型複合磁気ヘッドは、非磁性ギャップを介
して相対する一対のコア片の少なくとも一方の対向面に
金属磁性薄膜が形成されており、その一対のコア片がガ
ラスにより接合された磁気コアを有する浮上型複合磁気
ヘッドに関し、その金属磁性薄膜の磁歪定数が+2〜+
8×10−”である事を特徴とするものである。
して相対する一対のコア片の少なくとも一方の対向面に
金属磁性薄膜が形成されており、その一対のコア片がガ
ラスにより接合された磁気コアを有する浮上型複合磁気
ヘッドに関し、その金属磁性薄膜の磁歪定数が+2〜+
8×10−”である事を特徴とするものである。
また、前記コア片は、100〜400℃における平均熱
膨張係数が、110〜130×10−“7℃であるMn
−Znフェライトが好ましく、前記一対のコア片を接合
するガラスの30〜380℃ノ平均熱膨張係数は、90
〜l l OX 10−”/’Cの範囲であれば良い。
膨張係数が、110〜130×10−“7℃であるMn
−Znフェライトが好ましく、前記一対のコア片を接合
するガラスの30〜380℃ノ平均熱膨張係数は、90
〜l l OX 10−”/’Cの範囲であれば良い。
さらに、その金属磁性薄膜はAlが4.6〜8.0wt
%、Siが4.0〜9.0wt%、残部実質的にFeの
組成が好ましく、2wt%以内であればTi及びRuの
少なくとも一種、および/あるいは2〜5wt%のCr
を含有してもかまわない。
%、Siが4.0〜9.0wt%、残部実質的にFeの
組成が好ましく、2wt%以内であればTi及びRuの
少なくとも一種、および/あるいは2〜5wt%のCr
を含有してもかまわない。
本発明に使用する金属磁性薄膜はFe−Alr−3i系
の薄膜以外にも、次の(1)〜(3)に示す金属磁性薄
膜でも同様の効果が得られる。
の薄膜以外にも、次の(1)〜(3)に示す金属磁性薄
膜でも同様の効果が得られる。
(1)FexAyNz(ただし、Xty+Zは各々構成
比を原子%とじて表わし、AはHf、Zr、Ta、Nb
、Tiよりなる群から選択された少なくとも一種の元素
、Nは窒素を表わす)なる組成式で表わされ、その組成
範囲が 5≦y≦15 3≦2≦20 x+y+z=100 であるFe基基磁磁性薄膜 (2) Co xMyCz(ただし、X+LZは各々組
成比を原子篤として表わし、MはHf、Zr、Taより
なる群から選ばれた少なくとも一種の元素、Cは炭素を
表わす。)で示される組成を有し、その組成範囲が 5≦y≦13 15≦2≦25 x+y+z=100 であるCO系軟磁性薄膜。
比を原子%とじて表わし、AはHf、Zr、Ta、Nb
、Tiよりなる群から選択された少なくとも一種の元素
、Nは窒素を表わす)なる組成式で表わされ、その組成
範囲が 5≦y≦15 3≦2≦20 x+y+z=100 であるFe基基磁磁性薄膜 (2) Co xMyCz(ただし、X+LZは各々組
成比を原子篤として表わし、MはHf、Zr、Taより
なる群から選ばれた少なくとも一種の元素、Cは炭素を
表わす。)で示される組成を有し、その組成範囲が 5≦y≦13 15≦2≦25 x+y+z=100 であるCO系軟磁性薄膜。
(3)原子比でTa5〜15%、08〜20%及び残部
がFeよりなる磁性薄膜において、前記磁性薄膜の組織
中にbcc構造のFeとTaC,Ta、Cの結晶が共存
しているFe−Ta−C系磁性薄膜。
がFeよりなる磁性薄膜において、前記磁性薄膜の組織
中にbcc構造のFeとTaC,Ta、Cの結晶が共存
しているFe−Ta−C系磁性薄膜。
[作用]
本発明の磁気ヘッドでは、金属磁性薄膜のトラック幅方
向に引張応力が発生する。前記金属磁性薄膜は、このト
ラック幅方向の引張応力に好適な磁歪定数を選択するこ
とにより、ギャップ深さ方向の透磁率が向上し、磁気ヘ
ッドの記録再生出力が高められる。
向に引張応力が発生する。前記金属磁性薄膜は、このト
ラック幅方向の引張応力に好適な磁歪定数を選択するこ
とにより、ギャップ深さ方向の透磁率が向上し、磁気ヘ
ッドの記録再生出力が高められる。
これを詳細に説明すると次の通りである。
前記浮上型複合磁気ヘッドについて、まず二次元のシミ
ュレーションにより特性評価をした。
ュレーションにより特性評価をした。
起磁力を80mAとしたときの、ギャップ近傍における
磁力線の分布を第3図に示す。
磁力線の分布を第3図に示す。
第3図より金属磁性薄膜が1または2μm程度であると
、I型コア6側によって、磁束が金属磁性溝lI4とそ
の近傍に集中し、ギャップ深さ方向に磁束が流れること
が分かる。
、I型コア6側によって、磁束が金属磁性溝lI4とそ
の近傍に集中し、ギャップ深さ方向に磁束が流れること
が分かる。
金属磁性薄膜の透磁率はこの磁気ヘッドを使用する高周
波域では、磁壁移動が主となる磁化容易軸よりも、スピ
ンの回転が主となる磁化困難軸の方が高い値を示す。即
ち、ギャップ深さ方向に磁束を流れやすくするには、同
方向に磁化困難軸を指向させれば良いことが分かる。
波域では、磁壁移動が主となる磁化容易軸よりも、スピ
ンの回転が主となる磁化困難軸の方が高い値を示す。即
ち、ギャップ深さ方向に磁束を流れやすくするには、同
方向に磁化困難軸を指向させれば良いことが分かる。
第4図に三次元シミュレーションによる金属磁性薄膜の
応力解析結果を示す、第4図において、実線で囲まれた
部分が金属磁性薄膜4であり、5はC型コア、6は■型
コア、7は補強ガラスである。金属磁性薄膜4の部分の
矢印は、薄膜に作用している応力の向きとその大きさを
表しており、金属磁性薄膜には全面に引張応力が作用し
、特にトラック幅方向に強い引張応力が発生している。
応力解析結果を示す、第4図において、実線で囲まれた
部分が金属磁性薄膜4であり、5はC型コア、6は■型
コア、7は補強ガラスである。金属磁性薄膜4の部分の
矢印は、薄膜に作用している応力の向きとその大きさを
表しており、金属磁性薄膜には全面に引張応力が作用し
、特にトラック幅方向に強い引張応力が発生している。
第5図にフェライト、接合ガラス及び金属磁性薄膜の熱
膨張曲線を示す。第5図から明らかな様に、これらのう
ちでは、金属磁性薄膜の熱膨張係数が最も大きい。
膨張曲線を示す。第5図から明らかな様に、これらのう
ちでは、金属磁性薄膜の熱膨張係数が最も大きい。
また、第6図にはフェライト基板上に金属磁性薄膜を形
成し、所定の温度で熱処理を行なった場合の変形を模式
的に示した6第6図より金属磁性薄膜には、引張応力が
発生していることが分かる。
成し、所定の温度で熱処理を行なった場合の変形を模式
的に示した6第6図より金属磁性薄膜には、引張応力が
発生していることが分かる。
この実験結果は第4図に示した応力の解析結果と一致す
る。
る。
第7図に第2表N005に示したMn−Znフェライト
コアに形成された金属磁性薄膜の磁気特性と磁歪定数と
の関係を示す。磁歪定数は非磁性基板上に金属磁性薄膜
を形成し、所定の温度で熱処理を施した試料を、光テコ
法を用いて測定することにより求めた。第7図より明ら
かな様に、磁歪定数が正の領域に於いて、金属磁性薄膜
の磁気特性が向上する磁歪定数の範囲がある。この範囲
の磁歪定数をもつ金属磁性薄膜を有する浮上型複合磁気
ヘッドの記録再生特性は、ギャップ深さ方向の磁束が流
れやすくなることにより高められると推定される。
コアに形成された金属磁性薄膜の磁気特性と磁歪定数と
の関係を示す。磁歪定数は非磁性基板上に金属磁性薄膜
を形成し、所定の温度で熱処理を施した試料を、光テコ
法を用いて測定することにより求めた。第7図より明ら
かな様に、磁歪定数が正の領域に於いて、金属磁性薄膜
の磁気特性が向上する磁歪定数の範囲がある。この範囲
の磁歪定数をもつ金属磁性薄膜を有する浮上型複合磁気
ヘッドの記録再生特性は、ギャップ深さ方向の磁束が流
れやすくなることにより高められると推定される。
本発明の如く金属磁性薄膜の磁歪定数が+2〜十8X1
0−6であると、後述する第8図及び第9図に示す様に
、記録再生特性は著しく高いものになる。
0−6であると、後述する第8図及び第9図に示す様に
、記録再生特性は著しく高いものになる。
この現象は金属磁性薄膜に働いている応力の、次のよう
な作用から生ずると考えられる。
な作用から生ずると考えられる。
前記トラック幅方向の引張り応力は、ギャップ深さ方向
の応力より大きいため、応力のエネルギーのみを考える
と、金属磁性薄膜の磁歪定数が正の場合、トラック幅方
向に磁化容易軸、ギャップ深さ方向に磁化困難軸を指向
させると考えられる。
の応力より大きいため、応力のエネルギーのみを考える
と、金属磁性薄膜の磁歪定数が正の場合、トラック幅方
向に磁化容易軸、ギャップ深さ方向に磁化困難軸を指向
させると考えられる。
このように、ギャップ深さ方向に磁化困難軸が指向する
場合には、磁気ヘッドが作動するメガヘルツの周波数帯
域では、金属磁性薄膜のギャップ深さ方向の透磁率が増
加すると推定され、その結果、ギャップ深さ方向に対し
、磁束が流れやすくなるものと考えられる。
場合には、磁気ヘッドが作動するメガヘルツの周波数帯
域では、金属磁性薄膜のギャップ深さ方向の透磁率が増
加すると推定され、その結果、ギャップ深さ方向に対し
、磁束が流れやすくなるものと考えられる。
更に、本発明の磁気ヘッドは、適切な熱膨張係数のM
n −Z nフェライトと接合ガラスを用いることによ
り、金属磁性薄膜をしっかりとフェライトコア片に付着
させ、接合ガラスにクラックが発生するのを防止するこ
とができる。
n −Z nフェライトと接合ガラスを用いることによ
り、金属磁性薄膜をしっかりとフェライトコア片に付着
させ、接合ガラスにクラックが発生するのを防止するこ
とができる。
また、金属磁性薄膜の磁気特性が高透磁率、かつ高飽和
磁束密度であり、そして、その耐蝕性を著しく向上させ
ることができる。
磁束密度であり、そして、その耐蝕性を著しく向上させ
ることができる。
[実施例]
本発明を添付図面を参照して以下に詳細に説明する。
第1図は、本発明の実施例による浮上型複合磁気ヘッド
の全体構成を示す斜視図である。第2図は、C型コア片
5と1型コア片6との接合部の詳細を示す。1はM n
−Z nフェライトからなるC型コア片5及びI型コ
ア片6と称される磁性体であり、■型コア片6はスライ
ダーの端部を用いている。4はC型コア片5上に被着さ
れたFe−Al−5i薄膜である。3はC型コア片5と
I型コア片6との間に形成された巻線用の窓であり、そ
の上部にC型コア片5と■型コア片6を接合するガラス
部7が設けられている。なお、実施例の浮上型複合磁気
ヘッドの形状は次の通りである。
の全体構成を示す斜視図である。第2図は、C型コア片
5と1型コア片6との接合部の詳細を示す。1はM n
−Z nフェライトからなるC型コア片5及びI型コ
ア片6と称される磁性体であり、■型コア片6はスライ
ダーの端部を用いている。4はC型コア片5上に被着さ
れたFe−Al−5i薄膜である。3はC型コア片5と
I型コア片6との間に形成された巻線用の窓であり、そ
の上部にC型コア片5と■型コア片6を接合するガラス
部7が設けられている。なお、実施例の浮上型複合磁気
ヘッドの形状は次の通りである。
トラック幅 Tw: 14g
磁気ギャップ長さ GQ : 0.60゜磁気ギャッ
プ深さ Gd:6gm コア高さ :1.6a+n+この浮上型
複合磁気ヘッドは以下のプロセスにより製造する。
プ深さ Gd:6gm コア高さ :1.6a+n+この浮上型
複合磁気ヘッドは以下のプロセスにより製造する。
まず、M n −Z nフェライトのブロックより所定
の寸法に加工してC型コアブロック及び■型コアブロッ
クを得る。
の寸法に加工してC型コアブロック及び■型コアブロッ
クを得る。
いずれかのコアブロックに金属磁性薄膜を形成するが、
本実施例ではC型コアブロックに金属磁性薄膜を約2−
形成した。
本実施例ではC型コアブロックに金属磁性薄膜を約2−
形成した。
金属磁性薄膜形成条件は、下記に示す通りである。
RF パワー 400W
タ一ゲツト基板間距離 70mm
基板温度 300℃
到達真空度 5 X I O−’Paガス圧力
7×10−’Pa 次にC型コアブロックとI型コアブロックとをガラスに
より接合する。この接合ブロックを研削及び研磨する事
により浮上型複合磁気ヘッドを得ることができる。
7×10−’Pa 次にC型コアブロックとI型コアブロックとをガラスに
より接合する。この接合ブロックを研削及び研磨する事
により浮上型複合磁気ヘッドを得ることができる。
前記の製造方法を基準とし、本発明を以下の具体的な実
施例により説明する。
施例により説明する。
実施例1
第1表に示す一1〜+9×10−’の磁歪定数を有する
Fe−Al−5i薄膜を非磁性フェライト基板上に形成
し、C型コアブロックと■型コアブロックとを接合する
温度において熱処理を行った。
Fe−Al−5i薄膜を非磁性フェライト基板上に形成
し、C型コアブロックと■型コアブロックとを接合する
温度において熱処理を行った。
第1表
その試料をMn−Znフェライトのキュリー点以上の3
00℃まで加熱し、磁化曲線を測定し、保磁力を読み取
った。第7図にセンダスト膜の保磁力と磁歪定数との関
係を示す。
00℃まで加熱し、磁化曲線を測定し、保磁力を読み取
った。第7図にセンダスト膜の保磁力と磁歪定数との関
係を示す。
第7図より明らかな様に、保磁力は磁歪定数が+2〜+
8×10−’の範囲において低い値を示し、更に磁歪定
数が+4〜+6×10−“の範囲では著しく低い値を示
す。
8×10−’の範囲において低い値を示し、更に磁歪定
数が+4〜+6×10−“の範囲では著しく低い値を示
す。
第8図及び第9図に金属磁性薄膜の磁歪定数と前記製造
プロセスにより作製した浮上型複合磁気ヘッドの出力及
び相対マージンとの関係を示す。
プロセスにより作製した浮上型複合磁気ヘッドの出力及
び相対マージンとの関係を示す。
ただし、特性測定条件は次の通りである。
媒体保磁力 12000e
周速 9.4m/s
浮上量 0.17μm
磁気ヘッドの巻き数 21X2 (ターン)周波数
LF二l M HzHF:4MHz 前記測定条件において、第8図に示した浮上型複合磁気
ヘッドの再生出力は、Fe−Al−3i薄膜の磁歪定数
が+2〜+8×10−’の範囲では高い値となる。更に
第9図に示した浮上型複合磁気ヘッドの相対マージンも
Fe−Al−5i薄膜の磁歪定数が+2〜+8×10−
“の範囲では高い値となる。
LF二l M HzHF:4MHz 前記測定条件において、第8図に示した浮上型複合磁気
ヘッドの再生出力は、Fe−Al−3i薄膜の磁歪定数
が+2〜+8×10−’の範囲では高い値となる。更に
第9図に示した浮上型複合磁気ヘッドの相対マージンも
Fe−Al−5i薄膜の磁歪定数が+2〜+8×10−
“の範囲では高い値となる。
また、前記範囲の磁歪定数に対応するFe−Al−5L
薄膜の組成範囲は、Alが4.6〜8.0wし%、Si
が4.0〜9.0wt%、残部実質的にFeであること
がわかる。即ち、Fe−Al−5i薄膜の磁歪定数+2
〜+8×10−”の範囲及びAl : 4.6〜8.0
wt%、Si:4.O〜9゜0wt%、残部実質的にF
eの組成範囲において高い再生出力が得られる。
薄膜の組成範囲は、Alが4.6〜8.0wし%、Si
が4.0〜9.0wt%、残部実質的にFeであること
がわかる。即ち、Fe−Al−5i薄膜の磁歪定数+2
〜+8×10−”の範囲及びAl : 4.6〜8.0
wt%、Si:4.O〜9゜0wt%、残部実質的にF
eの組成範囲において高い再生出力が得られる。
実施例2
磁気ヘッドの製造工程には、ガラスボンディング等の熱
処理工程を必要とする。この熱処理工程において、フェ
ライトコアとFe−Al−5i薄膜の熱膨張係数の差に
よりFe−Al−5i薄膜がフェライトコアより剥離す
る事がある。第5図に示したようにフェライトの熱膨張
係数は、Fe−Al−Si薄膜より小さい。そのためF
e−Al−5i薄膜が剥離しないフェライトコアの熱膨
張係数の下限を調査する目的で以下のテストを行った。
処理工程を必要とする。この熱処理工程において、フェ
ライトコアとFe−Al−5i薄膜の熱膨張係数の差に
よりFe−Al−5i薄膜がフェライトコアより剥離す
る事がある。第5図に示したようにフェライトの熱膨張
係数は、Fe−Al−Si薄膜より小さい。そのためF
e−Al−5i薄膜が剥離しないフェライトコアの熱膨
張係数の下限を調査する目的で以下のテストを行った。
第2表に示した95〜135Xlo−’/’Cの熱膨張
係数を有するフェライトを用い、前記製造プロセスで述
べた■型コアブロックを作成した。その種々の熱膨張係
数を有する■型コアブロックにマグネトロンスパッタ装
置により、2−厚のFeAl−5i薄膜を形成した。ま
た、Fe−Al−5i薄膜の組成は、85wt%のFe
、6wt%の、12及び9wt%のSlで、磁歪定数λ
Sは+2×10’である。
係数を有するフェライトを用い、前記製造プロセスで述
べた■型コアブロックを作成した。その種々の熱膨張係
数を有する■型コアブロックにマグネトロンスパッタ装
置により、2−厚のFeAl−5i薄膜を形成した。ま
た、Fe−Al−5i薄膜の組成は、85wt%のFe
、6wt%の、12及び9wt%のSlで、磁歪定数λ
Sは+2×10’である。
第2表
Fe−Al−5i薄膜を形成した■型コアブロックに、
600℃の温度で60分間の熱処理を施し、Fe−Al
−5i薄膜の剥離の有無を調査した。その結果を第3表
に示す。表中の0は異常無し、Δは試料の端部のみのF
e−Al−5i薄膜に剥離等の異常が発生したことを示
し、Xは試料全面にFe−Al−5i薄膜の剥離等の異
常が発生したことを示す。
600℃の温度で60分間の熱処理を施し、Fe−Al
−5i薄膜の剥離の有無を調査した。その結果を第3表
に示す。表中の0は異常無し、Δは試料の端部のみのF
e−Al−5i薄膜に剥離等の異常が発生したことを示
し、Xは試料全面にFe−Al−5i薄膜の剥離等の異
常が発生したことを示す。
第3表
第3表からフェライトとFe−Al−5i薄膜とが安定
に付着することが出来るフェライトの熱膨張係数の下限
はl l OX I O−’/’Cである事が判明した
。また、熱膨張係数がl 35X I O−7/℃を越
えるフェライト材は、フェライトの製造工程において焼
結不良が発生し製造歩留りが著しく低いものとなる。更
に、熱膨張係数が130X10−’ /’Cを越えるフ
ェライトは、透磁率のピークが室温近傍にあり、実装状
態での透磁率の温度依存性が大きい。そのために、フェ
ライトの熱膨張係数は130×10−’/’C以下が望
ましい。即ち、FeAl−5i薄膜の剥離が発生せず、
安定な歩留りでフェライト材が製造できる熱膨張係数の
範囲は、110〜l 30X I O−’/’Cである
。
に付着することが出来るフェライトの熱膨張係数の下限
はl l OX I O−’/’Cである事が判明した
。また、熱膨張係数がl 35X I O−7/℃を越
えるフェライト材は、フェライトの製造工程において焼
結不良が発生し製造歩留りが著しく低いものとなる。更
に、熱膨張係数が130X10−’ /’Cを越えるフ
ェライトは、透磁率のピークが室温近傍にあり、実装状
態での透磁率の温度依存性が大きい。そのために、フェ
ライトの熱膨張係数は130×10−’/’C以下が望
ましい。即ち、FeAl−5i薄膜の剥離が発生せず、
安定な歩留りでフェライト材が製造できる熱膨張係数の
範囲は、110〜l 30X I O−’/’Cである
。
実施例3
C型コアブロックと■型コアブロックを接合するガラス
の熱膨張係数と磁気ヘッド出力との相関を調査するため
に、第4表に示した接合ガラスを用いて磁気ヘッドを作
成した。本実験に使用した金属磁性薄膜は、+4×10
−”の磁歪定数をもつFe−Al−3ls膜であり、フ
ェライトは、第2表に示したN004の熱膨張係数が1
15Xlo−“のフェライトである。また特性測定条件
は、実施例1に準じた。
の熱膨張係数と磁気ヘッド出力との相関を調査するため
に、第4表に示した接合ガラスを用いて磁気ヘッドを作
成した。本実験に使用した金属磁性薄膜は、+4×10
−”の磁歪定数をもつFe−Al−3ls膜であり、フ
ェライトは、第2表に示したN004の熱膨張係数が1
15Xlo−“のフェライトである。また特性測定条件
は、実施例1に準じた。
第10図に接合ガラスの熱膨張係数と磁気コア加工時の
ガラスクラック発生率の相関を示した。
ガラスクラック発生率の相関を示した。
同図からガラスクラック不良率は、熱膨張係数が85
x lO−’/’C以下及び119×10−’/’C以
上では急激に増加することが判明した。
x lO−’/’C以下及び119×10−’/’C以
上では急激に増加することが判明した。
また第11図に第4表の接合ガラスの中から特にNo、
3.4. 5. 6の4種類の接合ガラスを選び、そ
れぞれのガラスを使用した磁気ヘッドの特性を示した。
3.4. 5. 6の4種類の接合ガラスを選び、そ
れぞれのガラスを使用した磁気ヘッドの特性を示した。
同図から、記録再生出力は、接合ガラスの熱膨張係数が
90〜l l0×10−“7℃の範囲であれば、高い値
を示すことがわかる。
90〜l l0×10−“7℃の範囲であれば、高い値
を示すことがわかる。
[発明の効果]
本発明は、磁気ヘッドに形成した金属磁性薄膜に働く応
力状態を解析し、磁気特性の良好な範囲の磁歪定数を有
する金属磁性薄膜を選定することにより、高密度記録化
に対処するための記録媒体の高保磁力化、磁気ヘッド自
体の狭トラツク化、狭ギャップ化が進展した磁気記録装
置においても、記録再生特性の良好な浮上型複合磁気ヘ
ッドを提供することが可能となった。
力状態を解析し、磁気特性の良好な範囲の磁歪定数を有
する金属磁性薄膜を選定することにより、高密度記録化
に対処するための記録媒体の高保磁力化、磁気ヘッド自
体の狭トラツク化、狭ギャップ化が進展した磁気記録装
置においても、記録再生特性の良好な浮上型複合磁気ヘ
ッドを提供することが可能となった。
第1図は浮上型複合磁気ヘッドの斜視図、第2図はギャ
ップ近傍の詳細図、第3図は磁力線の分布図、第4図は
応力分布図、第5図は収縮特性図、第6図は熱変形挙動
図、第7〜11図は測定結果を示すグラフである。
ップ近傍の詳細図、第3図は磁力線の分布図、第4図は
応力分布図、第5図は収縮特性図、第6図は熱変形挙動
図、第7〜11図は測定結果を示すグラフである。
Claims (5)
- (1)浮上型複合磁気ヘッドにおいて、一対のコア片と
前記コア片を接合するガラス部と、前記コア片の少なく
とも一方の対向面に形成された金属磁性薄膜とを有し、
前記金属磁性薄膜の磁歪定数が+2〜+8×10^−^
8であることを特徴とする浮上型磁気ヘッド。 - (2)請求項1に記載の浮上型複合磁気ヘッドにおいて
、熱膨張係数が110〜130×10^−^7/℃であ
るMn−Znフェライトで上記コアを構成することを特
徴とする浮上型複合磁気ヘッド。 - (3)請求項1あるいは2に記載の浮上型複合磁気ヘッ
ドにおいて、コア片を接合するガラスの熱膨張係数が9
0〜110×10^−^7/℃であることを特徴とする
浮上型複合磁気ヘッド。 - (4)請求項1〜3のいずれかに記載の浮上型複合磁気
ヘッドにおいて、前記金属磁性薄膜がFe、Al及びS
iからなる合金であり、Alが4.6〜8.0wt%、
Siが4.0〜9.0wt%、残部実質的にFeの組成
であることを特徴とする浮上型複合磁気ヘッド。 - (5)請求項4に記載の浮上型複合磁気ヘッドにおいて
、前記金属磁性薄膜がさらにTi及びRuの少なくとも
1種を各2wt%以下および/あるいはCrを2〜5w
t%含有することを特徴とする浮上型複合磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP19910105893 EP0451871B1 (en) | 1990-04-13 | 1991-04-12 | Flying-type composite magnetic head |
| DE1991620457 DE69120457T2 (de) | 1990-04-13 | 1991-04-12 | Fliegender zusammengesetzter Magnetkopf |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9805390 | 1990-04-13 | ||
| JP2-98053 | 1990-04-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH041902A true JPH041902A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14209504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25101190A Pending JPH041902A (ja) | 1990-04-13 | 1990-09-20 | 浮上型複合磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH041902A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117756971A (zh) * | 2023-12-29 | 2024-03-26 | 同宇新材料(广东)股份有限公司 | 一种低介电碳氢树脂及其合成方法及应用 |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP25101190A patent/JPH041902A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117756971A (zh) * | 2023-12-29 | 2024-03-26 | 同宇新材料(广东)股份有限公司 | 一种低介电碳氢树脂及其合成方法及应用 |
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