JPH0419311B2 - - Google Patents
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- JPH0419311B2 JPH0419311B2 JP58176378A JP17637883A JPH0419311B2 JP H0419311 B2 JPH0419311 B2 JP H0419311B2 JP 58176378 A JP58176378 A JP 58176378A JP 17637883 A JP17637883 A JP 17637883A JP H0419311 B2 JPH0419311 B2 JP H0419311B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J9/142—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes of shadow-masks for colour television tubes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
- C23F1/04—Chemical milling
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J2209/012—Coating
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はカラー受像管に用いられるシヤドウマ
スクの製造方法に係わり、特にそのエツチング方
法に関するものである。
スクの製造方法に係わり、特にそのエツチング方
法に関するものである。
カラー受像管に用いられるシヤドウマスクは異
なる発光色の群からなる螢光面に近接対向して配
置され、規則正しく配列された多数の開孔を介し
て色選別機能を果たす重要な部材である。このシ
ヤドウマスクは通常、帯状の金属薄板からエツチ
ングにより多数の開孔が穿設されるが、その開孔
形状、特に断面形状は板厚方向に貫通している開
孔径に対して螢光面側の表面の開孔領域は大きく
（以降大孔と称す））、電子銃側の表面の開孔領域
は貫通開孔径と同程度で螢光面側のそれよりは小
さい（以降小孔と称す）。
なる発光色の群からなる螢光面に近接対向して配
置され、規則正しく配列された多数の開孔を介し
て色選別機能を果たす重要な部材である。このシ
ヤドウマスクは通常、帯状の金属薄板からエツチ
ングにより多数の開孔が穿設されるが、その開孔
形状、特に断面形状は板厚方向に貫通している開
孔径に対して螢光面側の表面の開孔領域は大きく
（以降大孔と称す））、電子銃側の表面の開孔領域
は貫通開孔径と同程度で螢光面側のそれよりは小
さい（以降小孔と称す）。
このような複雑な断面形状を有する開孔をエツ
チングにより穿設する場合、その開孔径が小さく
なる程その精度と再現性は低下し、板厚より小さ
い開孔径を得ることは困難である。このような板
厚より小さい開孔径を得る方法として、特公昭57
−26345号公報では第１図及び第２図に示すよう
な提案がなされている。即ち、金属板１のエツチ
ングすべき大小孔部に相当する金属面が露出し、
他は耐エツチング性を有するレジスト膜２ａ及び
２ｂで覆われた金属板１の大孔Daを形成する金
属面を下にし、ａのゾーンにて金属板１の両面よ
り目的とする深さ、つまり金属板残部厚Ｈまで前
段のエツチングを行なつた後、ｂのゾーンで水洗
しｃのゾーンで乾燥する。次いで小孔Dbを形成
した金属板面にアスフアルト、パラフイン又は重
合プラスチツク等のエツチング液に対して抵抗性
を有する材料をｄのゾーンにてスプレーし、ｅの
ゾーンにて乾燥することによつて抵抗層３を形成
する。その後大孔Da側のみからｆのゾーンにて
後段のエツチングを行ない、小孔Dbを埋めてい
る抵抗層３に到達し目的とする孔寸法になるまで
エツチングを続ける。エツチング終了後、水洗、
抵抗層及びレジスト膜剥離等の次工程ｇへ送る。
このような方法により金属板の板厚の40％程度の
孔寸法を有するシヤドウマスクが得られるとして
いる。
チングにより穿設する場合、その開孔径が小さく
なる程その精度と再現性は低下し、板厚より小さ
い開孔径を得ることは困難である。このような板
厚より小さい開孔径を得る方法として、特公昭57
−26345号公報では第１図及び第２図に示すよう
な提案がなされている。即ち、金属板１のエツチ
ングすべき大小孔部に相当する金属面が露出し、
他は耐エツチング性を有するレジスト膜２ａ及び
２ｂで覆われた金属板１の大孔Daを形成する金
属面を下にし、ａのゾーンにて金属板１の両面よ
り目的とする深さ、つまり金属板残部厚Ｈまで前
段のエツチングを行なつた後、ｂのゾーンで水洗
しｃのゾーンで乾燥する。次いで小孔Dbを形成
した金属板面にアスフアルト、パラフイン又は重
合プラスチツク等のエツチング液に対して抵抗性
を有する材料をｄのゾーンにてスプレーし、ｅの
ゾーンにて乾燥することによつて抵抗層３を形成
する。その後大孔Da側のみからｆのゾーンにて
後段のエツチングを行ない、小孔Dbを埋めてい
る抵抗層３に到達し目的とする孔寸法になるまで
エツチングを続ける。エツチング終了後、水洗、
抵抗層及びレジスト膜剥離等の次工程ｇへ送る。
このような方法により金属板の板厚の40％程度の
孔寸法を有するシヤドウマスクが得られるとして
いる。
しかし乍ら孔形成部以外を覆つているレジスト
層２ａ及び２ｂは一般に通常の露光、現像、乾燥
及びバーニング後小孔部を上側、大孔部を下側と
しエツチングを施こし、更に水洗乾燥を行なつた
場合、耐エツチング性が低下し且つレジスト形状
が歪む。従つて後段の大孔側からのエツチング時
はレジスト層２ａと金属板１との付着力が低下し
ているためサイドエツチング量が大きくなり孔寸
法のばらつきを生じ易くなり、サイドエツチング
によつて生じたレジスト膜部の形状歪により孔形
状の乱れが発生しシヤドウマスクの品位を低下さ
せる。
層２ａ及び２ｂは一般に通常の露光、現像、乾燥
及びバーニング後小孔部を上側、大孔部を下側と
しエツチングを施こし、更に水洗乾燥を行なつた
場合、耐エツチング性が低下し且つレジスト形状
が歪む。従つて後段の大孔側からのエツチング時
はレジスト層２ａと金属板１との付着力が低下し
ているためサイドエツチング量が大きくなり孔寸
法のばらつきを生じ易くなり、サイドエツチング
によつて生じたレジスト膜部の形状歪により孔形
状の乱れが発生しシヤドウマスクの品位を低下さ
せる。
また前段のエツチング終了後、小孔部に抵抗材
を充填するが、この充填の際最も困難な点は第３
図に示すように小孔部のレジスト層２ｂは前段の
エツチング時のサイドエツチングにより一部ひさ
し２ｃの状態で存在し、このひさし部２ｃが抵抗
材の凹部内への流れ込みに際し大きな障害とな
る。すなわち、抵抗材を浸漬法或はスプレー法に
て凹部内に充填する場合、このひさし部２ｃの近
傍における空気が抜けきらず一部気泡の状態で残
り易い。この結果後段のエツチング時の気泡の存
在する部分は完全に充填されている部分と比較し
エツチングの進行が早いため孔形状に欠陥を生じ
易い問題を有している。
を充填するが、この充填の際最も困難な点は第３
図に示すように小孔部のレジスト層２ｂは前段の
エツチング時のサイドエツチングにより一部ひさ
し２ｃの状態で存在し、このひさし部２ｃが抵抗
材の凹部内への流れ込みに際し大きな障害とな
る。すなわち、抵抗材を浸漬法或はスプレー法に
て凹部内に充填する場合、このひさし部２ｃの近
傍における空気が抜けきらず一部気泡の状態で残
り易い。この結果後段のエツチング時の気泡の存
在する部分は完全に充填されている部分と比較し
エツチングの進行が早いため孔形状に欠陥を生じ
易い問題を有している。
さらに前段のエツチング時孔寸法を決定する小
孔部を上側にしてエツチングを行なうと、エツチ
ング液が金属板上に溜り、全ての小孔部で同じ凹
部寸法を得るべくエツチングが進行するのを妨害
する。この結果孔寸法にばらつきを生ずる問題を
有している。
孔部を上側にしてエツチングを行なうと、エツチ
ング液が金属板上に溜り、全ての小孔部で同じ凹
部寸法を得るべくエツチングが進行するのを妨害
する。この結果孔寸法にばらつきを生ずる問題を
有している。
本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、シ
ヤドウマスクの金属板の板厚より小さな寸法の開
孔をシヤドウマスク全面に均一に形成することを
目的とする。
ヤドウマスクの金属板の板厚より小さな寸法の開
孔をシヤドウマスク全面に均一に形成することを
目的とする。
本発明は、まず金属薄板の下側の面のみ前段の
エツチングを行なつて所定の凹部を形成し、他面
はエツチング液が付着しないように保護し、エツ
チング面を水洗しレジスト膜を剥離し水洗した後
金属板を反転させて上側となつた凹部にエツチン
グ抵抗層を形成し、以上の前段のエツチング終了
から抵抗層形成までの工程でエツチングされなか
つた面を水洗、レジスト膜剥離液及び抵抗層材が
付着しないように保護し、抵抗層の形成されてい
ない面を下側として後段のエツチングを行なつて
所定の凹部を形成し、後段のエツチングにより所
定の形状に透孔を貫通穿設せしめて後水洗し抵抗
層及びレジスト膜を剥離し水洗乾燥し常に下側か
らのみエツチングを行ないエツチング液の溜りを
防止することによつて、金属薄板の板厚より小さ
な寸法の透孔を有するシヤドウマスクを得るもの
である。
エツチングを行なつて所定の凹部を形成し、他面
はエツチング液が付着しないように保護し、エツ
チング面を水洗しレジスト膜を剥離し水洗した後
金属板を反転させて上側となつた凹部にエツチン
グ抵抗層を形成し、以上の前段のエツチング終了
から抵抗層形成までの工程でエツチングされなか
つた面を水洗、レジスト膜剥離液及び抵抗層材が
付着しないように保護し、抵抗層の形成されてい
ない面を下側として後段のエツチングを行なつて
所定の凹部を形成し、後段のエツチングにより所
定の形状に透孔を貫通穿設せしめて後水洗し抵抗
層及びレジスト膜を剥離し水洗乾燥し常に下側か
らのみエツチングを行ないエツチング液の溜りを
防止することによつて、金属薄板の板厚より小さ
な寸法の透孔を有するシヤドウマスクを得るもの
である。
以下本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例 １
第４図は本発明の実施例による工程ごとの金属
板の構成図、第５図は同じく各工程を示す模式図
である。
板の構成図、第５図は同じく各工程を示す模式図
である。
シヤドウマスク材として板厚0.13mmの平滑なア
ルミキルド低炭素鋼板４を用い、両主面に牛乳カ
ゼイン酸アルカリと重クロム酸アンモニウムから
なる感光液を塗布乾燥して約5μｍのレジスト膜
を形成する。次いで金属薄板４の一方の主面に約
80μｍの円形像を有するネガ原版を、他方の主面
の対応部位に約150μｍの円形像を有するネガ原
版をそれぞれ密着配置し、5KWの水銀ランプを
使用し１ｍの距離から30秒間露光する。その後40
℃の温水で１Kg／cm2のスプレー圧にて未露光未硬
化部のレジスト膜部を溶解除去し、小孔形成部及
び大孔形成部にあたえる金属面７，８を露出させ
る（第４図ａ）。この後残存レジスト膜５，６の
耐エツチング性及び金属薄板４との付着強度を向
上させるため150℃の雰囲気で約２分間乾燥し、
200℃の雰囲気で約２分間バーニングを施こす。
次いで金属板４の上側面に位置する大孔側にポリ
エチレン・ポリプロピレン又は塩化ビニル等の保
護フイルム１１をはりつけ（第４図ｂ）、金属板
の下側に位置する小孔側のみにエツチング液９を
吹きつけ目的とする凹部１０が形成されるまでエ
ツチングを行つた後（第５図ａ）水洗する（第５
図ｂ）。エツチング液は比重1.45乃至1.49、液温
50乃至70℃、の第２塩化鉄溶液を用い、スプレー
圧１〜２Kg／cm2でエツチングを行なう。次いで大
孔側に保護フイルム１１をつけたまま小孔側から
濃度15％、60℃の水酸化ナトリウム液をスプレー
し小孔側の残存レジスト膜をはがし（第５図ｃ）、
水洗（第５図ｄ）する。次いで金属板を反転させ
て（第４図ｃ）前段のエツチングで形成された凹
部を上側とし、この面にローラーコーダにて水溶
性のエツチング抵抗材、例えば牛乳カゼイン酸ア
ルカリ、ポリビニルアルコール、エポキシ系デイ
スパージヨン樹脂、又はアルキド樹脂等を塗布し
て（第５図ｅ）、小孔側の凹部を完全に埋め乾燥
（第５図ｆ）することにより抵抗層１２を形成す
る（第４図ｄ）。水溶性のエツチング抵抗材の種
類により金属板が濡れた状態では凹部１０内の水
との置換が迅速に行なわれないことがあるため、
このような場合には残存レジスト膜剥離、水洗後
乾燥して行なうとよい。エツチング抵抗材の塗布
膜厚としては、凹部１０外の金属板面上で５乃至
10μｍとなる範囲が適当である。この抵抗材の塗
布法としてローラーコート法以外にナイフコート
法、スプレー法、浸漬法又はバーコーター法によ
つて行なつても良い。また抵抗材としては耐エツ
チング性を有することが必要で、上記以外に非水
溶性のもの、例えばパラフイン、石油ピツチ、ラ
ツカー等を用いる場合は小孔側の残存レジスト膜
５の剥離水洗後乾燥して抵抗層１２を形成すると
よい。
ルミキルド低炭素鋼板４を用い、両主面に牛乳カ
ゼイン酸アルカリと重クロム酸アンモニウムから
なる感光液を塗布乾燥して約5μｍのレジスト膜
を形成する。次いで金属薄板４の一方の主面に約
80μｍの円形像を有するネガ原版を、他方の主面
の対応部位に約150μｍの円形像を有するネガ原
版をそれぞれ密着配置し、5KWの水銀ランプを
使用し１ｍの距離から30秒間露光する。その後40
℃の温水で１Kg／cm2のスプレー圧にて未露光未硬
化部のレジスト膜部を溶解除去し、小孔形成部及
び大孔形成部にあたえる金属面７，８を露出させ
る（第４図ａ）。この後残存レジスト膜５，６の
耐エツチング性及び金属薄板４との付着強度を向
上させるため150℃の雰囲気で約２分間乾燥し、
200℃の雰囲気で約２分間バーニングを施こす。
次いで金属板４の上側面に位置する大孔側にポリ
エチレン・ポリプロピレン又は塩化ビニル等の保
護フイルム１１をはりつけ（第４図ｂ）、金属板
の下側に位置する小孔側のみにエツチング液９を
吹きつけ目的とする凹部１０が形成されるまでエ
ツチングを行つた後（第５図ａ）水洗する（第５
図ｂ）。エツチング液は比重1.45乃至1.49、液温
50乃至70℃、の第２塩化鉄溶液を用い、スプレー
圧１〜２Kg／cm2でエツチングを行なう。次いで大
孔側に保護フイルム１１をつけたまま小孔側から
濃度15％、60℃の水酸化ナトリウム液をスプレー
し小孔側の残存レジスト膜をはがし（第５図ｃ）、
水洗（第５図ｄ）する。次いで金属板を反転させ
て（第４図ｃ）前段のエツチングで形成された凹
部を上側とし、この面にローラーコーダにて水溶
性のエツチング抵抗材、例えば牛乳カゼイン酸ア
ルカリ、ポリビニルアルコール、エポキシ系デイ
スパージヨン樹脂、又はアルキド樹脂等を塗布し
て（第５図ｅ）、小孔側の凹部を完全に埋め乾燥
（第５図ｆ）することにより抵抗層１２を形成す
る（第４図ｄ）。水溶性のエツチング抵抗材の種
類により金属板が濡れた状態では凹部１０内の水
との置換が迅速に行なわれないことがあるため、
このような場合には残存レジスト膜剥離、水洗後
乾燥して行なうとよい。エツチング抵抗材の塗布
膜厚としては、凹部１０外の金属板面上で５乃至
10μｍとなる範囲が適当である。この抵抗材の塗
布法としてローラーコート法以外にナイフコート
法、スプレー法、浸漬法又はバーコーター法によ
つて行なつても良い。また抵抗材としては耐エツ
チング性を有することが必要で、上記以外に非水
溶性のもの、例えばパラフイン、石油ピツチ、ラ
ツカー等を用いる場合は小孔側の残存レジスト膜
５の剥離水洗後乾燥して抵抗層１２を形成すると
よい。
さて抵抗層１２を形成した後大孔側の保護フイ
ルム１１をはがし、金属板の下側に位置する大孔
側のみに塩化第２鉄からなるエツチング液９を吹
きつけてエツチングを行なう（第５図ｇ）ことに
より、抵抗層１２に大孔側凹部が到達して目的と
する寸法のシヤドウマスク開孔を得る（第４図
ｅ）。次いで抵抗層１２及びレジスト膜６をはが
して（第５図ｈ）開孔形成工程が終了する（第４
図ｆ）。
ルム１１をはがし、金属板の下側に位置する大孔
側のみに塩化第２鉄からなるエツチング液９を吹
きつけてエツチングを行なう（第５図ｇ）ことに
より、抵抗層１２に大孔側凹部が到達して目的と
する寸法のシヤドウマスク開孔を得る（第４図
ｅ）。次いで抵抗層１２及びレジスト膜６をはが
して（第５図ｈ）開孔形成工程が終了する（第４
図ｆ）。
ここで前段の小孔側のみのエツチング及び後段
の大孔側のみのエツチングにおけるエツチング量
はシヤドウマスクの孔寸法及び金属板板厚により
異なるが、何れにせよ大孔側のエツチング量の方
が大である。従つて両者のエツチングにおける最
適なエツチング量を得るために、前段及び後段の
エツチングチヤンバー長の比を変えるか、又はエ
ツチング液の比重や液温或はスプレー圧等を変化
させるとよい。
の大孔側のみのエツチングにおけるエツチング量
はシヤドウマスクの孔寸法及び金属板板厚により
異なるが、何れにせよ大孔側のエツチング量の方
が大である。従つて両者のエツチングにおける最
適なエツチング量を得るために、前段及び後段の
エツチングチヤンバー長の比を変えるか、又はエ
ツチング液の比重や液温或はスプレー圧等を変化
させるとよい。
このようにして得られたシヤドウマスクは孔形
状が優れ、欠陥もなく且つ金属板板厚よりも小さ
くばらつきのない孔寸法を有する高品位なもので
ある。以上の実施例において、抵抗材の塗布方法
によつて金属板の下側に抵抗材が付着しない場
合、保護フイルムの剥離は抵抗材塗布工程の前で
行なつてもよい。
状が優れ、欠陥もなく且つ金属板板厚よりも小さ
くばらつきのない孔寸法を有する高品位なもので
ある。以上の実施例において、抵抗材の塗布方法
によつて金属板の下側に抵抗材が付着しない場
合、保護フイルムの剥離は抵抗材塗布工程の前で
行なつてもよい。
実施例 ２
第６図及び第７図に本発明の第２の実施例のチ
ヤンバー及び工程図を示す。この実施例の場合も
レジスト膜塗布からバーニング工程までは実施例
１と同様である。
ヤンバー及び工程図を示す。この実施例の場合も
レジスト膜塗布からバーニング工程までは実施例
１と同様である。
バーニング後金属板の下側に位置する小孔側に
のみエツチングを行なうが、エツチング液が大孔
側に付着するのを防止するため第６図ａ及びｂに
示すように金属板４の走行部に相当するチヤンバ
ー側面にエツチング液遮蔽板１４を有するエツチ
ングチヤンバー１３内で目的とする凹部が得られ
るまでエツチングを行なう（第７図ａ）。この遮
蔽板の構造としては種々考えられるが、第６図は
その一例を示すもので、下側からのエツチング液
の吹き上げる力によつて金属板が遮蔽板から浮き
上らないようゴムローラ１５で押えつける構造を
有している。エツチング終了後同様の遮蔽板を有
する水洗チヤンバーにて小孔側に付着しているエ
ツチング液を洗い流し（第７図ｂ）、次いで同様
の遮蔽板を有するレジスト膜剥離チヤンバーにて
小孔側のレジスト膜を実施例１と同様に水酸化ナ
トリウム液で除去（第７図ｃ）とした後、水洗し
（第７図ｄ）、乾燥する。このあと塗布するエツチ
ング抵抗材の種類によつては乾燥は行なわなくて
もよい。その後金属板を反転させ凹部の形成され
た小孔部を上側とし、同様な遮蔽板を有する抵抗
材塗布チヤンバーにて実施例１と同様、エツチン
グ抵抗材を金属板の上側に位置する小孔側にのみ
塗布し（第７図ｅ）、乾燥する（第７図ｆ）こと
によつて抵抗層を形成する。次いで遮蔽板を有さ
ないエツチングチヤンバー内で大孔側にのみ下側
からエツチング液を吹きつけてエツチングを行な
う（第７図ｇ）ことにより抵抗層に大孔側凹部が
到達して目的とする寸法のシヤドウマスク開孔を
得る。次いで抵抗層及びレジスト膜をはがして開
孔形成工程が終了する（第７図ｈ）。
のみエツチングを行なうが、エツチング液が大孔
側に付着するのを防止するため第６図ａ及びｂに
示すように金属板４の走行部に相当するチヤンバ
ー側面にエツチング液遮蔽板１４を有するエツチ
ングチヤンバー１３内で目的とする凹部が得られ
るまでエツチングを行なう（第７図ａ）。この遮
蔽板の構造としては種々考えられるが、第６図は
その一例を示すもので、下側からのエツチング液
の吹き上げる力によつて金属板が遮蔽板から浮き
上らないようゴムローラ１５で押えつける構造を
有している。エツチング終了後同様の遮蔽板を有
する水洗チヤンバーにて小孔側に付着しているエ
ツチング液を洗い流し（第７図ｂ）、次いで同様
の遮蔽板を有するレジスト膜剥離チヤンバーにて
小孔側のレジスト膜を実施例１と同様に水酸化ナ
トリウム液で除去（第７図ｃ）とした後、水洗し
（第７図ｄ）、乾燥する。このあと塗布するエツチ
ング抵抗材の種類によつては乾燥は行なわなくて
もよい。その後金属板を反転させ凹部の形成され
た小孔部を上側とし、同様な遮蔽板を有する抵抗
材塗布チヤンバーにて実施例１と同様、エツチン
グ抵抗材を金属板の上側に位置する小孔側にのみ
塗布し（第７図ｅ）、乾燥する（第７図ｆ）こと
によつて抵抗層を形成する。次いで遮蔽板を有さ
ないエツチングチヤンバー内で大孔側にのみ下側
からエツチング液を吹きつけてエツチングを行な
う（第７図ｇ）ことにより抵抗層に大孔側凹部が
到達して目的とする寸法のシヤドウマスク開孔を
得る。次いで抵抗層及びレジスト膜をはがして開
孔形成工程が終了する（第７図ｈ）。
ここで抵抗材の塗布方法によつて金属板の下側
に抵抗材が付着しない場合、抵抗材塗布チヤンバ
ーは遮蔽板を有していなくてもよい。
に抵抗材が付着しない場合、抵抗材塗布チヤンバ
ーは遮蔽板を有していなくてもよい。
実施例 ３
第８図に本発明の第３の実施例の工程図を示す
が、この実施例の場合もレジスト膜塗布からバー
ニング工程までは実施例１と同様であり説明は省
略する。バーニング後金属板の下側に位置する小
孔側のみエツチングを行なうが、エツチング液が
大孔側に付着するのを防止するため保護フイルム
１１としてマグネテイツクシートをはりつけ目的
とする凹部が得られるまでエツチングを行なう
（第８図ａ）。このマグネテイツクシートは着磁体
をゴムシート又は柔軟性を有するプラスチツクシ
ートの表面に塗布したもの、或は着磁体をそれら
の中に含漬させたものがよく、且つ輪環状で連続
使用が可能である。エツチング終了後マグネテイ
ツクシートをはりつけたまま水洗チヤンバーにて
小孔側に付着しているエツチング液を洗い流し
（第８図ｂ）、次いでレジスト膜剥離チヤンバーに
て小孔側のレジスト膜のみを実施例１と同様に水
酸化ナトリウム液で除去した（第８図ｃ）後、水
洗（第８図ｄ）し乾燥する。尚、このあと塗布す
るエツチング抵抗材の種類によつては乾燥は行な
わなくともよい。その後金属板を反転させ凹部の
形成された小孔部を上側とし、大孔側にマグネツ
テイツクシートをはりつけたまま実施例１と同様
に小孔側のみに抵抗層を形成（第８図ｅ）し乾燥
する（第８図ｆ）。この後マグネテイツクシート
は大孔側より剥され前段のエツチング工程へ循環
して戻る。以降の工程は実施例１と同様である。
が、この実施例の場合もレジスト膜塗布からバー
ニング工程までは実施例１と同様であり説明は省
略する。バーニング後金属板の下側に位置する小
孔側のみエツチングを行なうが、エツチング液が
大孔側に付着するのを防止するため保護フイルム
１１としてマグネテイツクシートをはりつけ目的
とする凹部が得られるまでエツチングを行なう
（第８図ａ）。このマグネテイツクシートは着磁体
をゴムシート又は柔軟性を有するプラスチツクシ
ートの表面に塗布したもの、或は着磁体をそれら
の中に含漬させたものがよく、且つ輪環状で連続
使用が可能である。エツチング終了後マグネテイ
ツクシートをはりつけたまま水洗チヤンバーにて
小孔側に付着しているエツチング液を洗い流し
（第８図ｂ）、次いでレジスト膜剥離チヤンバーに
て小孔側のレジスト膜のみを実施例１と同様に水
酸化ナトリウム液で除去した（第８図ｃ）後、水
洗（第８図ｄ）し乾燥する。尚、このあと塗布す
るエツチング抵抗材の種類によつては乾燥は行な
わなくともよい。その後金属板を反転させ凹部の
形成された小孔部を上側とし、大孔側にマグネツ
テイツクシートをはりつけたまま実施例１と同様
に小孔側のみに抵抗層を形成（第８図ｅ）し乾燥
する（第８図ｆ）。この後マグネテイツクシート
は大孔側より剥され前段のエツチング工程へ循環
して戻る。以降の工程は実施例１と同様である。
尚、以上の実施例１乃至３では小孔側に抵抗層
を形成したが大孔側に形成してもよいことは言う
までもない。
を形成したが大孔側に形成してもよいことは言う
までもない。
以上のように本発明によれば、前段と後段のエ
ツチングが常に金属板の下側から行なわれ、孔形
状に優れ、孔欠陥がなく且つ金属薄板板厚よりも
小さなばらつきのない孔寸法を有する高品位のシ
ヤドウマスクを得ることができる。
ツチングが常に金属板の下側から行なわれ、孔形
状に優れ、孔欠陥がなく且つ金属薄板板厚よりも
小さなばらつきのない孔寸法を有する高品位のシ
ヤドウマスクを得ることができる。
第１図は従来の開孔形成工程を示す概略工程
図、第２図は第１図の工程途中での開孔断面状態
を示す概略図、第３図は開孔のサイドエツチング
を説明するための概略図、第４図ａ乃至第４図ｆ
は本発明の実施例の開孔形成過程での開孔形状を
示す概略断面図、第５図は第４図の開孔形成工程
を示す概略工程図、第６図ａ及び第６図ｂは遮蔽
板の一例を示す概略断面図及び斜視図、第７図及
び第８図は本発明の他の実施例の開孔形成工程を
示す概略工程図である。 ４……金属板、５，６……レジスト膜、７，８
……露出金属面、９……エツチング液、１０……
凹部、１１……保護フイルム、１２……抵抗層、
１３……チヤンバー、１４……遮蔽板。
図、第２図は第１図の工程途中での開孔断面状態
を示す概略図、第３図は開孔のサイドエツチング
を説明するための概略図、第４図ａ乃至第４図ｆ
は本発明の実施例の開孔形成過程での開孔形状を
示す概略断面図、第５図は第４図の開孔形成工程
を示す概略工程図、第６図ａ及び第６図ｂは遮蔽
板の一例を示す概略断面図及び斜視図、第７図及
び第８図は本発明の他の実施例の開孔形成工程を
示す概略工程図である。 ４……金属板、５，６……レジスト膜、７，８
……露出金属面、９……エツチング液、１０……
凹部、１１……保護フイルム、１２……抵抗層、
１３……チヤンバー、１４……遮蔽板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属薄板の一方の表面の開孔領域が対応する
他方の表面の開孔領域とは異なる多数の規則的に
配列された透孔を穿設するシヤドウマスクの製造
方法において、前記金属薄板の両面の所定の前記
開孔領域とすべき部分以外の部分を耐エツチング
レジスト膜で被覆し、前記金属薄板の下側の面の
み前段のエツチングを行なつて所定の凹部を形成
し、エツチングを行なわない上側の面はエツチン
グ液が付着しないように保護し、前記凹部が形成
された面を水洗し前記レジスト膜を剥離し水洗
し、前記金属板を反転させて前記凹部が形成され
た金属面を上側としこの面にエツチング抵抗層を
形成し、以上の前段のエツチング終了後から前記
抵抗層形成までの工程で前記凹部が形成されなか
つた面は水洗、レジスト膜剥離液及び抵抗層材が
付着しないように保護し、前記抵抗層の形成され
ていない面のみを下側として後段のエツチングを
行なつて所定の凹部を形成し、前記後段のエツチ
ングにより所定の形状に透孔を貫通穿設せしめて
後水洗し前記抵抗層及びレジスト膜を剥離し水洗
乾燥して、前記金属薄板の板厚より小さな寸法の
透孔を有するシヤドウマスクを得ることを特徴と
するシヤドウマスクの製造方法。 ２ 前記前段のエツチング時のエツチングを行な
わない面の保護を有機合成フイルムで行なうこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のシヤド
ウマスクの製造方法。 ３ 前記前段のエツチング時のエツチングを行な
わない面の保護を輪環状で循環使用が可能なマグ
ネテイツクシートで行なうことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のシヤドウマスクの製造方
法。 ４ 前記前段のエツチング時のエツチングを行な
わない面の保護を液状物飛散付着防止用の遮蔽板
を有するエツチングチヤンバーで行なうことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のシヤドウマ
スクの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176378A JPS6070185A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | シヤドウマスクの製造方法 |
| DE8484111132T DE3477709D1 (en) | 1983-09-26 | 1984-09-18 | Method for manufacturing a shadow mask |
| EP84111132A EP0137366B1 (en) | 1983-09-26 | 1984-09-18 | Method for manufacturing a shadow mask |
| US06/652,092 US4689114A (en) | 1983-09-26 | 1984-09-19 | Method for manufacturing a shadow mask |
| KR1019840005923A KR890002128B1 (ko) | 1983-09-26 | 1984-09-26 | 샤도우 마스크의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176378A JPS6070185A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | シヤドウマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070185A JPS6070185A (ja) | 1985-04-20 |
| JPH0419311B2 true JPH0419311B2 (ja) | 1992-03-30 |
Family
ID=16012584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58176378A Granted JPS6070185A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | シヤドウマスクの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4689114A (ja) |
| EP (1) | EP0137366B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6070185A (ja) |
| KR (1) | KR890002128B1 (ja) |
| DE (1) | DE3477709D1 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4795694A (en) * | 1986-06-20 | 1989-01-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Manufacture of fine structures for semiconductor contacting |
| JPS63286588A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Toshiba Corp | シャドウマスクの製造方法 |
| JPS6487786A (en) * | 1987-09-30 | 1989-03-31 | Toshiba Corp | Production of shadow mask |
| US5006432A (en) * | 1987-10-28 | 1991-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a shadow mask |
| US5126005A (en) * | 1990-08-31 | 1992-06-30 | The Boeing Company | Process for eliminating pits during chemical milling |
| US5200025A (en) * | 1990-09-20 | 1993-04-06 | Dainippon Screen Manufacturing Co. Ltd. | Method of forming small through-holes in thin metal plate |
| CA2041062C (en) * | 1991-02-14 | 2000-11-28 | D. Gregory Beckett | Demetallizing procedure |
| JPH05114358A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-07 | Toshiba Corp | シヤドウマスクの製造方法 |
| JPH0737492A (ja) * | 1993-07-21 | 1995-02-07 | Dainippon Printing Co Ltd | アパーチャーグリルの製造方法 |
| US5484074A (en) * | 1994-05-03 | 1996-01-16 | Bmc Industries, Inc. | Method for manufacturing a shadow mask |
| TW378334B (en) * | 1994-10-14 | 2000-01-01 | Thomson Consumer Electronics | Method of forming an enhanced resolution shadow mask |
| JP4030604B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2008-01-09 | 凸版印刷株式会社 | シャドウマスクの製造方法 |
| US20050161429A1 (en) * | 2002-02-07 | 2005-07-28 | Andrew Sauciunac | Non-symmetrical photo tooling and dual surface etching |
| JP4046697B2 (ja) * | 2004-02-03 | 2008-02-13 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 | 両面エッチングシステム |
| TWI490637B (zh) * | 2013-12-06 | 2015-07-01 | 金屬遮罩製造方法以及金屬遮罩 | |
| JP6796281B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2020-12-09 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、及び蒸着マスクを製造するために用いられる金属板の製造方法 |
| KR102808351B1 (ko) * | 2018-11-13 | 2025-05-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 식각 방법 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2046417A5 (en) * | 1970-04-23 | 1971-03-05 | Dainippon Screen Manufac | Pickling process for obtaining perforations - in metallic sheet |
| US3971682A (en) * | 1974-07-11 | 1976-07-27 | Buckbee-Mears Company | Etching process for accurately making small holes in thick materials |
| US4013498A (en) * | 1974-07-11 | 1977-03-22 | Buckbee-Mears Company | Etching apparatus for accurately making small holes in thick materials |
| GB1468298A (en) * | 1974-07-11 | 1977-03-23 | Buckbee Mears Co | Method of making a shadow mask for a colour television tube |
| US4124437A (en) * | 1976-04-05 | 1978-11-07 | Buckbee-Mears Company | System for etching patterns of small openings on a continuous strip of metal |
| JPS56139676A (en) * | 1980-04-02 | 1981-10-31 | Toshiba Corp | Method and apparatus for etching metal sheet |
| US4303466A (en) * | 1980-06-19 | 1981-12-01 | Buckbee-Mears Company | Process of forming graded aperture masks |
| JPS5726345A (en) * | 1980-07-24 | 1982-02-12 | Ritsukaa Kk | Water warmer utilizing solar heat |
| JPS5973833A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-26 | Toshiba Corp | シヤドウマスクの製造方法 |
| JPS5981839A (ja) * | 1982-11-02 | 1984-05-11 | Toshiba Corp | シヤドウマスクの製造方法 |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58176378A patent/JPS6070185A/ja active Granted
-
1984
- 1984-09-18 EP EP84111132A patent/EP0137366B1/en not_active Expired
- 1984-09-18 DE DE8484111132T patent/DE3477709D1/de not_active Expired
- 1984-09-19 US US06/652,092 patent/US4689114A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-09-26 KR KR1019840005923A patent/KR890002128B1/ko not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890002128B1 (ko) | 1989-06-20 |
| US4689114A (en) | 1987-08-25 |
| EP0137366A3 (en) | 1986-08-20 |
| DE3477709D1 (en) | 1989-05-18 |
| EP0137366B1 (en) | 1989-04-12 |
| JPS6070185A (ja) | 1985-04-20 |
| KR850002660A (ko) | 1985-05-15 |
| EP0137366A2 (en) | 1985-04-17 |
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