JPH0419751A - 電子写真用Ｓｅ―Ａｓ系感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、複写機、光プリンタなどに用いられる電子
写真用Ｓｅ−Ａｓ系感光体に関する。

〔従来の技術〕

電子写真用Ｓｅ−Ａｓ系感光体（以下、単に感光体とも
称する）は、通常、アルミニウムを主成分とする材料か
らなる導電性円筒基体の外周表面に真空蒸着法によりＳ
ｅ−ＡＳ系合金光導電性材料を摩さ５０μｍ〜６０μｍ
に成膜し感光層を形成して作製される。このとき用いら
れる導電性円筒基体は、従来、基体外周表面を、その上
に形成される感光層の表面外観に悪影響を及ぼさないよ
うに、天然ダイヤモンドミラクルバイト、ダイヤモンド
焼結ハイドによる切削加工、あるいは砥石による研磨な
どにより、粗さ１．０μｍ以下の鏡面あるＧ）はそれに
近い粗さの表面に仕上げて用いられていた。このような
従来の基体外周表面の断面形状を第４図および第５図に
例示する。第４図は鏡面加工面の断面形状の一例を示す
ものであり、第５図は切削加工面の断面形状の一例を示
すものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

光導電性材料としてＳｅ−Ａｓ系合金を用いて感光体を
作製する場合、感光体としての良好な特性を得るために
は、Ｓｅ−Ａｓ系合金の真空蒸着時の基体を２００℃前
後の高温に加熱することが必要である。

ところが、上述のような表面形状の基体を用い、２００
℃前後の高温に加熱した状態でその表面にＳｅＡｓ系合
金を真空蒸着すると、基体表面の温度分布、蒸発源から
の輻射熱などにより、蒸着されるＳｅ−Ａｓ系合金と基
体表面との濡れ性が変化してばらつきが生じ、蒸着膜に
ピンホールなどの表面欠陥が発生しやすいという欠点が
あった。このような表面欠陥を有する蒸着膜を感光層と
する感光体では、得られる画像に欠陥が発生して問題と
なる最近は、電子写真装置で得られる画像品質に対する
要求がますます厳しくなってきており、このような欠陥
をなくすことが強く望まれている。

この発明は、上述の点に鑑みてなされたものであって、
基体表面へのＳｅ−Ａｓ系合金の濡れ性の変化に起因す
る感光層表面欠陥が少なく、欠陥の少ない高画質の画像
が得られる電子写稟用Ｓｅ−Ａｓ系感光体を提供するこ
とを解決すべき課題とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題は、この発明によれば、アルミニウムを主成分
とする材料からなる導電性円筒基体の外周表面にＳｅ−
Ａｓ系合金光導電性材料からなる感光層を備えた電子写
真用Ｓｅ−Ａｓ系感光体において、前８己円筒基体外周
表面の円筒軸方向の凹凸形状が幅１００μｍ以上３００
μｍ以下の範囲内、高さ０２μｍ以上１．５μｍ以下の
範囲内の規則的な形状を有している感光体とすることに
よって解決される。

〔作用〕

導電性円筒基体外周表面を規則的な凹凸形状例えば第１
図に一例として示した模式的断面図のような形状とした
ことにより、基体表面１に８ｅＡＳ系合金を真空蒸着す
る際に、蒸発粒２は凹凸の谷部に集まり易く、蒸着膜は
蒸発源からの輻射熱、基体表面の温度分布などにより引
き起こされるＳｅ−へＳ系合金の濡れ性の変化に影響さ
れることなく、谷部に集まった蒸発粒２を核として凹凸
形状に沿って強制的に成膜される。基体表面の凹凸は規
則的に形成されているために、蒸着膜は均一に成膜され
ることになり、基体表面へのＳｅ−Ａｓ系合金の濡れ性
の変化に起因する感光層表面欠陥の少ない感光体が得ら
れることになる。

〔実施例〕

この発明の外周表面形状を有する導電性円筒基体は、例
えば、第２図の概念図に示すような、／ヤング３に刃先
形状が曲率半径ｒの円弧状の天然ダイヤモンドチップ４
が取り付けられている。いわゆる天然ダイヤモンドＲハ
イドを用いて切削を行うことによって得ることができる
。

このようなＲバイトを用いて切削加工を行うと加工面は
円筒軸方向で第３図に示すような加工断面形状となる。

このときの凹凸形状の山の高さＨは、理論的にはバイト
の送り量（円筒基体１回転あたりのバイトの軸方向移動
り　Ｓ、　　ハイドの刃先Ｒ形状の曲率半径ｒとしてＨ
＝Ｓ２／３ｒで与えられるが、実際には加工時における
他要因が加わって理論値Ｈより多少大きくなる。また、
山の幅Ｗはバイトの送り量Ｓと等しくなる。

実施例１ 導電性円筒基体として外形８０ｍｍ　、長さ３００ｍｍ
のアルミニウム合金円筒を用い、その外周表面を刃先曲
率半径ＩＱｍ＋＋ｎの天然ダイヤモンドＲバイトを用い
、パイ）　送’）　１０．１ｍｍで加工した。　このと
きの基体表面の凹凸の山の高さは０．２μｍ、　山の幅
は０．１ｍｍであった。

この基体に洗浄処理を施したのち、その外周表面にＳｅ
−Ａｓ系合金を真空蒸着して感光層を形成し感光体を作
製した。

実施例２ 実施例１において、ハイド送り量を０．１５ｍｍに変え
、その他は実施例１と同様にして基体外周表面加工を行
った。このときの基体表面の凹凸の山の高さは０４μｍ
、田の幅は０．１５ｍｍであった。この基体を用いて実
施例１と同様にして感光体を作製し実施例３ 実施例１において、ハイド送り量を０．２ｍｍに変え、
その他は実施例１と同様にして基体外周表面加工を行っ
た。このときの基体表面の凹凸の山の高さは０．８μｍ
、山の幅は０．２ｍｍであった。　この基体を用いて実
施例１と同様にして感光体を作製した。

実施例４ 実施例１において、バイト送り量苓０．３ｍｍに変え、
その他は実施例１と同様にして基体外周表面加工を行っ
た。このときの基体表面の凹凸の山の高さは１５μｍ、
山の幅はＱ、　３ｍｍであった。　この基体を用いて実
施例１と同様にして感光体を作製した。

比較例１ 実施例１て用いたのと同様のアルミニウム円筒基体の外
周表面を天然ダイヤモンドミラクルハイドで０．１μｍ
以下の粗さに切削加工した。この基体を用いて実施例１
と同様にして感光体を作製した。

比較例２ 実施例で用いたのと同様のアルミニウム円筒基体の外周
表面を人工ダイヤモンド焼結平バイトで０．８μｍの粗
さに切削加工した。この基体を用いて実施例１と同様に
して感光体を作製した。

これらの実施例、　比較例の感光体それぞれ１００本ず
つについて、基体表面へのＳｅ−Ａｓ系合金の濡れ性に
起因する感光層表面欠陥の発生率を調べた。

その結果を第１表に示す。

第 表 第１表に見られるとおり、実施例１〜′４の感光体の感
光層表面欠陥発生率は比較例の感光体に比べて小さく、
特に実施例３の感光体は非常に良好である。この発明の
規則的な凹凸の表面形状の基体の優位性は明らかである
。また、凹凸の山の高さは０．２μｍ以上１．５μｍ以
下の範囲内、山の幅はＱ、　１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下
の範囲内にあれば好適であることが判る。

〔発明の効果〕

この発明によれば、電子写真用Ｓｅ−Ａｓ系感光体にお
いで、アルミニウムを主成分とする材料からなる導電性
円筒基体を、その外周表面の円筒軸方向の凹凸形状が幅
１００μｍ以上３００μｍ以下の範囲内高さ０２μｍ以
上１５μｍ以下の範囲内の規則的な形状を有するものと
する。

このような表面形状の基体とすることにより、基体表面
に真空蒸着されるＳｅ−Ａｓ系合金の蒸着膜は均一に成
膜され、基体表面へのＳｅ−Ａｓ系合金の濡れ性の変化
に起因する感光層表面欠陥の少なく、欠陥の少ない高画
質の画像が得られる電子写真用Ｓｅ−Ａｓ系感光体が得
られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係わる円筒基体の円筒軸方向の外周
表面の凹凸形状の一例を示す模式的断面図、第２図はこ
の発明に係わる円筒基体の外周表面加工に用いられる天
然ダイヤモンドＲバイトの一例の概念図、第３図は第２
図に示したバイトにより加工された円筒基体外周表面の
円筒軸方向の断面形状の一例を示す模式的断面図、第４
図は円筒基体の外周表面に鏡面加工を施したときの表面
断面形状の一例を示す線図、第５図は円筒基体の外周表
面に従来の切削加工を施したときの表面断面形状の一例
を示す線図である。 図面の浄書 第 １００〜３００μｍ １　図 ろ 第 図 第 図 第 図 第 図 手続補正書 （方式） ％式％ 富士電機株式会社 補 正 命令の日付 平成 ２年 ８月２８日（全送日） 補 正 の 対 象 図面（第１図 訂正） 補 正 の 内 容 別紙の通り図面 第１図を訂正します。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）アルミニウムを主成分とする材料からなる導電性円
   筒基体の外周表面にＳｅ−Ａｓ系合金光導電性材料から
   なる感光層を備えた電子写真用Ｓｅ−Ａｓ系感光体にお
   いて、前記円筒基体外周表面の円筒軸方向の凹凸形状が
   幅１００μｍ以上３００μｍ以下の範囲内、高さ０．２
   μｍ以上１．５μｍ以下の範囲内の規則的な形状を有し
   ていることを特徴とする電子写真用Ｓｅ−Ａｓ系感光体
   。