JPS6033562A - 電子写真用感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体の製造方法Info
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- JPS6033562A JPS6033562A JP14341383A JP14341383A JPS6033562A JP S6033562 A JPS6033562 A JP S6033562A JP 14341383 A JP14341383 A JP 14341383A JP 14341383 A JP14341383 A JP 14341383A JP S6033562 A JPS6033562 A JP S6033562A
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- JP
- Japan
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- photoconductive layer
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- temp
- roughened
- photoconductive
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、感光層表面が粗面化された電子写真用感光体
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
従来電子写真用感光体は、画像形成、信頼性等から感光
体表面は平滑でなければならないとされてきた。例えば
この檀の感光体は、一般にＳｅ合金を用いる感光体が使
用され、これは導電性基体上に真空蒸着法等により無定
形Ｓｅ合金を付着し、光導電層として用いるものである
が、その表面は光沢を有する平滑面（鏡面）となってい
る。この光導電層の表面が平滑であるとトナーとの密着
性が増大し転写性、クリーニング性、転写紙の分離性が
損われる欠点となっている。また、残留トナー除去のた
め過度のクリーニング装置が必要となり感光体表面を損
傷する等、感光体の寿命を低下させクリーニング不良に
よる画質低下を招く一因となっている。
体表面は平滑でなければならないとされてきた。例えば
この檀の感光体は、一般にＳｅ合金を用いる感光体が使
用され、これは導電性基体上に真空蒸着法等により無定
形Ｓｅ合金を付着し、光導電層として用いるものである
が、その表面は光沢を有する平滑面（鏡面）となってい
る。この光導電層の表面が平滑であるとトナーとの密着
性が増大し転写性、クリーニング性、転写紙の分離性が
損われる欠点となっている。また、残留トナー除去のた
め過度のクリーニング装置が必要となり感光体表面を損
傷する等、感光体の寿命を低下させクリーニング不良に
よる画質低下を招く一因となっている。
最近上記のような欠点に対し、感光体の表面は、ある程
度荒れていた方が有効であることがわかってきた。光導
電層表面に微細な凹凸を付与する粗面化の提案がいくつ
かあるが、いずれも工業的な難しさから実用化されてい
ない。特に光導電層形成過程において、Ｓｅ系のような
流動性の光導電材料からなる光導電層表面を適度に荒ら
すことは、従来の蒸着方法では困難である。光導電層形
成過程あるいは形成後に異物付着、異物接触による粗面
化は表面結晶化が起こり信頼性を損うとされてきたが、
ＡｓｚＳｅ、、感光体に於いては、ガラス転移点が高く
、異物接触に対して抵抗力があるので光導電層表面を、
例えば円筒研削、超仕上げ加工等により直接表面加工し
て粗面化することができる。
度荒れていた方が有効であることがわかってきた。光導
電層表面に微細な凹凸を付与する粗面化の提案がいくつ
かあるが、いずれも工業的な難しさから実用化されてい
ない。特に光導電層形成過程において、Ｓｅ系のような
流動性の光導電材料からなる光導電層表面を適度に荒ら
すことは、従来の蒸着方法では困難である。光導電層形
成過程あるいは形成後に異物付着、異物接触による粗面
化は表面結晶化が起こり信頼性を損うとされてきたが、
ＡｓｚＳｅ、、感光体に於いては、ガラス転移点が高く
、異物接触に対して抵抗力があるので光導電層表面を、
例えば円筒研削、超仕上げ加工等により直接表面加工し
て粗面化することができる。
但し、光導電層表面を直接加工する方法は、表面構造に
変化が起こり電荷の保持率が悪く電荷がのらなくなるな
ど、静電特性上好ましくない。また、導電性基体の表面
を円筒研削、液体ホーニング等により粗面とし、光導電
ノー形成過程の条件を、例えばＳｅ系感光体において蒸
着時の基体温度をガラス転移点以下にするなどのように
適当に設定することにより、光導電層表面を粗面化する
方法がある。この方法は、静電特性上は問題ないが基体
の表面に安定り、た粗面が得られないので、この方法で
も光導電層表面に安定（７た粗面を形成することが難し
い。
変化が起こり電荷の保持率が悪く電荷がのらなくなるな
ど、静電特性上好ましくない。また、導電性基体の表面
を円筒研削、液体ホーニング等により粗面とし、光導電
ノー形成過程の条件を、例えばＳｅ系感光体において蒸
着時の基体温度をガラス転移点以下にするなどのように
適当に設定することにより、光導電層表面を粗面化する
方法がある。この方法は、静電特性上は問題ないが基体
の表面に安定り、た粗面が得られないので、この方法で
も光導電層表面に安定（７た粗面を形成することが難し
い。
本発明はこれに対１７、トナーの転写性、転写紙の分離
性、クリーニング性の向上のために光導電層表面が粗面
化された感光体を、静電特性を害することなく安定１〜
て形成できる電子写真用感光体の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
性、クリーニング性の向上のために光導電層表面が粗面
化された感光体を、静電特性を害することなく安定１〜
て形成できる電子写真用感光体の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
本発明は導電性基体表面にセレン系材料からなる第１の
光導電層を蒸着する工程とこの工程により形成された第
１の光導電層の表面を粗面化する工程と、粗面化された
第１の光導電層の表面に同様にセレン系材料からなる第
２の光導電層を蒸着する工程とにより感光体１！造する
ものである。
光導電層を蒸着する工程とこの工程により形成された第
１の光導電層の表面を粗面化する工程と、粗面化された
第１の光導電層の表面に同様にセレン系材料からなる第
２の光導電層を蒸着する工程とにより感光体１！造する
ものである。
一般にＳｅ又はＳｔｉ台金はカラス転移点（Ｔｇ）近傍
で粘性が急変し流動性が変動する。即ち′ｒｇ近傍もし
くはそれより上の温度では流動性が増大し、１より下で
は流動性が低減する。無定形８ｅ又はＳｅ合金による光
導電層の形成は、真空蒸着法により行なわれるが、蒸着
時に設定される基体温度により基体上での上記の８ｅま
たはＳｅ合金の流動性を変えることができる。
で粘性が急変し流動性が変動する。即ち′ｒｇ近傍もし
くはそれより上の温度では流動性が増大し、１より下で
は流動性が低減する。無定形８ｅ又はＳｅ合金による光
導電層の形成は、真空蒸着法により行なわれるが、蒸着
時に設定される基体温度により基体上での上記の８ｅま
たはＳｅ合金の流動性を変えることができる。
本発明は、上述の性質を利用し一層目の光導電層を従来
通りの方法で蒸着により形成し、この一層目の光導電層
の表面を粗面化１２、この粗度が層表面に出るよう二層
目の光導電層をＴｇ以下の温度で蒸着により形成するの
である。
通りの方法で蒸着により形成し、この一層目の光導電層
の表面を粗面化１２、この粗度が層表面に出るよう二層
目の光導電層をＴｇ以下の温度で蒸着により形成するの
である。
第１図は本発明の実施例の感光体の断面を示す。
１はＡ４．Ｆｅ、Ｃｕ等の金属または合金からなる導電
性基体であり、その表面は円筒研削、液体ホーニング等
で表面加工するが限定した粗度にする必要はない。この
基体１上にセレン又はセレン合金からなる第一の光導電
層２を蒸着し、その表面を円筒研削、液体ホーニング等
で表面加工し粗面化する。さらにその上にＡｓ、Ｓｅｓ
からなる第二の光 ５− 導電層３をＡｓ２Ｓｅ３ のガラス転移点以下の温度で
蒸着することによりその表面に粗面４を形成する。
性基体であり、その表面は円筒研削、液体ホーニング等
で表面加工するが限定した粗度にする必要はない。この
基体１上にセレン又はセレン合金からなる第一の光導電
層２を蒸着し、その表面を円筒研削、液体ホーニング等
で表面加工し粗面化する。さらにその上にＡｓ、Ｓｅｓ
からなる第二の光 ５− 導電層３をＡｓ２Ｓｅ３ のガラス転移点以下の温度で
蒸着することによりその表面に粗面４を形成する。
実施例１：
導電性基体１０表面を円筒研削により加工１〜、基体１
の温度を２３０℃に保って、６０μｍの厚さにＡｓ、Ｓ
ｅ３ を蒸着する。このようにして得られた感光体の第
１の光導電層２の表面を超仕上げ加工により粗面化する
。導電層２の表面は−ＩＩ−２０００の砥石にて０．１
〜０．５μｍの粗さにされた。このままでは、静電特性
上、従来品と比較して電荷の保持率が５０％以下であり
電荷をのせられないので実用上好ましくない。さらに同
じ蒸発源を用い、基体１の温度を１５０℃に保って、１
〜５μｍの厚さに蒸着し、第２の光導電層３を形成した
ところその表面に粗さ０．１〜０．４μｍの粗面を得る
ことができた。
の温度を２３０℃に保って、６０μｍの厚さにＡｓ、Ｓ
ｅ３ を蒸着する。このようにして得られた感光体の第
１の光導電層２の表面を超仕上げ加工により粗面化する
。導電層２の表面は−ＩＩ−２０００の砥石にて０．１
〜０．５μｍの粗さにされた。このままでは、静電特性
上、従来品と比較して電荷の保持率が５０％以下であり
電荷をのせられないので実用上好ましくない。さらに同
じ蒸発源を用い、基体１の温度を１５０℃に保って、１
〜５μｍの厚さに蒸着し、第２の光導電層３を形成した
ところその表面に粗さ０．１〜０．４μｍの粗面を得る
ことができた。
実施例２：
導電性基体１の表面を円筒研削によシ加工し基体１の温
度を１５０℃に保って、ＡｓｇＳｅｓ 層１を厚さ６０
μｍに蒸着（７、得られた光導電層表面を超−〇 − 仕上げ加工により粗面加工した。光導電層１の表面は４
Ｐ２０００の砥石により０．１〜０．５μｍの粗さにし
て、さらにＡｓ２Ｓｅ３ を基体１の温度を１５０℃に
保って１〜５μｍ蒸着したところ、その表面が０．１〜
０．４μｍの粗さに粗された第２の光導電層３を得るこ
とができた。
度を１５０℃に保って、ＡｓｇＳｅｓ 層１を厚さ６０
μｍに蒸着（７、得られた光導電層表面を超−〇 − 仕上げ加工により粗面加工した。光導電層１の表面は４
Ｐ２０００の砥石により０．１〜０．５μｍの粗さにし
て、さらにＡｓ２Ｓｅ３ を基体１の温度を１５０℃に
保って１〜５μｍ蒸着したところ、その表面が０．１〜
０．４μｍの粗さに粗された第２の光導電層３を得るこ
とができた。
実施例１，２によって得られた感光体の静電特性は従来
品と同等で画像品質が良く、画像上白すしとなる欠陥も
発生しなかった。そして表面が粗面化された感光層が得
られたのでトナーの転写性、転写紙の分離性、クリーニ
ング性が良好になった。
品と同等で画像品質が良く、画像上白すしとなる欠陥も
発生しなかった。そして表面が粗面化された感光層が得
られたのでトナーの転写性、転写紙の分離性、クリーニ
ング性が良好になった。
一層目を粗面化する方法は、砥石による超仕上げ加工（
８Ｆ）によるほかに砥石を回転させながらドラムを廻し
て研摩する方法、砥石の代わりにエメリーペーパー、研
摩布等を使用する方法等によってもよい。又、画像上に
加工痕が出にくい梨地仕上げを得ることのできる液体ホ
ーニングも有効である。
８Ｆ）によるほかに砥石を回転させながらドラムを廻し
て研摩する方法、砥石の代わりにエメリーペーパー、研
摩布等を使用する方法等によってもよい。又、画像上に
加工痕が出にくい梨地仕上げを得ることのできる液体ホ
ーニングも有効である。
感光層（第２導電導層）の表面に表われる凹凸は、粗さ
０．１〜２μｍの範囲が使用され、特に０．１〜１μｍ
の範囲にするのが望ましく、また表面方向にはその凹凸
の幅が使用トナーの粒径より小さいことが有効である。
０．１〜２μｍの範囲が使用され、特に０．１〜１μｍ
の範囲にするのが望ましく、また表面方向にはその凹凸
の幅が使用トナーの粒径より小さいことが有効である。
これよシ凹凸が大きい場合は、スポット状の帯電ムラが
生じ画像上の欠陥となる。まタフリーニング用のブレー
ドに傷が入り、ブレードの寿命を短かくする。凹凸が小
さい場合は、所望のクリーニング性が得られなくなる。
生じ画像上の欠陥となる。まタフリーニング用のブレー
ドに傷が入り、ブレードの寿命を短かくする。凹凸が小
さい場合は、所望のクリーニング性が得られなくなる。
第２の光導電層形成過程に於いて基体の温度は、前述し
たように感光層の表面を大きく左右するので適切な範囲
に設定する必要がある。感光層の表面粗面化を可能とす
る基体の温度はＡｓ２Ｓｅ３ を光導電材として用いる
場合は通常１８０℃以下であり、特に１００〜１７０℃
が適当である。また、第２の光導電層の蒸着厚は、これ
をあまり太く選ぶと、その表面が平滑化され、小さく選
ぶと粗面の粗さが大きくなるので、粗さが上記の範囲と
なるように調節する必要がある。□ 〔発明の効果〕 本発明は導電性基体」二に形成した第一の光導電層の表
面を機械的に加工して粗面化し、この粗面化した光導電
層の上に基体温度を蒸着する光導電材のガラス転移点以
下にして第２の光導電層を蒸着により形成して表面に粗
面を有する電子写真用感光体を得るもので、これにより
トナーの転写性、転写紙の分離性、クリーニング性の良
好でかつ画像品質の良好が電子写真用感光体を安定して
製造することが可能となったので得られる効果は極めて
太きい。
たように感光層の表面を大きく左右するので適切な範囲
に設定する必要がある。感光層の表面粗面化を可能とす
る基体の温度はＡｓ２Ｓｅ３ を光導電材として用いる
場合は通常１８０℃以下であり、特に１００〜１７０℃
が適当である。また、第２の光導電層の蒸着厚は、これ
をあまり太く選ぶと、その表面が平滑化され、小さく選
ぶと粗面の粗さが大きくなるので、粗さが上記の範囲と
なるように調節する必要がある。□ 〔発明の効果〕 本発明は導電性基体」二に形成した第一の光導電層の表
面を機械的に加工して粗面化し、この粗面化した光導電
層の上に基体温度を蒸着する光導電材のガラス転移点以
下にして第２の光導電層を蒸着により形成して表面に粗
面を有する電子写真用感光体を得るもので、これにより
トナーの転写性、転写紙の分離性、クリーニング性の良
好でかつ画像品質の良好が電子写真用感光体を安定して
製造することが可能となったので得られる効果は極めて
太きい。
第１図は本発明の一実施例による電子写真用感光体の部
分断面図である。 １・・・導電性基体、２・・・第一光導電層、３・・・
Ａｓ２９− 第１図 ム
分断面図である。 １・・・導電性基体、２・・・第一光導電層、３・・・
Ａｓ２９− 第１図 ム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）導電性基体表面にＳｅ系の光導電材よりなる第１の
光導電層を蒸着する工程とこの工程で形成された第１の
光導電層の表面を粗面化する工程と粗面化された第１の
光導電層の表面に同様にＳｅ系光導電材よりなる第２の
光導電層を蒸着する工程とを含むことを特徴とする電子
写真用感光体の製造方法 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法において光導電材
がセレン・ヒ素各へりなる電子写真用感光体の製造方法 ３）特許請求の範囲第１項または第２項記載の方法にお
いて、第２の光導電層を蒸着する工程が光導電材のガラ
ス転移点より低い温度で行なうようにした電子写真用感
光体の製造方法。 ４）特許請求の範囲第１項記載の方法において第１の光
導電層の表面が０．１〜２μｍの粗さに粗面化されるよ
うにした電子写真用感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14341383A JPS6033562A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14341383A JPS6033562A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6033562A true JPS6033562A (ja) | 1985-02-20 |
| JPH0217020B2 JPH0217020B2 (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=15338187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14341383A Granted JPS6033562A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033562A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61238060A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-23 | Canon Inc | 電子写真感光体及びその画像形成法 |
| JPS6223049A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-01-31 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| MD341Z (ro) * | 2010-07-30 | 2011-09-30 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Procedeu de executare a reţelelor holografice de difracţie în relief |
-
1983
- 1983-08-05 JP JP14341383A patent/JPS6033562A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61238060A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-23 | Canon Inc | 電子写真感光体及びその画像形成法 |
| JPS6223049A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-01-31 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| MD341Z (ro) * | 2010-07-30 | 2011-09-30 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Procedeu de executare a reţelelor holografice de difracţie în relief |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0217020B2 (ja) | 1990-04-19 |
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