JPH0419751Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案はサージ吸収素子に関する。

（従来の技術） 半導体装置にサージ電圧が印加するものを防止
するため、半導体装置に並列にサージ吸収素子を
接続することが行われている。一般にこの種サー
ジ吸収素子は、ガラス管などのような封止管内
に、一対の電極を一定の長さの放電間〓を隔てて
設置し、この放電間〓には、不活性ガスその他の
気体を封入して構成されている。

このような構成では放電間〓を形成する必要が
あるところから、或は程度以上の小型化が期待で
きない。これを解決するために第３図に示すよう
な構成が別途提案された。

これはガラス管のような封止管１の両端に一対
の電極２，３が固定されてある。各電極２，３の
端面には、シリコン層４と、その表面を被う酸化
シリコン膜５とからなる放電チツプ６が形成され
てある。そして各電極２，３が封止管１の端部に
固定された状態にあるとき、各電極の放電チツプ
６の酸化シリコン膜５が互いに接触し合うように
してある。

このような構成によれば、酸化シリコン膜５が
絶縁層としての役目を呈し、これが従来のこの種
素子における放電間〓としての作用を果す。すな
わち常時は両シリコン層４間は、酸化シリコン膜
５によつて絶縁されているが、電極２，３間にサ
ージ電圧が印加されると、その電圧によつてシリ
コン層４の表面管で放電が生じる。これによつて
印加されたサージが吸収されるようになるのであ
る。

しかしこのような構成によると、酸化シリコン
膜５全面が対向電極面となるため、その面積が広
いほど、静電容量が大きくなる。静電容量が大き
いとこの種サージ吸収素子を高周波回路には使用
できなくなつてしまう。

前記静電容量の低下を図るためには、酸化シリ
コン膜５として面積の小さいものを使用すればよ
いのであるが、その場合はこれにともなつてシリ
コン層４を小型に製作しなければならない。しか
しこれがあまりにも小さいと、電極の先端に設け
る放電チツプ６が小さくなるため、そのハンドリ
ングが極めて面倒となり、したがつてその製作が
困難となる。

（考案が解決しようとする問題点） この考案はサージ吸収素子として、シリコン層
および酸化シリコン膜を使用して構成するにあた
り、静電容量が大きくならないようにすることを
目的とする。

（問題点を解決するための手段） この考案は、シリコン層と、その表面に形成さ
れた酸化シリコン膜とからなる放電チツプの一対
を、酸化シリコン膜同志が互いに接触し合うよう
に向かい合わせて、封止管内に固定するととも
に、各放電チツプを構成しているシリコン層の内
部に、終端部が、シリコン層の、酸化シリコン膜
が形成されてある表面に達するPN接合を形成し
てなることを特徴とする。

（実施例） この考案の実施例を第１図によつて説明する。
なお第３図と同じ符号を付した部分は、同一また
は対応する部分を示す。先端に放電チツプ６を備
えた両電極２，３を、封止管１の端部に固定する
ことは従来構成と同じである。

この考案にしたがい、放電チツプ６としてこれ
を構成しているシリコン層４の内部に、PN接合
７を備えたものを使用する。そしてこのPN接合
の終端は、シリコン層４の表面に導出されてい
る。さらにシリコン層４の表面に酸化シリコン膜
５を形成する。すなわちPN接合７の終端部は、
酸化シリコン膜５で被われるようになる。

放電チツプ６のみを示したのが第２図である。
各電極２，３はこれに設けられる放電チツプ６の
酸化シリコン膜５が、互いに向い合うようにして
封止管１に取付けられる。

このような構成によると、酸化シリコン膜５が
第３図のものと同様に、従来の放電間〓と同様の
作用を呈し、常時は電極２，３間は酸化シリコン
膜５によつて絶縁されているが、、電極２，３間
にサージ電圧が印加されると、放電チツプ６の表
面で沿面放電が起り、電極２，３間が短絡する。
これによつてサージが吸収されることになる。

一方PN接合は電圧が印加された場合絶縁膜と
して作用するので、各放電チツプ６の酸化シリコ
ン膜５の対向面積は、PN接合７の存在によりそ
の分だけ減少するようになる。このように対向面
積が減少することにより、放電チツプ６としての
静電容量が小さくなることは明らかである。

（考案の効果） 以上詳述したようにこの考案によれば、電極に
設ける放電チツプとして、これを構成しているシ
リコン層の内部にPN接合を形成したので、放電
チツプを小型化することなく、その静電容量を小
さくすることができるといつた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の実施例を示す断面図、第２
図は放電チツプの斜視図、第３図は従来例の断面
図である。 １……封止管、２，３……電極、４……シリコ
ン膜、５……酸化シリコン膜、６……放電チツ
プ、７……PN接合。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. シリコン層と、その表面に形成された酸化シリ
   コン膜とからなる放電チツプの一対を、前記酸化
   シリコン膜同志が互いに接触し合うように向かい
   合わせて、封止管内に固定してなるサージ吸収素
   子において、前記各放電チツプを構成しているシ
   リコン層の内部に、終端部が、前記シリコン層の
   前記酸化シリコン膜が形成されてある表面に達す
   るPN接合を形成してなるサージ吸収素子。