JPH04197687A - Ｓｒａｍカード - Google Patents
ＳｒａｍカードInfo
- Publication number
- JPH04197687A JPH04197687A JP2325257A JP32525790A JPH04197687A JP H04197687 A JPH04197687 A JP H04197687A JP 2325257 A JP2325257 A JP 2325257A JP 32525790 A JP32525790 A JP 32525790A JP H04197687 A JPH04197687 A JP H04197687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sram
- battery
- card
- circuit
- internal circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、ＳＲＡＭカードに係り、特にバッテリバック
アップカードの長寿命化に関する。
アップカードの長寿命化に関する。
（従来の技術）
集積回路の一つの応用分野に高速メモリ装置、例えばス
タティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）がある
。
タティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）がある
。
このようなＳＲＡＭの分野でも、高集積化および小型化
が進み、厚さｌｌｌ１＋１１程度の薄いものも実用化さ
れてきており、マイクロプロセッサのレジスタファイル
等に用いられ、データの読みたし、書き込みを行うこと
のできるＳ ＲＡ Ｍカードも実用化されている（第３
図）。
が進み、厚さｌｌｌ１＋１１程度の薄いものも実用化さ
れてきており、マイクロプロセッサのレジスタファイル
等に用いられ、データの読みたし、書き込みを行うこと
のできるＳ ＲＡ Ｍカードも実用化されている（第３
図）。
このようなＳＲＡＭカードは、例えば第４図にその等価
回路の一例を示すように、トライノζ−ＦＥＴおよびロ
ードＦＥＴかＥ（エンノ＼ンスメント）／Ｄ（デプレッ
ション）構成の回路（ＤＣＦＬ）で構成されたメモリセ
ルが配列されてなるメモリ回路２と、このメモリ回路２
へ書き込みおよび読み出しを制御するメモリ制御回路３
と、逆流防止回路５と、ダイオード６と、抵抗７とから
なる内部回路ｌと、書き込まれたデータのバックアップ
を行うためのバックアップバ・ンテリ４とからなり、こ
の内部回路Ｉが、インターフェース８を介して他のシス
テム機器に接続されるようになっている。
回路の一例を示すように、トライノζ−ＦＥＴおよびロ
ードＦＥＴかＥ（エンノ＼ンスメント）／Ｄ（デプレッ
ション）構成の回路（ＤＣＦＬ）で構成されたメモリセ
ルが配列されてなるメモリ回路２と、このメモリ回路２
へ書き込みおよび読み出しを制御するメモリ制御回路３
と、逆流防止回路５と、ダイオード６と、抵抗７とから
なる内部回路ｌと、書き込まれたデータのバックアップ
を行うためのバックアップバ・ンテリ４とからなり、こ
の内部回路Ｉが、インターフェース８を介して他のシス
テム機器に接続されるようになっている。
従来、このようなＳＲＡＭカードは、出荷時にはバッテ
リーを実装し、内部回路に電源電圧が供給されたままの
状態、すなわちバックアップ状態でエンドユーザに届け
られるようになっていた。
リーを実装し、内部回路に電源電圧が供給されたままの
状態、すなわちバックアップ状態でエンドユーザに届け
られるようになっていた。
しかしながら、この構造の場合、届けられてからエンド
ユーザが使用を開始するまでの期間にバッテリーが消耗
し、本来の寿命を生かすことができないという問題かあ
った。
ユーザが使用を開始するまでの期間にバッテリーが消耗
し、本来の寿命を生かすことができないという問題かあ
った。
この問題を解決するために、バッテリーをカードに組み
込むことなく、別梱包にするなどの工夫がなされている
。
込むことなく、別梱包にするなどの工夫がなされている
。
しかしながら、別梱包にすると、コストの高騰が免れ得
ない上、ユーザ側での作業か必要となる等の問題があっ
た。
ない上、ユーザ側での作業か必要となる等の問題があっ
た。
（発明が解決しようとする課題）
このように、従来のＳＲＡＭカードは、カードが製造さ
れた時点から、バッテリーに接続され、バックアップ状
態となっているため、エンドユーザの手元にわたるまで
の期間が長いとユーザが使うことのできる寿命か短くな
るという問題があった。
れた時点から、バッテリーに接続され、バックアップ状
態となっているため、エンドユーザの手元にわたるまで
の期間が長いとユーザが使うことのできる寿命か短くな
るという問題があった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、バッテリ
ー本来の寿命を十分に生かすことのできるＳＲＡＭカー
ドを提供することを目的とする。
ー本来の寿命を十分に生かすことのできるＳＲＡＭカー
ドを提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
そこで本発明のＳＲＡＭカートでは、Ｓ ＲＡ Ｍの内
部回路とバッテリとがスイッチング手段を介して外部か
ら切断可能なように構成されている。
部回路とバッテリとがスイッチング手段を介して外部か
ら切断可能なように構成されている。
（作用）
上記構成によれば、製造した時点では、ＳＲＡＭの内部
回路とバッテリとか切断された状態となるようにしてお
き、使用開始時にスイッチング手段を用いてＳＲＡＭ回
路とバッテリとが接続状態となるようにすることができ
る。従って、使用開始がバッテリーの寿命の開始時点と
なり、バッテリー本来の寿命を十分に生かすことができ
る。
回路とバッテリとか切断された状態となるようにしてお
き、使用開始時にスイッチング手段を用いてＳＲＡＭ回
路とバッテリとが接続状態となるようにすることができ
る。従って、使用開始がバッテリーの寿命の開始時点と
なり、バッテリー本来の寿命を十分に生かすことができ
る。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。
説明する。
第１図は、本発明実施例のＳＲＡＭカートの等価回路図
、第２図はその外観を示したものである。
、第２図はその外観を示したものである。
このＳＲＡＭカード９は、第３図および第４図に示した
従来例のＳＲＡＭカードに、ＳＲＡＭ内部回路Ｉ回路ッ
テリ４とかオンオフスイッチ１を介して接続されている
ことを特徴としている。
従来例のＳＲＡＭカードに、ＳＲＡＭ内部回路Ｉ回路ッ
テリ４とかオンオフスイッチ１を介して接続されている
ことを特徴としている。
他は第３図および第４図に示した従来例のＳＲＡＭカー
ドと同様に形成されている。
ドと同様に形成されている。
すなわち、内部回路Ｉは、ＧａＡｓＭ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ
ＴのＤＣＦＬ回路で構成されたメモリセルが配列され
てなるメモリ回路２と、このメモリ回路２へ書き込みお
よび読み出しを制御するメモリ制御回路３と、書き込ま
れたデータのバックアップを行うためのバックアップバ
ッテリ４と、逆流防止回路５と、ダイオード６と、抵抗
７と、抵抗とバッテリーとの間に挿入されたオンオフス
イッチ１とからなり、これら内部回路Ｉがインターフェ
ース８を介して他のシステム機器との接続されるように
なっている。
ＴのＤＣＦＬ回路で構成されたメモリセルが配列され
てなるメモリ回路２と、このメモリ回路２へ書き込みお
よび読み出しを制御するメモリ制御回路３と、書き込ま
れたデータのバックアップを行うためのバックアップバ
ッテリ４と、逆流防止回路５と、ダイオード６と、抵抗
７と、抵抗とバッテリーとの間に挿入されたオンオフス
イッチ１とからなり、これら内部回路Ｉがインターフェ
ース８を介して他のシステム機器との接続されるように
なっている。
なお、前記実施例では、ＧａＡｓＭ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ
ＴのＤＣＦＬ回路を用いたＳＲＡＭについて説明したが
、これに限定されることなく、他のＳＲＡＭカードにも
適用可能であることはいうまでもない。
ＴのＤＣＦＬ回路を用いたＳＲＡＭについて説明したが
、これに限定されることなく、他のＳＲＡＭカードにも
適用可能であることはいうまでもない。
また、内部回路についても、適宜変形可能である。
さらにまた、バッテリと内部回路との接続を機械的なス
イッチにより行ったか、これに限定されず両者の接点の
間に紙や樹脂等の絶縁シートを設け、使用開始時にこれ
を引き抜けるように構成し以上説明したように、本発明
によれば、ＳＲＡＭの内部回路とバッテリとかスイッチ
ング手段を介して外部から切断可能なように構成されて
いるため、不要な電流を流すことなく、バッテリー本来
の寿命を十分に生かすことができる。
イッチにより行ったか、これに限定されず両者の接点の
間に紙や樹脂等の絶縁シートを設け、使用開始時にこれ
を引き抜けるように構成し以上説明したように、本発明
によれば、ＳＲＡＭの内部回路とバッテリとかスイッチ
ング手段を介して外部から切断可能なように構成されて
いるため、不要な電流を流すことなく、バッテリー本来
の寿命を十分に生かすことができる。
第１図は本発明実施例のＳＲＡＭカードの等価回路を示
す図、第２図は同カードの外観を示す図、第３図は同カ
ードの外観を示す図、第４図は従来例のＳＲＡＭカード
の等価回路を示す図である。 １・・・スイッチ、２・・・メモリ回路、３・・・メモ
リ制御回路、４・・・バッテリ、５・・・逆流防止回路
、６・・・ダイオード、７・・・抵抗、８・・・インタ
ーフェース、９・・・カード。 代理人弁理士 則 近 憲 信 置 山 下 −第２図 第３図
す図、第２図は同カードの外観を示す図、第３図は同カ
ードの外観を示す図、第４図は従来例のＳＲＡＭカード
の等価回路を示す図である。 １・・・スイッチ、２・・・メモリ回路、３・・・メモ
リ制御回路、４・・・バッテリ、５・・・逆流防止回路
、６・・・ダイオード、７・・・抵抗、８・・・インタ
ーフェース、９・・・カード。 代理人弁理士 則 近 憲 信 置 山 下 −第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＳＲＡＭ内部回路と該ＳＲＡＭ内部回路のデータ保持用
のバッテリとを内蔵したＳＲＡＭカードにおいて、 前記ＳＲＡＭ内部回路と前記バッテリとが切替手段を介
して切断可能なように構成されていることを特徴とする
ＳＲＡＭカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2325257A JPH04197687A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | Ｓｒａｍカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2325257A JPH04197687A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | Ｓｒａｍカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04197687A true JPH04197687A (ja) | 1992-07-17 |
Family
ID=18174794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2325257A Pending JPH04197687A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | Ｓｒａｍカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04197687A (ja) |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP2325257A patent/JPH04197687A/ja active Pending
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