JPS6375914A - 記憶装置 - Google Patents
記憶装置Info
- Publication number
- JPS6375914A JPS6375914A JP61221100A JP22110086A JPS6375914A JP S6375914 A JPS6375914 A JP S6375914A JP 61221100 A JP61221100 A JP 61221100A JP 22110086 A JP22110086 A JP 22110086A JP S6375914 A JPS6375914 A JP S6375914A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- battery
- capacitor
- memory card
- stored data
- switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 102100031584 Cell division cycle-associated 7-like protein Human genes 0.000 description 1
- 101000777638 Homo sapiens Cell division cycle-associated 7-like protein Proteins 0.000 description 1
- 210000002370 ICC Anatomy 0.000 description 1
- 238000004903 NDO Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000010988 intraclass correlation coefficient Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Power Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は記憶装置に関し、特に記憶データを長期間保持
するメモリカードに関する。
するメモリカードに関する。
従来、記憶データを長期間保持するメモリカードは、記
憶素子にｃ ｙｉ ｏ ｓメモリを用い、電池によシバ
ッテリーパックアップする構成になっている。
憶素子にｃ ｙｉ ｏ ｓメモリを用い、電池によシバ
ッテリーパックアップする構成になっている。
第３図に従来のメモリカードの一例を示す。
第３図（ａ）は、メモリカードの回路図を示し、Ｄｌは
逆流防止用ダイオード、Ｒ１は電池破壊防止用抵抗器、
ＢｌはリチウムｉＪＥ池？それぞれ示すものとする。又
、ＩＮｌ、ＩＮｚ、−、ＩＮｍ＋ｎ は、外部装置と
のインターフェース用端子群（アドレス信号、データ信
号、制御信号用）を、そしてＲＡＭＩ 、ＲＡＭ２ 、
＝、ＲＡＭｎはそれぞれＣＭ ＯＳスタティックＲＡＭ
１示す。
逆流防止用ダイオード、Ｒ１は電池破壊防止用抵抗器、
ＢｌはリチウムｉＪＥ池？それぞれ示すものとする。又
、ＩＮｌ、ＩＮｚ、−、ＩＮｍ＋ｎ は、外部装置と
のインターフェース用端子群（アドレス信号、データ信
号、制御信号用）を、そしてＲＡＭＩ 、ＲＡＭ２ 、
＝、ＲＡＭｎはそれぞれＣＭ ＯＳスタティックＲＡＭ
１示す。
第３図（神は、メモリカードの外形図を示し、３１は外
装材、３２は電池交換用フタ、３３はコネクタ端子をそ
れぞれ示す。
装材、３２は電池交換用フタ、３３はコネクタ端子をそ
れぞれ示す。
第３図かられかる様に、メモリカードのコネクタ端子３
３をバーンナルコンビエータ等の装置に接続することに
よ）メモリカード内の記憶データの書き込みが行なわれ
る。又、メモリカードを装置から抜き取った場合でも、
リチウム電池Ｂ１によって、ＲＡＭＩ〜ＲＡ Ｍ ｎに
は電源電圧が供給され続け、記憶データもまた保持され
る。ここで、リチウム電池Ｂ１の端子間電圧は約３．Ｏ
Ｖ、逆流防止用ダイオードＤ１の降下電圧は約０．５ｖ
であるので、ＲＡＭＩ〜ＲＡ Ｍ ｎに印加ぜれる電源
電圧は約Ｚ、５Ｖである。
３をバーンナルコンビエータ等の装置に接続することに
よ）メモリカード内の記憶データの書き込みが行なわれ
る。又、メモリカードを装置から抜き取った場合でも、
リチウム電池Ｂ１によって、ＲＡＭＩ〜ＲＡ Ｍ ｎに
は電源電圧が供給され続け、記憶データもまた保持され
る。ここで、リチウム電池Ｂ１の端子間電圧は約３．Ｏ
Ｖ、逆流防止用ダイオードＤ１の降下電圧は約０．５ｖ
であるので、ＲＡＭＩ〜ＲＡ Ｍ ｎに印加ぜれる電源
電圧は約Ｚ、５Ｖである。
ところで、ＲＡＭＩ 〜ＲＡＭｎはｅｓｉｏｓ型メモリ
マメモリで、データ保持状態、即ちスタンバイ状態での
電源電流Ｉｃｃｓは極めて小さい。例えばＶｃｃ ＝
Ｚ ５ ｖ （Ｄ場合、Ｉｃｃｓ ｔｄ約Ｉ Ａ Ａテ
；Ｊ：ｒル。
マメモリで、データ保持状態、即ちスタンバイ状態での
電源電流Ｉｃｃｓは極めて小さい。例えばＶｃｃ ＝
Ｚ ５ ｖ （Ｄ場合、Ｉｃｃｓ ｔｄ約Ｉ Ａ Ａテ
；Ｊ：ｒル。
さらに、ＲＡＭの個数ｎが８個の場合、メモリカードで
消費されるＩＣＣ８Ｏ総和は約δμＡとなる。
消費されるＩＣＣ８Ｏ総和は約δμＡとなる。
一方、リチウム電池Ｂ１の′１４Ｌ流容景は例えば、７
０ｍＡ・）ｉｒ（ミリアンペア・時間）であるから、リ
チウム電池１個で保持できる時間は、（７０Ｘ１０””
”）÷（８Ｘ１０−’ ）＝８．７５Ｘ１０” （Ｈｒ
）Ｌ９１．００ （Ｙｅａｒ） となる。従って、リチウム電池は約１年毎に変換する必
要が生じる。
０ｍＡ・）ｉｒ（ミリアンペア・時間）であるから、リ
チウム電池１個で保持できる時間は、（７０Ｘ１０””
”）÷（８Ｘ１０−’ ）＝８．７５Ｘ１０” （Ｈｒ
）Ｌ９１．００ （Ｙｅａｒ） となる。従って、リチウム電池は約１年毎に変換する必
要が生じる。
ところが、電池を交換する時、ＩもＡＭへの（、Ｊｉ給
を源が一時的に切れるため、メモリカードの記憶データ
が消失してしまう。従って、電池９：換の前に、メモリ
カード内の全ての記憶データをバーンナルコンビエータ
等の装置内のメモリへ一時的にストアしておく等の処置
ヲ行なう必要が生じる。
を源が一時的に切れるため、メモリカードの記憶データ
が消失してしまう。従って、電池９：換の前に、メモリ
カード内の全ての記憶データをバーンナルコンビエータ
等の装置内のメモリへ一時的にストアしておく等の処置
ヲ行なう必要が生じる。
以上の様に、従来のメモリカードは、電池交換時に、記
憶データを別の記憶媒体に一時的にストアレなけれはな
らないと言う欠点がある。
憶データを別の記憶媒体に一時的にストアレなけれはな
らないと言う欠点がある。
上述した従来のメモリカードに対し、本発明は電源とＧ
ＮＤＯ間に大容蓋のコンデンサを設けることによ抄、こ
のコンデンサが電池交換時に電池の代シに一時的な電源
として働いて、電池交換時にメモリカード内の記憶デー
タが保持できると言う独創的内容を有する。
ＮＤＯ間に大容蓋のコンデンサを設けることによ抄、こ
のコンデンサが電池交換時に電池の代シに一時的な電源
として働いて、電池交換時にメモリカード内の記憶デー
タが保持できると言う独創的内容を有する。
本発明のポータプル記憶装置は、１個又は複数個のＣＭ
ＯＳメモリ及び電池を搭載し、ＣＭＯＳメモリ内に格納
されている記憶データをバッテリーバックアップによシ
保持するポータプル記憶装置に於て、電源とＧＮＬ）の
間に１０μＦ以上のコンデンサを設けたことを籍京とす
る。
ＯＳメモリ及び電池を搭載し、ＣＭＯＳメモリ内に格納
されている記憶データをバッテリーバックアップによシ
保持するポータプル記憶装置に於て、電源とＧＮＬ）の
間に１０μＦ以上のコンデンサを設けたことを籍京とす
る。
成るいは、本発明のポータプル記憶装置は、前述のポー
タプル記憶装置に於て、前記コンデンサをスイッチ全弁
して電源とＧＮＤの間に設けたことを特徴とする。
タプル記憶装置に於て、前記コンデンサをスイッチ全弁
して電源とＧＮＤの間に設けたことを特徴とする。
次に、本発明について田面を参照して説明する。
本発明の第一の実施例を第１図に示す。
本実施例ｔよ、前述の従来例に於て、電源とＧＮＤＯ間
にコンデンサＣ１ｔ造加したメモリカードである。コン
デンサＣ１の値は、例えば１０００μＦに設定°する。
にコンデンサＣ１ｔ造加したメモリカードである。コン
デンサＣ１の値は、例えば１０００μＦに設定°する。
メモリカード全体のスタンバイｉ４ ｖｒＬＬよ、前述
の従来例と同様に、Ｖｃｃ＝２．．５Ｖの時、８μＡと
する。を池装ｚ°４時、コンデンサＣ１の端子間電圧は
約２．５ｖであるから、コンデンサＣＩ ＶＣ蓄れｃさ
れてｂる電＃Ｑ ｉＺｉ： 。
の従来例と同様に、Ｖｃｃ＝２．．５Ｖの時、８μＡと
する。を池装ｚ°４時、コンデンサＣ１の端子間電圧は
約２．５ｖであるから、コンデンサＣＩ ＶＣ蓄れｃさ
れてｂる電＃Ｑ ｉＺｉ： 。
Ｑ＝ｅｌｘｚ５＝ｘＯｏｏＸ１０−’Ｘ２．５＝２．５
Ｘ１０″″３（ｍ：クーロン） である。
Ｘ１０″″３（ｍ：クーロン） である。
ところで、ＲＡＭはＶｃｃ＝：ＬＯＴでもデータ保持が
可能であるから、電池を抜き取りコンデンサＣ１だけで
データ保持を行なえる時間Ｔは、コンデンサＣ１の端子
間電圧がＺ５Ｖから２．、ＯＶまで降下する時間で、Ｓ
＃）、次式で表わされる。
可能であるから、電池を抜き取りコンデンサＣ１だけで
データ保持を行なえる時間Ｔは、コンデンサＣ１の端子
間電圧がＺ５Ｖから２．、ＯＶまで降下する時間で、Ｓ
＃）、次式で表わされる。
Ｔ＝ΔＱ／ｉ？（Ｑ（ｚｓｖ）−Ｑ（ｌｖ））／（８ｘ
１０−’）＝１０００Ｘ １０−’ Ｘ （１５−４０
）／（８Ｘ１０−’）＝６Ｌ５（秒） 即ち、電池抜き取シ後約６０秒間はコンデンサＣ１によ
シ記憶データの保持が可能でおる。従って、約６０秒間
の間に電池交換が行なわれるならば、メモリカード内の
記憶データが保持され得る。
１０−’）＝１０００Ｘ １０−’ Ｘ （１５−４０
）／（８Ｘ１０−’）＝６Ｌ５（秒） 即ち、電池抜き取シ後約６０秒間はコンデンサＣ１によ
シ記憶データの保持が可能でおる。従って、約６０秒間
の間に電池交換が行なわれるならば、メモリカード内の
記憶データが保持され得る。
以上の様に、本実施例のメモリカードは、前述の従来例
の欠点であった電池交換時に記憶データを外部の記憶媒
体にストアさせる必要がなく、単純に電池交換をするだ
けで良ｂ０ 本発明の第二の実施例１ｃ第２−に示す。
の欠点であった電池交換時に記憶データを外部の記憶媒
体にストアさせる必要がなく、単純に電池交換をするだ
けで良ｂ０ 本発明の第二の実施例１ｃ第２−に示す。
本実施例は、前述の第一の実施例に於て、コンデンサＣ
１とＶｃｃＯ間にスイッチｓｗｆ、追加したメモリカー
ドでおる。
１とＶｃｃＯ間にスイッチｓｗｆ、追加したメモリカー
ドでおる。
前述の第一の実施例に於ては、コンデンサＣ１は１００
０μＦとかなシ大きく、コンデンサ自身のリーク電流の
為、電池の寿命が短かくなる場合が予想される。本実施
例では、コンデンサとＶｃｃＯ間にスイッチを設け、通
常時はスイッチをＯＦ Ｆ。
０μＦとかなシ大きく、コンデンサ自身のリーク電流の
為、電池の寿命が短かくなる場合が予想される。本実施
例では、コンデンサとＶｃｃＯ間にスイッチを設け、通
常時はスイッチをＯＦ Ｆ。
電池交換時のみスイッチＱＯＮさせることにより、電池
寿命を削ることなしに、前述の実施例同様に、簡単に電
池交換を行なうことができる。
寿命を削ることなしに、前述の実施例同様に、簡単に電
池交換を行なうことができる。
尚、スイッチは通常の接触型スイッチであるが、第３図
（ｂ）の電池交換用７タ３２を城シ外した時にＯＮにな
る様な構造にすることも可能である。この場合、使用者
が意識的にスイッチの開閉を行なう８賛は無く、取扱い
上、前述の第一の実施例と同等である。
（ｂ）の電池交換用７タ３２を城シ外した時にＯＮにな
る様な構造にすることも可能である。この場合、使用者
が意識的にスイッチの開閉を行なう８賛は無く、取扱い
上、前述の第一の実施例と同等である。
以上説明した様に本発８Ａは、バッテリーバックアップ
を行なうメモリカードに於て、電源とＧＮＤＯ間に大容
量のコンデンサを追加することにより、電池交換時にメ
モリカード内の記憶データが保持できる効果がある。
を行なうメモリカードに於て、電源とＧＮＤＯ間に大容
量のコンデンサを追加することにより、電池交換時にメ
モリカード内の記憶データが保持できる効果がある。
前述の各実施例では、スタンバイ電流１μＡのＲＡＭを
８個使用したメモリカードを例にとったが、スタンバイ
電流がさらに小さなＲＡＭ＝ｉ使用した場合、又はＲＡ
Ｍの使用個数が異なる場合も考えられる。これらの種
々の場合に対応して、コンデンサＣ１としては約１０μ
Ｆ乃至約１００００μＦ程度の間の成る値が芙際には使
用される。
８個使用したメモリカードを例にとったが、スタンバイ
電流がさらに小さなＲＡＭ＝ｉ使用した場合、又はＲＡ
Ｍの使用個数が異なる場合も考えられる。これらの種
々の場合に対応して、コンデンサＣ１としては約１０μ
Ｆ乃至約１００００μＦ程度の間の成る値が芙際には使
用される。
尚、本発明はメモリカードに限らず、同様のポータプル
記憶装置に適用できる。その他、本発明の主旨を満たす
櫨々の応用例が可能であることは言うまでもない。
記憶装置に適用できる。その他、本発明の主旨を満たす
櫨々の応用例が可能であることは言うまでもない。
第１図は本発明の第一の父施例の回路図、第２図は本発
明の紀二の実施例の回路図、第３図（勾。 （ｂ）はそれぞれ従来例の回路図、外形図でろる。 ３１・・・・・・外鉄材、３２・・・・・・篭池父換用
りタ、３３・・・・・・コネクタ端子〇 代理人 弁理士 内 原 音 第１図 第２図 第３図
明の紀二の実施例の回路図、第３図（勾。 （ｂ）はそれぞれ従来例の回路図、外形図でろる。 ３１・・・・・・外鉄材、３２・・・・・・篭池父換用
りタ、３３・・・・・・コネクタ端子〇 代理人 弁理士 内 原 音 第１図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）メモリ及び電池を搭載し、メモリ内に格納されて
いる記憶データをバッテリーバックアップにより保持す
る記憶装置に於て、電源と接地の間に１０μＦ以上のコ
ンデンサを設けたことを特徴とする記憶装置。 - （２）前記コンデンサをスイッチを介して電源とＧＮＤ
の間に設けたことを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項に記載のポータブル記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221100A JPS6375914A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221100A JPS6375914A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6375914A true JPS6375914A (ja) | 1988-04-06 |
Family
ID=16761491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61221100A Pending JPS6375914A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6375914A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990013896A1 (fr) * | 1989-05-08 | 1990-11-15 | Hitachi Maxell Ltd. | Cartouche memoire et procede de commande de memoire |
| US5430681A (en) * | 1989-05-08 | 1995-07-04 | Hitachi Maxell, Ltd. | Memory cartridge and its memory control method |
| EP0926623A1 (fr) * | 1997-12-23 | 1999-06-30 | EM Microelectronic-Marin SA | Transpondeur actif commutable en transpondeur passif |
| JP2001325029A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Olympus Optical Co Ltd | 電源回路 |
| US6465984B2 (en) | 2000-04-27 | 2002-10-15 | Fujitsu Limited | Pseudo battery pack, battery pack, electronic apparatus, and electronic apparatus system and method |
| CN102257515A (zh) * | 2008-12-16 | 2011-11-23 | Ids有限责任公司 | 用于向rfid标签进行电池和无源供电的方法和用来实现所述方法的切换电路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027922A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-13 | Canon Inc | 電子機器 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61221100A patent/JPS6375914A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027922A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-13 | Canon Inc | 電子機器 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990013896A1 (fr) * | 1989-05-08 | 1990-11-15 | Hitachi Maxell Ltd. | Cartouche memoire et procede de commande de memoire |
| US5430681A (en) * | 1989-05-08 | 1995-07-04 | Hitachi Maxell, Ltd. | Memory cartridge and its memory control method |
| US5550781A (en) * | 1989-05-08 | 1996-08-27 | Hitachi Maxell, Ltd. | Semiconductor apparatus with two activating modes of different number of selected word lines at refreshing |
| EP0926623A1 (fr) * | 1997-12-23 | 1999-06-30 | EM Microelectronic-Marin SA | Transpondeur actif commutable en transpondeur passif |
| US6465984B2 (en) | 2000-04-27 | 2002-10-15 | Fujitsu Limited | Pseudo battery pack, battery pack, electronic apparatus, and electronic apparatus system and method |
| JP2001325029A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Olympus Optical Co Ltd | 電源回路 |
| CN102257515A (zh) * | 2008-12-16 | 2011-11-23 | Ids有限责任公司 | 用于向rfid标签进行电池和无源供电的方法和用来实现所述方法的切换电路 |
| US9239980B2 (en) | 2008-12-16 | 2016-01-19 | Ams R&D D.O.O. | Method for a battery and passive power supply to an RFID tag and a switching circuit for carrying out said method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5568441A (en) | IC card | |
| KR940018974A (ko) | 반도체기억장치(semiconductor memory device) | |
| US5706239A (en) | Rechargeable SRAM/flash PCMCIA card | |
| JPS6375914A (ja) | 記憶装置 | |
| JPS6074061A (ja) | 不揮発性デ−タ記憶装置 | |
| US5604709A (en) | Persistent data storage which utilizes a shared power supply | |
| WO1988002191A1 (fr) | Alimentation de secours | |
| JPH0442496A (ja) | 不揮発性ｒａｍ | |
| CN212969153U (zh) | 单片机掉电保护电路 | |
| JPS61168082A (ja) | Ｉｃカ−ド用デバイス | |
| JPS6215920Y2 (ja) | ||
| JPH01264698A (ja) | 記憶装置 | |
| JPH01279493A (ja) | メモリカード | |
| JPH0249040Y2 (ja) | ||
| JPS6154828A (ja) | メモリ−バツクアツプ装置 | |
| JPH0250895A (ja) | Ｉｃメモリカード | |
| JPH0374148A (ja) | 電池を用いる電源回路 | |
| JPS62157955A (ja) | メモリプロテクト回路 | |
| JP2564107Y2 (ja) | メモリ装置 | |
| JPH022474A (ja) | メモリカード | |
| CN1050291A (zh) | 静态随机存贮器掉电保护插座 | |
| JPS595325A (ja) | メモリ保持電圧検出回路 | |
| JPH0720759Y2 (ja) | 停電補償誤動作防止機能を有する電源回路 | |
| JPS5897720A (ja) | 電源回路 | |
| JPS6244537Y2 (ja) |