JPH04199523A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04199523A JPH04199523A JP2335353A JP33535390A JPH04199523A JP H04199523 A JPH04199523 A JP H04199523A JP 2335353 A JP2335353 A JP 2335353A JP 33535390 A JP33535390 A JP 33535390A JP H04199523 A JPH04199523 A JP H04199523A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- semiconductor device
- pads
- bonding
- row
- Prior art date
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- Pending
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
- H10W72/07554—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/936—Multiple bond pads having different shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/941—Dispositions of bond pads
- H10W72/944—Dispositions of multiple bond pads
- H10W72/9445—Top-view layouts, e.g. mirror arrays
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置に関し、詳しくは半導体基板上の
ホンディングバット形状およホンディングバット配列に
関するものである。
ホンディングバット形状およホンディングバット配列に
関するものである。
第3図は従来の半導体装置を示す全体図であり、同図は
半導体基板上のボンディングパッド形状およびボンディ
ングバット配列を示している。図において、(2)は半
導体基板、(3)は半導体基板(2)上に四角形の形状
を持つボンディングパッドである。
半導体基板上のボンディングパッド形状およびボンディ
ングバット配列を示している。図において、(2)は半
導体基板、(3)は半導体基板(2)上に四角形の形状
を持つボンディングパッドである。
上記ホンディングバット(3)は半導体基板(2)周辺
に、上記半導体基板(2)の各辺と並行で1列に配置さ
れている。
に、上記半導体基板(2)の各辺と並行で1列に配置さ
れている。
第4図は第3図の一部を拡大した図であり、図において
、(4)はホンディングパット間の間隔である。従来の
半導体装置ではホンディングパット間(4)の間隔を減
少させることによって、ホンディングパット数の増加を
図っている。
、(4)はホンディングパット間の間隔である。従来の
半導体装置ではホンディングパット間(4)の間隔を減
少させることによって、ホンディングパット数の増加を
図っている。
従来の半導体装置、いわばポンディングバッドの形状及
び配列は以上のように構成されているので、ボンディン
グパット数を増やすには、ホンディングバット面積を縮
小するか、ホンディングパット間の間隔を減少させなけ
ればならないという問題点かあった。
び配列は以上のように構成されているので、ボンディン
グパット数を増やすには、ホンディングバット面積を縮
小するか、ホンディングパット間の間隔を減少させなけ
ればならないという問題点かあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ホンディングパソ)へ面積は従来のままで、
ホンディングパット間の間隔を減少させず、ホンディン
グパット数を増加することかできる半導体装置を得るこ
とを目的とする。
たもので、ホンディングパソ)へ面積は従来のままで、
ホンディングパット間の間隔を減少させず、ホンディン
グパット数を増加することかできる半導体装置を得るこ
とを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、半導体基板上に形成され
ている多角形の形状を持つボンディングバットと、前記
ボンディングバットか半導体基板上に少なくとも1つ以
上配置しているホンディングバット列か、少なくとも1
列以上配置しているものである。
ている多角形の形状を持つボンディングバットと、前記
ボンディングバットか半導体基板上に少なくとも1つ以
上配置しているホンディングバット列か、少なくとも1
列以上配置しているものである。
この発明における半導体装置は、多角形のホンディング
バッドを半導体基板周辺上に、半導体基板各辺と並行に
少なくとも1列以上、各列ごと交互に配置することによ
り、各列のボンディングパット間の間隔を減少させず、
ホンディングバット面積を縮小せずに済む。
バッドを半導体基板周辺上に、半導体基板各辺と並行に
少なくとも1列以上、各列ごと交互に配置することによ
り、各列のボンディングパット間の間隔を減少させず、
ホンディングバット面積を縮小せずに済む。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置の全体図
である。図において、(1)は多角形の形状を持つホン
ディングバット、(2)は半導体基板である。ここでホ
ンディングバット(1)の各列は半導体基板(2)周辺
上に半導体基板(2)の各辺と並行に2列で配置してい
る。
である。図において、(1)は多角形の形状を持つホン
ディングバット、(2)は半導体基板である。ここでホ
ンディングバット(1)の各列は半導体基板(2)周辺
上に半導体基板(2)の各辺と並行に2列で配置してい
る。
第2図は第1図の一部を拡大した図であり、図において
、(Ia)、 (Ib’)は多角形の形状を持ちかつ同
面積を有するホンディングバy l’、(4)はホシデ
ィングパット間の間隔である。ホンディングバッド(1
b)はホンディングバット(1a)と中心か重ならない
ように配置してあり、ホンデイ〉グバット間(4)の間
隔は等しいものである。
、(Ia)、 (Ib’)は多角形の形状を持ちかつ同
面積を有するホンディングバy l’、(4)はホシデ
ィングパット間の間隔である。ホンディングバッド(1
b)はホンディングバット(1a)と中心か重ならない
ように配置してあり、ホンデイ〉グバット間(4)の間
隔は等しいものである。
以上のように、この発明によれは従来のものと同面積を
有する、多角形の形状を持つホンディングバッドを、半
導体基板周辺上に、半導体基板各辺と並行に少なくとも
1列以上、各列ごど交互に配置するように構成したので
、ホンデイ〉グバ。
有する、多角形の形状を持つホンディングバッドを、半
導体基板周辺上に、半導体基板各辺と並行に少なくとも
1列以上、各列ごど交互に配置するように構成したので
、ホンデイ〉グバ。
ト面積を縮小させず、かつ各列でのホンディングバット
間の間隔を減少させずに、ホシディシグバソト数を増加
させることかできる。
間の間隔を減少させずに、ホシディシグバソト数を増加
させることかできる。
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す全
体図、第2図は第1図の一部を拡大した閃、第3図は従
来の半導体装置を示す全体図、第・1図は第3図の一部
を拡大した図である。 図において、(1)は多角形の形状を持つホンディング
バッド、(Ia)、 (lb)は多角形の形状を持ちか
一つ同面積を有すホンディングバット、(2)は半導体
基板、(3)は四角形のホンディングバット、(4)は
ボンディングパット間の間隔である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 El 図 第2図 ff13 区
体図、第2図は第1図の一部を拡大した閃、第3図は従
来の半導体装置を示す全体図、第・1図は第3図の一部
を拡大した図である。 図において、(1)は多角形の形状を持つホンディング
バッド、(Ia)、 (lb)は多角形の形状を持ちか
一つ同面積を有すホンディングバット、(2)は半導体
基板、(3)は四角形のホンディングバット、(4)は
ボンディングパット間の間隔である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 El 図 第2図 ff13 区
Claims (1)
- 半導体基板上に形成されている多角形の形状を持つボン
ディングパッドと、前記ボンディングパッドが半導体基
板上に少なくとも1つ以上配置しているボンディングパ
ッド列が、少なくとも1列以上配置していることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2335353A JPH04199523A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2335353A JPH04199523A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199523A true JPH04199523A (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=18287581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2335353A Pending JPH04199523A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199523A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5635424A (en) * | 1992-07-17 | 1997-06-03 | Lsi Logic Corporation | High-density bond pad layout arrangements for semiconductor dies, and connecting to the bond pads |
| DE10231647A1 (de) * | 2002-07-12 | 2003-10-23 | Infineon Technologies Ag | Anschlusspads für integrierte Schaltung |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP2335353A patent/JPH04199523A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5635424A (en) * | 1992-07-17 | 1997-06-03 | Lsi Logic Corporation | High-density bond pad layout arrangements for semiconductor dies, and connecting to the bond pads |
| DE10231647A1 (de) * | 2002-07-12 | 2003-10-23 | Infineon Technologies Ag | Anschlusspads für integrierte Schaltung |
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