JPH04199663A - パッドグリッドアレイパッケージ - Google Patents
パッドグリッドアレイパッケージInfo
- Publication number
- JPH04199663A JPH04199663A JP33135690A JP33135690A JPH04199663A JP H04199663 A JPH04199663 A JP H04199663A JP 33135690 A JP33135690 A JP 33135690A JP 33135690 A JP33135690 A JP 33135690A JP H04199663 A JPH04199663 A JP H04199663A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- conductor pattern
- heat sink
- pattern layer
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はパッドグリッドアレイパッケージに関する。
(従来の技術)
パッドグリッドアレイパッケージはパッケージの外面に
設けたパッドを外部接続端子として実装する。
設けたパッドを外部接続端子として実装する。
第5図はパッドグリッドアレイパッケージを用いた半導
体装置を基板に実装した状態の従来例を示す0図示した
パッドグリッドアレイパッケージはセラミック製のパッ
ケージ本体10と、パッケージ本体10の外面に設けた
パッド12と、ヒートシンク14とを有する。半導体チ
ップ16はヒートシンク14に接合され、リッド18で
封止される。
体装置を基板に実装した状態の従来例を示す0図示した
パッドグリッドアレイパッケージはセラミック製のパッ
ケージ本体10と、パッケージ本体10の外面に設けた
パッド12と、ヒートシンク14とを有する。半導体チ
ップ16はヒートシンク14に接合され、リッド18で
封止される。
第6図は上記パッドグリッドアレイパッケージの平面図
を示す、パッケージ本体10には半導体チップ16を収
容する収納凹部22をとり囲むように導体パターンが表
面に形成された導体バターン層24が設けられる。
を示す、パッケージ本体10には半導体チップ16を収
容する収納凹部22をとり囲むように導体パターンが表
面に形成された導体バターン層24が設けられる。
(発明が解決しようとする課題)
上記半導体装置はパッド12を介して実装基板20に接
続されるが、半導体装置の実装方法としては、パッド部
分ではんだ付けする方法、半導体装置を実装基板に位置
決めして挟持しパッド部分を押圧した状態で圧装する方
法がある。
続されるが、半導体装置の実装方法としては、パッド部
分ではんだ付けする方法、半導体装置を実装基板に位置
決めして挟持しパッド部分を押圧した状態で圧装する方
法がある。
圧装によって半導体装置を実装する場合は確実に接続を
とるため1ビンあたり300g程度の押圧力を加えるが
、最近はパッケージが多ピン化していることから1個の
パッケージ全体でみると押圧力は数十kg程度にも達す
る。このように大きな押圧力がパッケージに加わる結果
、パッケージを実装した際にパッケージ本体にクラック
がはいるという問題が生じている。
とるため1ビンあたり300g程度の押圧力を加えるが
、最近はパッケージが多ピン化していることから1個の
パッケージ全体でみると押圧力は数十kg程度にも達す
る。このように大きな押圧力がパッケージに加わる結果
、パッケージを実装した際にパッケージ本体にクラック
がはいるという問題が生じている。
これは、実装時の押圧力が薄厚に形成された導体パター
ン層24に加わり、押圧力により生ずる応力に耐えきれ
ずにクランクが発生するものである。第6図に示すよう
に導体パターン層24でも応力集中が生じやすいコーナ
一部でクラックが発生することが多い。
ン層24に加わり、押圧力により生ずる応力に耐えきれ
ずにクランクが発生するものである。第6図に示すよう
に導体パターン層24でも応力集中が生じやすいコーナ
一部でクラックが発生することが多い。
最近のパッドグリッドアレイパッケージは多ピン化にと
もなってパッケージサイズが大型化するとともにパッケ
ージが薄厚となっている。たとえば、パッケージの外形
サイズが45+nm、厚さ3mm程度のものが使用され
ている。このため、半導体チップを搭載する収納凹部2
2の面積が拡大し、導体パターン層にはよりクランクが
はいりやすい状況にある。
もなってパッケージサイズが大型化するとともにパッケ
ージが薄厚となっている。たとえば、パッケージの外形
サイズが45+nm、厚さ3mm程度のものが使用され
ている。このため、半導体チップを搭載する収納凹部2
2の面積が拡大し、導体パターン層にはよりクランクが
はいりやすい状況にある。
なお、半導体装置をはんだ付けによって実装する場合も
、実装基板に半導体装置を押圧してはんだ付けするから
、パッケージにクラックがはいるという上記と同様な問
題点がある。
、実装基板に半導体装置を押圧してはんだ付けするから
、パッケージにクラックがはいるという上記と同様な問
題点がある。
本発明は上記問題点を解消すべくなされたものであり、
その目的とするところは、実装した際にパッケージにク
ラックを生じさせることなく確実に実装することのでき
るパッドグリッドアレイパッケージを提供するにある。
その目的とするところは、実装した際にパッケージにク
ラックを生じさせることなく確実に実装することのでき
るパッドグリッドアレイパッケージを提供するにある。
(課題を解決するための手段)
本発明は上記目的を達成するため次の構成をそなえる。
すなわち、パッケージ本体を実装基板に対して押圧して
はんだ付けあるいは圧装することにより実装するパッド
グリッドアレイパッケージにおいて、前記パッケージ本
体に搭載する半導体チップと接続する導体パターンが形
成された導体パターン層の背面側に、導体パターンが形
成されたパターン面と略同範囲部分に空隙を形成すべく
、前記パッケージ本体の押圧面に凹部を形成したことを
特徴とする。
はんだ付けあるいは圧装することにより実装するパッド
グリッドアレイパッケージにおいて、前記パッケージ本
体に搭載する半導体チップと接続する導体パターンが形
成された導体パターン層の背面側に、導体パターンが形
成されたパターン面と略同範囲部分に空隙を形成すべく
、前記パッケージ本体の押圧面に凹部を形成したことを
特徴とする。
また、前記パッケージ本体の押圧面にヒートシンクが取
り付けられ、該ヒートシンクの半導体チップ取り付け面
と導体パターン層の背面との間に空隙が設けられたこと
を特徴とする。
り付けられ、該ヒートシンクの半導体チップ取り付け面
と導体パターン層の背面との間に空隙が設けられたこと
を特徴とする。
(作用)
実装する際にパッケージ本体を押圧する押圧面に凹部を
形成し、導体パターン層の背面側に空隙を形成すること
によって、実装時の押圧力がじかに導体パターン層に作
用しない、これによって導体パターン層への応力集中が
緩和され、押圧力によってクラックが生じることを防止
する。
形成し、導体パターン層の背面側に空隙を形成すること
によって、実装時の押圧力がじかに導体パターン層に作
用しない、これによって導体パターン層への応力集中が
緩和され、押圧力によってクラックが生じることを防止
する。
(実施例)
以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明に係るパッドグリッドアレイパッケージ
を用いた半導体装置を実装した状態を示す実施例である
。
を用いた半導体装置を実装した状態を示す実施例である
。
本実施例のパッドグリッドアレイパッケージはパッケー
ジ本体10と、パッド12と、パッケージ本体10に接
合したヒートシンク14とを有する。パッケージ本体1
0には半導体チップと接続する導体パターンが露出面に
形成された導体パターン層24が設けられる。導体パタ
ーンと前記パッド12とは内部配線パターンによって接
続されている。
ジ本体10と、パッド12と、パッケージ本体10に接
合したヒートシンク14とを有する。パッケージ本体1
0には半導体チップと接続する導体パターンが露出面に
形成された導体パターン層24が設けられる。導体パタ
ーンと前記パッド12とは内部配線パターンによって接
続されている。
本実施例ではパッケージ本体10の全面に半導体チップ
16を接合するヒートシンク14を設けているが、導体
パターン層24の背面部分とヒートシンク14との間に
空隙30を設けることを特徴とする。導体パターン層2
4は図のように断面形状では半導体チップ16の側面に
対向して舌片状に突出する。上記空隙30はこの舌片状
に突出した導体パターン層24の背面部分でヒートシン
ク14と離間するように設けるものである。
16を接合するヒートシンク14を設けているが、導体
パターン層24の背面部分とヒートシンク14との間に
空隙30を設けることを特徴とする。導体パターン層2
4は図のように断面形状では半導体チップ16の側面に
対向して舌片状に突出する。上記空隙30はこの舌片状
に突出した導体パターン層24の背面部分でヒートシン
ク14と離間するように設けるものである。
第1図で示す実施例では導体パターン層24の背面に凹
部32を形成し、この凹部32内にヒートシンク14の
突部14aが収納されるよう構成した。
部32を形成し、この凹部32内にヒートシンク14の
突部14aが収納されるよう構成した。
突部14aには半導体チップ16が接合されて支持され
、半導体チップ16と導体パターン層24の導体パター
ンとがワイヤポンディングによって接続された後、リッ
ド18によって封止される。
、半導体チップ16と導体パターン層24の導体パター
ンとがワイヤポンディングによって接続された後、リッ
ド18によって封止される。
こうして得られた上記半導体装置を圧装して実装する際
にはヒートシンク14を押圧した際に、パッケージ本体
10を介してパッド12部分で押圧力が作用し、パッド
12部分に均等に押圧力が作用して好適な実装が可能と
なる。
にはヒートシンク14を押圧した際に、パッケージ本体
10を介してパッド12部分で押圧力が作用し、パッド
12部分に均等に押圧力が作用して好適な実装が可能と
なる。
従来のパッケージで圧装時にクラックがはいりやすい導
体パターン層24については、導体パターン層24とヒ
ートシンク14との間に空隙30を設けたことで直接的
に導体パターン層24に押圧力が作用せず、クラックを
生じさせることがない。
体パターン層24については、導体パターン層24とヒ
ートシンク14との間に空隙30を設けたことで直接的
に導体パターン層24に押圧力が作用せず、クラックを
生じさせることがない。
第2図〜第4図はパッドグリッドアレイパッケージの他
の実施例を示す。
の実施例を示す。
第2図に示す実施例は第1図に示す実施例と同様にヒー
トシンク14と導体パターン層24との間に空隙30を
設けて実装時にパッケージを押圧する押圧力がじかに導
体パターン層24に作用しないようにしたものである。
トシンク14と導体パターン層24との間に空隙30を
設けて実装時にパッケージを押圧する押圧力がじかに導
体パターン層24に作用しないようにしたものである。
本実施例でも上記例と同様にヒートシンク14を設けて
ヒートシンク14で半導体チップ16を支持するが、こ
の実施例ではヒートシンク14とパッケージ本体10と
の熱膨張係数の相違等を考慮してヒートシンク14をパ
ッケージ本体10の全面に設けずにパッケージ本体10
の中央部に設置する。実装時にはヒートシンク14を押
圧するから、パッケージ本体10のパッド形成面の内周
位置よりもヒートシンク14の外周位置が広範囲を押圧
するようにし、パッド12にできるだけ均等に押圧力が
作用するようにする。
ヒートシンク14で半導体チップ16を支持するが、こ
の実施例ではヒートシンク14とパッケージ本体10と
の熱膨張係数の相違等を考慮してヒートシンク14をパ
ッケージ本体10の全面に設けずにパッケージ本体10
の中央部に設置する。実装時にはヒートシンク14を押
圧するから、パッケージ本体10のパッド形成面の内周
位置よりもヒートシンク14の外周位置が広範囲を押圧
するようにし、パッド12にできるだけ均等に押圧力が
作用するようにする。
第3図はパッケージ本体10にヒートシンクを取り付け
ずにパッケージ本体10に半導体チップ16を支持する
支持層34を設けた例である。支持層34の背面側には
凹部32を設け、半導体装置を実装する際にパッケージ
本体10を押圧したとき、パッド12に均等に押圧力が
作用し、支持層34および導体パターン層24には押圧
力がじかに作用しないようにしている。
ずにパッケージ本体10に半導体チップ16を支持する
支持層34を設けた例である。支持層34の背面側には
凹部32を設け、半導体装置を実装する際にパッケージ
本体10を押圧したとき、パッド12に均等に押圧力が
作用し、支持層34および導体パターン層24には押圧
力がじかに作用しないようにしている。
第4図に示す実施例は、ヒートシンクのかわりにセラミ
ックの底抜36をパッケージ本体10と一体に形成し、
底板36に半導体チップ16を接合して支持した例であ
る。底板36と導体パターン層24との間には上記例と
同様に空隙30を設けている。この第3図、第4図の実
施例のパッドグリッドアレイパッケージによれば、底板
36付きのセラミックパッケージとして同時焼成で形成
できるという利点がある。
ックの底抜36をパッケージ本体10と一体に形成し、
底板36に半導体チップ16を接合して支持した例であ
る。底板36と導体パターン層24との間には上記例と
同様に空隙30を設けている。この第3図、第4図の実
施例のパッドグリッドアレイパッケージによれば、底板
36付きのセラミックパッケージとして同時焼成で形成
できるという利点がある。
上記各実施例に示したように、本発明に係るパッドグリ
ッドアレイパッケージは、実装時の抑圧力による応力が
もっとも集中して作用する導体パターン層の背面側に空
隙を設け、これによって押圧力が導体パターン層にじか
に作用しないようにするものである。したがって、空隙
の形成方法としては種々の方法が可能であり、空隙形成
範囲も適宜設定すればよい。また、製品によって導体パ
ターン層も単層、複数層等種々のものがあるから各製品
に応じて空隙形成範囲を設定する。
ッドアレイパッケージは、実装時の抑圧力による応力が
もっとも集中して作用する導体パターン層の背面側に空
隙を設け、これによって押圧力が導体パターン層にじか
に作用しないようにするものである。したがって、空隙
の形成方法としては種々の方法が可能であり、空隙形成
範囲も適宜設定すればよい。また、製品によって導体パ
ターン層も単層、複数層等種々のものがあるから各製品
に応じて空隙形成範囲を設定する。
以上1本発明について好適な実施例を挙げて種々説明し
たが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。
たが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。
(発明の効果)
本発明に係るパッドグリッドアレイパッケージによれば
、上述したように、実装時の押圧力が均等にパッドに作
用して確実な実装ができると共に、クラックが生じやす
い導体パターン層にじかに押圧力を作用させずに実装で
き、パッケージにクラックを生じさせずに好適に実装で
きる。また、これによってパッケージの大型化にも効果
的に対処することができる等の著効を奏する。
、上述したように、実装時の押圧力が均等にパッドに作
用して確実な実装ができると共に、クラックが生じやす
い導体パターン層にじかに押圧力を作用させずに実装で
き、パッケージにクラックを生じさせずに好適に実装で
きる。また、これによってパッケージの大型化にも効果
的に対処することができる等の著効を奏する。
第1図は本発明に係るパッドグリッドアレイパッケージ
を用いた半導体装置を実装した一実施例の断面図、第2
図〜第4図は他の実施例の断面図、第5図および第6図
はパッドグリッドアレイパッケージを用いた半導体装置
の従来例の断面図および平面図である。 10・・・パッケージ本体、 12・・・パッド、
14・・・ピーl−シンク、 16・・・半導体チッ
プ、 18・・・リッド、 20・・・実装基板、
22・・・収納凹部、 24・・・導体パターン層、
30・・・空隙、 32・・・凹部。
を用いた半導体装置を実装した一実施例の断面図、第2
図〜第4図は他の実施例の断面図、第5図および第6図
はパッドグリッドアレイパッケージを用いた半導体装置
の従来例の断面図および平面図である。 10・・・パッケージ本体、 12・・・パッド、
14・・・ピーl−シンク、 16・・・半導体チッ
プ、 18・・・リッド、 20・・・実装基板、
22・・・収納凹部、 24・・・導体パターン層、
30・・・空隙、 32・・・凹部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、パッケージ本体を実装基板に対して押圧してはんだ
付けあるいは圧装することにより実装するパッドグリッ
ドアレイパッケージにおいて、 前記パッケージ本体に搭載する半導体チッ プと接続する導体パターンが形成された導体パターン層
の背面側に、導体パターンが形成されたパターン面と略
同範囲部分に空隙を形成すべく、前記パッケージ本体の
押圧面に凹部を形成したことを特徴とするパッドグリッ
ドアレイパッケージ。 2、パッケージ本体の押圧面にヒートシンクが取り付け
られ、該ヒートシンクの半導体チップ取り付け面と導体
パターン層の背面との間に空隙が設けられたことを特徴
とする請求項1記載のパッドグリッドアレイパッケージ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33135690A JPH04199663A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | パッドグリッドアレイパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33135690A JPH04199663A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | パッドグリッドアレイパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199663A true JPH04199663A (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=18242768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33135690A Pending JPH04199663A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | パッドグリッドアレイパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199663A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0634793A1 (en) * | 1993-06-17 | 1995-01-18 | Sun Microsystems, Inc. | A low cost, thermally efficient, and surface mountable semiconductor package for a high applied power VLSI die |
| JP2001110941A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Meito Chin | 半導体デバイス |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP33135690A patent/JPH04199663A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0634793A1 (en) * | 1993-06-17 | 1995-01-18 | Sun Microsystems, Inc. | A low cost, thermally efficient, and surface mountable semiconductor package for a high applied power VLSI die |
| JP2001110941A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Meito Chin | 半導体デバイス |
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