JPH04199815A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH04199815A JPH04199815A JP33616090A JP33616090A JPH04199815A JP H04199815 A JPH04199815 A JP H04199815A JP 33616090 A JP33616090 A JP 33616090A JP 33616090 A JP33616090 A JP 33616090A JP H04199815 A JPH04199815 A JP H04199815A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction gas
- reaction
- semiconductor substrate
- plate
- gas supply
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体製造装置に関するものである。
第３図は従来の半導体製造装置の処理状態を示す概略断
面図である。図′において、（１）は複数の半導体基板
を搭載する基板ポート、（２）は半導体基板を処理する
反応室となる反応内管、（３）は反応内管（２）の外側
に設けられた反応外管、（４）は反応外管（３）の外周
に設けられ、処理温度に加熱する加熱用ヒーターである
。（５）は反応室内を減圧状態にするため反応炉端をシ
ールするエンドキャップ、（６）は基板ボート（１）を
反応室中央に位置させて処理を行なう保温筒、（７）は
半導体基板に薄膜を形成するための反応ガスを反応室内
に供給する反応ガス供給ライン、（８）は反応室内を減
圧状態にてき、反応ガスを排気する反応ガス排気ライン
である。
面図である。図′において、（１）は複数の半導体基板
を搭載する基板ポート、（２）は半導体基板を処理する
反応室となる反応内管、（３）は反応内管（２）の外側
に設けられた反応外管、（４）は反応外管（３）の外周
に設けられ、処理温度に加熱する加熱用ヒーターである
。（５）は反応室内を減圧状態にするため反応炉端をシ
ールするエンドキャップ、（６）は基板ボート（１）を
反応室中央に位置させて処理を行なう保温筒、（７）は
半導体基板に薄膜を形成するための反応ガスを反応室内
に供給する反応ガス供給ライン、（８）は反応室内を減
圧状態にてき、反応ガスを排気する反応ガス排気ライン
である。
次に、半導体製造装置の動作について説明する。
第３図の状態で反応室内を減圧状態にし、反応ガス供給
ライン（７）より反応ガスを反応室に流し、処理（薄膜
形成）を行なう。処理終了後、反応室内の残留ガスは反
応ガス排気ライン（８）を通して排気する。
ライン（７）より反応ガスを反応室に流し、処理（薄膜
形成）を行なう。処理終了後、反応室内の残留ガスは反
応ガス排気ライン（８）を通して排気する。
ここで、半導体基板に薄膜を形成するに当たり、処理中
の反応室内は、反応ガスを供給しなから減圧状態に保た
れている。つまり、反応ガスを流しなから排気を行なっ
ている。よって、反応ガスは反応室下端から上部に向け
て流れ、反応内管（２）と反応外管（３）の間を通して
反応ガス排気ライン（８）に排気されるため、図示矢印
に示すような流れか生していた。
の反応室内は、反応ガスを供給しなから減圧状態に保た
れている。つまり、反応ガスを流しなから排気を行なっ
ている。よって、反応ガスは反応室下端から上部に向け
て流れ、反応内管（２）と反応外管（３）の間を通して
反応ガス排気ライン（８）に排気されるため、図示矢印
に示すような流れか生していた。
従来の半導体製造装置は以上のように構成されていたの
で、反応ガスか半導体基板表面上に対して流れにくくな
っているため、膜厚の均一性の向上を得にくくなるとい
う問題点かあった。
で、反応ガスか半導体基板表面上に対して流れにくくな
っているため、膜厚の均一性の向上を得にくくなるとい
う問題点かあった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たものて、基板ボートを取り囲む反応ガス供給板および
排気板を設け、反応ガス供給ラインおよび反応ガス排気
ラインと接続し、反応ガス供給板から反応ガス排気板に
向けて半導体基板表面上に反応ガスを流すことにより、
半導体基板の膜厚の均一性を向上させた半導体製造装置
を得ることを目的とする。
たものて、基板ボートを取り囲む反応ガス供給板および
排気板を設け、反応ガス供給ラインおよび反応ガス排気
ラインと接続し、反応ガス供給板から反応ガス排気板に
向けて半導体基板表面上に反応ガスを流すことにより、
半導体基板の膜厚の均一性を向上させた半導体製造装置
を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体製造装置は、基板ボートを取り囲
み、多段にわたりスポット孔を備え、半導体基板表面上
に反応ガスを流すことかでき、半導体基板に対して平行
に反応ガスを排気できる反応ガス供給板および反応ガス
排気板を設けたちのである。
み、多段にわたりスポット孔を備え、半導体基板表面上
に反応ガスを流すことかでき、半導体基板に対して平行
に反応ガスを排気できる反応ガス供給板および反応ガス
排気板を設けたちのである。
この発明における反応ガス供給板および反応ガス排気板
は、基板ボートを取り囲んで、反応ガス供給ラインおよ
び反応ガス排気ラインと接続されている。そうすると、
反応ガス供給板から反応ガス排気板に向けて半導体基板
表面上にガスを流しているため、半導体基板の膜厚の均
一性を向上させることかできる。
は、基板ボートを取り囲んで、反応ガス供給ラインおよ
び反応ガス排気ラインと接続されている。そうすると、
反応ガス供給板から反応ガス排気板に向けて半導体基板
表面上にガスを流しているため、半導体基板の膜厚の均
一性を向上させることかできる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図および第２図はこの発明の一実施例を示す縦断面
図および横断面図で、図中符号（１）、（３）〜（８）
は前記従来のものと同一につきその説明は省略する。図
において、（９）は反応ガス供給ライン（７）と接続さ
れ、上部から下部にわたり多段のスリット孔を備え、反
応ガスを反応室に供給する反応ガス供給板である。α０
）は反応ガス排気ライン（８）と接続され、上部から下
部にわたり多段のスリット孔を備え、反応ガスを反応室
から排気する反応ガス排気板である。
図および横断面図で、図中符号（１）、（３）〜（８）
は前記従来のものと同一につきその説明は省略する。図
において、（９）は反応ガス供給ライン（７）と接続さ
れ、上部から下部にわたり多段のスリット孔を備え、反
応ガスを反応室に供給する反応ガス供給板である。α０
）は反応ガス排気ライン（８）と接続され、上部から下
部にわたり多段のスリット孔を備え、反応ガスを反応室
から排気する反応ガス排気板である。
このように構成された半導体製造装置において、第１図
の状態で反応室内を減圧状態にする。次に反応ガス供給
ライン（７）を通して反応ガス供給板（９）から反応ガ
スを反応室に供給し、処理（薄膜形成）を行ない、反応
ガスを反応ガス排気板α０）より反応ガス排気ライン（
８）を通して排気する。処理中にはエンドキャップ（５
）に備わっている回転機能を用い、基板ボート（１）は
回転している。処理中の反応ガスの流れは反応ガス供給
板（９）から反応ガス排気板に向けて流れている。
の状態で反応室内を減圧状態にする。次に反応ガス供給
ライン（７）を通して反応ガス供給板（９）から反応ガ
スを反応室に供給し、処理（薄膜形成）を行ない、反応
ガスを反応ガス排気板α０）より反応ガス排気ライン（
８）を通して排気する。処理中にはエンドキャップ（５
）に備わっている回転機能を用い、基板ボート（１）は
回転している。処理中の反応ガスの流れは反応ガス供給
板（９）から反応ガス排気板に向けて流れている。
以上のようにこの発明によれば、処理中において、エン
ドキャップ（５）に備わっている回転機能を用い、反応
ガスは基板ボート（１）に搭載されている半導体基板上
を流れるため、半導体基板に形成される薄膜の膜厚均一
性を向上できる半導体製造装置か得られるという効果が
ある。
ドキャップ（５）に備わっている回転機能を用い、反応
ガスは基板ボート（１）に搭載されている半導体基板上
を流れるため、半導体基板に形成される薄膜の膜厚均一
性を向上できる半導体製造装置か得られるという効果が
ある。
第１図および第２図はこの発明の一実施例である半導体
製造装置を示す縦断面図および横断面図、第３図は従来
の半導体製造装置を示す縦断面図である。 図において、（１）は基板ボート、（３）は反応外管、
（４）はヒーター、（５）はエンドキャンプ、（６）は
保温筒、（７）は反応ガス供給ライン、（８）は反応ガ
ス排気ライン、（９）は反応ガス供給板、００）は反応
ガス排気板を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１圀 ％２尺
製造装置を示す縦断面図および横断面図、第３図は従来
の半導体製造装置を示す縦断面図である。 図において、（１）は基板ボート、（３）は反応外管、
（４）はヒーター、（５）はエンドキャンプ、（６）は
保温筒、（７）は反応ガス供給ライン、（８）は反応ガ
ス排気ライン、（９）は反応ガス供給板、００）は反応
ガス排気板を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１圀 ％２尺
Claims (1)
- 反応ガスを反応室内に供給する供給ラインおよび反応
室内の反応ガスを排気する排気ラインを、複数の半導体
基板を搭載した基板ボートを取り囲む反応ガス供給板と
反応ガス排気板を設け、これと接続し、反応ガスを半導
体基板表面に流すことにより、半導体基板の膜厚の均一
性および膜成長速度を向上させるようにしたことを特徴
とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33616090A JPH04199815A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33616090A JPH04199815A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199815A true JPH04199815A (ja) | 1992-07-21 |
Family
ID=18296299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33616090A Pending JPH04199815A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199815A (ja) |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP33616090A patent/JPH04199815A/ja active Pending
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