JPH0420247B2 - - Google Patents
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- JPH0420247B2 JPH0420247B2 JP1560383A JP1560383A JPH0420247B2 JP H0420247 B2 JPH0420247 B2 JP H0420247B2 JP 1560383 A JP1560383 A JP 1560383A JP 1560383 A JP1560383 A JP 1560383A JP H0420247 B2 JPH0420247 B2 JP H0420247B2
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- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 claims description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ca+2].[Ti+4] WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQLDLKMNUJERMK-UHFFFAOYSA-L di(octadecanoyloxy)lead Chemical compound [Pb+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O UQLDLKMNUJERMK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は端子電極の接着強度及び素子強度を改
善した積層セラミツクコンデンサの製造方法に関
するものである。 従来例の構成とその問題点 従来より小型大容量化を目的としてセラミツク
薄膜誘電体の並列配線構造を有する積層セラミツ
クコンデンサはよく知られている。この積層セラ
ミツクコンデンサの製造方法は一般的には次の通
りである。まず、チタン酸バリウム，チタン酸カ
ルシウム，チタン酸マグネシウムなどの酸化物に
数種の添加物を加え、混合した後、有機バインダ
を加えて粘性の高いスラリーとし、これをドクタ
ーブレード法などの一般的なシート成形方法によ
り、30〜100μmのシートを作製する。この後シー
ト上にパラジウムまたは銀とパラジウムの合金粉
末を、有機バインダ中に分散させたペーストをス
クリーン印刷法により印刷し、その上にシートを
積み重ねて印刷する。これを繰返しながら２〜40
層の積層体を作製する。この積層体を適当な大き
さに切断し、電気炉にて1200〜1400℃で焼成する
と焼結体のチツプが得られる。 このチツプの端面に端子電極として、銀とパラ
ジウム合金または銀の粉末よりなるペーストを付
着し、700〜900℃で焼付けることにより、積層セ
ラミツクコンデンサが得られる。 このような積層セラミツクコンデンサは、プリ
ント配線基板に直に半田付けされて用いられるこ
とがほとんどである。プリント配線基板はエポキ
シ樹脂からなり、使用中にたわみを生ることがど
うしても起りがちであるため、半田付けされた積
層セラミツクコンデンサの端子には10Kg以上の引
張り応力が作用することがしばしばあり、この応
力に耐えきれず、端子電極がはずれたり、素体自
身にクラツクを生じ、特性上に支障をきたすこと
があつた。このような問題に対し、ガラスフリツ
トを焼結後の積層セラミツクコンデンサの表面に
付着させ、熱処理によりセラミツク中にガラス成
分を拡散させる方法があるが、ガラスフリツトの
粒径が一般に10μ以上で粗いため積層セラミツク
コンデンサの表面に均一に付着させることが困難
で、処理後も素子によつて効果のバラツキが生じ
ていた。 発明の目的 本発明の目的は上記のような事実にかんがみ、
端子電極の接着強度、及び素子強度の改善をはか
り均質な積層セラミツクコンデンサを提供するこ
とにある。 発明の構成 本発明は焼結済みの積層セラミツクコンデンサ
をガラス形成化合物（たとえばＢ，Pb，Si，Al，
Bi等の有機、無機化合物）の混合溶液に浸漬後、
乾燥し、積層セラミツクコンデンサ焼結体表面に
上記化合物の薄層を形成し、しかる後これを熱処
理することによつてガラス形成とセラミツク中へ
の拡散を同時に行うことを特徴とする。 実施例の説明 チタン酸バリウム（BaTiO3）100重量部に対
し、チタン酸カルシウム（CaTiO3），酸化ニオ
ブ（Nb2O5）を共に３重量部，さらに二酸化マン
ガン（MnO2）を0.2重量部添加して十分に混合す
る。この後、有機バインダーにてスラリー化し、
ブレード工法により80μmの厚みのシートを作製
する。このシートにパラジウムペーストをスクリ
ーン印刷し、その上にシートを重ねて印刷をくり
返し、積層する。この積層体の切断し、1300〜
1350℃にて焼成した。この焼結体チツプの形状
は、1.5mm（幅）×3.0mm（長さ）×0.55mm（厚さ）
である。 このような焼結体を４％ホウ酸（H3BO3）水
溶液に浸漬後100℃，２時間乾燥する。次に５％
シリコンオイル及び４％ステアリン酸鉛を含むア
セトン溶液に浸漬し、空気中で自然乾燥する。こ
のもののガラス成分の付着量は焼結体チツプの
0.7％であつた。この量は溶液濃度を変えること
によつて調整することができる。このものをアル
ミナルツボ中に密閉し900℃で熱処理した。化合
物は分解し、B2O3−−SiO2−PbO系のガラスに
なりセラミツク中に拡散する。アルミナルツボ中
に密閉するのはPbO等の蒸発しやすい成分の揮散
を抑えるためである。 このようにして得られたチツプの端子に銀電極
を設けた。ただし、銀電極用銀ペースト中に上記
と同組成のガラスフリツトを２〜３％混合したも
のを用いた。 発明の効果 図は本発明の製造方法により得られた積層セラ
ミツクコンデンサを示す図であり、１はセラミツ
ク誘電体、２はパラジウム電極、３はガラス層、
４は銀端子電極である。また、第１表は従来の製
造方法、すなわちガラスフリツトを焼結体チツプ
の表面に付着、拡散させない方法で作製した場合
とガラスフリツトを焼結体チツプ表面に付着、拡
散させる方法、及び本発明の製造方法に基づく場
合の積層セラミツクコンデンサの端子電極引張り
強度及び抗折強度及び電気特性の比較を示したも
のである。なお、抗折強度はスパン２mmの３点曲
げ試験による結果である。
善した積層セラミツクコンデンサの製造方法に関
するものである。 従来例の構成とその問題点 従来より小型大容量化を目的としてセラミツク
薄膜誘電体の並列配線構造を有する積層セラミツ
クコンデンサはよく知られている。この積層セラ
ミツクコンデンサの製造方法は一般的には次の通
りである。まず、チタン酸バリウム，チタン酸カ
ルシウム，チタン酸マグネシウムなどの酸化物に
数種の添加物を加え、混合した後、有機バインダ
を加えて粘性の高いスラリーとし、これをドクタ
ーブレード法などの一般的なシート成形方法によ
り、30〜100μmのシートを作製する。この後シー
ト上にパラジウムまたは銀とパラジウムの合金粉
末を、有機バインダ中に分散させたペーストをス
クリーン印刷法により印刷し、その上にシートを
積み重ねて印刷する。これを繰返しながら２〜40
層の積層体を作製する。この積層体を適当な大き
さに切断し、電気炉にて1200〜1400℃で焼成する
と焼結体のチツプが得られる。 このチツプの端面に端子電極として、銀とパラ
ジウム合金または銀の粉末よりなるペーストを付
着し、700〜900℃で焼付けることにより、積層セ
ラミツクコンデンサが得られる。 このような積層セラミツクコンデンサは、プリ
ント配線基板に直に半田付けされて用いられるこ
とがほとんどである。プリント配線基板はエポキ
シ樹脂からなり、使用中にたわみを生ることがど
うしても起りがちであるため、半田付けされた積
層セラミツクコンデンサの端子には10Kg以上の引
張り応力が作用することがしばしばあり、この応
力に耐えきれず、端子電極がはずれたり、素体自
身にクラツクを生じ、特性上に支障をきたすこと
があつた。このような問題に対し、ガラスフリツ
トを焼結後の積層セラミツクコンデンサの表面に
付着させ、熱処理によりセラミツク中にガラス成
分を拡散させる方法があるが、ガラスフリツトの
粒径が一般に10μ以上で粗いため積層セラミツク
コンデンサの表面に均一に付着させることが困難
で、処理後も素子によつて効果のバラツキが生じ
ていた。 発明の目的 本発明の目的は上記のような事実にかんがみ、
端子電極の接着強度、及び素子強度の改善をはか
り均質な積層セラミツクコンデンサを提供するこ
とにある。 発明の構成 本発明は焼結済みの積層セラミツクコンデンサ
をガラス形成化合物（たとえばＢ，Pb，Si，Al，
Bi等の有機、無機化合物）の混合溶液に浸漬後、
乾燥し、積層セラミツクコンデンサ焼結体表面に
上記化合物の薄層を形成し、しかる後これを熱処
理することによつてガラス形成とセラミツク中へ
の拡散を同時に行うことを特徴とする。 実施例の説明 チタン酸バリウム（BaTiO3）100重量部に対
し、チタン酸カルシウム（CaTiO3），酸化ニオ
ブ（Nb2O5）を共に３重量部，さらに二酸化マン
ガン（MnO2）を0.2重量部添加して十分に混合す
る。この後、有機バインダーにてスラリー化し、
ブレード工法により80μmの厚みのシートを作製
する。このシートにパラジウムペーストをスクリ
ーン印刷し、その上にシートを重ねて印刷をくり
返し、積層する。この積層体の切断し、1300〜
1350℃にて焼成した。この焼結体チツプの形状
は、1.5mm（幅）×3.0mm（長さ）×0.55mm（厚さ）
である。 このような焼結体を４％ホウ酸（H3BO3）水
溶液に浸漬後100℃，２時間乾燥する。次に５％
シリコンオイル及び４％ステアリン酸鉛を含むア
セトン溶液に浸漬し、空気中で自然乾燥する。こ
のもののガラス成分の付着量は焼結体チツプの
0.7％であつた。この量は溶液濃度を変えること
によつて調整することができる。このものをアル
ミナルツボ中に密閉し900℃で熱処理した。化合
物は分解し、B2O3−−SiO2−PbO系のガラスに
なりセラミツク中に拡散する。アルミナルツボ中
に密閉するのはPbO等の蒸発しやすい成分の揮散
を抑えるためである。 このようにして得られたチツプの端子に銀電極
を設けた。ただし、銀電極用銀ペースト中に上記
と同組成のガラスフリツトを２〜３％混合したも
のを用いた。 発明の効果 図は本発明の製造方法により得られた積層セラ
ミツクコンデンサを示す図であり、１はセラミツ
ク誘電体、２はパラジウム電極、３はガラス層、
４は銀端子電極である。また、第１表は従来の製
造方法、すなわちガラスフリツトを焼結体チツプ
の表面に付着、拡散させない方法で作製した場合
とガラスフリツトを焼結体チツプ表面に付着、拡
散させる方法、及び本発明の製造方法に基づく場
合の積層セラミツクコンデンサの端子電極引張り
強度及び抗折強度及び電気特性の比較を示したも
のである。なお、抗折強度はスパン２mmの３点曲
げ試験による結果である。
【表】
この表から明らかなように本発明の製造方法に
より得られる積層セラミツクコンデンサの強度が
著しく向上し、かつ強度のばらつきが小さいこと
が認められる。これはガラス形成化合物の付着が
素子表面にわたつて均一なため、処理なしの場合
及び今までのガラスフリツト処理にくらべてバラ
ツキが小さく良好な結果が得られるものである。 尚、コンデンサの電気的特性については静電容
量が若干小さいこと以外は何ら異常は認められな
かつた。そして、このような効果が得られるのは
セラミツク特有の気孔をガラスで満たすからであ
ると考えられる。 以上述べたように、本発明の製造方法にかかる
積層セラミツクコンデンサの機械的強度は極めて
優れており、プリント基板に直に半田付けされて
も基板のたわみに対して端子電極がはずれたり、
素子にクラツクが入ることを防止する上で極めて
有効であり、その意義は大きい。 尚、実施例ではガラス形成元素としてホウ素，
ケイ素，鉛の化合物を用いたが、これにさらに亜
鉛やアルミニウムの化合物を含むものでもよく、
またホウ素，ケイ素及びビスマスを主体とする化
合物の組合せも可能である。その場合化合物の形
も元素に応じて変える必要があり、溶剤もできる
だけ成分が相溶しあうように選択すべきである。
どうしても同時に溶解が困難な時には、実施例の
ごとく、お互いに溶解しないような溶剤の組合せ
を選択し、複数回に分けて付着させることもでき
る。さらに、実施例ではチタン酸バリウム，チタ
ン酸カルシウム，酸化ニオブ，二酸化マンガンよ
りなるセラミツク誘電体を用いたが、セラミツク
誘電体であるならばいかなる組成にも適用しうる
ことは言うまでもない。 また、実施例では端子電極として銀を用いた
が、銀とパラジウムの合金でもよい。
より得られる積層セラミツクコンデンサの強度が
著しく向上し、かつ強度のばらつきが小さいこと
が認められる。これはガラス形成化合物の付着が
素子表面にわたつて均一なため、処理なしの場合
及び今までのガラスフリツト処理にくらべてバラ
ツキが小さく良好な結果が得られるものである。 尚、コンデンサの電気的特性については静電容
量が若干小さいこと以外は何ら異常は認められな
かつた。そして、このような効果が得られるのは
セラミツク特有の気孔をガラスで満たすからであ
ると考えられる。 以上述べたように、本発明の製造方法にかかる
積層セラミツクコンデンサの機械的強度は極めて
優れており、プリント基板に直に半田付けされて
も基板のたわみに対して端子電極がはずれたり、
素子にクラツクが入ることを防止する上で極めて
有効であり、その意義は大きい。 尚、実施例ではガラス形成元素としてホウ素，
ケイ素，鉛の化合物を用いたが、これにさらに亜
鉛やアルミニウムの化合物を含むものでもよく、
またホウ素，ケイ素及びビスマスを主体とする化
合物の組合せも可能である。その場合化合物の形
も元素に応じて変える必要があり、溶剤もできる
だけ成分が相溶しあうように選択すべきである。
どうしても同時に溶解が困難な時には、実施例の
ごとく、お互いに溶解しないような溶剤の組合せ
を選択し、複数回に分けて付着させることもでき
る。さらに、実施例ではチタン酸バリウム，チタ
ン酸カルシウム，酸化ニオブ，二酸化マンガンよ
りなるセラミツク誘電体を用いたが、セラミツク
誘電体であるならばいかなる組成にも適用しうる
ことは言うまでもない。 また、実施例では端子電極として銀を用いた
が、銀とパラジウムの合金でもよい。
図は本発明の製造方法に基づく積層セラミツク
コンデンサを示す図である。 １……セラミツク誘電体、２……パラジウム電
極、３……ガラス層、４……銀端子電極。
コンデンサを示す図である。 １……セラミツク誘電体、２……パラジウム電
極、３……ガラス層、４……銀端子電極。
Claims (1)
- １ セラミツク誘電体層及び金属電極層が交互に
積層されてなる積層体をガラス形成化合物混合溶
液に浸漬した後乾燥し、しかる後熱処理すること
によつて上記化合物を分解，ガラス化し、上記積
層体表面に拡散させることを特徴とする積層セラ
ミツクコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015603A JPS59141215A (ja) | 1983-02-01 | 1983-02-01 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015603A JPS59141215A (ja) | 1983-02-01 | 1983-02-01 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59141215A JPS59141215A (ja) | 1984-08-13 |
| JPH0420247B2 true JPH0420247B2 (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=11893292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58015603A Granted JPS59141215A (ja) | 1983-02-01 | 1983-02-01 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59141215A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0379008A (ja) * | 1989-08-22 | 1991-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JPH1167574A (ja) * | 1997-08-26 | 1999-03-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP6937981B2 (ja) * | 2017-02-02 | 2021-09-22 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品包装体、及び積層セラミック電子部品の収容方法 |
-
1983
- 1983-02-01 JP JP58015603A patent/JPS59141215A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59141215A (ja) | 1984-08-13 |
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