JPH0115125B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0115125B2 JPH0115125B2 JP57145053A JP14505382A JPH0115125B2 JP H0115125 B2 JPH0115125 B2 JP H0115125B2 JP 57145053 A JP57145053 A JP 57145053A JP 14505382 A JP14505382 A JP 14505382A JP H0115125 B2 JPH0115125 B2 JP H0115125B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing
- silver
- multilayer ceramic
- laminate
- ceramic capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は各種電子機器に用いられる積層セラミ
ツクコンデンサの製造方法に関するものである。 従来例の構成とその問題点 従来より小型大容量化を目的としてセラミツク
薄膜誘電体の並列配線構造を有する積層セラミツ
クコンデンサはよく知られている。この積層セラ
ミツクコンデンサの製造方法は、一般には次の通
りである。まず、チタン酸バリウム、チタン酸カ
ルシウム、チタン酸マグネシウム等の酸化物に数
種の添加物を加えて混合した後、有機バインダを
加えて粘性の高いスラリーとし、これをドクター
ブレード法、パイプドクターブレード法等の一般
的なシート成型方法により、30〜100μmのシート
を作製する。この後、シート上にパラジウムまた
は白金とパラジウムの合金粉末を有機バインダ中
に分散させたペーストをスクリーン印刷する。こ
れをくり返しながら２〜40層の積層体を作製す
る。この積層体を適当な大きさに切断し、電気炉
にて1200〜1400℃で焼成すると焼結体のチツプが
得られる。このチツプの端面に端子電極として銀
とパラジウムの合金または銀の粉末よりなるペー
ストを付着し、700〜900℃で焼付けることによ
り、積層セラミツクコンデンサが得られる。 このような積層セラミツクコンデンサは、プリ
ント配線基板に直に半田付けされて用いられるこ
とがほとんどである。そして、プリント配線基板
はエポキシ樹脂からなり、使用中にたわみを生じ
ることが起りがちであるため、半田付けされた積
層セラミツクコンデンサの端子電極には1.0Kg以
上の引張り応力が作用することがしばしばあり、
この応力に耐えきれず端子電極が外れたり、素子
自身にクラツクを生じ特性上に支障をきたすこと
があるものであつた。 発明の目的 本発明は上記のような事実に鑑み、実験を重ね
た結果、端子電極の接着強度及び素子自身の強度
の改善を同時に図り得た積層セラミツクコンデン
サの製造方法を提供するものである。 発明の構成 本発明の積層セラミツクコンデンサの製造方法
は、ジルコニヤ及びガラスフリツトの混合粉末中
にセラミツク誘電体層及び金属電極層が交互に積
層されてなる積層体を埋込んで熱処理することに
より、ガラス成分を積層体内部に拡散させたこと
を特徴とするものであり、ガラス成分が熱処理に
よりセラミツク内部に拡散されているため、内部
の気孔がガラス質により強化され素子強度が向上
すると考えられるものである。また、端子電極に
使用する銀ペースト中にはガラスフリツトを含有
させることは周知であるが、ガラス質が素体に拡
散されている本発明の方法に基づく素子とこの銀
ペーストとは親和性が良いため、端子電極の接着
強度が高くなると考えられるものである。 実施例の説明 以下、実施例に基づき本発明の積層セラミツク
コンデンサの製造方法を詳細に説明する。 まず、チタン酸バリウム（BaTiO3）100重量
部に対し、チタン酸カルシウム（CaTiO3）、酸
化ニオブ（Nb2O5）を共に３重量部、さらに二酸
化マンガン（MnO2）を0.2重量部添加して十分に
混合する。この後に有機バインダーにてスラリー
化し、ブレード工法にて80μmの厚みのシートを
作製する。このシートにパラジウムペーストをス
クリーン印刷し、その上にシートを重ねてくり返
し積層する。この積層体を切断し、1300〜1350℃
にて焼成した。この焼結体チツプの形状は、1.5
mm（幅）×3.0mm（長さ）×0.55mm（厚さ）である。
このような焼結体チツプを、酸化ホウ素２重量
部、酸化ケイ素５重量部、酸化鉛１重量部よりな
るガラスフリツトをジルコニヤ粉末100重量部に
対して１〜５重量部添加した混合物中に埋込んだ
後、800〜850℃で熱処理した。このようにして得
られたチツプの端子に銀電極を設けた。ここで、
銀電極としては銀電極用銀ペースト中に上記ガラ
スフリツトを２〜３％混合したものを用いた。 図は本発明の製造方法により得られた積層セラ
ミツクコンデンサを示し、図において１はセラミ
ツク誘電体、２はパラジウム電極、３はガラス
層、４は銀端子電極である。 次に、下記の表は従来の製造方法であるガラス
拡散を行わない方法と本発明の製造方法に基づく
場合の積層セラミツクコンデンサの端子引張り強
度、抗折強度及び電気特性の比較を示したもので
ある。
ツクコンデンサの製造方法に関するものである。 従来例の構成とその問題点 従来より小型大容量化を目的としてセラミツク
薄膜誘電体の並列配線構造を有する積層セラミツ
クコンデンサはよく知られている。この積層セラ
ミツクコンデンサの製造方法は、一般には次の通
りである。まず、チタン酸バリウム、チタン酸カ
ルシウム、チタン酸マグネシウム等の酸化物に数
種の添加物を加えて混合した後、有機バインダを
加えて粘性の高いスラリーとし、これをドクター
ブレード法、パイプドクターブレード法等の一般
的なシート成型方法により、30〜100μmのシート
を作製する。この後、シート上にパラジウムまた
は白金とパラジウムの合金粉末を有機バインダ中
に分散させたペーストをスクリーン印刷する。こ
れをくり返しながら２〜40層の積層体を作製す
る。この積層体を適当な大きさに切断し、電気炉
にて1200〜1400℃で焼成すると焼結体のチツプが
得られる。このチツプの端面に端子電極として銀
とパラジウムの合金または銀の粉末よりなるペー
ストを付着し、700〜900℃で焼付けることによ
り、積層セラミツクコンデンサが得られる。 このような積層セラミツクコンデンサは、プリ
ント配線基板に直に半田付けされて用いられるこ
とがほとんどである。そして、プリント配線基板
はエポキシ樹脂からなり、使用中にたわみを生じ
ることが起りがちであるため、半田付けされた積
層セラミツクコンデンサの端子電極には1.0Kg以
上の引張り応力が作用することがしばしばあり、
この応力に耐えきれず端子電極が外れたり、素子
自身にクラツクを生じ特性上に支障をきたすこと
があるものであつた。 発明の目的 本発明は上記のような事実に鑑み、実験を重ね
た結果、端子電極の接着強度及び素子自身の強度
の改善を同時に図り得た積層セラミツクコンデン
サの製造方法を提供するものである。 発明の構成 本発明の積層セラミツクコンデンサの製造方法
は、ジルコニヤ及びガラスフリツトの混合粉末中
にセラミツク誘電体層及び金属電極層が交互に積
層されてなる積層体を埋込んで熱処理することに
より、ガラス成分を積層体内部に拡散させたこと
を特徴とするものであり、ガラス成分が熱処理に
よりセラミツク内部に拡散されているため、内部
の気孔がガラス質により強化され素子強度が向上
すると考えられるものである。また、端子電極に
使用する銀ペースト中にはガラスフリツトを含有
させることは周知であるが、ガラス質が素体に拡
散されている本発明の方法に基づく素子とこの銀
ペーストとは親和性が良いため、端子電極の接着
強度が高くなると考えられるものである。 実施例の説明 以下、実施例に基づき本発明の積層セラミツク
コンデンサの製造方法を詳細に説明する。 まず、チタン酸バリウム（BaTiO3）100重量
部に対し、チタン酸カルシウム（CaTiO3）、酸
化ニオブ（Nb2O5）を共に３重量部、さらに二酸
化マンガン（MnO2）を0.2重量部添加して十分に
混合する。この後に有機バインダーにてスラリー
化し、ブレード工法にて80μmの厚みのシートを
作製する。このシートにパラジウムペーストをス
クリーン印刷し、その上にシートを重ねてくり返
し積層する。この積層体を切断し、1300〜1350℃
にて焼成した。この焼結体チツプの形状は、1.5
mm（幅）×3.0mm（長さ）×0.55mm（厚さ）である。
このような焼結体チツプを、酸化ホウ素２重量
部、酸化ケイ素５重量部、酸化鉛１重量部よりな
るガラスフリツトをジルコニヤ粉末100重量部に
対して１〜５重量部添加した混合物中に埋込んだ
後、800〜850℃で熱処理した。このようにして得
られたチツプの端子に銀電極を設けた。ここで、
銀電極としては銀電極用銀ペースト中に上記ガラ
スフリツトを２〜３％混合したものを用いた。 図は本発明の製造方法により得られた積層セラ
ミツクコンデンサを示し、図において１はセラミ
ツク誘電体、２はパラジウム電極、３はガラス
層、４は銀端子電極である。 次に、下記の表は従来の製造方法であるガラス
拡散を行わない方法と本発明の製造方法に基づく
場合の積層セラミツクコンデンサの端子引張り強
度、抗折強度及び電気特性の比較を示したもので
ある。
【表】
上記表から明らかなように、本発明の方法によ
り得られる積層セラミツクコンデンサの強度が著
しく向上することが認められる。また、コンデン
サの電気的特性については静電容量が若干小さい
こと以外は何ら異常は認められなかつた。 なお、上記実施例ではガラスフリツトとしてホ
ウ素、ケイ素、鉛の酸化物を用いたが、これにさ
らに亜鉛やアルミニウムの酸化物またはフツ化物
を含むものでも良く、さらにはホウ素、ケイ素、
ビスマスを主体とするガラスフリツトを用いるこ
とも可能である。また、実施例ではチタン酸バリ
ウム、チタン酸カルシウム、酸化ニオブ、二酸化
マンガンよりなるセラミツク誘電体を用いたが、
これはセラミツク誘電体であるならばいかなる組
成にも適用し得るものである。さらに、実施例で
は端子電極として銀を用いたが、銀とパラジウム
の合金でも良いものである。 発明の効果 以上述べたように本発明の製造方法における積
層セラミツクコンデンサの機械的強度はきわめて
優れており、プリント基板に直に半田付けされた
場合に、基板のたわみに対して端子電極が外れた
り、素子にクラツクが入ることを防止する上でき
わめて有効であり、その意義は大きいものであ
る。
り得られる積層セラミツクコンデンサの強度が著
しく向上することが認められる。また、コンデン
サの電気的特性については静電容量が若干小さい
こと以外は何ら異常は認められなかつた。 なお、上記実施例ではガラスフリツトとしてホ
ウ素、ケイ素、鉛の酸化物を用いたが、これにさ
らに亜鉛やアルミニウムの酸化物またはフツ化物
を含むものでも良く、さらにはホウ素、ケイ素、
ビスマスを主体とするガラスフリツトを用いるこ
とも可能である。また、実施例ではチタン酸バリ
ウム、チタン酸カルシウム、酸化ニオブ、二酸化
マンガンよりなるセラミツク誘電体を用いたが、
これはセラミツク誘電体であるならばいかなる組
成にも適用し得るものである。さらに、実施例で
は端子電極として銀を用いたが、銀とパラジウム
の合金でも良いものである。 発明の効果 以上述べたように本発明の製造方法における積
層セラミツクコンデンサの機械的強度はきわめて
優れており、プリント基板に直に半田付けされた
場合に、基板のたわみに対して端子電極が外れた
り、素子にクラツクが入ることを防止する上でき
わめて有効であり、その意義は大きいものであ
る。
図は本発明の製造方法により得られた積層セラ
ミツクコンデンサの概略断面図である。 １……セラミツク誘電体、２……金属電極層
（パラジウム電極）、３……ガラス層、４……銀端
子電極。
ミツクコンデンサの概略断面図である。 １……セラミツク誘電体、２……金属電極層
（パラジウム電極）、３……ガラス層、４……銀端
子電極。
Claims (1)
- １ セラミツク誘電体層及び金属電極層が交互に
積層されてなる積層体をジルコニヤ及びガラスフ
リツトの混合粉末中に埋込んだ後、熱処理するこ
とにより上記積層体内部に上記ガラス成分を拡散
させることを特徴とする積層セラミツクコンデン
サの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57145053A JPS5934623A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57145053A JPS5934623A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5934623A JPS5934623A (ja) | 1984-02-25 |
| JPH0115125B2 true JPH0115125B2 (ja) | 1989-03-15 |
Family
ID=15376287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57145053A Granted JPS5934623A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5934623A (ja) |
-
1982
- 1982-08-20 JP JP57145053A patent/JPS5934623A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5934623A (ja) | 1984-02-25 |
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