JPH0118564B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0118564B2 JPH0118564B2 JP58202986A JP20298683A JPH0118564B2 JP H0118564 B2 JPH0118564 B2 JP H0118564B2 JP 58202986 A JP58202986 A JP 58202986A JP 20298683 A JP20298683 A JP 20298683A JP H0118564 B2 JPH0118564 B2 JP H0118564B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead oxide
- manufacturing
- multilayer ceramic
- silver
- laminate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は各種電子機器に用いられる積層セラミ
ツクコンデンサの製造方法に関するものである。 従来例の構成とその問題点 従来より小型大容量化を目的としてセラミツク
薄膜誘電体の並列配線構造を有する積層セラミツ
クコンデンサが知られており、その製造方法は一
般的には次の通りである。まず、チタン酸バリウ
ム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム
等の酸化物に数種の添加物を加えて混合した後、
有機バインダを加えて粘性の高いスラリーとし、
これをドクターブレード法、パイプドクターブレ
ード法等の一般的なシート成形法により、30〜
100μｍのシートを作製する。この後、シート上
にパラジウムまたは白金とパラジウムの合金粉末
を有機バインダ中に分散させたペーストをスクリ
ーン印刷する。これをくり返しながら２〜40層の
積層体を作製する。この積層体を適当な大きさに
切断し、電気炉にて1200〜1400℃で焼成すると焼
結体のチツプが得られる。このチツプの端面に端
子電極として銀とパラジウムの合金または銀の粉
末よりなるペーストを付着し、700〜900℃で焼付
けることにより、積層セラミツクコンデンサが得
られる。 このような積層セラミツクコンデンサはプリン
ト配線基板に直に半田付けされて用いられること
がほとんどである。そして、プリント配線基板は
エポキシ樹脂、フエノール樹脂等からなり、使用
中にたわみを生じることが起りがちであるため、
半田付けされた積層セラミツクコンデンサの端子
電極には1.0Kg以上の引張り応力が作用すること
がしばしばあり、この応力に耐えきれず端子電極
が外れたり、素子自身にクラツクを生じ、特性上
に支障をきたすという問題点があつた。 発明の目的 本発明は上記のような事実に鑑み、実験を重ね
た結果、端子電極の接着強度及び素子自身の強度
の改善を同時に図り得た積層セラミツクコンデン
サの製造方法を提供しようとするものである。 発明の構成 この目的を達成するために本発明の積層セラミ
ツクコンデンサの製造方法は、ジルコニア及び酸
化鉛の混合粉末中にセラミツク誘電体層及び金属
電極層が交互に積層されてなる積層体を埋込んで
熱処理することにより、酸化鉛成分を積層体内部
に拡散させたことを特徴とするものであり、酸化
鉛成分が熱処理によりセラミツク内部に拡散され
ているため、内部の気孔や欠陥部が酸化鉛により
強化され素子強度が向上すると考えられるもので
ある。また、端子電極に使用する銀ペースト中に
はガラスフリツトを含有させることは周知である
が、酸化鉛が素体に拡散されている本発明の方法
に基づく素子と銀ペーストとは親和性が良いた
め、端子電極の接着強度が高くなると考えられる
ものである。 実施例の説明 以下、実施例に基づき本発明の積層セラミツク
コンデンサの製造方法を詳細に説明する。 まず、チタン酸バリウム（BaTiO3）100重量
部に対し、チタン酸カルシウム（CaTiO3）、酸
化ニオブ（Nb2O5）を共に３重量部、さらに二酸
化マンガン（MnO2）を0.2重量部添加して十分に
混合する。この後に有機バインダにてスラリー化
し、ブレード工法にて80μｍの厚みのシートを作
製する。このシートにパラジウムペーストをスク
リーン印刷し、その上にシートを重ねてくり返し
積層する。この積層体を切断し、1300〜1350℃に
て焼成した。この焼結体チツプの形状は1.5mm
（幅）×3.0mm（長さ）×0.55mm（厚さ）である。こ
のような焼結体チツプをジルコニア100重量部に
対して、酸化鉛（PbO）を0.5〜２重量部添加し
た混合粉末中に埋込んだ後、800〜850℃で熱処理
した。このようにして得られたチツプの端子に銀
電極を設けた。ここで、銀電極としては銀電極用
銀ペースト中に酸化鉛を主成分とするガラスフリ
ツトを２〜３重量％含むものを用いた。 図は本発明の製造方法により得られた積層セラ
ミツクコンデンサを示し、図において１はセラミ
ツク誘電体、２はパラジウム電極、３は酸化鉛拡
散層、４は銀端子電極である。 次に、下記の表は従来の製造方法である酸化鉛
拡散を行なわない方法と本発明の製造方法に基づ
く場合の積層セラミツクコンデンサの端子引張り
強度、抗折強度及び電気特性の比較を示したもの
である。
ツクコンデンサの製造方法に関するものである。 従来例の構成とその問題点 従来より小型大容量化を目的としてセラミツク
薄膜誘電体の並列配線構造を有する積層セラミツ
クコンデンサが知られており、その製造方法は一
般的には次の通りである。まず、チタン酸バリウ
ム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム
等の酸化物に数種の添加物を加えて混合した後、
有機バインダを加えて粘性の高いスラリーとし、
これをドクターブレード法、パイプドクターブレ
ード法等の一般的なシート成形法により、30〜
100μｍのシートを作製する。この後、シート上
にパラジウムまたは白金とパラジウムの合金粉末
を有機バインダ中に分散させたペーストをスクリ
ーン印刷する。これをくり返しながら２〜40層の
積層体を作製する。この積層体を適当な大きさに
切断し、電気炉にて1200〜1400℃で焼成すると焼
結体のチツプが得られる。このチツプの端面に端
子電極として銀とパラジウムの合金または銀の粉
末よりなるペーストを付着し、700〜900℃で焼付
けることにより、積層セラミツクコンデンサが得
られる。 このような積層セラミツクコンデンサはプリン
ト配線基板に直に半田付けされて用いられること
がほとんどである。そして、プリント配線基板は
エポキシ樹脂、フエノール樹脂等からなり、使用
中にたわみを生じることが起りがちであるため、
半田付けされた積層セラミツクコンデンサの端子
電極には1.0Kg以上の引張り応力が作用すること
がしばしばあり、この応力に耐えきれず端子電極
が外れたり、素子自身にクラツクを生じ、特性上
に支障をきたすという問題点があつた。 発明の目的 本発明は上記のような事実に鑑み、実験を重ね
た結果、端子電極の接着強度及び素子自身の強度
の改善を同時に図り得た積層セラミツクコンデン
サの製造方法を提供しようとするものである。 発明の構成 この目的を達成するために本発明の積層セラミ
ツクコンデンサの製造方法は、ジルコニア及び酸
化鉛の混合粉末中にセラミツク誘電体層及び金属
電極層が交互に積層されてなる積層体を埋込んで
熱処理することにより、酸化鉛成分を積層体内部
に拡散させたことを特徴とするものであり、酸化
鉛成分が熱処理によりセラミツク内部に拡散され
ているため、内部の気孔や欠陥部が酸化鉛により
強化され素子強度が向上すると考えられるもので
ある。また、端子電極に使用する銀ペースト中に
はガラスフリツトを含有させることは周知である
が、酸化鉛が素体に拡散されている本発明の方法
に基づく素子と銀ペーストとは親和性が良いた
め、端子電極の接着強度が高くなると考えられる
ものである。 実施例の説明 以下、実施例に基づき本発明の積層セラミツク
コンデンサの製造方法を詳細に説明する。 まず、チタン酸バリウム（BaTiO3）100重量
部に対し、チタン酸カルシウム（CaTiO3）、酸
化ニオブ（Nb2O5）を共に３重量部、さらに二酸
化マンガン（MnO2）を0.2重量部添加して十分に
混合する。この後に有機バインダにてスラリー化
し、ブレード工法にて80μｍの厚みのシートを作
製する。このシートにパラジウムペーストをスク
リーン印刷し、その上にシートを重ねてくり返し
積層する。この積層体を切断し、1300〜1350℃に
て焼成した。この焼結体チツプの形状は1.5mm
（幅）×3.0mm（長さ）×0.55mm（厚さ）である。こ
のような焼結体チツプをジルコニア100重量部に
対して、酸化鉛（PbO）を0.5〜２重量部添加し
た混合粉末中に埋込んだ後、800〜850℃で熱処理
した。このようにして得られたチツプの端子に銀
電極を設けた。ここで、銀電極としては銀電極用
銀ペースト中に酸化鉛を主成分とするガラスフリ
ツトを２〜３重量％含むものを用いた。 図は本発明の製造方法により得られた積層セラ
ミツクコンデンサを示し、図において１はセラミ
ツク誘電体、２はパラジウム電極、３は酸化鉛拡
散層、４は銀端子電極である。 次に、下記の表は従来の製造方法である酸化鉛
拡散を行なわない方法と本発明の製造方法に基づ
く場合の積層セラミツクコンデンサの端子引張り
強度、抗折強度及び電気特性の比較を示したもの
である。
【表】
上記表から明らかなように、本発明の方法によ
り得られる積層セラミツクコンデンサの強度が著
しく向上することが認められる。また、コンデン
サの電気的特性については従来と変わりなく、何
ら異常は認められなかつた。 なお、上記実施例ではチタン酸バリウム、チタ
ン酸カルシウム、酸化ニオブ、ニ酸化マンガンよ
りなるセラミツク誘電体を用いたが、これはセラ
ミツク誘電体であるならばいかなる組成にも適用
し得るものである。さらに、実施例として端子電
極に銀を用いたが、銀とパラジウムの合金でも良
いものである。 発明の効果 以上述べたように本発明の製造方法における積
層セラミツクコンデンサの機械的強度はきわめて
優れており、ブリント基板に直に半田付けされた
場合に素子にクラツクが入ることを防止する上で
極めて有効であり、その意義は大きいものであ
る。
り得られる積層セラミツクコンデンサの強度が著
しく向上することが認められる。また、コンデン
サの電気的特性については従来と変わりなく、何
ら異常は認められなかつた。 なお、上記実施例ではチタン酸バリウム、チタ
ン酸カルシウム、酸化ニオブ、ニ酸化マンガンよ
りなるセラミツク誘電体を用いたが、これはセラ
ミツク誘電体であるならばいかなる組成にも適用
し得るものである。さらに、実施例として端子電
極に銀を用いたが、銀とパラジウムの合金でも良
いものである。 発明の効果 以上述べたように本発明の製造方法における積
層セラミツクコンデンサの機械的強度はきわめて
優れており、ブリント基板に直に半田付けされた
場合に素子にクラツクが入ることを防止する上で
極めて有効であり、その意義は大きいものであ
る。
図は本発明の製造方法により得られた積層セラ
ミツクコンデンサの概略断面図である。 １……セラミツク誘電体層（セラミツク誘電
体）、２……金属電極層（パラジウム電極）、３…
…酸化鉛拡散層、４……銀端子電極。
ミツクコンデンサの概略断面図である。 １……セラミツク誘電体層（セラミツク誘電
体）、２……金属電極層（パラジウム電極）、３…
…酸化鉛拡散層、４……銀端子電極。
Claims (1)
- １ セラミツク誘電体層及び金属電極層が交互に
積層されてなる積層体をジルコニア及び酸化鉛の
混合粉末中に埋込んだ後、熱処理することにより
上記積層体内部に上記酸化鉛成分を拡散させてな
る積層セラミツクコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58202986A JPS6094717A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58202986A JPS6094717A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6094717A JPS6094717A (ja) | 1985-05-27 |
| JPH0118564B2 true JPH0118564B2 (ja) | 1989-04-06 |
Family
ID=16466435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58202986A Granted JPS6094717A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6094717A (ja) |
-
1983
- 1983-10-28 JP JP58202986A patent/JPS6094717A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6094717A (ja) | 1985-05-27 |
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