JPH0135490B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0135490B2 JPH0135490B2 JP57117289A JP11728982A JPH0135490B2 JP H0135490 B2 JPH0135490 B2 JP H0135490B2 JP 57117289 A JP57117289 A JP 57117289A JP 11728982 A JP11728982 A JP 11728982A JP H0135490 B2 JPH0135490 B2 JP H0135490B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- laminate
- manufacturing
- glass frit
- multilayer ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
本発明はガラスフリツトを積層体表面に付着し
熱処理することによりガラス層を形成させ、さら
にガラス成分の全部を積層体内部に拡散させたこ
とを特徴とする積層セラミツクコンデンサの製造
方法に関する。 従来より小型大容量化を目的としてセラミツク
薄膜誘電体の並列配線構造を有する積層セラミツ
クコンデンサはよく知られている。この積層セラ
ミツクコンデンサの製造方法は一般的には次の通
りである。まず、チタン酸バリウム、チタン酸カ
ルシウム、チタン酸マグネシウムなどの酸化物に
数種の添加物を加え、混合した後、有機バインダ
を加えて粘性の高いスラリーとし、これをドクタ
ーブレード法、パイプドクター法などの一般的な
シート成型方法により、30〜100μｍのシートを
作製する。この後、シート上にパラジウムまたは
銀とパラジウムの合金粉末を有機バインダ中に分
散させたペーストをスクリーン印刷法により印刷
し、その上にシートを積み重ねて印刷をする。こ
れをくり返しながら２〜40層の積層体を作製す
る。この積層体を適当な大きさに切断し、電気炉
にて1200〜1400℃で焼成すると焼結体のチツプが
得られる。このチツプの端面に端子電極として、
銀とパラジウム合金または銀の粉末よりなるペー
ストを付着し、700〜900℃で焼付けることによ
り、積層セラミツクコンデンサが得られる。 このような積層セラミツクコンデンサは、プリ
ント配線基板に直に半田付けされて用いられるこ
とがほとんどである。プリント配線基板はエポキ
シ樹脂からなり、使用中にたわみを生じることが
どうしても起りがちであるため、半田付けされた
積層セラミツクコンデンサの端子には10Kg以上の
引張り応力が作用することがしばしばあり、この
応力に耐えきれず、端子電極がはずれたり、素体
自身にクラツクを生じ、特性上に支障をきたすこ
とがあつた。 本発明は上記のような事実にかんがみ、実験を
重ねた結果、端子電極の接着強度及び素子強度の
改善を同時にはかり得たものである。以下、実施
例に基づき詳細に本発明の内容を説明する。 （実施例） チタン酸バリウム（BaTiO3）100重量部に対
し、チタン酸カルシウム（CaTiO3）、酸化ニオ
ブ（Nb2O5）を共に３重量部、さらに二酸化マン
ガン（MnO2）を0.2重量部添加して十分に混合す
る。この後、有機バインダーにてスラリー化し、
ブレード工法により80μｍの厚みのシートを作製
する。このシートにパラジウムペーストをスクリ
ーン印刷し、その上にシートを重ねて印刷をくり
返し、積層する。この積層体を切断し、1300〜
1350℃にて焼成した。この焼結体チツプの形状
は、1.5mm（幅）×3.0mm（長さ）×0.55mm（厚さ）
である。 このような焼結体チツプの表面に酸化ホウ素２
重量部、酸化ケイ素５重量部、酸化鉛１重量部よ
りなるガラスフリツトを有機バインダーに分散さ
せ、焼結体チツプの重量の0.1〜１重量部％とな
るように付着させた。このものを白金線で作製し
た〓の上にのせ、800〜850℃で熱処理した。 このようにして得られたチツプの端子に銀電極
を設けた。ただし、銀電極用銀ペースト中に上記
ガラスフリツトを２〜３％混合したものを用い
た。 図は本発明の製造方法により得られた積層セラ
ミツクコンデンサを示す図であり、１はセラミツ
ク誘電体、２はパラジウム電極、３はガラス層、
４は銀端子電極である。また、下記の表は従来の
製造方法、すなわちガラスフリツトを焼結体チツ
プの表面に付着、拡散させない方法で作製した場
合と本発明の製造方法に基づく場合の積層セラミ
ツクコンデンサの端子電極引張り強度及び抗折強
度及び電気特性の比較を示したものである。
熱処理することによりガラス層を形成させ、さら
にガラス成分の全部を積層体内部に拡散させたこ
とを特徴とする積層セラミツクコンデンサの製造
方法に関する。 従来より小型大容量化を目的としてセラミツク
薄膜誘電体の並列配線構造を有する積層セラミツ
クコンデンサはよく知られている。この積層セラ
ミツクコンデンサの製造方法は一般的には次の通
りである。まず、チタン酸バリウム、チタン酸カ
ルシウム、チタン酸マグネシウムなどの酸化物に
数種の添加物を加え、混合した後、有機バインダ
を加えて粘性の高いスラリーとし、これをドクタ
ーブレード法、パイプドクター法などの一般的な
シート成型方法により、30〜100μｍのシートを
作製する。この後、シート上にパラジウムまたは
銀とパラジウムの合金粉末を有機バインダ中に分
散させたペーストをスクリーン印刷法により印刷
し、その上にシートを積み重ねて印刷をする。こ
れをくり返しながら２〜40層の積層体を作製す
る。この積層体を適当な大きさに切断し、電気炉
にて1200〜1400℃で焼成すると焼結体のチツプが
得られる。このチツプの端面に端子電極として、
銀とパラジウム合金または銀の粉末よりなるペー
ストを付着し、700〜900℃で焼付けることによ
り、積層セラミツクコンデンサが得られる。 このような積層セラミツクコンデンサは、プリ
ント配線基板に直に半田付けされて用いられるこ
とがほとんどである。プリント配線基板はエポキ
シ樹脂からなり、使用中にたわみを生じることが
どうしても起りがちであるため、半田付けされた
積層セラミツクコンデンサの端子には10Kg以上の
引張り応力が作用することがしばしばあり、この
応力に耐えきれず、端子電極がはずれたり、素体
自身にクラツクを生じ、特性上に支障をきたすこ
とがあつた。 本発明は上記のような事実にかんがみ、実験を
重ねた結果、端子電極の接着強度及び素子強度の
改善を同時にはかり得たものである。以下、実施
例に基づき詳細に本発明の内容を説明する。 （実施例） チタン酸バリウム（BaTiO3）100重量部に対
し、チタン酸カルシウム（CaTiO3）、酸化ニオ
ブ（Nb2O5）を共に３重量部、さらに二酸化マン
ガン（MnO2）を0.2重量部添加して十分に混合す
る。この後、有機バインダーにてスラリー化し、
ブレード工法により80μｍの厚みのシートを作製
する。このシートにパラジウムペーストをスクリ
ーン印刷し、その上にシートを重ねて印刷をくり
返し、積層する。この積層体を切断し、1300〜
1350℃にて焼成した。この焼結体チツプの形状
は、1.5mm（幅）×3.0mm（長さ）×0.55mm（厚さ）
である。 このような焼結体チツプの表面に酸化ホウ素２
重量部、酸化ケイ素５重量部、酸化鉛１重量部よ
りなるガラスフリツトを有機バインダーに分散さ
せ、焼結体チツプの重量の0.1〜１重量部％とな
るように付着させた。このものを白金線で作製し
た〓の上にのせ、800〜850℃で熱処理した。 このようにして得られたチツプの端子に銀電極
を設けた。ただし、銀電極用銀ペースト中に上記
ガラスフリツトを２〜３％混合したものを用い
た。 図は本発明の製造方法により得られた積層セラ
ミツクコンデンサを示す図であり、１はセラミツ
ク誘電体、２はパラジウム電極、３はガラス層、
４は銀端子電極である。また、下記の表は従来の
製造方法、すなわちガラスフリツトを焼結体チツ
プの表面に付着、拡散させない方法で作製した場
合と本発明の製造方法に基づく場合の積層セラミ
ツクコンデンサの端子電極引張り強度及び抗折強
度及び電気特性の比較を示したものである。
【表】
〓 ＊ 下限値〓
〓 〓
〓＊＊ 平均値〓
この表から明らかなように本発明の製造方法に
より得られる積層セラミツクコンデンサの強度が
著しく向上することが認められる。尚、コンデン
サの電気的特性については静電容量が若干小さい
こと以外は何ら異常は認められなかつた。そし
て、このような効果が得られるのはセラミツク特
有の気孔をガラスで満たすからであると考えられ
る。 以上述べたように、本発明の製造方法にかかる
積層セラミツクコンデンサの機械的強度は極めて
優れており、プリント基板に直に半田付けされて
も基板のたわみに対して端子電極がはずれたり、
素子にクラツクが入ることを防止する上で極めて
有効であり、その意義は大きい。 尚、実施例ではガラスフリツトとしてホウ素、
ケイ素、鉛の酸化物を用いたが、これにさらに亜
鉛やアルミニウムの酸化物またはフツ化物を含む
ものでもよく、またホウ素、ケイ素及びビスマス
を主体とするガラスフリツトを用いることも可能
である。さらに、実施例ではチタン酸バリウム、
チタン酸カルシウム、酸化ニオブ、二酸化マンガ
ンよりなるセラミツク誘電体を用いたが、セラミ
ツク誘電体であるならばいかなる組成にも適用し
うることは言うまでもない。 また、実施例では端子電極として銀を用いた
が、銀とパラジウムの合金でもよい。
〓 〓
〓＊＊ 平均値〓
この表から明らかなように本発明の製造方法に
より得られる積層セラミツクコンデンサの強度が
著しく向上することが認められる。尚、コンデン
サの電気的特性については静電容量が若干小さい
こと以外は何ら異常は認められなかつた。そし
て、このような効果が得られるのはセラミツク特
有の気孔をガラスで満たすからであると考えられ
る。 以上述べたように、本発明の製造方法にかかる
積層セラミツクコンデンサの機械的強度は極めて
優れており、プリント基板に直に半田付けされて
も基板のたわみに対して端子電極がはずれたり、
素子にクラツクが入ることを防止する上で極めて
有効であり、その意義は大きい。 尚、実施例ではガラスフリツトとしてホウ素、
ケイ素、鉛の酸化物を用いたが、これにさらに亜
鉛やアルミニウムの酸化物またはフツ化物を含む
ものでもよく、またホウ素、ケイ素及びビスマス
を主体とするガラスフリツトを用いることも可能
である。さらに、実施例ではチタン酸バリウム、
チタン酸カルシウム、酸化ニオブ、二酸化マンガ
ンよりなるセラミツク誘電体を用いたが、セラミ
ツク誘電体であるならばいかなる組成にも適用し
うることは言うまでもない。 また、実施例では端子電極として銀を用いた
が、銀とパラジウムの合金でもよい。
図は本発明の製造方法に基づく積層セラミツク
コンデンサを示す図である。 １……セラミツク誘電体、２……パラジウム電
極、３……ガラス層、４……銀端子電極。
コンデンサを示す図である。 １……セラミツク誘電体、２……パラジウム電
極、３……ガラス層、４……銀端子電極。
Claims (1)
- １ セラミツク誘電体層及び金属電極層が交互に
積層されてなる積層体の表面全体にガラスフリツ
トを付着させて後、熱処理することにより、上記
積層体内部に上記ガラス成分の全部を熱拡散させ
た後、積層体の端部に、ガラスフリツトを含む銀
または銀とパラジウムの合金からなるペーストを
付着し、焼付けして端子電極を形成することを特
徴とする積層セラミツクコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57117289A JPS598323A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57117289A JPS598323A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS598323A JPS598323A (ja) | 1984-01-17 |
| JPH0135490B2 true JPH0135490B2 (ja) | 1989-07-25 |
Family
ID=14708057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57117289A Granted JPS598323A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598323A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04267320A (ja) * | 1991-02-21 | 1992-09-22 | Tokin Corp | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JPH1167574A (ja) * | 1997-08-26 | 1999-03-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP3636075B2 (ja) | 2001-01-18 | 2005-04-06 | 株式会社村田製作所 | 積層ｐｔｃサーミスタ |
| JP7687537B2 (ja) * | 2022-10-28 | 2025-06-03 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
-
1982
- 1982-07-05 JP JP57117289A patent/JPS598323A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS598323A (ja) | 1984-01-17 |
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