JPH0420251U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0420251U JPH0420251U JP6022690U JP6022690U JPH0420251U JP H0420251 U JPH0420251 U JP H0420251U JP 6022690 U JP6022690 U JP 6022690U JP 6022690 U JP6022690 U JP 6022690U JP H0420251 U JPH0420251 U JP H0420251U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- metal film
- phototransistor
- photodiode
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の光半導体装置における遮光金
属膜の構造の一例を示す説明図、第２図は従来の
この種の光半導体装置における遮光金属膜の構造
の一例を示す説明図である。 １……Ｓｉ基板ウエハ、２……ＳｉＯ２膜、３
……第１層目Ａ膜、４……層間絶縁膜、５……
第２層目Ａ膜の遮光金属膜、６……パシベーシ
ヨン膜、７……アイソレーシヨン領域。なお図中
同一符号は同一または相当するものを示す。
属膜の構造の一例を示す説明図、第２図は従来の
この種の光半導体装置における遮光金属膜の構造
の一例を示す説明図である。 １……Ｓｉ基板ウエハ、２……ＳｉＯ２膜、３
……第１層目Ａ膜、４……層間絶縁膜、５……
第２層目Ａ膜の遮光金属膜、６……パシベーシ
ヨン膜、７……アイソレーシヨン領域。なお図中
同一符号は同一または相当するものを示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 フオトダイオードまたはフオトトランジスタと
該フオトダイオードまたはフオトトランジスタか
らの信号を処理する回路を一体化したモノリシツ
ク型の光半導体装置において、 フオトダイオードまたはフオトトランジスタか
らの信号を処理する回路部分を遮光する遮光金属
膜を配線金属膜上部に重なり合わない領域にのみ
設け、該遮光金属膜をスルーホールを通じてアイ
ソレーシヨン領域に接続しアース電位にしたこと
を特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6022690U JPH0420251U (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6022690U JPH0420251U (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0420251U true JPH0420251U (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=31587410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6022690U Pending JPH0420251U (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0420251U (ja) |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP6022690U patent/JPH0420251U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04180269A (ja) | 回路内蔵受光素子 | |
| JPH0691228B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0420251U (ja) | ||
| JPH0595099A (ja) | イメージセンサ組み込み集積回路装置 | |
| JP3342291B2 (ja) | ホトダイオード内蔵集積回路 | |
| JPH03280567A (ja) | 赤外線センサ | |
| US5196368A (en) | Semiconductor device manufacture | |
| JPS58107671A (ja) | イメ−ジセンサｉｃ | |
| KR0136730B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| JPH03229467A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH01116447U (ja) | ||
| JPS59152662A (ja) | フオトセンサ−用ｉｃ | |
| JP2956092B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JPS5819030A (ja) | 光結合半導体装置 | |
| JPH0467359U (ja) | ||
| JPS63254736A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS63308938A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2700357B2 (ja) | 回路内蔵受光素子 | |
| JPS6424860U (ja) | ||
| JPH0247064U (ja) | ||
| JPS63132455U (ja) | ||
| JPH0179857U (ja) | ||
| JPH0350777A (ja) | ホトカプラ | |
| JPS6411554U (ja) | ||
| JPH02294070A (ja) | 受光素子内蔵集積回路装置 |