JPS58107671A - イメ−ジセンサｉｃ - Google Patents
イメ−ジセンサｉｃInfo
- Publication number
- JPS58107671A JPS58107671A JP56206717A JP20671781A JPS58107671A JP S58107671 A JPS58107671 A JP S58107671A JP 56206717 A JP56206717 A JP 56206717A JP 20671781 A JP20671781 A JP 20671781A JP S58107671 A JPS58107671 A JP S58107671A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- metal layer
- layer
- image sensor
- active region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は５．イメージセンサＩＣの活性領域の遮光に関
する。
する。
イメージセンサＩＣは、通常、同一シリコン基板上にイ
メージセンサ一部（例えばフォトダイオードアレイ）と
信号処理部（Ａ／Ｄコンバータ等）及びロジック部等と
を形成することにより構成されている０この種のＩＣに
おいては、イメージセンサ−上に光学的に結像させ、セ
ンサーからの出力を処理することにより動作が構成され
るｏしかるに、センサー以外の部分にも当然光がリーク
することになる。この場合、光電効果によって望ましく
ない電流が発生すると、信号処理に著しるしい不都合を
生じることになる０従って、何らかの方法でセンサー以
外の部分を遮光する必要がある０従来、この種のイメー
ジセンサＩＣにおいては、信号処理部及びロジック部を
包含する活性領域（即ち、光が当ると望ましくない生成
電流が流れる部分）を遮光するために第一図に示すよう
な方式がとられている。このイメージセンサＩＣは、同
一シリコン基板上にセンサー領域１に相当するセンサー
３と、活性領域２に相当する信号処理部及びロジック部
等を形成することにより製造される。そして、イメージ
センサＩＣ製造の最終工程で、シリコン基板上の８ｉ０
２膜４の窓あけと、アルミニラム等の配線金属５のパタ
ーニングが終了した後に、活性領域全体に８ｉ０ｚやＳ
ｉ３Ｎ４等の絶縁層６を低温ＣＶＤ法等で形成し、その
絶縁層をフォトエツチング（ポンディングパッド部等の
窓あけ工程）シ、シかる後に活性領域２上にさらにアル
ミニウム等の金属で遮光用被膜層７を形成している。
メージセンサ一部（例えばフォトダイオードアレイ）と
信号処理部（Ａ／Ｄコンバータ等）及びロジック部等と
を形成することにより構成されている０この種のＩＣに
おいては、イメージセンサ−上に光学的に結像させ、セ
ンサーからの出力を処理することにより動作が構成され
るｏしかるに、センサー以外の部分にも当然光がリーク
することになる。この場合、光電効果によって望ましく
ない電流が発生すると、信号処理に著しるしい不都合を
生じることになる０従って、何らかの方法でセンサー以
外の部分を遮光する必要がある０従来、この種のイメー
ジセンサＩＣにおいては、信号処理部及びロジック部を
包含する活性領域（即ち、光が当ると望ましくない生成
電流が流れる部分）を遮光するために第一図に示すよう
な方式がとられている。このイメージセンサＩＣは、同
一シリコン基板上にセンサー領域１に相当するセンサー
３と、活性領域２に相当する信号処理部及びロジック部
等を形成することにより製造される。そして、イメージ
センサＩＣ製造の最終工程で、シリコン基板上の８ｉ０
２膜４の窓あけと、アルミニラム等の配線金属５のパタ
ーニングが終了した後に、活性領域全体に８ｉ０ｚやＳ
ｉ３Ｎ４等の絶縁層６を低温ＣＶＤ法等で形成し、その
絶縁層をフォトエツチング（ポンディングパッド部等の
窓あけ工程）シ、シかる後に活性領域２上にさらにアル
ミニウム等の金属で遮光用被膜層７を形成している。
かくして、本発明は、上述のようなイメージセ−ンサＩ
Ｃにおいて、アルミニウム等の遮光用金属層を遮光の目
的だけに使用するのではなくて、第二層目の配線用金属
層の一部として積極的に使用することを企図するもので
ある。゛即ち、第二金属層をその下の絶縁層にスルーホ
ールを形成することにより第一配線用金属層の一部の肩
代りとして使用するものである。これにより、従来は第
一層配線に多くの面積を必要とした部分（例えば電源ラ
インやアースラインの引き回し等）を第二層の配線に吸
収することが可能となり、配線設計の容易さ、チップサ
イズの減少によるコスト低減等の多くの利益を得ること
が可能となる。
Ｃにおいて、アルミニウム等の遮光用金属層を遮光の目
的だけに使用するのではなくて、第二層目の配線用金属
層の一部として積極的に使用することを企図するもので
ある。゛即ち、第二金属層をその下の絶縁層にスルーホ
ールを形成することにより第一配線用金属層の一部の肩
代りとして使用するものである。これにより、従来は第
一層配線に多くの面積を必要とした部分（例えば電源ラ
インやアースラインの引き回し等）を第二層の配線に吸
収することが可能となり、配線設計の容易さ、チップサ
イズの減少によるコスト低減等の多くの利益を得ること
が可能となる。
したがって、本発明によれば、イメージセンサ一部より
なるセンサ領域と、信号処理部及びロジック部を含む活
性領域とが混在し、これらの各部を接続する配線用第一
金属層を、該第−金属層の上に絶縁層を、次いで該活性
領域の真上に相当する部分の該絶縁層の上に遮光用第二
金属層をそれぞれ設けたイメージセンサＩＣにおいて、
第二金属層を絶縁層を貫通して第一金属層と接続させて
該第−金属層の配線の一部として使用するように構成し
たことを特徴とするイメージセンサＩＣが提供される。
なるセンサ領域と、信号処理部及びロジック部を含む活
性領域とが混在し、これらの各部を接続する配線用第一
金属層を、該第−金属層の上に絶縁層を、次いで該活性
領域の真上に相当する部分の該絶縁層の上に遮光用第二
金属層をそれぞれ設けたイメージセンサＩＣにおいて、
第二金属層を絶縁層を貫通して第一金属層と接続させて
該第−金属層の配線の一部として使用するように構成し
たことを特徴とするイメージセンサＩＣが提供される。
以下、本発明のイメージセンサＩＣを第２図を参照して
説明する。
説明する。
第２図は、本発明に従うイメージセンサＩＣの一実施例
を示すもので、１はセンサー領域を、２は活性領域を示
す。まず、シリコンチップ上の５ｉ０２膜４を窓あけし
て、センサ一部３と信号処理部及び・シック部等とを配
線用ｉ−金属層５でパ １ターニングする。
を示すもので、１はセンサー領域を、２は活性領域を示
す。まず、シリコンチップ上の５ｉ０２膜４を窓あけし
て、センサ一部３と信号処理部及び・シック部等とを配
線用ｉ−金属層５でパ １ターニングする。
次いで活性領域２．６即ち信号処理部及びロジック部に
相当する部分全体に８ｉ０２やＳｉ３Ｎ４等の絶縁層６
を低温ＣＶＤ法等により形成する。次いで、第二層の遮
光兼配線用金属層７を、絶縁層６を介してＩＣの活性領
域２を覆うと同時にコンタクトホール８を通して第一層
の配線金属層と接続するように適用する。この結果、従
来は第一層配線で複雑な引き回しを強いられていた電源
ラインやアースラインを第二層配線に託することが可能
となる。
相当する部分全体に８ｉ０２やＳｉ３Ｎ４等の絶縁層６
を低温ＣＶＤ法等により形成する。次いで、第二層の遮
光兼配線用金属層７を、絶縁層６を介してＩＣの活性領
域２を覆うと同時にコンタクトホール８を通して第一層
の配線金属層と接続するように適用する。この結果、従
来は第一層配線で複雑な引き回しを強いられていた電源
ラインやアースラインを第二層配線に託することが可能
となる。
以上のよう１本発明によれば、イメージセンサ■Ｃの活
性領域を遮光する第二金属層の一部又は全部を第一金属
層に含まれていた複雑な配線、例えば電源ラインやアー
スライン等の代りに使用するように構成したために、従
来のＩＣの面積のうちの大部分を占めていた引き回しの
ための配線スペースを省略することができ、また配線の
自由度も高めることができる。これによって設計の容易
さく例えば大巾な設計時間の短縮）とチップサイズの縮
小化が可能となり、コストの低減に貢献することになる
。
性領域を遮光する第二金属層の一部又は全部を第一金属
層に含まれていた複雑な配線、例えば電源ラインやアー
スライン等の代りに使用するように構成したために、従
来のＩＣの面積のうちの大部分を占めていた引き回しの
ための配線スペースを省略することができ、また配線の
自由度も高めることができる。これによって設計の容易
さく例えば大巾な設計時間の短縮）とチップサイズの縮
小化が可能となり、コストの低減に貢献することになる
。
本発明のイメージセンサＩＣは、例えばカメラのオート
フォーカス用ＩＣとして使用するのに好ましい。
フォーカス用ＩＣとして使用するのに好ましい。
第１図は、従来のイメージセンサＩＣの断面図である。
第２図は、本発明に従うイメージセンサＩＣの一具体例
の断面図である。 ここで、１はセンサ領域、２は活性領域、３はセンサ一
部、４は８ｉ０２膜、 ５は配線用第一金属層、６は絶
縁層、７は配線兼遮光用第二金楓層、８は金属層クトホ
ール。
の断面図である。 ここで、１はセンサ領域、２は活性領域、３はセンサ一
部、４は８ｉ０２膜、 ５は配線用第一金属層、６は絶
縁層、７は配線兼遮光用第二金楓層、８は金属層クトホ
ール。
Claims (1)
- １）イメージセンサ一部よりなるセンサ領域と、信号処
理部及びロジック部を含む活性領域とが混在し、これら
の各部を接続する配線用第一金属層を、その第一金属の
上に絶縁層を、次いで該活性領域の真上に相当する部努
の該絶縁層の上に遮光用第二金属層をそれぞれ設けたイ
メージセンサＩＣにおいて、第二金属層を絶縁層を貫通
して第一金属層と接続させて該第−金属層の配線の一部
として使用す仝、ように構成したことを特徴とするイメ
ージセンサＩ Ｃ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56206717A JPS58107671A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | イメ−ジセンサｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56206717A JPS58107671A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | イメ−ジセンサｉｃ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107671A true JPS58107671A (ja) | 1983-06-27 |
Family
ID=16527936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56206717A Pending JPS58107671A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | イメ−ジセンサｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58107671A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58119643A (ja) * | 1982-01-08 | 1983-07-16 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JPS6043857A (ja) * | 1983-08-20 | 1985-03-08 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
| US4687298A (en) * | 1984-04-11 | 1987-08-18 | Hosiden Electronics, Ltd. | Forming an opaque metal layer in a liquid crystal display |
| JPH01243462A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
| JPH0344071A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-25 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| JPH05206426A (ja) * | 1991-12-10 | 1993-08-13 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP56206717A patent/JPS58107671A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58119643A (ja) * | 1982-01-08 | 1983-07-16 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JPS6043857A (ja) * | 1983-08-20 | 1985-03-08 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
| US4687298A (en) * | 1984-04-11 | 1987-08-18 | Hosiden Electronics, Ltd. | Forming an opaque metal layer in a liquid crystal display |
| JPH01243462A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
| JPH0344071A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-25 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| JPH05206426A (ja) * | 1991-12-10 | 1993-08-13 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
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