JPH04206559A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04206559A JPH04206559A JP2329712A JP32971290A JPH04206559A JP H04206559 A JPH04206559 A JP H04206559A JP 2329712 A JP2329712 A JP 2329712A JP 32971290 A JP32971290 A JP 32971290A JP H04206559 A JPH04206559 A JP H04206559A
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- JP
- Japan
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- heat sink
- part pieces
- lead frame
- outer leads
- semiconductor device
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 102100040853 PRKC apoptosis WT1 regulator protein Human genes 0.000 description 3
- 101710162991 PRKC apoptosis WT1 regulator protein Proteins 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、アウターリードがインターディジット化され
ていないリードフレームによって組立てる半導体装置の
製造方法、特に、そのリードフレームの従来製作時に切
断除去していたアウターリード間の部材を有効利用する
方法に関する。
ていないリードフレームによって組立てる半導体装置の
製造方法、特に、そのリードフレームの従来製作時に切
断除去していたアウターリード間の部材を有効利用する
方法に関する。
［従来の技術］
第４図は従来のシングルインラインパッケージ用のリー
ドフレームの一例を示す平面図である。
ドフレームの一例を示す平面図である。
図においてｌはタブ、２はインナーリード、３はアウタ
ーリード、４はセクションバーである。
ーリード、４はセクションバーである。
第５図杷第４図に示すリードフレームに樹脂封止した状
態を示す平面図であり、７は樹脂本体である。
態を示す平面図であり、７は樹脂本体である。
従来より、リードフレームでは、リードフレーム材の有
効利用のために、一般に、隣接するデバイス間−小さく
設計し、組立て可能な限度でできる限りの縮少化を図っ
てきた。
効利用のために、一般に、隣接するデバイス間−小さく
設計し、組立て可能な限度でできる限りの縮少化を図っ
てきた。
そのうえに、デュアルインパッケージ用リードフレーム
では、アウターリード間のスペースを隣接するデバイス
同士で共有するインターディジット化を図ってきた。
では、アウターリード間のスペースを隣接するデバイス
同士で共有するインターディジット化を図ってきた。
しかし、パッケージの種類または構造によっては、上記
のインターディジット化が図り難いものがあり、第４図
に示したシングルインラインパッケージ用のものなどは
その代表的なものである。
のインターディジット化が図り難いものがあり、第４図
に示したシングルインラインパッケージ用のものなどは
その代表的なものである。
このようなリードフレームでは、アウターリード関が有
効利用されてなく、その分リードフレーム材の損失とな
っていた。
効利用されてなく、その分リードフレーム材の損失とな
っていた。
〔発明が解決しようとする課題］
従来、アウターリードのインターディジット化を図るこ
との難しいリードフレームでは、アウターリード間の領
域が有効利用されてなく、リードフレーム材の損失にな
っていた。
との難しいリードフレームでは、アウターリード間の領
域が有効利用されてなく、リードフレーム材の損失にな
っていた。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、アウター
リード間の部材を有効利用する方法を提供することを目
的とする。
リード間の部材を有効利用する方法を提供することを目
的とする。
本発明は、アウターリードのインターディジット化が難
しいリードフレームに、従来は製作時に該領域の部材を
全て切断除去していたアウターリード間にセクションパ
ーに連結した部片を残し、該部片を用いて半導体装置に
対しヒートシンクを設けることを特徴とする方法である
。
しいリードフレームに、従来は製作時に該領域の部材を
全て切断除去していたアウターリード間にセクションパ
ーに連結した部片を残し、該部片を用いて半導体装置に
対しヒートシンクを設けることを特徴とする方法である
。
従来、ヒートシンクを設ける場合、リードフレームにヒ
ートシンク専用の部分を設ける構成を採っていたので、
上記方法によると、ヒートシンク専用の部分を設ける必
要がなくなり、リードフレームの製品間ピッチを小さく
することができリードフレーム材の有効利用度が上る。
ートシンク専用の部分を設ける構成を採っていたので、
上記方法によると、ヒートシンク専用の部分を設ける必
要がなくなり、リードフレームの製品間ピッチを小さく
することができリードフレーム材の有効利用度が上る。
〔実施例］
第１図（ａ）、 （ｂ）、第２図（ａ）、 （ｂ）、第
３図は本発明の方法を示す平面図である。
３図は本発明の方法を示す平面図である。
図においてｌ、 ２． ３． ４． ７は第４図、第
５図の同一符号と同一または相当するものを示し、５は
樹脂本体７に埋め込み樹脂本体７から熱をヒートシンク
に取り出すためにセクションパー４とインナーリード２
間に残した埋め込み部片、６はヒートシンクを設けるた
めにアウターリード３間に残したヒートシンク部片、８
は外部に付加した、放熱片である。
５図の同一符号と同一または相当するものを示し、５は
樹脂本体７に埋め込み樹脂本体７から熱をヒートシンク
に取り出すためにセクションパー４とインナーリード２
間に残した埋め込み部片、６はヒートシンクを設けるた
めにアウターリード３間に残したヒートシンク部片、８
は外部に付加した、放熱片である。
第１図（ａ）、 （ｂ）に示すように、セクションパー
４とインナーリード２間の領域に樹脂本体７に埋め込む
セクションパー４に連結した部片５を残す。
４とインナーリード２間の領域に樹脂本体７に埋め込む
セクションパー４に連結した部片５を残す。
第１図（ａ）は部片５とタブ１が導通状態の例を、第１
図（ｂ）は部片５とタブ１が電気的に絶縁状態の例を示
す。
図（ｂ）は部片５とタブ１が電気的に絶縁状態の例を示
す。
一方、第２図（ａ）、 （ｂ）に示すように、アウター
リード３間にセクションパー４に連結したヒートシンク
部片６を残す。
リード３間にセクションパー４に連結したヒートシンク
部片６を残す。
第２図（ａ）は全てのアウターリード３間の領域にヒー
トシンク部片６を残した例を、第２図０：１）は両端の
アウターリード３間の領域にのみヒートシンク部片６を
残した例を示す。
トシンク部片６を残した例を、第２図０：１）は両端の
アウターリード３間の領域にのみヒートシンク部片６を
残した例を示す。
そして、第１図（ａ）、（ト））において破線で示す部
分に、すなわち、第２図（ａ）、 （ｂ）、第３図にお
いて７で示す部分に樹脂封止し、部片５を樹脂本体７に
埋め込み、アウターリード３部分を切断してデバイスご
とに分離すると、各デバイスの樹脂本体７と隣りのデバ
イスのヒートシンク部片６が一体構造となる。
分に、すなわち、第２図（ａ）、 （ｂ）、第３図にお
いて７で示す部分に樹脂封止し、部片５を樹脂本体７に
埋め込み、アウターリード３部分を切断してデバイスご
とに分離すると、各デバイスの樹脂本体７と隣りのデバ
イスのヒートシンク部片６が一体構造となる。
このヒートシンク部片６で直接ヒートシンクを構成して
もよく、第３図に示すように、ヒートシンク部片６に別
の放熱片８を取付けてヒートシンクを構成してもよい。
もよく、第３図に示すように、ヒートシンク部片６に別
の放熱片８を取付けてヒートシンクを構成してもよい。
なお、ヒートシンク部片６の大きさ、形状等はリードフ
レームの種類に応して、材料の有効利用性、放熱効果、
加工性等を考慮して決める。
レームの種類に応して、材料の有効利用性、放熱効果、
加工性等を考慮して決める。
以上説明したように、本発明によれば、リードフレーム
材の有効利用性が上り、コストダウンになるという効果
がある。
材の有効利用性が上り、コストダウンになるという効果
がある。
第１図（ａ）、 （ｂ）、第２図（ａ）、 （ｂ）、第
３図は本発明の方法を示す平面図、第４図は従来のシン
グルインラインパッケージ用のリードフレームの一例を
示す平面図、第５図は第４図に示すリードフレームに樹
脂封止した状態を示す平面図である。 １・・・タブ、２・・・インナーリード、３・・・アウ
ターリード、４・・・セクションパー、５・・・埋め込
み部片、６・・・ヒートシンク部片、７・・・樹脂本体
、８・・・放熱片。 なお図中同一符号は同一または相当するものを示す。
３図は本発明の方法を示す平面図、第４図は従来のシン
グルインラインパッケージ用のリードフレームの一例を
示す平面図、第５図は第４図に示すリードフレームに樹
脂封止した状態を示す平面図である。 １・・・タブ、２・・・インナーリード、３・・・アウ
ターリード、４・・・セクションパー、５・・・埋め込
み部片、６・・・ヒートシンク部片、７・・・樹脂本体
、８・・・放熱片。 なお図中同一符号は同一または相当するものを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 アウターリードがインターディジット化されていないリ
ードフレームによって組立てる半導体装置の製造方法に
おいて、 該リードフレームに従来は製作時に該領域の部材を全て
切断除去していたアウターリード間にセクションバーに
連結した部片を残し、該部片を用いて半導体装置に対し
ヒートシンクを設けることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329712A JP2980369B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329712A JP2980369B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206559A true JPH04206559A (ja) | 1992-07-28 |
| JP2980369B2 JP2980369B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=18224432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2329712A Expired - Fee Related JP2980369B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2980369B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5592019A (en) * | 1994-04-19 | 1997-01-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and module |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2329712A patent/JP2980369B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5592019A (en) * | 1994-04-19 | 1997-01-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2980369B2 (ja) | 1999-11-22 |
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