JPH04207018A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH04207018A JPH04207018A JP33974990A JP33974990A JPH04207018A JP H04207018 A JPH04207018 A JP H04207018A JP 33974990 A JP33974990 A JP 33974990A JP 33974990 A JP33974990 A JP 33974990A JP H04207018 A JPH04207018 A JP H04207018A
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- JP
- Japan
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- boat
- reaction tube
- semiconductor manufacturing
- wafers
- electromagnet
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- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 13
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、半導体製造装置、特にCVD装置に関する
。
。
(発明の概要)
この発明は、半導体装置の製造に用いるCVD装置の反
応管にウェハーをローディングしたボートを挿入、搬出
する時にボートが、反応管に触れないようにしたことを
特徴とする半導体製造装置である。
応管にウェハーをローディングしたボートを挿入、搬出
する時にボートが、反応管に触れないようにしたことを
特徴とする半導体製造装置である。
(従来の技術)
従来の半導体製造装置は第2図に示すように、反応管1
の内面とボート3が接触しているため、ウェハー2をロ
ーディングしたボードを挿入搬出する際に、反応管の内
面に堆積したCVD膜が剥がれる。
の内面とボート3が接触しているため、ウェハー2をロ
ーディングしたボードを挿入搬出する際に、反応管の内
面に堆積したCVD膜が剥がれる。
(発明が解決しようとする課題)
従来の半導体製造装置では反応管内にボードを挿入した
際に。CVD膜が剥がれて、ウェハーの表面に付着し、
その上からCVD膜をデポジションするため取れなくな
ってしまい、ウェハー上の異物として、その部分は不良
品となってしまうことが多い。
際に。CVD膜が剥がれて、ウェハーの表面に付着し、
その上からCVD膜をデポジションするため取れなくな
ってしまい、ウェハー上の異物として、その部分は不良
品となってしまうことが多い。
(課題を解決するための手段)
上記問題点を解決するために、本発明において反応管の
底部に電磁石を配し、ボートの底部に永久磁石を配しリ
ニアモーターによりボートを浮かした状態で反応管にボ
ートを挿入。搬出することでCVD膜の剥がれを防止す
ることが可能とした。
底部に電磁石を配し、ボートの底部に永久磁石を配しリ
ニアモーターによりボートを浮かした状態で反応管にボ
ートを挿入。搬出することでCVD膜の剥がれを防止す
ることが可能とした。
(作用)
上記のように反応管内へのボートの挿入、搬出をリニア
モーターによっておこなうことによってCVD膜の堆積
物の剥がれが無くなりウェハーの異物がなくなった。
モーターによっておこなうことによってCVD膜の堆積
物の剥がれが無くなりウェハーの異物がなくなった。
(実施例)
以下に、この発明の半導体製造装置の実施例を図面にも
とづいて説明する。
とづいて説明する。
第1図に示すように、反応管1の内部にウェハー2をロ
ーディングしたボード3を挿入するときボート底部の磁
石4と反応管底部の電磁石5のはたらきでボード3に浮
力と推進力を与えることにより、ボート3が反応管1の
内部に触れることなく挿入と搬出することが出来る。
ーディングしたボード3を挿入するときボート底部の磁
石4と反応管底部の電磁石5のはたらきでボード3に浮
力と推進力を与えることにより、ボート3が反応管1の
内部に触れることなく挿入と搬出することが出来る。
(発明の効果)
この発明により、以上説明したように反応管内部に堆積
したCVD膜の剥がれが無くなり、ウェハー表面に付着
する異物がなくなった。
したCVD膜の剥がれが無くなり、ウェハー表面に付着
する異物がなくなった。
第1図は、この発明によってリニアモーターの取り付け
られた半導体製造装置(CVD装置)の反応部分の断面
図である。第2図は。従来の半導体製造装置(CVD装
置)の反応部分の断面図である。 1・・・反応管 2・・・ウェハー 3・・・ボート 4・・・永久磁石 5・・・電磁石 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助
られた半導体製造装置(CVD装置)の反応部分の断面
図である。第2図は。従来の半導体製造装置(CVD装
置)の反応部分の断面図である。 1・・・反応管 2・・・ウェハー 3・・・ボート 4・・・永久磁石 5・・・電磁石 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助
Claims (1)
- 半導体装置の製造に用いるCVD装置に電磁石を使いウ
ェハーの出し入れを行うことを特徴とする半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33974990A JPH04207018A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33974990A JPH04207018A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04207018A true JPH04207018A (ja) | 1992-07-29 |
Family
ID=18330447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33974990A Pending JPH04207018A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04207018A (ja) |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33974990A patent/JPH04207018A/ja active Pending
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