JPH04209565A - 光ビーム溶融再結晶半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
光ビーム溶融再結晶半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH04209565A JPH04209565A JP2406244A JP40624490A JPH04209565A JP H04209565 A JPH04209565 A JP H04209565A JP 2406244 A JP2406244 A JP 2406244A JP 40624490 A JP40624490 A JP 40624490A JP H04209565 A JPH04209565 A JP H04209565A
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- Japan
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- light beam
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- polycrystalline
- recrystallized
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［０００１１
【産業上の利用分野］本発明は、バルクトランジスタを
集積した領域上に、光ビーム溶融再結晶半導体膜を形成
し、この膜にトランジスタ等の素子を形成した光ビーム
溶融再結晶半導体装置およびその製造方法に関する。 ［０００２］ 【従来の技術】従来、バルクトランジスタ集積領域上に
層間絶縁膜を介して多結晶半導体薄膜トランジスタを形
成した三次元半導体装置を、大容量、低消費電力のＳＲ
ＡＭのセル等に使用することが提案されている（信学技
報、ＳＤＭ９０−２５、ｐ、 ７〜１３．１９９０、
同ＳＤＭ９０−３４、ｐ、７５〜８０．１９９０参照）
、シかし、ＳＲＡＭを、データ保持力を低下させないで
、さらに大容量化し、低消費電力化することが要望され
ている。 ［０００３］すなわち、データ保持力が高いＣＭＯＳ型
ＳＲＡＭにおける負荷用のＭＯＳトランジスタを、単結
晶に形成されたドライバートランジスタの集積領域上に
絶縁膜を介して三次元的に形成することによって、メモ
リセルの面積を小さくすると同時に、データ保持力を向
上するために負荷用のＭＯＳトランジスタのリーク電流
の低減を図ることが必須の課題となっている。 ［０００４］この要望に沿うと期待されるものとして、
バルクトランジスタ集積領域上に層間絶縁膜を介して堆
積した多結晶半導体膜を、光ビームにより溶融再結晶化
した半導体層に、負荷用のＭＯＳ トランジスタを形成
した三次元半導体装置が考えられる。 ［０００５］図２は、光ビーム溶融再結晶半導体装置の
構成説明図である。この図において、２１はＳｔ単結晶
基板、２２はフィールド酸化膜、２３はバルクトランジ
スタ集積領域、２４は周辺回路領域、２５は層間絶縁膜
、２６は多結晶Ｓｉ膜、２７はＳｉｎ：膜、２８はＳｉ
３Ｎ＋膜、２９はレーザー光ビームである。 ［０００６］この半導体装置は、５ＲＡＮｉメモリセル
のドライバートランジスタであるＭＯＳＦＥＴを形成し
たバルクトランジスタ集積領域２３と周辺回路を形成し
た周辺回路領域２４からなるＳｉ単結晶基板２１の上に
、層間絶縁膜２５を介して多結晶Ｓｉ膜２６を形成し、
その上にＳｉＯ２膜２７、Ｓ ！ ３ Ｎ＋膜２８を形
成し、その上からレーザー光ビーム２９を走査して照射
し、多結晶Ｓｉ膜２６を溶融し、再結晶化することによ
って結晶化し、この結晶化したＳｉ膜に負荷用のＮ丁Ｏ
８１〜ランジスタを形成し、適宜電気的に接続すること
によって製造される。 ［０００７］図３は、溶融再結晶化に用いるレーザー光
ビームのパワーとその層に形成したｐＭＯ３のリーク電
流の関係図である。この図において１曲線Ａは段差のあ
るＳｉＯ２膜上に形成した溶融再結晶半導体膜にｐｃｈ
ＭＯ３ＦＥＴを形成した場合のリーク電流を示し、また
、曲線Ｂは、平坦なＳｉＯ２膜上に形成した溶融再結晶
半導体膜にｐＭＯｓＦＥＴを形成した場合のリーク電流
を参考のため示している。なお、この図の測定に供した
装置はチャネル長が１．８μｍであり、測定電圧はドレ
イン電圧が一３Ｖであり、縦軸はゲート幅μｍ当たりの
電流値を示している。 ［０００８］この図に示されるように、本発明の装置の
ように段差を有する５ｉＯｚ膜上に溶融再結晶半導体膜
を形成する場合は、平坦なＳｉＯ２膜上に形成した溶融
再結晶半導体膜上に形成した場合よりリーク電流が大き
いが、レーザー光ビームのパワーが３．８Ｗ程度で両者
が一致しており、この曲線Ａが示すｐＭＯ３のリーク電
流の傾向から知られるように、この三次元半導体装置の
電気特性は、光ビームのパワーを上げるほど向上する。 ［０００９］
集積した領域上に、光ビーム溶融再結晶半導体膜を形成
し、この膜にトランジスタ等の素子を形成した光ビーム
溶融再結晶半導体装置およびその製造方法に関する。 ［０００２］ 【従来の技術】従来、バルクトランジスタ集積領域上に
層間絶縁膜を介して多結晶半導体薄膜トランジスタを形
成した三次元半導体装置を、大容量、低消費電力のＳＲ
ＡＭのセル等に使用することが提案されている（信学技
報、ＳＤＭ９０−２５、ｐ、 ７〜１３．１９９０、
同ＳＤＭ９０−３４、ｐ、７５〜８０．１９９０参照）
、シかし、ＳＲＡＭを、データ保持力を低下させないで
、さらに大容量化し、低消費電力化することが要望され
ている。 ［０００３］すなわち、データ保持力が高いＣＭＯＳ型
ＳＲＡＭにおける負荷用のＭＯＳトランジスタを、単結
晶に形成されたドライバートランジスタの集積領域上に
絶縁膜を介して三次元的に形成することによって、メモ
リセルの面積を小さくすると同時に、データ保持力を向
上するために負荷用のＭＯＳトランジスタのリーク電流
の低減を図ることが必須の課題となっている。 ［０００４］この要望に沿うと期待されるものとして、
バルクトランジスタ集積領域上に層間絶縁膜を介して堆
積した多結晶半導体膜を、光ビームにより溶融再結晶化
した半導体層に、負荷用のＭＯＳ トランジスタを形成
した三次元半導体装置が考えられる。 ［０００５］図２は、光ビーム溶融再結晶半導体装置の
構成説明図である。この図において、２１はＳｔ単結晶
基板、２２はフィールド酸化膜、２３はバルクトランジ
スタ集積領域、２４は周辺回路領域、２５は層間絶縁膜
、２６は多結晶Ｓｉ膜、２７はＳｉｎ：膜、２８はＳｉ
３Ｎ＋膜、２９はレーザー光ビームである。 ［０００６］この半導体装置は、５ＲＡＮｉメモリセル
のドライバートランジスタであるＭＯＳＦＥＴを形成し
たバルクトランジスタ集積領域２３と周辺回路を形成し
た周辺回路領域２４からなるＳｉ単結晶基板２１の上に
、層間絶縁膜２５を介して多結晶Ｓｉ膜２６を形成し、
その上にＳｉＯ２膜２７、Ｓ ！ ３ Ｎ＋膜２８を形
成し、その上からレーザー光ビーム２９を走査して照射
し、多結晶Ｓｉ膜２６を溶融し、再結晶化することによ
って結晶化し、この結晶化したＳｉ膜に負荷用のＮ丁Ｏ
８１〜ランジスタを形成し、適宜電気的に接続すること
によって製造される。 ［０００７］図３は、溶融再結晶化に用いるレーザー光
ビームのパワーとその層に形成したｐＭＯ３のリーク電
流の関係図である。この図において１曲線Ａは段差のあ
るＳｉＯ２膜上に形成した溶融再結晶半導体膜にｐｃｈ
ＭＯ３ＦＥＴを形成した場合のリーク電流を示し、また
、曲線Ｂは、平坦なＳｉＯ２膜上に形成した溶融再結晶
半導体膜にｐＭＯｓＦＥＴを形成した場合のリーク電流
を参考のため示している。なお、この図の測定に供した
装置はチャネル長が１．８μｍであり、測定電圧はドレ
イン電圧が一３Ｖであり、縦軸はゲート幅μｍ当たりの
電流値を示している。 ［０００８］この図に示されるように、本発明の装置の
ように段差を有する５ｉＯｚ膜上に溶融再結晶半導体膜
を形成する場合は、平坦なＳｉＯ２膜上に形成した溶融
再結晶半導体膜上に形成した場合よりリーク電流が大き
いが、レーザー光ビームのパワーが３．８Ｗ程度で両者
が一致しており、この曲線Ａが示すｐＭＯ３のリーク電
流の傾向から知られるように、この三次元半導体装置の
電気特性は、光ビームのパワーを上げるほど向上する。 ［０００９］
【発明が解決しようとする課題】この従来の技術におい
ては、バルクトランジスタ集積領域上以外の多結晶Ｓｉ
膜の下層は、バルクトランジスタのフィールド酸化膜（
厚さ〜６０００ Ａ）になっているため、バルクトラン
ジスタ集積領域上に比較して、この部分の下層への熱の
逃げは悪く、より高温になりやすい。 ［００１０１そのため、三次元集積回路の電気特性を向
上させることを目的として、レーザー光ビームのパワー
を上げて、バルクトランジスタ集積領域上の多結晶Ｓｉ
膜が適正な溶融状態を呈するように調節すると、フィー
ルド酸化膜上の多結晶Ｓｉ膜は、それより高温になり、
レーザー光ビームの走査にともなって、その領域の多結
晶膜Ｓｉが極度に溶融して、その走査経路の両側に飛散
する現象（この現象を剥離現象と称している。）が生じ
、この現象が一旦始まると、そこからレーザー光ビーム
の走査につれて三次元集積回路形成領域まで波及して延
び、走査経路の両側に飛散した溶融Ｓｉが凝固して大き
な塊を作・ったり、５０００ Ａ程度の高さの敵状に凝
固する二とがあった。 ［００１１１この現象が起きると、溶融再結晶Ｓｉ膜の
表面が平坦でなくなり、その後バターニングのために加
えるエツチングの条件設定が困難になって、三次元半導
体が形成できなくなるという問題が生じていた。この現
象を防ぐためには、バルクトランジスタ集積領域上以外
の多結晶Ｓｉ膜をエツチング等によって除去した後に溶
融再結晶化工程を加えることが考えられる。 ［００１２］Ｌかし、この方法によるとバルクトランジ
スタ集積領域以外に形成されている周辺回路を構成する
バルクトランジスタ（図２の２４）の上には層間絶縁膜
のみ存在することになるからレーザー光ビームが直接こ
のバルクトランジスタに照射し、その特性を劣化させる
おそれが生じる。そのため、バルクトランジスタ集積領
域上以外にも多結晶Ｓｉ膜を残しておくことが必要であ
る。本発明は、上記の問題点を生じることなく、高パワ
ーのレーザー光ビームを照射して高性能の溶融再結晶半
導体装置を提供することを目的とする。 ［００１３］
ては、バルクトランジスタ集積領域上以外の多結晶Ｓｉ
膜の下層は、バルクトランジスタのフィールド酸化膜（
厚さ〜６０００ Ａ）になっているため、バルクトラン
ジスタ集積領域上に比較して、この部分の下層への熱の
逃げは悪く、より高温になりやすい。 ［００１０１そのため、三次元集積回路の電気特性を向
上させることを目的として、レーザー光ビームのパワー
を上げて、バルクトランジスタ集積領域上の多結晶Ｓｉ
膜が適正な溶融状態を呈するように調節すると、フィー
ルド酸化膜上の多結晶Ｓｉ膜は、それより高温になり、
レーザー光ビームの走査にともなって、その領域の多結
晶膜Ｓｉが極度に溶融して、その走査経路の両側に飛散
する現象（この現象を剥離現象と称している。）が生じ
、この現象が一旦始まると、そこからレーザー光ビーム
の走査につれて三次元集積回路形成領域まで波及して延
び、走査経路の両側に飛散した溶融Ｓｉが凝固して大き
な塊を作・ったり、５０００ Ａ程度の高さの敵状に凝
固する二とがあった。 ［００１１１この現象が起きると、溶融再結晶Ｓｉ膜の
表面が平坦でなくなり、その後バターニングのために加
えるエツチングの条件設定が困難になって、三次元半導
体が形成できなくなるという問題が生じていた。この現
象を防ぐためには、バルクトランジスタ集積領域上以外
の多結晶Ｓｉ膜をエツチング等によって除去した後に溶
融再結晶化工程を加えることが考えられる。 ［００１２］Ｌかし、この方法によるとバルクトランジ
スタ集積領域以外に形成されている周辺回路を構成する
バルクトランジスタ（図２の２４）の上には層間絶縁膜
のみ存在することになるからレーザー光ビームが直接こ
のバルクトランジスタに照射し、その特性を劣化させる
おそれが生じる。そのため、バルクトランジスタ集積領
域上以外にも多結晶Ｓｉ膜を残しておくことが必要であ
る。本発明は、上記の問題点を生じることなく、高パワ
ーのレーザー光ビームを照射して高性能の溶融再結晶半
導体装置を提供することを目的とする。 ［００１３］
【課題を解決するための手段】本発明にかかる光ビーム
溶融再結晶半導体装置においては、バルクトランジスタ
集積領域を有する半導体基板と、その上に形成された層
間絶縁膜と、該層間絶縁膜の上に形成された多結晶半導
体膜に、該バルクトランジスタ集積領域のみに開口を有
する光ビーム反射膜の上から光ビームを照射することに
よって溶融再結晶化された半導体膜と、該溶融再結晶化
された半導体膜中に形成されたトランジスタ等の素子を
含む構成を採用した。 ［００１４］また、本発明にかかる光ビーム溶融再結晶
半導体装置の製造方法においては、バルクトランジスタ
集積領域を有する半導体基板の上に層間絶縁膜を形成す
る工程と、この層間絶縁膜の上に多結晶半導体膜を形成
する工程と、この多結晶半導体膜の上のバルクトランジ
スタ集積領域以外の部分に光ビーム反射膜を形成する工
程と、この光ビーム反射膜の上から光ビームを照射して
この多結晶半導体膜を溶融再結晶化する工程と、この溶
融再結晶化した半導体膜中にトランジスタ等の素子を形
成する工程を採用した。 ［００１５］
溶融再結晶半導体装置においては、バルクトランジスタ
集積領域を有する半導体基板と、その上に形成された層
間絶縁膜と、該層間絶縁膜の上に形成された多結晶半導
体膜に、該バルクトランジスタ集積領域のみに開口を有
する光ビーム反射膜の上から光ビームを照射することに
よって溶融再結晶化された半導体膜と、該溶融再結晶化
された半導体膜中に形成されたトランジスタ等の素子を
含む構成を採用した。 ［００１４］また、本発明にかかる光ビーム溶融再結晶
半導体装置の製造方法においては、バルクトランジスタ
集積領域を有する半導体基板の上に層間絶縁膜を形成す
る工程と、この層間絶縁膜の上に多結晶半導体膜を形成
する工程と、この多結晶半導体膜の上のバルクトランジ
スタ集積領域以外の部分に光ビーム反射膜を形成する工
程と、この光ビーム反射膜の上から光ビームを照射して
この多結晶半導体膜を溶融再結晶化する工程と、この溶
融再結晶化した半導体膜中にトランジスタ等の素子を形
成する工程を採用した。 ［００１５］
【作用】本発明の手段を用いて多結晶Ｓｉ膜の溶融再結
晶化を行うと、バルクトランジスタ集積領域上以外の多
結晶Ｓｉ膜に入射するレーザー光ビームのパワーは、反
射して減少するため、この部分の多結晶半導体膜の温度
は、バルクトランジスタ集積領域上の多結晶Ｓｉ膜より
低くなり、前記の、いわゆる、剥離現象を抑えることが
できる。 ［００１６］
晶化を行うと、バルクトランジスタ集積領域上以外の多
結晶Ｓｉ膜に入射するレーザー光ビームのパワーは、反
射して減少するため、この部分の多結晶半導体膜の温度
は、バルクトランジスタ集積領域上の多結晶Ｓｉ膜より
低くなり、前記の、いわゆる、剥離現象を抑えることが
できる。 ［００１６］
【実施例】以下、本発明の詳細な説明する。 図１は、
本発明の一実施例の光ビーム溶融再結晶半導体装置の概
略構成図である。この図において、１はＳｉ単結晶基板
、２はフィールド酸化膜、３はバルクトランジスタ集積
領域、４は周辺回路領域、５は層間絶縁膜、６は多結晶
Ｓｉ膜、７は５ｉｎ２膜、８はＳｉ３Ｎ＋膜、９はＷＳ
ｉ２反射膜、１０はレーザー光ビームである。 ［００１７］この半導体装置は、Ｓ１単結晶基板１の上
に、従来知られている製造工程を用いることにより、各
素子間を分離するフィールド酸化膜２を形成し、このフ
ィールド酸化膜２によって囲まれた領域に、この図では
３個の〜■○５ＦＥＴからなる、ＳＲＡＭのメモリセル
のドライバートランジスタであるバルクトランジスタ集
積領域３と周辺回路領域４を形成し、その上に、Ｓｉｎ
：膜／ＢＰＳＧ膜／５ｉ０２膜（１００ｎｍ／３００ｎ
ｍ／２００ｎｍ）からなる層間絶縁膜５を堆積し、その
上に多結晶Ｓｉ膜６を堆積し、その上に厚さ５０ｎｍの
ＳｉＯ２膜７と厚さ１１００ｎのＳ ！ ３ Ｎ４膜８
を堆積し、さらにその上に厚さ１１００ｎのＷＳｉｚ反
射膜９を堆積し、このＷＳｉｚ反射膜９のバルクトラン
ジスタ集積領域３上のみをエツチングして除去する。 ［００１８］この状態で、Ａｒレーザーによるレーザー
光１０を照射して、ＷＳｉｚ反射膜がない部分の多結晶
Ｓｉ膜６を溶融し、再結晶化することによって結晶化し
、この結晶化したＳｉ膜に負荷用のＭＯＳトランジスタ
を形成し、適宜電気的に接続することによってＳＲＡＭ
を製造する。 この時の条件を下に示す。 １、レーザーパワー ４Ｗ ２８ レーザーの波長 ４８８ ｎｍ３、レー
ザーの装置速度 １５０ｍｍ／５ｅｃ４、基板温度
５００℃［００１９］この基板温度は
、その上面がレーザー光が照射されて１４１５℃程度に
加熱されるため、基板中に生じる歪みを緩和するために
昇温されているものである。また、キャップ層、Ｓ ｉ
Ｏｚ ／Ｓ ｉ：＋ Ｎ４膜（７，８）は、溶融したＳ
ｔの形状を保ち、剥離を抑える機能と、レーザー光の吸
収効率を向上して効率よく溶融再結晶を行う機能を有し
ている。 ［００２０１なお、上記の実施例においては、光ビーム
としてレーザー光ビームを、半導体材料としてＳｉを用
いたが、本発明は、この光源、材料に限定されないこと
はいうまでもない。また、ＳＲＡＭに限定されることも
なく、広く光ビームを用いて溶融再結晶化する工程に適
用できる。 ［００２１１ 【発明の効果］本発明によると、多結晶Ｓｉを剥離する
ことなく、高パワーでバルクトランジスタ集積領域上の
多結晶Ｓｔの溶融再結晶化を行うことができる。
本発明の一実施例の光ビーム溶融再結晶半導体装置の概
略構成図である。この図において、１はＳｉ単結晶基板
、２はフィールド酸化膜、３はバルクトランジスタ集積
領域、４は周辺回路領域、５は層間絶縁膜、６は多結晶
Ｓｉ膜、７は５ｉｎ２膜、８はＳｉ３Ｎ＋膜、９はＷＳ
ｉ２反射膜、１０はレーザー光ビームである。 ［００１７］この半導体装置は、Ｓ１単結晶基板１の上
に、従来知られている製造工程を用いることにより、各
素子間を分離するフィールド酸化膜２を形成し、このフ
ィールド酸化膜２によって囲まれた領域に、この図では
３個の〜■○５ＦＥＴからなる、ＳＲＡＭのメモリセル
のドライバートランジスタであるバルクトランジスタ集
積領域３と周辺回路領域４を形成し、その上に、Ｓｉｎ
：膜／ＢＰＳＧ膜／５ｉ０２膜（１００ｎｍ／３００ｎ
ｍ／２００ｎｍ）からなる層間絶縁膜５を堆積し、その
上に多結晶Ｓｉ膜６を堆積し、その上に厚さ５０ｎｍの
ＳｉＯ２膜７と厚さ１１００ｎのＳ ！ ３ Ｎ４膜８
を堆積し、さらにその上に厚さ１１００ｎのＷＳｉｚ反
射膜９を堆積し、このＷＳｉｚ反射膜９のバルクトラン
ジスタ集積領域３上のみをエツチングして除去する。 ［００１８］この状態で、Ａｒレーザーによるレーザー
光１０を照射して、ＷＳｉｚ反射膜がない部分の多結晶
Ｓｉ膜６を溶融し、再結晶化することによって結晶化し
、この結晶化したＳｉ膜に負荷用のＭＯＳトランジスタ
を形成し、適宜電気的に接続することによってＳＲＡＭ
を製造する。 この時の条件を下に示す。 １、レーザーパワー ４Ｗ ２８ レーザーの波長 ４８８ ｎｍ３、レー
ザーの装置速度 １５０ｍｍ／５ｅｃ４、基板温度
５００℃［００１９］この基板温度は
、その上面がレーザー光が照射されて１４１５℃程度に
加熱されるため、基板中に生じる歪みを緩和するために
昇温されているものである。また、キャップ層、Ｓ ｉ
Ｏｚ ／Ｓ ｉ：＋ Ｎ４膜（７，８）は、溶融したＳ
ｔの形状を保ち、剥離を抑える機能と、レーザー光の吸
収効率を向上して効率よく溶融再結晶を行う機能を有し
ている。 ［００２０１なお、上記の実施例においては、光ビーム
としてレーザー光ビームを、半導体材料としてＳｉを用
いたが、本発明は、この光源、材料に限定されないこと
はいうまでもない。また、ＳＲＡＭに限定されることも
なく、広く光ビームを用いて溶融再結晶化する工程に適
用できる。 ［００２１１ 【発明の効果］本発明によると、多結晶Ｓｉを剥離する
ことなく、高パワーでバルクトランジスタ集積領域上の
多結晶Ｓｔの溶融再結晶化を行うことができる。
【図１】本発明の一実施例の光ビーム溶融再結晶半導体
装置の概略構成図である。
装置の概略構成図である。
【図２】光ビーム溶融再結晶半導体装置の構成説明図で
ある。
ある。
【図３】溶融再結晶化に用いるレーザー光ビームのパワ
ーとその層に形成した９ＭＯ８のリーク電流の関係図で
ある。
ーとその層に形成した９ＭＯ８のリーク電流の関係図で
ある。
Ｉ Ｓｉ単結晶基板
２ フィールド酸化膜
３ バルクトランジスタ集積領域
４ 周辺回路領域
５ 層間絶縁膜
６ 多結晶Ｓｉ膜
７ＳｉＯ２膜
８Ｓｉ３Ｎ２膜
９ＷＳｉ２反射膜
１０ レーザー光ビーム
Claims (2)
- 【請求項１】バルクトランジスタ集積領域を有する半導
体基板と、その上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶
縁膜の上に形成された多結晶半導体膜に、該バルクトラ
ンジスタ集積領域のみに開口を有する光ビーム反射膜の
上から光ビームを照射することによって溶融再結晶化さ
れた半導体膜と、該溶融再結晶化された半導体膜中に形
成されたトランジスタ等の素子を含むことを特徴とする
光ビーム溶融再結晶半導体装置。 - 【請求項２】バルクトランジスタ集積領域を有する半導
体基板の上に層間絶縁膜を形成する工程と、この層間絶
縁膜の上に多結晶半導体膜を形成する工程と、この多結
晶半導体膜の上のバルクトランジスタ集積領域以外の部
分に光ビーム反射膜を形成する工程と、この光ビーム反
射膜の上から光ビームを照射してこの多結晶半導体膜を
溶融し再結晶化する工程と、この再結晶化した半導体膜
中にトランジスタ等の素子を形成する工程を含むことを
特徴とする光ビーム溶融再結晶半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2406244A JPH04209565A (ja) | 1990-12-07 | 1990-12-07 | 光ビーム溶融再結晶半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2406244A JPH04209565A (ja) | 1990-12-07 | 1990-12-07 | 光ビーム溶融再結晶半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04209565A true JPH04209565A (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=18515858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2406244A Withdrawn JPH04209565A (ja) | 1990-12-07 | 1990-12-07 | 光ビーム溶融再結晶半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04209565A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5302538A (en) * | 1992-08-04 | 1994-04-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing field effect transistor |
-
1990
- 1990-12-07 JP JP2406244A patent/JPH04209565A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5302538A (en) * | 1992-08-04 | 1994-04-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing field effect transistor |
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