JPH04214075A - 炭化ホウ素系複合焼結体 - Google Patents
炭化ホウ素系複合焼結体Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/563—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on boron carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、研磨材、耐摩材、高温
材料そしてエネルギー関連材料等に使用されるB4C系
セラミックスに関し、特にその高靭性化および高強度化
に関するものである。
材料そしてエネルギー関連材料等に使用されるB4C系
セラミックスに関し、特にその高靭性化および高強度化
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】B4Cセラミックスは高温における構造
部材用エンジニアリングセラミックスとして最近注目を
集めている。しかしながら、自動車部品や航空宇宙関連
材料のように、材料に対し過酷な条件下で高い信頼性と
安定性が要求される分野にB4Cセラミックスを使用し
ていくには破壊靭性をさらに向上させてその脆さを克服
しかつ高温強度の向上を図ることが必要不可欠である。 従来、破壊靭性を向上させる技術として、たとえば特公
昭62−265173号公報に示されるように窒化珪素
マトリックスに炭化珪素ウイスカーを複合、分散させる
方法がある。この方法によれば、破壊の際に進展する亀
裂がウイスカーによってディフレクションしたり、ウイ
スカ−の引き抜きや架橋が起こることにより破壊靭性が
向上すると考えられている。しかしウイスカー複合によ
り破壊靭性は向上するが、逆に、添加したウイスカーの
サイズが 1〜10μmのオーダーである上にその凝集
を機械的に完全に取り除くことは事実上困難であり、こ
れが粗大粒として破壊起点となるため材料強度を低下さ
せる。
部材用エンジニアリングセラミックスとして最近注目を
集めている。しかしながら、自動車部品や航空宇宙関連
材料のように、材料に対し過酷な条件下で高い信頼性と
安定性が要求される分野にB4Cセラミックスを使用し
ていくには破壊靭性をさらに向上させてその脆さを克服
しかつ高温強度の向上を図ることが必要不可欠である。 従来、破壊靭性を向上させる技術として、たとえば特公
昭62−265173号公報に示されるように窒化珪素
マトリックスに炭化珪素ウイスカーを複合、分散させる
方法がある。この方法によれば、破壊の際に進展する亀
裂がウイスカーによってディフレクションしたり、ウイ
スカ−の引き抜きや架橋が起こることにより破壊靭性が
向上すると考えられている。しかしウイスカー複合によ
り破壊靭性は向上するが、逆に、添加したウイスカーの
サイズが 1〜10μmのオーダーである上にその凝集
を機械的に完全に取り除くことは事実上困難であり、こ
れが粗大粒として破壊起点となるため材料強度を低下さ
せる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従って、従来はウイス
カーを添加したりB4Cを粒成長させて粗大粒の存在に
よって破壊靭性を向上させており、その結果、事実上欠
陥のサイズを大きくしてしまい強度が低下するため、強
度・靭性を同時に向上させることは困難であった。その
ため、B4Cマトリックスが粗大粒を含まない均一微細
粒で構成された組織において強度と靭性向上の両立を図
ることが課題であった。
カーを添加したりB4Cを粒成長させて粗大粒の存在に
よって破壊靭性を向上させており、その結果、事実上欠
陥のサイズを大きくしてしまい強度が低下するため、強
度・靭性を同時に向上させることは困難であった。その
ため、B4Cマトリックスが粗大粒を含まない均一微細
粒で構成された組織において強度と靭性向上の両立を図
ることが課題であった。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、B4C結晶粒
内にSiC及び/又はTiB2がナノメーターオーダー
で分類していることを特徴とする炭化ホウ素系複合焼結
体である。
内にSiC及び/又はTiB2がナノメーターオーダー
で分類していることを特徴とする炭化ホウ素系複合焼結
体である。
【0005】マトリックスであるB4C結晶粒の平均粒
径は 3μm以下、好ましくは 0.5μm以下の均一
微細粒子からなることがよい。かかる結晶粒の内部にS
iC及び/又はTiB2がナノメーターオーダーで分散
している構造をもたせることにより、欠陥サイズの小さ
な組織で強度低下因子を抑えかつナノ粒子の複合により
結晶粒内に残留応力を発生させて強度と靭性を向上させ
る。分散しているSiC及び/又はTiB2の粒径は5
00nm以下、特に 200nm以下が好ましい。分散
量は0.5〜60vol%特には 0.5〜30vol
%が好ましい。
径は 3μm以下、好ましくは 0.5μm以下の均一
微細粒子からなることがよい。かかる結晶粒の内部にS
iC及び/又はTiB2がナノメーターオーダーで分散
している構造をもたせることにより、欠陥サイズの小さ
な組織で強度低下因子を抑えかつナノ粒子の複合により
結晶粒内に残留応力を発生させて強度と靭性を向上させ
る。分散しているSiC及び/又はTiB2の粒径は5
00nm以下、特に 200nm以下が好ましい。分散
量は0.5〜60vol%特には 0.5〜30vol
%が好ましい。
【0006】本発明により得られる焼結体の破壊靭性は
3MPam1/2 以上である。
3MPam1/2 以上である。
【0007】本発明は、又、原料粉末として40〜99
.5vol%のB4Cと、 0.5〜60vol%のS
iC及び/又はTiCを有機溶剤中で混合し、乾燥後そ
の混合粉を1800〜2300℃の温度範囲で 5〜6
00 分間ホットプレスすることを特徴とする炭化ホウ
素系複合焼結体の製造方法である。
.5vol%のB4Cと、 0.5〜60vol%のS
iC及び/又はTiCを有機溶剤中で混合し、乾燥後そ
の混合粉を1800〜2300℃の温度範囲で 5〜6
00 分間ホットプレスすることを特徴とする炭化ホウ
素系複合焼結体の製造方法である。
【0008】ホットプレスの温度は特に2000〜23
00℃が好ましく、又、ホットプレスの時間も特には3
0〜300 分が好ましい。
00℃が好ましく、又、ホットプレスの時間も特には3
0〜300 分が好ましい。
【0009】
【作用】本発明によれば、B4C結晶粒内に熱膨脹係数
の大きな異種粒子が分散することにより焼結温度から室
温への冷却時にB4C結晶粒に熱膨脹係数のミスマッチ
による残留圧縮応力が発生する。破壊の際、亀裂先端部
分にこの応力場がかかることにより亀裂発生及び進展抵
抗が増大し破壊靭性が向上する。このため、B4C結晶
粒と異種粒子との熱膨脹係数の差は大きいほどよい、ま
た異種粒子がナノメーターオーダーで粒内分散している
ので欠陥サイズが増大しないため、破壊靭性の向上は強
度の向上に反映される。さらに粒内分散異種粒子のまわ
りの応力場によって歪みが発生し異種粒子を中心にB4
C結晶粒内の転位の移動が促進され転位面がサブ粒界を
形成してみかけ上マトリックス粒子が微細化し、強度が
向上する。また、粒界に残留している異種粒子は、高温
における粒界すべりのピン止め効果の役割を果たし、高
温強度が向上する。分散異種粒子の粒径は、大きすぎる
と残留圧縮応力によるB4C結晶粒強化の効果が低下す
るので 500nm以下が好ましく、下限は原子状で格
子間に固溶している状態になる手前の 1nmがよい。 分散量は少なすぎると複合効果が発揮されず多すぎても
異種粒子同士の合体が起きてしまうので 0.5〜60
vol%が好ましく、特に 0.5〜30vol%が好
ましい。
の大きな異種粒子が分散することにより焼結温度から室
温への冷却時にB4C結晶粒に熱膨脹係数のミスマッチ
による残留圧縮応力が発生する。破壊の際、亀裂先端部
分にこの応力場がかかることにより亀裂発生及び進展抵
抗が増大し破壊靭性が向上する。このため、B4C結晶
粒と異種粒子との熱膨脹係数の差は大きいほどよい、ま
た異種粒子がナノメーターオーダーで粒内分散している
ので欠陥サイズが増大しないため、破壊靭性の向上は強
度の向上に反映される。さらに粒内分散異種粒子のまわ
りの応力場によって歪みが発生し異種粒子を中心にB4
C結晶粒内の転位の移動が促進され転位面がサブ粒界を
形成してみかけ上マトリックス粒子が微細化し、強度が
向上する。また、粒界に残留している異種粒子は、高温
における粒界すべりのピン止め効果の役割を果たし、高
温強度が向上する。分散異種粒子の粒径は、大きすぎる
と残留圧縮応力によるB4C結晶粒強化の効果が低下す
るので 500nm以下が好ましく、下限は原子状で格
子間に固溶している状態になる手前の 1nmがよい。 分散量は少なすぎると複合効果が発揮されず多すぎても
異種粒子同士の合体が起きてしまうので 0.5〜60
vol%が好ましく、特に 0.5〜30vol%が好
ましい。
【0010】製造方法においてTiCは、ホットプレス
中1400〜2200℃でB4Cマトリックス中でTi
B2に変化することによりB 4Cが異常粒成長するた
め、1800〜2300℃、特に2000〜2200℃
が好ましい。ホットプレス時間も同様の理由で5〜60
0 分、特に30〜300 分が好ましい。
中1400〜2200℃でB4Cマトリックス中でTi
B2に変化することによりB 4Cが異常粒成長するた
め、1800〜2300℃、特に2000〜2200℃
が好ましい。ホットプレス時間も同様の理由で5〜60
0 分、特に30〜300 分が好ましい。
【0011】
【実施例】B4C粉末 100gに対し、表1に示すよ
うにSiC及び/又はTiC粉末をそれぞれ分散量に応
じて配合し、ボールミルにより湿式混合した。乾燥後、
これらの複合粉末を表中に示したホットプレス(HP)
の温度と時間によってホットプレス焼結した。
うにSiC及び/又はTiC粉末をそれぞれ分散量に応
じて配合し、ボールミルにより湿式混合した。乾燥後、
これらの複合粉末を表中に示したホットプレス(HP)
の温度と時間によってホットプレス焼結した。
【0012】上記により焼結したもののB4C粒内にお
けるTiB2並びにSiCの分級量並びに曲げ強度、破
壊靭性は表2に示すとおりである。
けるTiB2並びにSiCの分級量並びに曲げ強度、破
壊靭性は表2に示すとおりである。
【0013】
又、図1にNo.8の試料についてのホットプレス温度
と破壊靭性との関係を図2に雰囲気温度と曲げ強度との
関係を示した。なお、図1における”1M”は、JIS
R 1607のファインセラミックスの破壊じん
(靭)性試験方法において規定されている圧子圧入法に
よったものであり、”SEPB”は同じく予き裂導入破
壊試験法によったものである。
と破壊靭性との関係を図2に雰囲気温度と曲げ強度との
関係を示した。なお、図1における”1M”は、JIS
R 1607のファインセラミックスの破壊じん
(靭)性試験方法において規定されている圧子圧入法に
よったものであり、”SEPB”は同じく予き裂導入破
壊試験法によったものである。
【0014】
【発明の効果】本発明により、室温および高温強度・破
壊靭性ともに優れたB44Cセラミックスを得ることが
でき、高強度・高靭性は要求される自動車部品をはじめ
とする各種構造用部材に適用して有効である。
壊靭性ともに優れたB44Cセラミックスを得ることが
でき、高強度・高靭性は要求される自動車部品をはじめ
とする各種構造用部材に適用して有効である。
【図1】本発明実施例のホットプレス温度と破壊靭性と
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図2】実施例における雰囲気温度と曲げ強度との関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
Claims (4)
- 【請求項1】 B4C結晶粒内にSiC及び/又はT
iB2がナノメーターオーダーで分散していることを特
徴とする炭化ホウ素系複合焼結体。 - 【請求項2】 SiC及び/又はTiB2の量がそれ
ぞれ 0.5vol%以上60vol%以下である請求
項1記載の炭化ホウ素系複合焼結体。 - 【請求項3】 破壊靭性が3MPam1/2 以上で
ある請求項1又は請求項2記載の炭化ホウ素系複合焼結
体。 - 【請求項4】 原料粉末として40〜99.5vol
%のB4Cと、0.5〜60vol%のSiC及び/又
はTiCを有機溶剤中で混合し、乾燥後その混合粉を1
800〜2300℃の温度範囲で 5〜600 分間ホ
ットプレスすることを特徴とする炭化ホウ素系複合焼結
体の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40984490A JP3228517B2 (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 炭化ホウ素系複合焼結体 |
| US07/804,842 US5418196A (en) | 1990-12-12 | 1991-12-06 | Sintered composite boron carbide body and production process thereof |
| DE69120923T DE69120923T2 (de) | 1990-12-12 | 1991-12-11 | Gesinterter Borkarbid-Verbundkörper und sein Herstellungsverfahren |
| EP91121217A EP0494390B1 (en) | 1990-12-12 | 1991-12-11 | Sintered composite boron carbide body and production process thereof |
| CA002057385A CA2057385C (en) | 1990-12-12 | 1991-12-11 | Sintered composite boron carbide body and production process thereof |
| US08/571,207 US5637269A (en) | 1990-12-12 | 1995-12-12 | Process for forming a sintered composite boron carbide body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40984490A JP3228517B2 (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 炭化ホウ素系複合焼結体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04214075A true JPH04214075A (ja) | 1992-08-05 |
| JP3228517B2 JP3228517B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=18519119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40984490A Expired - Fee Related JP3228517B2 (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 炭化ホウ素系複合焼結体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5418196A (ja) |
| EP (1) | EP0494390B1 (ja) |
| JP (1) | JP3228517B2 (ja) |
| CA (1) | CA2057385C (ja) |
| DE (1) | DE69120923T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06345534A (ja) * | 1993-06-11 | 1994-12-20 | Elektroschmelzwerk Kempten Gmbh | 炭化ホウ素、二ホウ化チタンおよび元素状態炭素に基づく複合材料およびその製造方法 |
| JPH0797264A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-04-11 | Elektroschmelzwerk Kempten Gmbh | 無加圧燒結による炭化硼素系多結晶高密度成形体の製造方法 |
| JP2007230787A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Kyocera Corp | 炭化硼素質焼結体およびこれを用いた防護部材 |
| CN111470868A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-07-31 | 江苏大学 | 一种高活性亚微米级碳化硼陶瓷粉体及其低温原位制备方法 |
| JP2023046932A (ja) * | 2021-09-24 | 2023-04-05 | 美濃窯業株式会社 | 複合セラミックスの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| RU2143411C1 (ru) * | 1997-08-19 | 1999-12-27 | Российский Федеральный Ядерный Центр - Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Экспериментальной Физики | Способ изготовления керамического материала на основе карбида бора |
| US5894066A (en) * | 1998-01-12 | 1999-04-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Boron carbride/silicon carbide ceramics |
| CN1256301C (zh) * | 2001-11-06 | 2006-05-17 | 独立行政法人产业技术总合研究所 | 碳化硼质烧结体及其制造方法 |
| US20060141237A1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-06-29 | Katherine Leighton | Metal-ceramic materials |
| US20070105706A1 (en) * | 2005-06-06 | 2007-05-10 | General Atomics | Ceramic Armor |
| US7557054B2 (en) * | 2006-02-27 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Boron carbide sintered body and protective member |
| US7419925B1 (en) | 2006-08-23 | 2008-09-02 | Ut-Battelle, Llc | Lightweight high performance ceramic material |
| US8236200B2 (en) * | 2006-12-06 | 2012-08-07 | General Electric Company | Nano-composite IR window and method for making same |
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| WO2011011606A2 (en) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Methods of forming sintered boron carbide |
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