JPH04215458A - 半導体集積回路装置のエアーブリッジ配線 - Google Patents
半導体集積回路装置のエアーブリッジ配線Info
- Publication number
- JPH04215458A JPH04215458A JP40223290A JP40223290A JPH04215458A JP H04215458 A JPH04215458 A JP H04215458A JP 40223290 A JP40223290 A JP 40223290A JP 40223290 A JP40223290 A JP 40223290A JP H04215458 A JPH04215458 A JP H04215458A
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- JP
- Japan
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- bridge
- wiring
- air
- air bridge
- bridge plate
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置で
用いられるエアーブリッジ配線の構造に関する。
用いられるエアーブリッジ配線の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】エアーブリッジ配線は、配線の下側に空
気層を設けることにより配線と下方の導電層との間の寄
生容量を減少させる配線方法である。例えばこのエアー
ブリッジ配線を電源配線に適用すれば、その電源配線と
下方の導電層との間の寄生容量を減少させて、半導体集
積回路装置の処理速度を高速化させることができる。
気層を設けることにより配線と下方の導電層との間の寄
生容量を減少させる配線方法である。例えばこのエアー
ブリッジ配線を電源配線に適用すれば、その電源配線と
下方の導電層との間の寄生容量を減少させて、半導体集
積回路装置の処理速度を高速化させることができる。
【０００３】図４は、従来のエアーブリッジ配線の構造
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【０００４】図のようにこのエアーブリッジ配線（１１
）は、半導体基板（１２）上の複数本の下層配線、例え
ば２本の第一層配線（１３）の上に形成された橋脚部（
１４）と、その２つの橋脚部（１４）間に掛け渡された
橋板部（１５）とから構成され、その橋板部（１５）の
下側に空気層（１６）を設けた状態で上記２本の第一層
配線（１３）同士を接続している。
）は、半導体基板（１２）上の複数本の下層配線、例え
ば２本の第一層配線（１３）の上に形成された橋脚部（
１４）と、その２つの橋脚部（１４）間に掛け渡された
橋板部（１５）とから構成され、その橋板部（１５）の
下側に空気層（１６）を設けた状態で上記２本の第一層
配線（１３）同士を接続している。
【０００５】上記構造のエアーブリッジ配線（１１）を
形成する際、その橋板部（１５）は、図５（ａ）の断面
図に示すように、半導体基板（１２）の絶縁膜（１７）
上に形成したフォトレジスト膜（１８）の上に形成され
る。そして配線形成後に、アセトンなどの有機溶媒を用
いたウェットエッチングにより上記フォトレジスト膜（
１８）を取り除くことによって、図５（ｂ）の断面図に
示すように、橋板部（１５）の下側の空気層（１６）が
形成される。このウェットエッチングの際、有機溶媒は
、エアーブリッジ配線（１１）の側方（第一層配線（１
３）に沿った方向）から橋板部（１５）の下へ浸入する
ことになる。
形成する際、その橋板部（１５）は、図５（ａ）の断面
図に示すように、半導体基板（１２）の絶縁膜（１７）
上に形成したフォトレジスト膜（１８）の上に形成され
る。そして配線形成後に、アセトンなどの有機溶媒を用
いたウェットエッチングにより上記フォトレジスト膜（
１８）を取り除くことによって、図５（ｂ）の断面図に
示すように、橋板部（１５）の下側の空気層（１６）が
形成される。このウェットエッチングの際、有機溶媒は
、エアーブリッジ配線（１１）の側方（第一層配線（１
３）に沿った方向）から橋板部（１５）の下へ浸入する
ことになる。
【０００６】上記橋板部（１５）と半導体基板（１２）
上の絶縁膜（１７）との間隔、つまり空気層（１６）の
厚さは、数ミクロン程度である。
上の絶縁膜（１７）との間隔、つまり空気層（１６）の
厚さは、数ミクロン程度である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】エアーブリッジ配線を
電源配線に適用する場合には、その配線抵抗を小さくす
る必要があり、そのためには、エアーブリッジ配線の幅
（下層配線に沿った長さ）を広くしなければならない。
電源配線に適用する場合には、その配線抵抗を小さくす
る必要があり、そのためには、エアーブリッジ配線の幅
（下層配線に沿った長さ）を広くしなければならない。
【０００８】ところが、上記構造の従来のエアーブリッ
ジ配線（１１）では、その幅ｗをあまり広くすると、橋
板部（１５）と半導体基板（１２）上の絶縁膜（１７）
との間隔が非常に小さいため、配線形成後にフォトレジ
スト膜（１８）をウェットエッチングする際、有機溶媒
がエアーブリッジ配線（１１）の側方から橋板部（１５
）の下全体には浸入しなくなり、橋板部（１５）の下の
フォトレジスト膜（１８）を完全に取り除くことができ
なくなる。このことから、エアーブリッジ配線（１１）
の幅ｗは、最大１００ミクロン程度に制限される。 これより幅広くエアーブリッジ配線（１１）を形成した
い場合には、図４に示したように複数本のエアーブリッ
ジ配線（１１）を、互いに間隔をあけて形成しなければ
ならない。
ジ配線（１１）では、その幅ｗをあまり広くすると、橋
板部（１５）と半導体基板（１２）上の絶縁膜（１７）
との間隔が非常に小さいため、配線形成後にフォトレジ
スト膜（１８）をウェットエッチングする際、有機溶媒
がエアーブリッジ配線（１１）の側方から橋板部（１５
）の下全体には浸入しなくなり、橋板部（１５）の下の
フォトレジスト膜（１８）を完全に取り除くことができ
なくなる。このことから、エアーブリッジ配線（１１）
の幅ｗは、最大１００ミクロン程度に制限される。 これより幅広くエアーブリッジ配線（１１）を形成した
い場合には、図４に示したように複数本のエアーブリッ
ジ配線（１１）を、互いに間隔をあけて形成しなければ
ならない。
【０００９】上述のように、従来のエアーブリッジ配線
（１１）では、幅ｗを１００ミクロン以上にしてその配
線抵抗をより小さくすることが困難であるという問題点
があった。
（１１）では、幅ｗを１００ミクロン以上にしてその配
線抵抗をより小さくすることが困難であるという問題点
があった。
【００１０】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたもので、幅が広く、配線抵抗のより小さなエアー
ブリッジ配線を得ることを目的とする。
されたもので、幅が広く、配線抵抗のより小さなエアー
ブリッジ配線を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るエアーブリッジ配線では、橋板部に、
ウェットエッチングの際に溶媒を通す貫通孔を設けた。
に、本発明に係るエアーブリッジ配線では、橋板部に、
ウェットエッチングの際に溶媒を通す貫通孔を設けた。
【００１２】
【作用】上記構造によれば、エアーブリッジ配線形成後
にフォトレジスト膜をウェットエッチングする際、溶媒
がエアーブリッジ配線の側方からだけでなく、橋板部の
上面からも貫通孔を通って橋板部の下に浸入する。従っ
て、エアーブリッジ配線の幅を広くしても、溶媒が橋板
部の下全体に浸入し得るため、橋板部の下のフォトレジ
スト膜を完全にウェットエッチングして取り除くことが
できる。
にフォトレジスト膜をウェットエッチングする際、溶媒
がエアーブリッジ配線の側方からだけでなく、橋板部の
上面からも貫通孔を通って橋板部の下に浸入する。従っ
て、エアーブリッジ配線の幅を広くしても、溶媒が橋板
部の下全体に浸入し得るため、橋板部の下のフォトレジ
スト膜を完全にウェットエッチングして取り除くことが
できる。
【００１３】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。なお、実施例の図面において、図４および図５（
ａ），（ｂ）で示した従来例と相違ない構成要素につい
ては、同一の符号を付して説明を省略する。
する。なお、実施例の図面において、図４および図５（
ａ），（ｂ）で示した従来例と相違ない構成要素につい
ては、同一の符号を付して説明を省略する。
【００１４】図１は、本発明に係るエアーブリッジ配線
の構造を示す斜視図である。
の構造を示す斜視図である。
【００１５】図のようにこのエアーブリッジ配線（１）
は、半導体基板（１２）上の２本の第一層配線（下層配
線）（１３）上に形成された橋脚部（２）と、その２つ
の橋脚部（２）間に掛け渡された橋板部（３）とから構
成されており、その橋板部（３）には、貫通孔（４）が
設けられている。そしてこのエアーブリッジ配線（１）
は、橋板部（３）の下側に空気層（５）を設けた状態で
上記２本の第一層配線（１３）同士を接続している。
は、半導体基板（１２）上の２本の第一層配線（下層配
線）（１３）上に形成された橋脚部（２）と、その２つ
の橋脚部（２）間に掛け渡された橋板部（３）とから構
成されており、その橋板部（３）には、貫通孔（４）が
設けられている。そしてこのエアーブリッジ配線（１）
は、橋板部（３）の下側に空気層（５）を設けた状態で
上記２本の第一層配線（１３）同士を接続している。
【００１６】このように、本発明に係るエアーブリッジ
配線（１）の特徴は、橋板部（３）に貫通孔（４）が設
けられた点にある。この貫通孔（４）は、ウェットエッ
チングの際に溶媒を通すためのもので、その貫通孔（４
）の形状、大きさ、数については、後述の如く橋板部（
３）の下のフォトレジスト膜を完全にウェットエッチン
グし得るように、しかもエアーブリッジ配線（１）の電
流の流れる断面積をできるだけ減らさないように、更に
は寄生容量についても考慮して適宜に設定される。 本実施例の場合には、矩形状の小さな貫通孔（４）が９
個、橋板部（３）の全域にほぼ均一に設けられている。
配線（１）の特徴は、橋板部（３）に貫通孔（４）が設
けられた点にある。この貫通孔（４）は、ウェットエッ
チングの際に溶媒を通すためのもので、その貫通孔（４
）の形状、大きさ、数については、後述の如く橋板部（
３）の下のフォトレジスト膜を完全にウェットエッチン
グし得るように、しかもエアーブリッジ配線（１）の電
流の流れる断面積をできるだけ減らさないように、更に
は寄生容量についても考慮して適宜に設定される。 本実施例の場合には、矩形状の小さな貫通孔（４）が９
個、橋板部（３）の全域にほぼ均一に設けられている。
【００１７】橋板部（３）に貫通孔（４）を設けること
により、図２（ａ）の断面図に示すように、エアーブリ
ッジ配線形成後にフォトレジスト膜（１８）をウェット
エッチングする際、アセトンなどの有機溶媒がエアーブ
リッジ配線（１）の側方（幅Ｗ方向）からだけでなく、
橋板部（３）の上面からも貫通孔（４）を通って橋板部
（３）の下に浸入する。従って、エアーブリッジ配線（
１）の幅Ｗを１００ミクロン以上に広くしても、有機溶
媒が橋板部（３）の下全体に浸入し得るため、橋板部（
３）の下のフォトレジスト膜（１８）を完全にウェット
エッチングして取り除くことができる。
により、図２（ａ）の断面図に示すように、エアーブリ
ッジ配線形成後にフォトレジスト膜（１８）をウェット
エッチングする際、アセトンなどの有機溶媒がエアーブ
リッジ配線（１）の側方（幅Ｗ方向）からだけでなく、
橋板部（３）の上面からも貫通孔（４）を通って橋板部
（３）の下に浸入する。従って、エアーブリッジ配線（
１）の幅Ｗを１００ミクロン以上に広くしても、有機溶
媒が橋板部（３）の下全体に浸入し得るため、橋板部（
３）の下のフォトレジスト膜（１８）を完全にウェット
エッチングして取り除くことができる。
【００１８】即ち、本発明に係るエアーブリッジ配線（
１）では、従来１００ミクロン程度に制限されていた幅
をより広くすることが可能になり、これによってその配
線抵抗をより小さくすることができる。
１）では、従来１００ミクロン程度に制限されていた幅
をより広くすることが可能になり、これによってその配
線抵抗をより小さくすることができる。
【００１９】また、エアーブリッジ配線（１）の幅Ｗが
広くなると、その橋脚部（２）が第一層配線（１３）上
に長く形成されることになるため、第一層配線（１３）
の配線抵抗も小さくなるという効果も得られる。
広くなると、その橋脚部（２）が第一層配線（１３）上
に長く形成されることになるため、第一層配線（１３）
の配線抵抗も小さくなるという効果も得られる。
【００２０】また、図３の斜視図に示すように、場合に
よっては、橋板部（３）の貫通孔（４）を第一層配線（
１３）に対して垂直方向に長いスリット状に形成しても
よい。
よっては、橋板部（３）の貫通孔（４）を第一層配線（
１３）に対して垂直方向に長いスリット状に形成しても
よい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係るエア
ーブリッジ配線によれば、幅をより広くしてその配線抵
抗をより小さくすることができる。その結果、より高性
能の半導体集積回路装置を実現させることができる。
ーブリッジ配線によれば、幅をより広くしてその配線抵
抗をより小さくすることができる。その結果、より高性
能の半導体集積回路装置を実現させることができる。
【図１】本発明の実施例を示す斜視図である。
【図２】実施例における貫通孔の作用を説明する断面図
である。
である。
【図３】本発明の他の実施例を示す斜視図である。
【図４】従来例を示す斜視図である。
【図５】従来例における配線形成方法を説明する断面図
である。
である。
（１） エアーブリッジ配線
（２） 橋脚部
（３） 橋板部
（４） 貫通孔
（５） 空気層
（１２） 半導体基板
（１３） 第一層配線（下層配線）
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上の複数本の下層配線上に形成
された橋脚部と、その橋脚部間に掛け渡された橋板部と
から成り、その橋板部の下側に空気層を設けた状態で上
記複数本の下層配線同士を接続する半導体集積回路装置
のエアーブリッジ配線において、上記橋板部に、ウェッ
トエッチングの際に溶媒を通す貫通孔を設けたことを特
徴とする半導体集積回路装置のエアーブリッジ配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40223290A JPH04215458A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 半導体集積回路装置のエアーブリッジ配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40223290A JPH04215458A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 半導体集積回路装置のエアーブリッジ配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04215458A true JPH04215458A (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=18512060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40223290A Pending JPH04215458A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 半導体集積回路装置のエアーブリッジ配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04215458A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0809289A3 (en) * | 1996-05-20 | 1999-04-21 | Harris Corporation | Lid air bridge for integrated circuit |
| WO2022105450A1 (zh) * | 2020-11-20 | 2022-05-27 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | 空气桥的制备方法、空气桥结构及超导量子芯片 |
-
1990
- 1990-12-14 JP JP40223290A patent/JPH04215458A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0809289A3 (en) * | 1996-05-20 | 1999-04-21 | Harris Corporation | Lid air bridge for integrated circuit |
| WO2022105450A1 (zh) * | 2020-11-20 | 2022-05-27 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | 空气桥的制备方法、空气桥结构及超导量子芯片 |
| JP2023505960A (ja) * | 2020-11-20 | 2023-02-14 | ▲騰▼▲訊▼科技（深▲セン▼）有限公司 | エアブリッジの製造方法、エアブリッジ構造及び超伝導量子チップ |
| EP4030469A4 (en) * | 2020-11-20 | 2023-10-25 | Tencent Technology (Shenzhen) Company Limited | Air bridge preparation method, air bridge structure, and superconducting quantum chip |
| US12225832B2 (en) | 2020-11-20 | 2025-02-11 | Tencent Technology (Shenzhen) Company Limited | Method for fabricating air bridge, air bridge structure, and superconducting quantum chip |
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