JPH04219645A - 光ディスク - Google Patents

光ディスク

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Publication number
JPH04219645A
JPH04219645A JP7978391A JP7978391A JPH04219645A JP H04219645 A JPH04219645 A JP H04219645A JP 7978391 A JP7978391 A JP 7978391A JP 7978391 A JP7978391 A JP 7978391A JP H04219645 A JPH04219645 A JP H04219645A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
recording
moisture absorption
damage
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7978391A
Other languages
English (en)
Inventor
Motohisa Taguchi
元久 田口
Yukari Tode
結花利 都出
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP7978391A priority Critical patent/JPH04219645A/ja
Publication of JPH04219645A publication Critical patent/JPH04219645A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、光によって情報を記
録再生する光ディスクに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は、例えば特開昭60−19796
4号公報、または特開平1−292639号公報に示さ
れる従来の光ディスクを示す断面図である。図において
、1は例えばポリカーボネートよりなるプラスチック基
板、2はSi3 N4 エンハンス層、3はTbFeC
o磁性層、4はSi3 N4 保護層である。5はエポ
キシ系の樹脂保護層、6は例えばSi3 N4 誘電体
膜であり、基板1の損傷および吸湿による反りを防止す
る膜である。
【0003】一般に、光ディスクの基板材料には、透明
プラスチック基板1が量産性に優れるのでよく用いられ
る。ところが、プラスチック基板1の場合、長期間湿度
の高い状態に置かれると基板1の加水分解により反りが
発生したり、周囲の環境が変化すると、一時的な基板の
吸湿過程により反ったりする。大きな反りが発生すると
、アクチュエーターのフォーカスサーボが安定に追従で
きなくなり、誤動作やエラーを生じるという問題があっ
た。また、傷つき易いという問題もあった。そこで、防
止膜6にて基板1の損傷および吸湿を防止していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、長期的
にみた場合、プラスチック基板1の表面が基板内部の水
分により加水分解して変質したり、損傷および吸湿防止
膜6自体が劣化して剥離しやすいという問題点があった
【0005】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたものであり、損傷および吸湿防止膜6
の剥離を防止することで長期信頼性が得られる光ディス
クを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光ディスク
は、透明プラスチック基板の一面に形成され光によって
情報を記録再生する記録膜、上記透明プラスチック基板
の上記記録膜と反対側の面に形成され上記基板の損傷お
よび吸湿を防止する膜、および上記防止膜を覆うように
形成される保護膜を備えたものである。
【0007】また、本発明のさらに別の発明に係る光デ
ィスクは、透明プラスチック基板の一面に形成され光に
よって情報を記録再生する記録膜、上記透明プラスチッ
ク基板の上記記録膜と反対側の面で記録再生に利用する
領域に相対する領域よりも広く形成され上記基板の損傷
および吸湿を防止する膜、並びに記録再生に利用しない
領域に相対する領域で上記防止膜の境界を被覆する保護
膜を備えたものである。
【0008】
【作用】この発明における光ディスクは、記録膜を形成
する面と反対側の基板表面に形成した損傷および吸湿防
止膜を覆うようにさらに保護膜を形成することにより、
長期使用においても、損傷および吸湿防止膜が剥離しな
い高信頼性光ディスクが得られる。
【0009】さらに、本発明の別の発明における光ディ
スクは、基板の損傷および吸湿を防止する膜を記録再生
に利用する領域に相対する領域よりも広く形成すると共
に、記録再生に利用しない領域に相対する領域で上記防
止膜の境界を被覆する保護膜を備えたので、特に剥離し
易い防止膜の境界を記録再生に影響のないように、保護
膜で保護することが可能である。
【0010】
【実施例】実施例1.以下、この発明の一実施例を図を
もとに説明する。図1はこの発明の一実施例による光デ
ィスクを示す断面図であり、図において、1は透明プラ
スチック基板、2はSi3 N4 エンハンス層、3は
TbFeCo磁性層、4はSi3 N4 保護層、5は
エポキシ系の樹脂保護層、6は例えばSi3 N4 誘
電体膜であり、基板1の損傷および吸湿防止膜、7は損
傷および吸湿防止膜6を覆うように形成された保護膜で
ある。
【0011】次に製造方法について説明する。透明プラ
スチック基板1の案内溝が形成された面に、Si3 N
4 エンハンス層2、TbFeCo磁性層3、Si3 
N4 保護層4をこの順に、マグネトロンスパッタ法に
より成膜し、これらの層を覆うようにエポキシ系の樹脂
保護層5をスピンコートにより形成した。次に、記録膜
3と反対側の基板面の記録膜3が形成された領域より広
い領域に、Si3 N4 誘電体よりなる損傷および吸
湿防止膜6を2100オングストローム形成した。
【0012】このようにして得られた光ディスクについ
て、波長830nmのレーザー光にて、記録再生特性を
調べたところ、Si3 N4 誘電体よりなる損傷およ
び吸湿防止膜6が形成されていないディスクとほぼ同様
の記録再生特性が得られた。これは一般に表面反射率を
最小にする条件
【0013】膜厚t=λ/2n×m
【0014】(λ:波長、n:屈折率:m:整数)
【0
015】の関係にてm=1とした場合に相当する。
【0016】次に、Si3 N4 誘電体よりなる損傷
および吸湿防止膜6の全面を覆うように保護膜7として
紫外線硬化樹脂をスピンコートにより形成した後、紫外
線照射装置により硬化させた。
【0017】なお、保護膜7としては屈折率が基板1に
用いたポリカーボネートと同等のものが好ましいが紫外
線硬化樹脂以外にもエポキシ樹脂などの熱硬化樹脂を用
いることもできる。
【0018】このディスクを、80℃90%RHに10
00時間投入したところ、Si3 N4 誘電体損傷お
よび吸湿防止膜6に剥離は見られず、良好な信頼性を示
した。
【0019】実施例2.Si3 N4 誘電体損傷およ
び吸湿防止膜6の代わりに屈折率約1.6のAl2O3
 膜2600オングストロームを用いた以外、実施例1
と同様にしたディスクを、80℃90%RHに1000
時間投入したところ、Al2 O3 膜6に剥離は見ら
れず、良好な信頼性を示した。
【0020】実施例3.Si3 N4 誘電体損傷およ
び吸湿防止膜6の代わりに屈折率約1.7のSiO膜2
500オングストロームを用いた以外、実施例1と同様
にしたディスクを、80℃90%RHに1000時間投
入したところ、SiO膜6に剥離は見られず、良好な信
頼性を示した。
【0021】実施例4.Si3 N4 誘電体損傷およ
び吸湿防止膜6の代わりに屈折率約1.5のSiO2 
膜2800オングストロームを用いた以外、実施例1と
同様にしたディスクを、80℃90%RHに1000時
間投入したところ、SiO2 膜6に剥離は見られず、
良好な信頼性を示した。
【0022】実施例5.Si3 N4 誘電体損傷およ
び吸湿防止膜6の代わりに屈折率約1.6のSiON膜
2600オングストロームを用いた以外、実施例1と同
様にしたディスクを、80℃90%RHに1000時間
投入したところ、SiON膜6に剥離は見られず、良好
な信頼性を示した。
【0023】実施例6.Si3 N4 誘電体損傷およ
び吸湿防止膜6の代わりに屈折率約2.1のTa2O5
 膜2000オングストロームを用いた以外、実施例1
と同様にしたディスクを、80℃90%RHに1000
時間投入したところ、Ta2 O5 膜に剥離は見られ
ず、良好な信頼性を示した。
【0024】実施例7.Si3 N4 誘電体損傷およ
び吸湿防止膜6の代わりに屈折率約1.8のAlN膜2
300オングストロームを用いた以外、実施例1と同様
にしたディスクを、80℃90%RHに1000時間投
入したところ、AlN膜6に剥離は見られず、良好な信
頼性を示した。
【0025】実施例8.Si3 N4 誘電体損傷およ
び吸湿防止膜6の代わりに屈折率約2.1のAlSiN
膜2000オングストロームを用いた以外、実施例1と
同様にしたディスクを、80℃90%RHに1000時
間投入したところ、AlSiN膜6に剥離は見られず、
良好な信頼性を示した。
【0026】実施例9.Si3 N4 誘電体損傷およ
び吸湿防止膜6の代わりに屈折率約2.0のSiAlO
N膜2100オングストロームを用いた以外、実施例1
と同様にしたディスクを、80℃90%RHに1000
時間投入したところ、SiAlON膜6に剥離は見られ
ず、良好な信頼性を示した。
【0027】実施例10.Si3 N4 誘電体損傷お
よび吸湿防止膜6の代わりに屈折率約2.3のZnS膜
1800オングストロームを用いた以外、実施例1と同
様にしたディスクを、80℃90%RHに1000時間
投入したところ、ZnS膜6に剥離は見られず、良好な
信頼性を示した。
【0028】実施例11.Si3 N4 誘電体損傷お
よび吸湿防止膜6の代わりに屈折率約2.0のZnSー
SiO2 膜2100オングストロームを用いた以外、
実施例1と同様にしたディスクを、80℃90%RHに
1000時間投入したところ、ZnSーSiO2膜6に
剥離は見られず、良好な信頼性を示した。
【0029】実施例12.Si3 N4 誘電体損傷お
よび吸湿防止膜6の代わりに屈折率約2.0のZnSe
ーSiO2 膜2100オングストロームを用いた以外
、実施例1と同様にしたディスクを、80℃90%RH
に1000時間投入したところ、ZnSeーSiO2 
膜6に剥離は見られず、良好な信頼性を示した。
【0030】実施例13.Si3 N4 誘電体損傷お
よび吸湿防止膜6の代わりに屈折率約2.1のAlGe
N膜2000オングストロームを用いた以外、実施例1
と同様にしたディスクを、80℃90%RHに1000
時間投入したところ、AlGeN膜6に剥離は見られず
、良好な信頼性を示した。
【0031】なお、上記実施例ではTbFeCo磁性層
3の両側にSi3N4 エンハンス層2とSi3 N4
 保護層4が設けられている場合について説明したが、
磁性層のみの場合にも上記実施例と同様の効果が得られ
るのは明白である。
【0032】実施例14.図2はこの発明の他の実施例
による光ディスクの片側断面を示している。この例では
、防止膜6は基板1の記録膜3と反対側の面で記録再生
に利用する領域に相対する領域よりも広く形成されてお
り、保護膜7は記録再生に利用しない領域に相対する領
域で防止膜6の境界を被覆するように形成されている。 このため、特に剥離し易い防止膜6の境界を記録再生に
影響のないように、保護膜7で保護することが可能であ
る。
【0033】次に製造方法について説明する。まず、直
径90mmの透明プラスチック基板1の案内溝が形成さ
れた面に、Si3 N4 エンハンス層2、TbFeC
o磁性層3、およびSi3 N4 保護層4をこの順に
、マグネトロンスパッタ法により、半径18mm〜43
mmの領域に成膜し、これらの層を覆うようにエポキシ
系の樹脂保護層5をスピンコートにより形成した。この
うち、情報の記録再生に利用する領域は半径23mm〜
40mmである。次に、記録膜3と反対側の基板面の半
径18mm〜43mmの領域に、Si3 N4 誘電体
よりなる損傷および吸湿防止膜6を2100オングスト
ローム形成した。
【0034】このようにして得られた光ディスクについ
て、波長830nmのレーザー光にて、記録再生特性を
調べたところ、Si3 N4 誘電体よりなる損傷およ
び吸湿防止膜6が形成されていないディスクとほぼ同様
の記録再生特性が得られた。これは一般に表面反射率を
最小にする条件
【0035】膜厚t=λ/2n×m
【0036】(λ:波長、n:屈折率:m:整数)
【0
037】の関係にてm=1とした場合に相当する。
【0038】次に、Si3 N4 誘電体よりなる損傷
および吸湿防止膜6の境界を被覆するように半径15m
m〜22mmと41mm〜44mmの円環状に、あらか
じめこの形に切り抜いた圧着性接着剤のついたフィルム
をはりつけ保護膜7とした。
【0039】このディスクを、80℃90%RHに10
00時間投入したところ、Si3 N4 誘電体よりな
る損傷および吸湿防止膜6に剥離は見られず、良好な信
頼性を示した。
【0040】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、透明プ
ラスチック基板の一面に形成され光によって情報を記録
再生する記録膜、上記透明プラスチック基板の上記記録
膜と反対側の面に形成され上記基板の反りを防止する膜
、および上記損傷および吸湿防止膜を覆うように形成さ
れた保護膜を備えたので、上記損傷および吸湿防止膜の
剥離を防止することで長期信頼性が得られる効果がある
【0041】また、本発明の別の発明によれば、透明プ
ラスチック基板の一面に形成され光によって情報を記録
再生する記録膜、上記透明プラスチック基板の上記記録
膜と反対側の面で記録再生に利用する領域に相対する領
域よりも広く形成され上記基板の損傷および吸湿を防止
する膜、並びに上記記録再生に利用しない領域に相対す
る領域で上記防止膜の境界を被覆する保護膜を備えたの
で、特に剥離し易い防止膜の境界を記録再生に影響のな
いように、保護膜で保護することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による光ディスクを示す断
面図である。
【図2】この発明の他の実施例による光ディスクを示す
断面図である。
【図3】従来の光ディスクを示す断面図である。
【符号の説明】
1  透明プラスチック基板 3  記録膜 6  損傷および吸湿防止膜 7  保護膜

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  透明プラスチック基板の一面に形成さ
    れ光によって情報を記録再生する記録膜、上記透明プラ
    スチック基板の上記記録膜と反対側の面に形成され上記
    基板の損傷および吸湿を防止する膜、並びに上記防止膜
    を覆うように形成される保護膜を備えた光ディスク。
  2. 【請求項2】  透明プラスチック基板の一面に形成さ
    れ光によって情報を記録再生する記録膜、上記透明プラ
    スチック基板の上記記録膜と反対側の面で記録再生に利
    用する領域に相対する領域よりも広く形成され上記基板
    の損傷および吸湿を防止する膜、並びに記録再生に利用
    しない領域に相対する領域で上記防止膜の境界を被覆す
    る保護膜を備えた光ディスク。
JP7978391A 1990-08-29 1991-04-12 光ディスク Pending JPH04219645A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7978391A JPH04219645A (ja) 1990-08-29 1991-04-12 光ディスク

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23197490 1990-08-29
JP2-231974 1990-08-29
JP2-245020 1990-09-13
JP24502090 1990-09-13
JP2-315182 1990-11-19
JP31518290 1990-11-19
JP7978391A JPH04219645A (ja) 1990-08-29 1991-04-12 光ディスク

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JP7978391A Pending JPH04219645A (ja) 1990-08-29 1991-04-12 光ディスク

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