JPH04228500A - 窒化硼素ボート及びその製造法 - Google Patents
窒化硼素ボート及びその製造法Info
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- JPH04228500A JPH04228500A JP3124492A JP12449291A JPH04228500A JP H04228500 A JPH04228500 A JP H04228500A JP 3124492 A JP3124492 A JP 3124492A JP 12449291 A JP12449291 A JP 12449291A JP H04228500 A JPH04228500 A JP H04228500A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ひ化ガリウム（Ｇａ
Ａｓ）結晶のような半導体結晶の成長やドーピンッグに
使用するのに理想的に好適ならしめる実質上均一な隆起
したこぶを持つキャビテイを有する改良窒化硼素ボート
に関する。
Ａｓ）結晶のような半導体結晶の成長やドーピンッグに
使用するのに理想的に好適ならしめる実質上均一な隆起
したこぶを持つキャビテイを有する改良窒化硼素ボート
に関する。
【０００２】
【従来の技術】熱分解窒化硼素（ＰＢＮ）の構造、物理
的性質、純度及び化学的不活性は、そのものを半導体結
晶の元素精製、配合及び成長に魅力的な容器材料にして
いる。そのような例には、ＧａＡｓやその他のＩＩＩ
〜Ｖ及びＩＩ〜ＶＩ 化合物短結晶の液体封入チョコラ
ルスキー法（ＬＥＣ）及び垂直勾配凍結（ＶＧＦ）成長
のための容器並びに分子ビームエピタキシー（ＭＢＥ）
による高温及び超高真空での金属及びドープ剤を蒸着さ
せるためのターゲット容器が含まれる。最近、熱分解窒
化硼素が液体封入垂直ゾーンメルテイング法によるＧａ
Ａｓ結晶の成長用の容器として使用されている。グラフ
ァイト表面部品を熱分解窒化硼素で被覆した液体封入チ
ョコラルスキー炉では極めて低い炭素含有量のＧａＡｓ
結晶が製造された。
的性質、純度及び化学的不活性は、そのものを半導体結
晶の元素精製、配合及び成長に魅力的な容器材料にして
いる。そのような例には、ＧａＡｓやその他のＩＩＩ
〜Ｖ及びＩＩ〜ＶＩ 化合物短結晶の液体封入チョコラ
ルスキー法（ＬＥＣ）及び垂直勾配凍結（ＶＧＦ）成長
のための容器並びに分子ビームエピタキシー（ＭＢＥ）
による高温及び超高真空での金属及びドープ剤を蒸着さ
せるためのターゲット容器が含まれる。最近、熱分解窒
化硼素が液体封入垂直ゾーンメルテイング法によるＧａ
Ａｓ結晶の成長用の容器として使用されている。グラフ
ァイト表面部品を熱分解窒化硼素で被覆した液体封入チ
ョコラルスキー炉では極めて低い炭素含有量のＧａＡｓ
結晶が製造された。
【０００３】熱分解窒化硼素は、米国特許第３，１５２
，００６号に開示された方法のような各種の方法により
製造することができる。この米国特許の方法では、熱分
解窒化硼素は、アンモニウムと三塩化硼素のようなハロ
ゲン化硼素との気相反応により製造される。この方法で
生成する窒化硼素をグラファイトマンドレルのような適
当なマンドレル上に蒸着させることによって、広範囲に
及ぶ各種の形状を製造することができる。この方法によ
り、溶融元素又は化合物で濡れる平滑表面を持つ熱分解
窒化硼素のボートが製造された。ここで、用語「濡れる
」とは、本明細書で使用するときは、表面上での溶融物
質の粘着及び（又は）付着をもたらす溶融物質とボート
表面との間の物理的表面反応を意味する。濡れは溶融物
質（例えば、元素又は化合物）の固化中に内部応力を生
じ、その結果として不完全な製品が生じるかも知れない
。例えば、平滑表面のボートで単結晶を製造するときは
、溶融物質による壁の濡れは固化中に内部応力を生じさ
せる恐れがあり、これが不完全な結晶の生成、即ち多結
晶又は双晶を生じさせることになる。
，００６号に開示された方法のような各種の方法により
製造することができる。この米国特許の方法では、熱分
解窒化硼素は、アンモニウムと三塩化硼素のようなハロ
ゲン化硼素との気相反応により製造される。この方法で
生成する窒化硼素をグラファイトマンドレルのような適
当なマンドレル上に蒸着させることによって、広範囲に
及ぶ各種の形状を製造することができる。この方法によ
り、溶融元素又は化合物で濡れる平滑表面を持つ熱分解
窒化硼素のボートが製造された。ここで、用語「濡れる
」とは、本明細書で使用するときは、表面上での溶融物
質の粘着及び（又は）付着をもたらす溶融物質とボート
表面との間の物理的表面反応を意味する。濡れは溶融物
質（例えば、元素又は化合物）の固化中に内部応力を生
じ、その結果として不完全な製品が生じるかも知れない
。例えば、平滑表面のボートで単結晶を製造するときは
、溶融物質による壁の濡れは固化中に内部応力を生じさ
せる恐れがあり、これが不完全な結晶の生成、即ち多結
晶又は双晶を生じさせることになる。
【０００４】大抵のひ化ガリウム単結晶は、水平石英ボ
ートで成長せしめられる。この物質は、その低い電気抵
抗及び高い結晶完成度を特徴とする。低い電気抵抗は、
一般に、石英ボートからの珪素汚染（自働ドーピング）
の結果である。自働ドーピングの程度は、一般に、ボー
トの長さに沿って均一ではなく、種晶の終端で最低レベ
ルにある。この石英ボートからの珪素の自働ドーピング
は、製造された結晶を高い電気抵抗を要求しない用途、
例えば発光ダイオードに限定させることになる。文献に
は、単結晶を成長させる石英ボートのキャビテイの表面
をサンドブラストすることによって双晶を減少させ得る
ことが開示されている。
ートで成長せしめられる。この物質は、その低い電気抵
抗及び高い結晶完成度を特徴とする。低い電気抵抗は、
一般に、石英ボートからの珪素汚染（自働ドーピング）
の結果である。自働ドーピングの程度は、一般に、ボー
トの長さに沿って均一ではなく、種晶の終端で最低レベ
ルにある。この石英ボートからの珪素の自働ドーピング
は、製造された結晶を高い電気抵抗を要求しない用途、
例えば発光ダイオードに限定させることになる。文献に
は、単結晶を成長させる石英ボートのキャビテイの表面
をサンドブラストすることによって双晶を減少させ得る
ことが開示されている。
【０００５】珪素の自働ドーピングを除去することは、
これらの結晶の電気的性質の均一性を向上させ、またそ
れらの用途を高い電気抵抗を要求する用途、例えば集積
回路に拡大させるであろう。熱分解窒化硼素ボートは、
珪素汚染が有効に除かれたドーピングしてない高抵抗ひ
化ガリウム結晶を製造するために使用されたが、しかし
ながら単結晶成長の形成はひ化ガリウム溶融物と熱分解
窒化硼素ボートの表面との間の表面反応（濡れ）のため
に妨害された。この界面の問題は、熱分解窒化硼素構造
の積層性のために熱分解窒化硼素ボートをサンドブラス
トすることによっては克服することはできない。熱分解
窒化硼素の単層の厚さは、一般に、薄過ぎる（約０．５
ミル）ので単層全体が除かれ且つ新しい平滑な単層が露
出する前に十分な表面粗さを生じさせることはできない
。
これらの結晶の電気的性質の均一性を向上させ、またそ
れらの用途を高い電気抵抗を要求する用途、例えば集積
回路に拡大させるであろう。熱分解窒化硼素ボートは、
珪素汚染が有効に除かれたドーピングしてない高抵抗ひ
化ガリウム結晶を製造するために使用されたが、しかし
ながら単結晶成長の形成はひ化ガリウム溶融物と熱分解
窒化硼素ボートの表面との間の表面反応（濡れ）のため
に妨害された。この界面の問題は、熱分解窒化硼素構造
の積層性のために熱分解窒化硼素ボートをサンドブラス
トすることによっては克服することはできない。熱分解
窒化硼素の単層の厚さは、一般に、薄過ぎる（約０．５
ミル）ので単層全体が除かれ且つ新しい平滑な単層が露
出する前に十分な表面粗さを生じさせることはできない
。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、単結晶物質の成長に使用するのに理想的に適してい
るこぶ状表面を持つキャビテイを有する熱分解窒化硼素
ボートの製造方法を提供することである。本発明の他の
目的は、ひ化ガリウムの成長に理想的に適しているこぶ
状表面を持つキャビテイを有する熱分解窒化硼素ボート
の製造方法を提供することである。本発明のさらに他の
目的は、ひ化ガリウムの成長に理想的に適しているこぶ
状表面を持つキャビテイを有する熱分解窒化硼素ボート
を提供することである。前記の目的及び他の目的は、以
下の説明及び添付の図面からさらに明らかとなろう。
は、単結晶物質の成長に使用するのに理想的に適してい
るこぶ状表面を持つキャビテイを有する熱分解窒化硼素
ボートの製造方法を提供することである。本発明の他の
目的は、ひ化ガリウムの成長に理想的に適しているこぶ
状表面を持つキャビテイを有する熱分解窒化硼素ボート
の製造方法を提供することである。本発明のさらに他の
目的は、ひ化ガリウムの成長に理想的に適しているこぶ
状表面を持つキャビテイを有する熱分解窒化硼素ボート
を提供することである。前記の目的及び他の目的は、以
下の説明及び添付の図面からさらに明らかとなろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも一
部分に隆起したこぶが実質上均一に分布しているキャビ
テイを持つ窒化硼素ボートの製造方法であって、（ａ）
製造すべき所望のボートの形状を有するマンドレルを用
意し、このボートのキャビテイに対応する該マンドレル
の少なくとも一部分を処理して該マンドレルの少なくと
も一部分に隆起したこぶの実質上均一な分布を生じさせ
、この際該こぶは少なくとも１ミルの平均高さを有する
ものとし、 （ｂ）工程（ａ）のマンドレル上に所望の厚さの窒化硼
素が蒸着されるまで該マンドレル上に窒化硼素を蒸着さ
せ、該マンドレルから窒化硼素ボートを取り出し、少な
くとも１ミルの平均高さを有する隆起したこぶの実質上
均一な分布を持つキャビテイを有するボートを得ること
からなる窒化硼素ボートの製造方法に関する。
部分に隆起したこぶが実質上均一に分布しているキャビ
テイを持つ窒化硼素ボートの製造方法であって、（ａ）
製造すべき所望のボートの形状を有するマンドレルを用
意し、このボートのキャビテイに対応する該マンドレル
の少なくとも一部分を処理して該マンドレルの少なくと
も一部分に隆起したこぶの実質上均一な分布を生じさせ
、この際該こぶは少なくとも１ミルの平均高さを有する
ものとし、 （ｂ）工程（ａ）のマンドレル上に所望の厚さの窒化硼
素が蒸着されるまで該マンドレル上に窒化硼素を蒸着さ
せ、該マンドレルから窒化硼素ボートを取り出し、少な
くとも１ミルの平均高さを有する隆起したこぶの実質上
均一な分布を持つキャビテイを有するボートを得ること
からなる窒化硼素ボートの製造方法に関する。
【０００８】
【発明の具体的な説明】本発明によれば、窒化硼素は、
アンモニアとハロゲン化硼素を気相で約１４５０℃〜約
２３００℃の温度で５０ｍｍＨｇ（絶対）以下、好まし
くは１ｍｍＨｇ以下の圧力下に反応させることによって
蒸着させることができた。一般に、蒸着された窒化硼素
は積層構造を有し、結晶基礎面の積み重ねである単層は
厚さが約０．５〜１．５ミルの間、代表的には約０．５
ミルの厚さである。ボートの表面上の隆起したこぶの高
さは、好ましくは、蒸着された窒化硼素の個々の単層の
厚さよりも高い。
アンモニアとハロゲン化硼素を気相で約１４５０℃〜約
２３００℃の温度で５０ｍｍＨｇ（絶対）以下、好まし
くは１ｍｍＨｇ以下の圧力下に反応させることによって
蒸着させることができた。一般に、蒸着された窒化硼素
は積層構造を有し、結晶基礎面の積み重ねである単層は
厚さが約０．５〜１．５ミルの間、代表的には約０．５
ミルの厚さである。ボートの表面上の隆起したこぶの高
さは、好ましくは、蒸着された窒化硼素の個々の単層の
厚さよりも高い。
【０００９】用語「ボート」とは、本明細書で使用する
ときは、短結晶の成長の分野で使用できる坩堝又は任意
のその他の容器を意味する。
ときは、短結晶の成長の分野で使用できる坩堝又は任意
のその他の容器を意味する。
【００１０】用語「隆起したこぶ」とは、本明細書使用
するときは、表面の最低面よりも上に隆起している複数
の均一な又は不均一な起伏又は畝を有するしぼ付き表面
を意味する。これらの起伏は少なくとも１ミルの高さ、
好ましくは約１．５〜３ミルの高さを有するべきである
。好ましくは、隆起したこぶ又は起伏の高さは、蒸着し
た熱分解窒化硼素の単層の厚さよりも少なくとも２倍大
きくなければならない。上述したように、こぶ状表面を
与えるためにサンドブラスト技術を使用できるが、熱分
解窒化硼素は平滑な薄い単層からなる薄層構造を有し、
従ってサンドブラスト法は本質上単層だけを除去して平
滑な表面である下の単層を露出させるであろう。この問
題を克服するために、こぶ状の表面を持つマンドレルが
使用され、しかしてこのマンドレルの表面上に熱分解窒
化硼素が蒸着されると各単層はこぶ状表面の輪郭に従う
ことになる。この結果として、それぞれがこぶ状輪郭を
有する薄い単層からなるキャビテイを有するボートが得
られる。しかして、熱分解窒化硼素の単層が除去されて
も、同じこぶ状又はしぼ付き表面が露出した新たな単層
に存在し、これによって熱分解窒化硼素の多数回使用が
可能となる。一般に、慣用の石英ボートは、軟化、変形
、粘着、ガラス化又は亀裂のために１回の結晶成長サイ
クルに限定される。本発明の新規な熱分解窒化硼素ボー
トは、耐粘着性であり且つ非粘着性を有するこぶ状表面
を持つキャビテイを有する。本発明の新規な熱分解窒化
硼素ボートは各単層がこぶ状輪郭を有する複数の単層か
らなっているので、頂部の単層の摩損は類似のこぶ状表
面を有する単層を露出させ、しかしてボートのこぶ状表
面特性を破壊することなくボートを再使用するのに好適
ならしめる。さらに、本発明の熱分解窒化硼素ボートは
下記の利点を有するものと思われる。 １）こぶ状表面でない熱分解窒化硼素ボートよりも高い
収率で短結晶の成長を可能にする。 ２）石英ボートの使用と比較して製造コストを削減させ
る。 ３）ドープしてない半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造を低
欠陥密度でもって可能にする。 ４）より均一にドープされた半導性ＧａＡｓ結晶の製造
を低欠陥密度でもって可能にする。
するときは、表面の最低面よりも上に隆起している複数
の均一な又は不均一な起伏又は畝を有するしぼ付き表面
を意味する。これらの起伏は少なくとも１ミルの高さ、
好ましくは約１．５〜３ミルの高さを有するべきである
。好ましくは、隆起したこぶ又は起伏の高さは、蒸着し
た熱分解窒化硼素の単層の厚さよりも少なくとも２倍大
きくなければならない。上述したように、こぶ状表面を
与えるためにサンドブラスト技術を使用できるが、熱分
解窒化硼素は平滑な薄い単層からなる薄層構造を有し、
従ってサンドブラスト法は本質上単層だけを除去して平
滑な表面である下の単層を露出させるであろう。この問
題を克服するために、こぶ状の表面を持つマンドレルが
使用され、しかしてこのマンドレルの表面上に熱分解窒
化硼素が蒸着されると各単層はこぶ状表面の輪郭に従う
ことになる。この結果として、それぞれがこぶ状輪郭を
有する薄い単層からなるキャビテイを有するボートが得
られる。しかして、熱分解窒化硼素の単層が除去されて
も、同じこぶ状又はしぼ付き表面が露出した新たな単層
に存在し、これによって熱分解窒化硼素の多数回使用が
可能となる。一般に、慣用の石英ボートは、軟化、変形
、粘着、ガラス化又は亀裂のために１回の結晶成長サイ
クルに限定される。本発明の新規な熱分解窒化硼素ボー
トは、耐粘着性であり且つ非粘着性を有するこぶ状表面
を持つキャビテイを有する。本発明の新規な熱分解窒化
硼素ボートは各単層がこぶ状輪郭を有する複数の単層か
らなっているので、頂部の単層の摩損は類似のこぶ状表
面を有する単層を露出させ、しかしてボートのこぶ状表
面特性を破壊することなくボートを再使用するのに好適
ならしめる。さらに、本発明の熱分解窒化硼素ボートは
下記の利点を有するものと思われる。 １）こぶ状表面でない熱分解窒化硼素ボートよりも高い
収率で短結晶の成長を可能にする。 ２）石英ボートの使用と比較して製造コストを削減させ
る。 ３）ドープしてない半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造を低
欠陥密度でもって可能にする。 ４）より均一にドープされた半導性ＧａＡｓ結晶の製造
を低欠陥密度でもって可能にする。
【００１１】こぶ状表面を持つマンドレル（好ましくは
グラファイト製）は、サンドブラスト、機械加工、凹凸
形成により又は荒い若しくは多孔質グラファイトでマン
ドレルを作成することによって製作することができる。 少なくとも、ボートのキャビテイに対応するマンドレル
の表面は、こぶ状表面を有するように処理され又は作成
される。
グラファイト製）は、サンドブラスト、機械加工、凹凸
形成により又は荒い若しくは多孔質グラファイトでマン
ドレルを作成することによって製作することができる。 少なくとも、ボートのキャビテイに対応するマンドレル
の表面は、こぶ状表面を有するように処理され又は作成
される。
【００１２】本発明のボートを製造するためには、窒化
硼素が所望のボートと同じ形状を有するマンドレル上に
蒸着され、従ってボートのキャビテイに対応するマンド
レルの表面はこぶ状表面を有しなければならない。もち
ろん、使用されるマンドレルは、窒化硼素が適用される
温度で溶融せず且つそのような温度でハロゲン化硼素及
びアンモニアに対して不活性であるものでなければなら
ない。一般的にいえば、使用されるマンドレルはグラフ
ァイト製である。典型的には、その上に窒化硼素ボート
を形成しようとするマンドレルは、蒸着炉内に取り付け
られ、この炉を所望温度に加熱した後、アンモニア及び
ハロゲン化硼素、一般に三塩化硼素が反応器に導入され
る。アンモニアとハロゲン化硼素との反応及びこの反応
により生じる窒化硼素の蒸着は、典型的には、約１４５
０〜約２３００℃の温度で実施され、これに応じて反応
器はこの範囲内に維持される。好ましくは、反応器の温
度は約１８５０〜１９５０℃の間に維持される。
硼素が所望のボートと同じ形状を有するマンドレル上に
蒸着され、従ってボートのキャビテイに対応するマンド
レルの表面はこぶ状表面を有しなければならない。もち
ろん、使用されるマンドレルは、窒化硼素が適用される
温度で溶融せず且つそのような温度でハロゲン化硼素及
びアンモニアに対して不活性であるものでなければなら
ない。一般的にいえば、使用されるマンドレルはグラフ
ァイト製である。典型的には、その上に窒化硼素ボート
を形成しようとするマンドレルは、蒸着炉内に取り付け
られ、この炉を所望温度に加熱した後、アンモニア及び
ハロゲン化硼素、一般に三塩化硼素が反応器に導入され
る。アンモニアとハロゲン化硼素との反応及びこの反応
により生じる窒化硼素の蒸着は、典型的には、約１４５
０〜約２３００℃の温度で実施され、これに応じて反応
器はこの範囲内に維持される。好ましくは、反応器の温
度は約１８５０〜１９５０℃の間に維持される。
【００１３】反応体は気相で反応器に導入される。一般
に、１モルのハロゲン化硼素に対して少なくとも１モル
のアンモニアが使用され、過剰のアンモニアが好ましい
。最も好ましくは、１モルのハロゲン化硼素に対して２
．５〜３．５モルのアンモニアが使用されるが、所望な
らばこれよりも過剰量のアンモニアを使用することがで
きる。反応器への反応体の流量は、反応器の特別の設計
並びに窒化硼素を蒸着させるマンドレルの寸法及び形状
に依存する。炉の容積１．５〜２．５ｍ３ 当たり約０
．２標準ｍ３ ／ｈｒ〜約０．３標準ｍ３ ／ｈｒのア
ンモニアの流量並びに約０．０６標準ｍ３／ｈｒ〜約０
．１標準ｍ３ ／ｈｒのハロゲン化硼素の流量が好適で
ある。所望ならば、反応体ガスに不活性ガスを混合する
ことができる。
に、１モルのハロゲン化硼素に対して少なくとも１モル
のアンモニアが使用され、過剰のアンモニアが好ましい
。最も好ましくは、１モルのハロゲン化硼素に対して２
．５〜３．５モルのアンモニアが使用されるが、所望な
らばこれよりも過剰量のアンモニアを使用することがで
きる。反応器への反応体の流量は、反応器の特別の設計
並びに窒化硼素を蒸着させるマンドレルの寸法及び形状
に依存する。炉の容積１．５〜２．５ｍ３ 当たり約０
．２標準ｍ３ ／ｈｒ〜約０．３標準ｍ３ ／ｈｒのア
ンモニアの流量並びに約０．０６標準ｍ３／ｈｒ〜約０
．１標準ｍ３ ／ｈｒのハロゲン化硼素の流量が好適で
ある。所望ならば、反応体ガスに不活性ガスを混合する
ことができる。
【００１４】適当な時間の後、即ち所望量の窒化硼素が
マンドレル上に蒸着された後、反応器への反応体の流れ
は中断され、反応器は室温まで冷却される。次いで、マ
ンドレルから熱分解窒化硼素ボートを取り出し、必要な
らあば所望の長さに切断し、洗浄することができる。
マンドレル上に蒸着された後、反応器への反応体の流れ
は中断され、反応器は室温まで冷却される。次いで、マ
ンドレルから熱分解窒化硼素ボートを取り出し、必要な
らあば所望の長さに切断し、洗浄することができる。
【００１５】図１は、単結晶を成長させるための本発明
のボートの等角投影図である。 図２は、図１を線Ａ−Ａで切った拡大横断面図であって
熱分解窒化硼素材料の積層構造を示すものである。 図３は、図２の熱分解窒化硼素の積層構造の部分拡大図
である。 図４は、周知の熱分解窒化硼素ボートの拡大横断面図で
あって熱分解窒化硼素の積層構造を示すものである。
のボートの等角投影図である。 図２は、図１を線Ａ−Ａで切った拡大横断面図であって
熱分解窒化硼素材料の積層構造を示すものである。 図３は、図２の熱分解窒化硼素の積層構造の部分拡大図
である。 図４は、周知の熱分解窒化硼素ボートの拡大横断面図で
あって熱分解窒化硼素の積層構造を示すものである。
【００１６】図１は、キャビテイ４と立ち上がり壁部６
を有する熱分解窒化硼素ボート２を示す。キャビテイ４
の内部表面８は、該キャビテイ４において結晶溶融物が
その表面を濡らす傾向を減少させるとともに固化中の結
晶溶融物に応力を生じさせる引きずり抵抗を減少させる
こぶ状表面を有する。こぶ状表面を持つ熱分解窒化硼素
の使用は単結晶の収率を向上させる。図２は、熱分解窒
化硼素の積層構造を示すために拡大した図１の熱分解窒
化硼素ボート２の横断面図である。具体的にいえば、熱
分解窒化硼素ボート２は、それぞれがこぶ状表面１２を
有する複数の単層１０からなる。この積層構造は、ボー
ト２のキャビテイ４に対応する領域の少なくとも一部分
にこぶ状表面を有するマンドレル上に熱分解窒化硼素を
蒸着させることによって形成される。図３に示されるよ
うに、隆起したこぶ３は、破線により示されるように最
低点５の面から隆起したこぶ３の頂部まで測られる高さ
Ｄを有する。こぶの高さは、好ましくは、蒸着された熱
分解窒化硼素積層構造の個々の単層の高さよりも高くな
ければならず、最も好ましくは個々の単層の厚さの２倍
以上でなければならない。蒸着された熱分解窒化硼素構
造の積層性はマンドレル上に蒸着される個々の薄い単層
をもたらし、そしてこのような全ての単層はマンドレル
のこぶ状表面に対応するこぶ状表面の輪郭を有する。上
述したように、頂部単層の一部分が除去されても、新た
に露出する単層には同じしぼつきの又はこぶ状輪郭が存
在し、これにより、更なる表面調整を要求することなく
熱分解窒化硼素ボートの多数回使用が可能となる。
を有する熱分解窒化硼素ボート２を示す。キャビテイ４
の内部表面８は、該キャビテイ４において結晶溶融物が
その表面を濡らす傾向を減少させるとともに固化中の結
晶溶融物に応力を生じさせる引きずり抵抗を減少させる
こぶ状表面を有する。こぶ状表面を持つ熱分解窒化硼素
の使用は単結晶の収率を向上させる。図２は、熱分解窒
化硼素の積層構造を示すために拡大した図１の熱分解窒
化硼素ボート２の横断面図である。具体的にいえば、熱
分解窒化硼素ボート２は、それぞれがこぶ状表面１２を
有する複数の単層１０からなる。この積層構造は、ボー
ト２のキャビテイ４に対応する領域の少なくとも一部分
にこぶ状表面を有するマンドレル上に熱分解窒化硼素を
蒸着させることによって形成される。図３に示されるよ
うに、隆起したこぶ３は、破線により示されるように最
低点５の面から隆起したこぶ３の頂部まで測られる高さ
Ｄを有する。こぶの高さは、好ましくは、蒸着された熱
分解窒化硼素積層構造の個々の単層の高さよりも高くな
ければならず、最も好ましくは個々の単層の厚さの２倍
以上でなければならない。蒸着された熱分解窒化硼素構
造の積層性はマンドレル上に蒸着される個々の薄い単層
をもたらし、そしてこのような全ての単層はマンドレル
のこぶ状表面に対応するこぶ状表面の輪郭を有する。上
述したように、頂部単層の一部分が除去されても、新た
に露出する単層には同じしぼつきの又はこぶ状輪郭が存
在し、これにより、更なる表面調整を要求することなく
熱分解窒化硼素ボートの多数回使用が可能となる。
【００１７】図３は、積層構造からなる周知の熱分解窒
化硼素ボート１４の拡大横断面を示す。この熱分解窒化
硼素ボート１４は、複数の平滑な単層１６からなる。従
来周知の熱分解窒化硼素ボート１４の単層１６は通常約
０．５ミルの厚さである。しかして、従来の熱分解窒化
硼素ボートにサンドブラストによりこぶ状表面を付与す
ることは、有効ではないであろう。なぜならば、この熱
分解窒化硼素の単層はあまりにも薄いので、頂部単層全
体が除去され且つ新らしい平滑な単層が露出する前に十
分な表面荒さを生じさせることができない。これに対し
て、本発明の熱分解窒化硼素ボートは、それぞれがこぶ
状輪郭表面を有する複数の単層からなっている。さらに
、熱分解窒化硼素ボートにサンドブラストをかけると窒
化硼素の蒸着された単層の結晶の側縁面が露出する可能
性があり、これらの側縁面は窒化硼素の蒸着により生じ
る基礎面よりも濡れやすいと思われる。
化硼素ボート１４の拡大横断面を示す。この熱分解窒化
硼素ボート１４は、複数の平滑な単層１６からなる。従
来周知の熱分解窒化硼素ボート１４の単層１６は通常約
０．５ミルの厚さである。しかして、従来の熱分解窒化
硼素ボートにサンドブラストによりこぶ状表面を付与す
ることは、有効ではないであろう。なぜならば、この熱
分解窒化硼素の単層はあまりにも薄いので、頂部単層全
体が除去され且つ新らしい平滑な単層が露出する前に十
分な表面荒さを生じさせることができない。これに対し
て、本発明の熱分解窒化硼素ボートは、それぞれがこぶ
状輪郭表面を有する複数の単層からなっている。さらに
、熱分解窒化硼素ボートにサンドブラストをかけると窒
化硼素の蒸着された単層の結晶の側縁面が露出する可能
性があり、これらの側縁面は窒化硼素の蒸着により生じ
る基礎面よりも濡れやすいと思われる。
【００１８】
【実施例】所望のボートの形状を有するグラファイト製
マンドレルを制作した。このグラファイト製マンドレル
を機械加工した後、６０メッシュ（０．４２ｍｍ）のＡ
ｌ２ Ｏ３ 粒子により２ｋｇ／ｃｍ２ の空気圧でサ
ンドブラストした。グラファイトマンドレルの表面は、
サンドブラスターのノズルから約２０〜２５ｃｍ離して
保持した。マンドレルは０．３３ｍ３ の蒸着炉内に取
りつけた。炉内の圧力は０．５ｍｍＨｇ（絶対）まで減
圧し、温度は１９００℃に昇温した。次いで、ガス状三
塩化硼素とアンモニアを反応器に導入した。反応器への
アンモニアの流量は１．５標準ｍ３ ／ｈｒであり、三
塩化硼素の流量は２．０標準ｍ３ ／ｈｒであった。４
０時間操作した後、アンモニアと三塩化硼素の流れを停
止した。反応器を室温まで冷却した後、多層熱分解窒化
硼素ボートはグラファイトマンドレルから容易に取り出
され、そしてキャビテイ内にこぶ状表面を有した。
マンドレルを制作した。このグラファイト製マンドレル
を機械加工した後、６０メッシュ（０．４２ｍｍ）のＡ
ｌ２ Ｏ３ 粒子により２ｋｇ／ｃｍ２ の空気圧でサ
ンドブラストした。グラファイトマンドレルの表面は、
サンドブラスターのノズルから約２０〜２５ｃｍ離して
保持した。マンドレルは０．３３ｍ３ の蒸着炉内に取
りつけた。炉内の圧力は０．５ｍｍＨｇ（絶対）まで減
圧し、温度は１９００℃に昇温した。次いで、ガス状三
塩化硼素とアンモニアを反応器に導入した。反応器への
アンモニアの流量は１．５標準ｍ３ ／ｈｒであり、三
塩化硼素の流量は２．０標準ｍ３ ／ｈｒであった。４
０時間操作した後、アンモニアと三塩化硼素の流れを停
止した。反応器を室温まで冷却した後、多層熱分解窒化
硼素ボートはグラファイトマンドレルから容易に取り出
され、そしてキャビテイ内にこぶ状表面を有した。
【００１９】
【発明の効果】本発明の熱分解窒化硼素ボートは、周知
の技術を使用するＧａＡｓ単結晶を製造するのに有用で
ある。また、本発明のボートは、従来のこぶ状でない熱
分解窒化硼素ボートよりも高い収率で単結晶の成長を可
能ならしめる。
の技術を使用するＧａＡｓ単結晶を製造するのに有用で
ある。また、本発明のボートは、従来のこぶ状でない熱
分解窒化硼素ボートよりも高い収率で単結晶の成長を可
能ならしめる。
【００２０】本発明を特定の具体例を参照して説明した
が、これらの説明は本発明の範囲を制限するものと解し
てはならない。例えば、本発明のボートはこぶ状表面を
有するように処理されたグラファイト製ボートからなっ
ていてよく、次いでそのグラファイト基材上に熱分解窒
化硼素を蒸着させてキャビテイを画定する領域に少なく
ともこぶ状表面を有する熱分解窒化硼素ボートを生じさ
せることができる。
が、これらの説明は本発明の範囲を制限するものと解し
てはならない。例えば、本発明のボートはこぶ状表面を
有するように処理されたグラファイト製ボートからなっ
ていてよく、次いでそのグラファイト基材上に熱分解窒
化硼素を蒸着させてキャビテイを画定する領域に少なく
ともこぶ状表面を有する熱分解窒化硼素ボートを生じさ
せることができる。
【図１】単結晶を成長させるための本発明のボートの等
角投影図である。
角投影図である。
【図２】図１を線Ａ−Ａで切った拡大横断面図であって
熱分解窒化硼素材料の積層構造を示すものである。
熱分解窒化硼素材料の積層構造を示すものである。
【図３】図２の熱分解窒化硼素の積層構造の部分拡大図
である。
である。
【図４】周知の熱分解窒化硼素ボートの拡大横断面図で
あって熱分解窒化硼素の積層構造を示すものである。
あって熱分解窒化硼素の積層構造を示すものである。
２ 熱分解窒化硼素ボート
３ 隆起したこぶ
４ キャビテイ
６ 壁部
１０ 熱分解窒化硼素の単層
１２ こぶ状表面
Claims (9)
- 【請求項１】 少なくとも一部分に隆起したこぶが実
質上均一に分布しているキャビテイを持つ窒化硼素ボー
トの製造方法であって、 （ａ）製造すべき所望のボートの形状を有するマンドレ
ルを用意し、該マンドレルの少なくとも一部分を処理し
て該マンドレルの少なくとも一部分に隆起したこぶの実
質上均一な分布を生じさせ、 （ｂ）工程（ａ）のマンドレル上に窒化硼素を蒸着させ
、 （ｃ）所望の厚さの窒化硼素がマンドレル上に蒸着され
るまで窒化硼素の蒸着を続け、 （ｄ）該マンドレルから窒化硼素ボートを取り出し、隆
起したこぶの実質上均一な分布を持つキャビテイを有す
るボートを得ることからなる窒化硼素ボートの製造方法
。 - 【請求項２】 工程（ａ）のマンドレル上の隆起した
こぶの平均高さが少なくとも１ミルである請求項１記載
の方法。 - 【請求項３】 窒化硼素が複数の単層からなる積層構
造を有し、隆起したこぶの平均高さが窒化硼素の単層の
厚さの少なくとも２倍である請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 工程（ｂ）において窒化硼素がアンモ
ニアとハロゲン化硼素を気相で約１４５０℃〜約２３０
０℃の温度で約５０ｍｍＨｇ（絶対）以下の圧力下に反
応させることによって蒸着される請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 ハロゲン化硼素が三塩化硼素であり、
マンドレルがグラファイト製である請求項４記載の方法
。 - 【請求項６】 キャビテイを有する熱分解窒化硼素ボ
ートであって、該熱分解窒化硼素が窒化硼素の多層構造
からなり、該キャビテイを画定する窒化硼素の各単層が
こぶ状表面を有する熱分解窒化硼素ボート。 - 【請求項７】 こぶ状表面を有する窒化硼素単層の平
均厚さが約０．５ミルの厚さである請求項６記載の熱分
解窒化硼素ボート。 - 【請求項８】 頂部単層のこぶ状表面が、隆起したこ
ぶの平均高さが窒化硼素上部単層の厚さよりも少なくと
も２倍高い隆起したこぶの実質状均一な分布からなる請
求項６記載の熱分解窒化硼素ボート。 - 【請求項９】 窒化硼素の多層構造がこぶ状表面を有
する基材上に配置され、キャビテイを画定する窒化硼素
の各単層がこぶ状表面を有する請求項６記載の熱分解窒
化硼素ボート。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US516910 | 1990-04-30 | ||
| US07/516,910 US5032366A (en) | 1990-04-30 | 1990-04-30 | Boron nitride boat and process for producing it |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04228500A true JPH04228500A (ja) | 1992-08-18 |
| JP2681551B2 JP2681551B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=24057570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3124492A Expired - Lifetime JP2681551B2 (ja) | 1990-04-30 | 1991-04-30 | 窒化硼素ボート及びその製造法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5032366A (ja) |
| EP (1) | EP0457444B1 (ja) |
| JP (1) | JP2681551B2 (ja) |
| CA (1) | CA2041427C (ja) |
| DE (1) | DE69110197T2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5674317A (en) * | 1992-07-02 | 1997-10-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Vessel made from pyrolytic boron nitride |
| TW230822B (ja) * | 1993-03-02 | 1994-09-21 | Sumitomo Electric Industries | |
| CN1047209C (zh) * | 1994-09-28 | 1999-12-08 | 先进陶瓷公司 | 高密度闪蒸器 |
| US5820681A (en) * | 1995-05-03 | 1998-10-13 | Chorus Corporation | Unibody crucible and effusion cell employing such a crucible |
| US10184168B2 (en) | 2015-01-20 | 2019-01-22 | Kennametal Inc. | IMC evaporator boat-thermal insulation cartridge assembly |
| US20160208373A1 (en) | 2015-01-20 | 2016-07-21 | Kennametal Inc. | Imc evaporator boat assembly |
| DE102019110950A1 (de) | 2019-04-29 | 2020-10-29 | Kennametal Inc. | Hartmetallzusammensetzungen und deren Anwendungen |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6123759A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-02-01 | Showa Denko Kk | 熱分解窒化ホウ素容器 |
| JPS61236683A (ja) * | 1985-04-13 | 1986-10-21 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 単結晶引上げ用るつぼ |
| JPS63107885A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶成長用ボ−ト |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3152006A (en) * | 1961-06-29 | 1964-10-06 | High Temperature Materials Inc | Boron nitride coating and a process of producing the same |
| US3544486A (en) * | 1968-05-23 | 1970-12-01 | Sylvania Electric Prod | Refractory bodies containing aluminum nitride,boron nitride and titanium boride |
| US4142008A (en) * | 1972-03-01 | 1979-02-27 | Avco Corporation | Carbon filament coated with boron and method of making same |
| US3903347A (en) * | 1973-12-26 | 1975-09-02 | United Aircraft Corp | Boron filament having a titanium carbide coated substrate |
| US4264803A (en) * | 1978-01-10 | 1981-04-28 | Union Carbide Corporation | Resistance-heated pyrolytic boron nitride coated graphite boat for metal vaporization |
| FR2532194A1 (fr) * | 1982-08-31 | 1984-03-02 | Comp Generale Electricite | Creuset pour traiter par un flux gazeux un materiau fondu |
| JPS61201607A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-06 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 熱分解窒化ホウ素物品およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-04-30 US US07/516,910 patent/US5032366A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6123759A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-02-01 | Showa Denko Kk | 熱分解窒化ホウ素容器 |
| JPS61236683A (ja) * | 1985-04-13 | 1986-10-21 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 単結晶引上げ用るつぼ |
| JPS63107885A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶成長用ボ−ト |
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