JPH04233516A - アクティブマトリクス液晶表示装置 - Google Patents

アクティブマトリクス液晶表示装置

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JPH04233516A
JPH04233516A JP3178970A JP17897091A JPH04233516A JP H04233516 A JPH04233516 A JP H04233516A JP 3178970 A JP3178970 A JP 3178970A JP 17897091 A JP17897091 A JP 17897091A JP H04233516 A JPH04233516 A JP H04233516A
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JP
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row
crystal display
support plate
display device
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Application number
JP3178970A
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Inventor
John M Shannon
ジョン　マーチン　シャノン
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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    • G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
    • G02F2202/103—Materials and properties semiconductor a-Si
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    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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    • G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、所定間隔の第１及び第
２支持板と、第１支持板上に支持された一組の画素電極
の各々と第２支持板上に支持された対向電極とそれらの
間に介挿された液晶材料とから成る画素の行列アレーと
、ドライバ回路から選択信号が供給される第１支持板上
の一組の行アドレス導体とを具え、第１支持板上の各行
の画素電極は第１支持板上の各別のスイッチング装置を
経て前記一組の行アドレス導体の関連する１つの導体に
接続され、各スイッチング装置は第１支持板上に支持さ
れた遮光体を具えているアクティブマトリクス液晶表示
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】画素のスイッチング装置として薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）を用いる上述した種類のアクティブ
マトリクスアドレス液晶表示装置が公知である。これら
の表示装置ではＴＦＴのゲートをゲート信号が順次供給
される行アドレス導体に接続し、ＴＦＴのソース端子を
同じく第１支持板上にあってデータ信号が供給される一
組の列アドレス導体に接続している。全画素に共通の単
一電極を第２支持板上に設ける。このような表示装置は
モノクロ又はカラービデオ画像、例えばテレビジョン画
像を表示するのに用いることができる。アドレス用ＴＦ
Ｔに用いる半導体材料、特に例えばアモルファスシリコ
ン又はポリシリコン材料の光導電特性はこのトランジス
タのオフ抵抗値に著しい影響を与え、この抵抗値が適度
に高くないと画質の低下を生ずる。光電流により生ずる
表示の劣化は、表示装置を投写表示システムの一部とし
て用いる場合に高い光強度のために特にひどくなる。
【０００３】スイッチング装置を満足に遮光する一つの
共通の方法は各スイッチング装置に対し第１支持板上の
スイッチング装置の構造上を延在する遮光体を設けるも
のであった。光吸収絶縁材料のパッドから成る遮光体を
用いているが、このタイプの遮光体は必ずしも十分に吸
収性でなく、且つ光吸収の結果として熱を発生する。Ｔ
ＦＴの半導体チャネル領域上を介在絶縁層により該領域
から分離して延在させた光反射金属の個別のパッドの形
態の遮光体を設けることも既知である。個別の金属パッ
ドの遮光体はチャネル領域を良好に遮光すると共に熱を
発生しない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この遮光体は
、遮光体に対するＴＦＴのゲートの向きに応じて例えば
ＴＦＴのソース端子とドレイン端子間或はソース又はド
レイン端子とゲート端子間に不所望な寄生容量効果を導
入する欠点を有するため、この遮光体の使用は厳しく制
限される。更に、この遮光体はＴＦＴのゲート端子のよ
うに作用し始めるような電位に浮動し得る。
【０００５】特開昭６３−２７６０３１号にはＴＦＴの
金属パッド遮光体をそのＴＦＴと関連しこれに物理的に
隣接して位置する列導体（ビデオ信号ライン）に電気的
に接続して遮光体が製造中に帯電されて生ずる問題を除
去することが提案されている。これによりこの問題は除
去し得るが、動作中の不所望な容量結合の欠点は特に遮
光体がＴＦＴのチャネル領域のみならずソース及びドレ
イン領域を覆う場合にはそのままである。
【０００６】本発明の目的はスイッチング装置に対し金
属遮光体を用いる改良したアクティブマトリクス液晶表
示装置を提供することにある。
【０００７】本発明の他の目的はアクティブマトリクス
表示装置のスイッチング装置用の遮光体であって寄生容
量の問題を十分に除去した金属から成る遮光体を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は頭書に記載した
種類のアクティブマトリクス液晶表示装置において、各
スイッチング装置の遮光体は当該スイッチング装置が接
続される行アドレス導体の隣りの行アドレス導体に電気
的に接続した金属層で構成したことを特徴とする。スイ
ッチング装置の領域にある遮光体と隣りの行アドレス導
体との間の相互接続は別個に形成した金属層により達成
することができるが、この遮光体はスイッチング装置か
ら隣りの行アドレス導体まで延在する金属層を具えるも
のとするのが好ましい。
【０００９】本発明は、金属遮光層を隣りの行アドレス
導体に接触させれば容量性クロストークの増大を無視す
ることができるという事実を確かめ、斯る認識に基づい
て為したものである。動作中、各行アドレス導体は殆ん
どの時間中所定の電位にある。慣例のＴＦＴマトリクス
アドレス表示装置では、ゲートパルスにより行アドレス
導体と関連するＴＦＴをターンオンさせる極めて短かい
期間中を除いて、ドライバ回路が一定の基準電位（例え
ば大地電位）を行アドレス導体に供給する。この所定の
電位の存在の結果として反射性金属遮光体の利点を維持
したまま不所望な容量結合効果を避けることができる。 更に、遮光体をスイッチング装置の領域の少くとも大部
分、例えばチャネル領域のみならずドレイン接点領域の
少くとも一部分及び場合によってはソース領域の少くと
も一部分を覆うように延在させて既知の絶縁した金属パ
ッド遮光体に通常許されるよりも一層広い遮光作用を例
えばスイッチング装置の横方向に与えることができる。
【００１０】隣りの行アドレス導体の所定の電位を利用
することにより他の重要な利点が生ずる。この遮光体は
容易に設けることができ、僅かな追加の製造処理を必要
とするだけであり、且つスイッチング装置の区域の各遮
光体と隣りの行アドレス導体との間の相互接続の物理的
寸法が最小になり、２個の順次の行アドレス導体間のス
ペース内に設けることができる。従って、これらの相互
接続と行アドレス導体又は列アドレス導体とを非接触ク
ロスオーバさせる必要はない。クロスオーバはよく知ら
れた欠陥の原因であり歩どまりを悪くする。従って追加
のクロスオーバを必要としないことは大きな利点である
。
【００１１】遮光体は前隣りの行アドレス導体に接続す
るのが好ましい。この場合、隣りの行アドレス導体に選
択信号が供給される結果として当該行の画素が受ける表
示の影響は極めて短時間であり、従って知覚し得ない。 その理由は、当該行の画素は前隣りの行アドレス導体へ
の選択信号の供給直後に次の選択信号が当該画素と関連
する行アドレス導体に供給される結果として本来の表示
情報でリフレッシュされるためである。例えば、ゲート
端子がチャネル領域と第１支持板との間に位置する反転
スタガ型アモルファスシリコンＴＦＴを具えるスイッチ
ング装置の場合には遮光体をスイッチング装置の上を延
在させ、スイッチング装置を遮光体と第１支持板との間
に位置させることができる。また、チャネル領域がゲー
ト端子と第１支持板との間に位置する上側ゲートポリシ
リコンＴＦＴを具えるスイッチング装置の場合には遮光
体をスイッチング装置と第１支持板との間に延在させる
ことができる。
【００１２】
【実施例】本発明アクティブマトリクス液晶表示装置の
実施例を図面を参照して説明する。各図は略図であって
正しいスケールで描いていない点に注意されたい。特に
、層の厚さのような所定の寸法は他の寸法より大きく拡
大してある。また、同一の参照符号を全図を通して同一
又は類似の部分を示すのに用いている点に注意されたい
。
【００１３】図１は本発明アクティブマトリクス液晶表
示装置の概略回路図を示し、この装置はビデオ画像を表
示するのに好適であり、ｍ行（１〜ｍ）の各行にｎ個の
水平配列画素１２（１〜ｎ）を具えるｍ行×ｎ列の画素
アレーを有するアクティブマトリクスアドレス液晶表示
パネル１０を具えている。各画素１２は薄膜トランジス
タの形態の各別のスイッチング装置ＴＦＴ１１と関連す
る。同一行内の全画素と関連する全てのＴＦＴ１１のゲ
ート端子を１つの共通の行導体１４に接続し、これら行
導体には動作中スイッチング（ゲート）信号が供給され
る。同様に、同一列内の全画素と関連するＴＦＴのソー
ス端子を１つの共通の列導体１６に接続し、これら列導
体にはデータ（ビデオ）信号が供給される。各ＴＦＴの
ドレイン端子は画素の一部を構成する各別の透明画素電
極２０に接続する。導体１４及び１６、ＴＦＴ１１及び
電極２０は一方の透明支持板上に支持し、一定の間隔で
離間した第２透明支持板上に全画素に共通の電極を支持
する。液晶を両支持板間に介挿する。
【００１４】この表示パネルは慣例の如く動作する。一
方の側に配置された光源からの光がパネルに入射し、画
素１２の透過特性に従って変調される。装置は行導体を
ゲート（選択）信号で順次走査して各行のＴＦＴをター
ンオンさせることにより行単位で駆動し、ゲート信号と
同期してデータ（ビデオ）信号を各行の画素の列導体に
供給して完全な表示画像を形成する。行単位アドレスを
用いると、アドレスされた行の全ＴＦＴ１１がＴＶライ
ン期間Ｔｌ又はそれ以下の期間に対応するゲート信号の
持続時間により決まる期間だけスイッチオンされ、この
期間中にビデオ情報が行導体１６から画素１２に供給さ
れる。ゲート信号の終了時にこの行のＴＦＴはフィール
ド期間Ｔｆの残存期間に亘ってターンオフされ、これに
より画素が導体１６から絶縁され、供給された電荷が次
のフィールド期間に再びアドレスされるまで画素に蓄積
されたままとなる。
【００１５】行導体１４には行ドライバ回路２０により
ゲート信号が順次供給され、このドライバ回路はタイミ
ング及び制御回路２１からの規則正しいタイミングパル
スにより制御されるディジタルシフトレジスタを具える
。ゲート信号間の時間間隔中は行導体にはドライバ回路
２０によりほぼ一定の基準電位が供給される。ビデオ情
報信号は列ドライバ回路２２から列導体１６に供給され
、このドライバ回路は１以上のシフトレジスタ／サンプ
ルホールド回路を具える。回路２２には行走査と同期し
てビデオ処理回路２４からのビデオ信号と回路２１から
のタイミングパルスが供給され、パネル１０の行単位ア
ドレスに適合する直列−並列変換を行なう。
【００１６】図２はＴＶ画像を表示する際の表示装置の
動作中の各部の代表的な信号波形を示すものであるが、
図示の波形及び電位レベルは一例にすぎず、例えば他の
既知の駆動方法を用いるときは変えることができること
勿論である。図２ａはビデオ処理回路２４からの波形の
一部を示す。図２ａの波形の括弧でくくった部分は３つ
のＴＶライン（各々持続時間Ｔｌ）の情報を含み、この
部分を図２ｂに大きく拡大して示してある。図２ｃは１
つの列導体１６に現われるビデオデータ電圧の一例、本
例では第ｋ番の列導体に現われるデータ電圧Ｖｄ（ｋ）
を示し、これらデータ電圧は各ライン中にビデオ波形を
破線で示す特定の点でサンプルホールドした持続時間Ｔ
ｌの一連の電圧レベルから成る。図２ｄ及び図２ｅは２
個の順次の行アドレス導体１４、即ち第ｌ番及び第（ｌ
＋１）番の行導体に供給される行選択（ゲート）信号の
波形Ｖｇ　を示し、これら信号は本例では簡単のために
次のＴＶライン消去期間中に供給されるものとして示し
てある。列ドライバ回路２２の他の既知の例ではもっと
長い充電期間を与えることができる。行導体は順次に走
査され、順次の行アドレス導体に順次に供給されるゲー
トパルスはこれに応じて互にずれること勿論である。対
向支持板上の共通対向電極は一定の基準電位にする。図
２ｆ及び図２ｇはｋ番の列導体及びｌ番の行導体と関連
する画素及びｋ番の列導体及びｌ＋１番の行導体と関連
する画素の電極２０に現われる電圧Ｖｌｃを示す。
【００１７】本発明では、ＴＦＴを不所望な光電流効果
から保護するために、第１行の画素のＴＦＴは別にして
、全てのＴＦＴの各々に当該ＴＦＴが接続される行アド
レス導体の隣りの行アドレス導体と電気的に接続した金
属遮光体を設ける。これら遮光体の種々の例をアモルフ
ァスシリコンＴＦＴ及びポリシリコンＴＦＴをそれぞれ
用いる表示装置の２つの異なる実施例について以下に説
明する。
【００１８】図３はスイッチング素子として反転スタガ
型アモルファスシリコンＴＦＴを用いる表示装置の一例
の代表的な画素及び関連するＴＦＴ、及び行及び列アド
レス導体部分の概略平面図を示す。図３のＩＶ−ＩＶ線
に沿うこの表示装置の断面を図４に示す。
【００１９】図３及び図４において、この表示装置は間
にねじれネマチック液晶材料３２を介挿した１対の一定
間隔のガラス支持板３０及び３１を具える。板３１はそ
の内面上にアレーの全画素に共通の透明ＩＴＯ連続電極
３３とＬＣ配向層３４とを具える。
【００２０】板３０は行及び列アドレス導体１４及び１
６、ＴＦＴ１１及び画素電極２０を支持する。各画素の
領域において、例えばアルミニウム又はクロムの行アド
レス導体１４は一体に形成された延長部３６を有し、そ
の先端部がＴＦＴのゲート端子を構成する。例えばアル
ミニウム及び／又はクロムの列導体１６は行導体からそ
れらの交差部において窒化シリコンのような絶縁材料の
介在層３８により絶縁すると共に、この絶縁層はゲート
端子及び板３０の表面の周囲領域上にも延在させる。列
導体１６にはＴＦＴのソース端子を構成する横方向延長
部３９を一体に形成する。ＴＦＴのドレイン端子４０は
列導体１６と同時に堆積材料から形成し、ＩＴＯ電極２
０上を延在させて位置４３でこの電極と接触させる。水
素化アモルファスシリコン材料の半導体層４１を層３８
の上及びソースドレイン端子３９及び４０の下に堆積し
てゲート端子３６の上方を延在するＴＦＴのチャネル領
域４２を形成する。例えばアルミニウム、又はアルミニ
ウムとクロムの不透明金属層４５から成る遮光体をチャ
ネル領域４２及び層３９及び４０の隣接部分上に設ける
と共にこの金属層の下側に窒化シリコンのような絶縁材
料の不活性層４４を設けてこの金属層をソース及びドレ
イン端子３９及び４０及びチャネル領域４２から分離さ
せる。この金属層４５は列導体１６と平行に、前行の画
素と関連するすぐ隣りの行アドレス導体１４まで延在す
る延長部４６を有する。この延長部は前行のアドレス導
体１４と、絶縁層４４及び３８に形成した窓４７を介し
て電気的に接触させる。遮光体４５と前行のアドレス導
体との間の相互接続を与えるこの延長部は金属遮光層４
５と別個に形成した層で形成することもできる。この場
合にはこの延長部を遮光体と隣りの行導体の双方と接触
させる必要があるが、ＩＴＯのような透明導電材料で形
成することができる。板３０上の構造は層３４と同様に
ＬＣ配向層４８により完全に被覆する。
【００２１】この金属遮光体４５はドレイン接点の全領
域を含むＴＦＴの能動領域を完全に覆うような寸法にす
る。この遮光体はソース接点領域の小部分のみを覆うよ
うにしてＴＦＴのターンオン時に充電しなければならな
いソース接点との寄生容量が大きくなりすぎないように
する。遮光体は入射光を反射して能動領域を極めて有効
に遮光してチャネル領域４２に光電流が発生するのを阻
止する。光は表示装置に何れの方向にも入射させること
ができる。光が板３１上に入射される場合、遮光体４５
はＴＦＴを直接光及び内部反射光からマスクすると共に
、ゲート端子３６が板３０内で又は板３０上の偏光層に
より反射された光からチャネル領域を遮光するよう作用
する。
【００２２】図５及び図６はスイッチング装置としてポ
リシリコンＴＦＴを用いる表示装置の一実施例の図３及
び図４に対応する概略平面図及び断面図を示す。行及び
列導体は前実施例と同様の形態であり、ＴＦＴのゲート
及びソース端子を構成する延長部３６及び３９を一体に
具える。列導体１６は同様にアルミニウム及び／又はク
ロムで形成することができる。行導体１４及びゲート端
子３６はドープポリシリコンで形成し、アルミニウム層
をかぶせる。ＩＴＯ電極２０への接続部と一体のドレイ
ン電極４０は列導体と同時に形成する。ＴＦＴ１１はポ
リシリコン材料の層５０を具え、この層の５１及び５２
で示す領域をドープして互に離間したソース及びドレイ
ン領域を形成する。絶縁酸化物の層５４をポリシリコン
層５０上に被覆し、これに２つの窓を設けてソース及び
ドレイン端子３９及び４０をソース及びドレイン領域５
１及び５２に接触させる。領域５１及び５２間にドープ
ポリシリコンの他の層５５をゲート層として設け、この
ゲート層上にアルミニウムのゲート接点３７を延在させ
る。ゲート端子に用いる上側ドープポリシリコン及びア
ルミニウム材料により行導体１４も構成する。ゲート端
子３６はポリシリコン層５０上を延在する複数の個別の
指状部を具えるものとすることもできる。
【００２３】ＴＦＴ１１の区域の下側に、ＴＦＴの遮光
体４５を構成するモリブデン又はタングステンのような
耐熱性金属の金属層を設ける。この金属層は板３０の表
面上に直接設けると共に、ポリシリコン層５０及び酸化
物層５４の隣接領域から例えば同じく酸化物の絶縁層５
６により分離する。ポリシリコン層５０はアモルファス
シリコン材料のレーザ再結晶法により形成することがで
き、この場合には使用温度がかなり低いので耐熱金属以
外の金属、例えばアルミニウムを遮光体４５及び相互接
続部４６に用いることができる。下側金属層４５は細条
状にしてＴＦＴから延在させて相互接続部４６を形成し
、これをその先端４９で直前の画素行と関連する隣りの
行アドレス導体１４と接触させる。この接触は上側絶縁
層５６の窓を介して達成する。前実施例と同様に、遮光
体４５及び相互接続部４６は別個に形成した層で構成す
ることもできる。
【００２４】金属遮光体４５の寸法は、ＴＦＴの能動領
域、特にドープソース及びドレイン領域５１及び５２間
を延在するチャネル領域５７及びソース及びドレイン領
域自体も完全に覆うようにする。遮光体は板３０に面す
るその表面から光を反射して能動領域内に光電流が発生
するのを阻止する。
【００２５】動作においては光を表示装置に何れの方向
にも入射させることができる。光を板３０を経て入射さ
せる場合、ＴＦＴの能動領域は遮光体４５により直接光
から遮蔽されると共に、ゲート、ソース及びドレイン接
点が追加のマスクとして作用して内部反射光が能動領域
に到達するのを阻止する。逆に、光を板３１を経て入射
させる場合、ゲート、ソース及びドレイン接点が能動領
域を直接光から遮蔽すると共に遮光体４５が内部反射光
、特に板３０とその外面上に支持した偏光層（図示せず
）との界面で反射された光を遮蔽する。
【００２６】上述した両実施例ともこれらの表示装置は
直視用に、又は投写システムに用いることができる。遮
光体４５はそれらのそれぞれのＴＦＴのソース及びドレ
イン端子上を延在し橋絡するが、寄生容量による影響は
最低になる。実際上比較的短かいゲートパルスの持続時
間を除いて１フィールドの全期間に亘って前行のアドレ
ス導体及び従って当該行の遮光体は図３ｄに示すように
ほぼ一定の基準電位、例えば大地電位にあるため、遮光
体により生ずる容量結合効果は無視することができる。 これがため不所望な容量性クロストークの問題が避けら
れる。更に、ゲートパルスが前行のアドレス導体に供給
される結果として当該行の画素が受ける表示の影響も、
これら画素はその直後に次の行アドレス期間中にそれら
の本来の表示情報でリフレッシュされるので、知覚され
ない。
【００２７】遮光体及び前行のアドレス導体との相互接
続部の形成は図示の特定の実施例と異なる種々の方法で
実施することができること勿論である。遮光体及び相互
接続部は行アドレス導体間及び列アドレス導体間のスペ
ース内に含まれるので、それらの形成は相互接続部と行
又は列導体との間の絶縁クロスオーバを必要とすること
なく慣例の方法で簡単に達成することができる。
【００２８】第１行の画素と関連するＴＦＴに対する遮
光体、もっと詳しく言うとそれらの相互接続部の形成に
は僅かに異なる方法が必要である。例えば、第１行のＴ
ＦＴと関連する相互接続部４６は第１行の画素に対し図
３及び図５において前行のアドレス導体にほぼ対応する
よう位置させた補助導体に接続し、この補助導体を表示
パネル１０の行ドライバ回路２０と反対側絶縁部上を列
方向に延在するラインによりパネルの最終（第ｍ）行ア
ドレス導体１４に接続することができる。
【００２９】上述した表示装置の特定の実施例は単なる
例示であって、本発明は既知の他の形態のアクティブマ
トリクス表示装置及び特に他のタイプのトランジスタ構
造にも等しく適用することができる。更に、本明細書を
読めば他の変更も当業者に明らかである。これらの変更
にはアクティブマトリクス表示装置の分野において既知
であってここに記載した特徴の代りに、又は加えて使用
し得る特徴も含めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明アクティブマトリクスアドレス液晶表示
装置の概略回路図である。
【図２】図１の表示装置の動作説明用波形図である。
【図３】本発明表示装置の第１の実施例の一部分の平面
図である。
【図４】図３の表示装置のＩＶ−ＩＶ線上の断面図であ
る。
【図５】本発明表示装置の第２の実施例の一部分の平面
図である。
【図６】図５の表示装置のＶＩ−ＶＩ線上の断面図であ
る。
【符号の説明】
１０　　アクティブマトリクスアドレス液晶表示パネル
１１　　ＴＦＴ １２　　画素 １４　　行アドレス導体 １６　　列アドレス導体 ２０　　画素電極 ３３　　対向電極 ３６　　ゲート端子 ３９　　ソース端子 ４０　　ドレイン端子 ４５　　遮光体 ４６　　延長部

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　所定間隔の第１及び第２支持板と、第
    １支持板上に支持された一組の画素電極の各々と第２支
    持板上に支持された対向電極とそれらの間に介挿された
    液晶材料とから成る画素の行列アレーと、ドライバ回路
    から選択信号が供給される第１支持板上の一組の行アド
    レス導体とを具え、第１支持板上の各行の画素電極は第
    １支持板上の各別のスイッチング装置を経て前記一組の
    行アドレス導体の関連する１つの導体に接続され、各ス
    イッチング装置は第１支持板上に支持された遮光体を具
    えているアクティブマトリクス液晶表示装置において、
    各スイッチング装置の遮光体は当該スイッチング装置が
    接続される行アドレス導体の隣りの行アドレス導体に電
    気的に接続した金属層で構成したことを特徴とするアク
    ティブマトリクス液晶表示装置。
  2. 【請求項２】　　各遮光体はスイッチング装置から隣り
    の行アドレス導体まで延在し該導体と接触する金属層を
    具えることを特徴とする請求項１記載のアクティブマト
    リクス液晶表示装置。
  3. 【請求項３】　　各遮光体は前隣りの行アドレス導体に
    接続したことを特徴とする請求項１又は２記載のアクテ
    ィブマトリクス液晶表示装置。
  4. 【請求項４】　　各遮光体はスイッチング装置上を延在
    し、スイッチング装置が遮光体と第１支持板の表面との
    間に位置することを特徴とする請求項１〜３の何れかに
    記載のアクティブマトリクス液晶表示装置。
  5. 【請求項５】　　各遮光体はスイッチング装置と第１支
    持体の表面との間に延在することを特徴とする請求項１
    〜３の何れかに記載のアクティブマトリクス液晶表示装
    置。
  6. 【請求項６】　　スイッチング装置はアモルファスシリ
    コンＴＦＴを具えることを特徴とする請求項１〜５の何
    れかに記載のアクティブマトリクス液晶表示装置。
  7. 【請求項７】　　スイッチング装置はポリシリコンＴＦ
    Ｔを具えることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記
    載のアクティブマトリクス液晶表示装置。
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